DDR內(nèi)存常用品牌顆粒識別

1、DDR內(nèi)存常用品牌顆粒識別詳解海力士(現(xiàn)代)內(nèi)存海力士內(nèi)存顆粒編號一般分為14個部分海力士DDR內(nèi)存顆粒編號示意HYXXXXXXXXX工作電壓V表示VDD=3.3V，VDDQ=2.5VU表示VDD=2.5V,VDDQ=2.5VW表示VDD=2.5V,VDDQ=1.8VS表示VDD=1.8V,VDDQ=1.8V容量和刷新設(shè)置64表示64Mb、4K刷新66表示64Mb、2K刷新28表示128Mb、4K刷新表示256Mb、8K刷新表示256Mb、4K刷新12表示512Mb、8K刷新1G表示1Gb、8K刷新5.顆粒位寬4表示X48表示X816表示X1632表示X326表示邏輯BANK數(shù)量表示2bank

2、S表示4BANKS表示8BANKS7.接口類型表示SSTL_3表示SSTL_2表示SSTL_188.顆粒版本“空白”表示第一代生產(chǎn)A表示第二代B表示第三代C表示第四代9.能耗水準(zhǔn)“空白”表示大眾商用型、普通能耗L表示大眾商用型、低能耗10.封裝形式T表示TSOPQ表示LQFPF表示FBGAFC表示FBGA(UTC：8X13mm)11.表示堆疊封裝“空白”表示普通S表示HynixK表示M&TJ表示其他M表示MCP(Hynix)MU表示MCP(UTC)12.封裝材料空白表示普通材料P表示鉛H表示鹵素R表示鉛和鹵素13.顆粒性能D43表示DDR400(3-3-3)D3表示DDR400(3-4-4)J

3、表示DDR333M表示DDR266(2-2-2)K表示DDR266AH表示DDR226BL表示DDR20014.工作需求溫度I表示工業(yè)常溫40-85度E擴展溫度零下25-85三星DDR內(nèi)存三星內(nèi)存顆粒一般分為17部分SAMSUNG331SAMSUNG331m560838F-TCCCS表示sTSOP2G表示FBGAU表示TSOP2(LEADFREE)Z表示FBGA(LEADFREE)K4XXXXXC-L大234567】工業(yè)型、普通能耗1K表示內(nèi)率延2.內(nèi)存類別4表示DRaMXXXCCDdR40O3-3-33-4-43-4-4工作溫度、能耗普通能耗工作溫度0-70低通能耗0-7040-853.H存

4、子類別示DDRT表示DDR24-5.代表容量n121314i5C；ddr：66B3DDR3332.5-3-3AADDR2662-2-2A2DDR2662-3-3BODDR2662.5-3-315-17.OEM時常保留標(biāo)號位置英飛凌內(nèi)存英飛凌內(nèi)存顆粒編號一般分A2DDR2662-3-3BODDR2662.5-3-315-17.OEM時常保留標(biāo)號位置英飛凌內(nèi)存英飛凌內(nèi)存顆粒編號一般分10個部分&Infineon罔療號鈾?5麗如旳一5SnS!WVV34D21表示3.3V25表示2.5V18表示1.8V內(nèi)存類型S表示SDRD表示DDRT表示DDR2容量略5.產(chǎn)品結(jié)構(gòu)表示X480表示X828表示l28M

5、b56表示256Mb5l表示5l2Mb1G表示1Gb2G表示2Gb6-7.表示位寬04表示X432表示X3206表示X4Stack07表示X8Stack16表示X16表示BANK數(shù)量3表示4BANK4表示8BANK表示接口類型與電壓8表示接口類型為SSTL_2工作電壓2.5VQ表示接口類型SSTL工作電壓1.8V10.產(chǎn)品版本M1代A2代B3代C4代D5代E6代F7代G8代H9代生產(chǎn)11.封裝類型T表示TSOP216表示X166.產(chǎn)品變化，0表示標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品7.版本號字母表中的順序越靠后越新例如A1代B2代C3代.封裝類型CFBGA（含鉛）TTSOP400mil（含鉛）ETSOP400mil（無鉛無鹵）FFBGA（無鉛無鹵）G堆疊TSOP（無鉛無鹵）能耗標(biāo)準(zhǔn)空白表示普通能耗L低能耗10.顆