GB∕T 4023-2015 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分：整流二極管

ICS3108010

K46..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

代替:

GB/T4023—1997

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路

第2部分整流二極管

:

Semiconductordevices—Discretedevicesandintegratedcircuits—

Part2Rectifierdiodes

:

(IEC60747-2:2000,IDT)

2015-12-31發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

目次

前言

…………………………Ⅶ

引言

…………………………Ⅸ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般術(shù)語

3.1……………1

額定值和特性的術(shù)語電壓

3.2:…………2

額定值和特性的術(shù)語電流

3.3:…………3

額定值和特性的術(shù)語耗散功率

3.4:……………………4

額定值和特性的術(shù)語其他特性

3.5:……………………5

文字符號(hào)

4…………………7

概述

4.1…………………7

補(bǔ)充的通用下標(biāo)

4.2……………………7

電流電壓和功率

4.2.1、………………8

電參數(shù)

4.2.2…………………………8

文字符號(hào)表

4.3…………………………8

電壓參見圖圖

4.3.1(4、5)…………8

電流參見圖

4.3.2(6)…………………9

功率

4.3.3……………10

開關(guān)

4.3.4……………10

基本額定值和特性

5………………………10

概述

5.1…………………10

適用范圍

5.1.1………………………10

額定方法

5.1.2………………………10

推薦溫度

5.1.3………………………10

額定條件

5.2……………11

環(huán)境額定的整流二極管

5.2.1………………………11

管殼額定的整流二極管

5.2.2………………………11

電壓和電流的額定值極限值

5.3()……………………11

反向不重復(fù)峰值電壓V

5.3.1(RSM)…………………11

反向重復(fù)峰值電壓V

5.3.2(RRM)……………………11

Ⅰ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

反向工作峰值電壓V

5.3.3(RWM)……………………11

反向直流電壓V適用時(shí)

5.3.4(R)()…………………11

正向平均電流I

5.3.5(F(AV))………………………11

正向重復(fù)峰值電流I適用時(shí)特別適用于快開關(guān)二極管

5.3.6(FRM)()()…………11

正向過載電流I

5.3.7((OV))…………12

正向浪涌電流I

5.3.8(FSM)…………12

正向直流電流I

5.3.9(F)……………12

管殼不破裂峰值電流I

5.3.10(RSMC)………………13

頻率額定值極限值

5.4()………………13

耗散功率額定值極限值

5.5()…………13

反向浪涌耗散功率雪崩整流二極管和可控雪崩整流二極管的

5.5.1()…………13

反向重復(fù)峰值耗散功率可控雪崩整流二極管的

5.5.2()…………13

反向平均耗散功率可控雪崩整流二極管的

5.5.3()………………13

溫度額定值極限值

5.6()………………13

冷卻流體的溫度或基準(zhǔn)點(diǎn)的溫度對(duì)于環(huán)境額定的或管殼額定的整流二極管

5.6.1()…………13

貯存溫度T

5.6.2(stg)………………13

等效結(jié)溫T適用時(shí)

5.6.3(j)()………………………13

電特性

5.7………………13

正向特性適用時(shí)

5.7.1()……………13

正向電壓在熱平衡條件下

5.7.2()…………………14

擊穿電壓V雪崩整流二極管的用于不重復(fù)的情況

5.7.3((BR))(,)………………14

反向重復(fù)峰值電流I

5.7.4(RRM)……………………14

總耗散功率P

5.7.5(tot)……………14

一個(gè)正弦半波正向電流脈沖的最大總能量適用時(shí)特別適用于快開關(guān)二極管

5.7.6()()………14

恢復(fù)電荷Q適用時(shí)見圖

5.7.7(r)(),9……………15

反向恢復(fù)峰值電流i適用時(shí)見圖

5.7.8(RM)(),9…………………15

反向恢復(fù)時(shí)間t適用時(shí)見圖

5.7.9(rr)(),9………15

正向恢復(fù)時(shí)間適用時(shí)

5.7.10()……………………15

正向恢復(fù)峰值電壓V適用時(shí)

5.7.11(FRM)()………15

反向恢復(fù)軟度因子F適用時(shí)

5.7.12()[](RRS)()…………………16

熱特性適用時(shí)

5.8()……………………16

機(jī)械特性和其他數(shù)據(jù)

5.9………………16

應(yīng)用數(shù)據(jù)

5.10…………………………16

穩(wěn)態(tài)運(yùn)行包括過載

5.10.1()………………………16

瞬態(tài)條件

5.10.2……………………17

型式試驗(yàn)和常規(guī)試驗(yàn)的要求整流二極管的標(biāo)志

6,……………………17

型式試驗(yàn)

6.1……………17

Ⅱ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

常規(guī)試驗(yàn)

6.2……………17

測(cè)量和試驗(yàn)方法

6.3……………………18

整流二極管的標(biāo)志

6.4…………………18

測(cè)量和試驗(yàn)方法

7…………………………18

電特性的測(cè)量方法

7.1…………………18

一般注意事項(xiàng)

7.1.1…………………18

正向電壓

7.1.2………………………18

雪崩和可控雪崩整流二極管的擊穿電壓V

7.1.3((BR))……………20

反向電流

7.1.4………………………21

恢復(fù)電荷和反向恢復(fù)時(shí)間Qt

7.1.5(r,rr)…………24

正向恢復(fù)時(shí)間和正向恢復(fù)峰值電壓tV

7.1.6(fr,FRM)……………27

熱特性的測(cè)量方法

7.2…………………28

基準(zhǔn)點(diǎn)溫度

7.2.1……………………28

熱阻與瞬態(tài)熱阻抗

7.2.2……………28

額定值極限值的檢驗(yàn)方法

7.3()………………………30

正向浪涌電流I

7.3.1(FSM)…………30

反向不重復(fù)峰值電壓V

7.3.2(RSM)…………………32

雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率重復(fù)或不重復(fù)的PP

7.3.3()(RRM,RSM)…………32

管殼不破裂峰值電流

7.3.4…………36

電耐久性試驗(yàn)

7.4………………………38

耐久性試驗(yàn)表

7.4.1…………………38

耐久性試驗(yàn)條件

7.4.2………………38

接收試驗(yàn)的失效判據(jù)和判定失效的特性

7.4.3……………………38

可靠性試驗(yàn)的判定失效的特性和失效判據(jù)

7.4.4…………………38

試驗(yàn)失誤時(shí)的程序

7.4.5……………38

循環(huán)負(fù)載試驗(yàn)

7.4.6…………………38

附錄資料性附錄隨時(shí)間變化負(fù)載溫升的計(jì)算

A()……………………40

圖正向恢復(fù)期間的電壓波形

1……………5

圖反向恢復(fù)期間的電流波形

2……………6

圖恢復(fù)電荷

3………………7

圖反向電壓額定值

4………………………8

圖正向特性

5………………9

圖正向電流額定值

6………………………9

圖正向重復(fù)峰值電流I示例

7(FRM)……………………12

圖一個(gè)正弦半波電流脈沖的最大總能量與正向電流值和脈沖持續(xù)時(shí)間的關(guān)系

8

Ⅲ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

參變量以焦?fàn)枮閱挝坏拿}沖能量

(:)………………14

圖恢復(fù)電荷Q反向恢復(fù)峰值電流i反向恢復(fù)時(shí)間t理想特性曲線

9r,RM,rr()………15

圖正向電壓的測(cè)試電路直流法

10()……………………19

圖正向電壓的測(cè)試電路示波器法

11()…………………19

圖正向電壓的測(cè)試電路脈沖法

12()……………………19

圖正向平均電壓的測(cè)試電路

13…………20

圖擊穿電壓的測(cè)試電路

14………………21

圖反向電流的測(cè)試電路直流法

15()……………………21

圖反向電流的測(cè)試電路示波器法

16()…………………22

圖反向峰值電流的測(cè)試電路

17…………22

圖反向峰值電流的測(cè)試電路電流加熱法

18()…………23

圖Q和t的測(cè)試電路正弦半波法

19rrr()………………24

圖通過二極管的電流波形正弦半波法

20D()…………24

圖Q和t的測(cè)試電路矩形波法

21rrr()…………………25

圖通過二極管的電流波形矩形波法

22D()……………26

圖t和V的測(cè)試電路

23frFRM………………27

圖測(cè)量t和V的電流和電壓波形

24frFRM………………27

圖熱阻的測(cè)試電路

25……………………29

圖瞬態(tài)熱阻抗的測(cè)試電路

26……………30

圖浪涌電流的測(cè)試電路

27………………31

圖反向不重復(fù)峰值電壓的測(cè)試電路

28…………………32

圖雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率的測(cè)試電路反向電流三角波法

29()………………33

圖反向電流波形三角波法

30()…………33

圖雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率的測(cè)試電路反向電流正弦波法

31()………………34

圖反向電流波形正弦波法

32()…………34

圖雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率的測(cè)試電路反向電流矩形波法

33()………………35

圖反向電流波形矩形波法

34()…………35

圖反向功率P與擊穿電壓的關(guān)系

35RSM………………36

圖管殼不破裂峰值電流的測(cè)試電路

36…………………37

圖通過受試器件的反向電流i波形

37R………………37

圖熱循環(huán)負(fù)載試驗(yàn)的電路和波形

38……………………38

圖非矩形脈沖的階梯形近似

A.1………………………40

圖半導(dǎo)體器件內(nèi)產(chǎn)生耗散功率P持續(xù)時(shí)間為t的矩形脈沖

A.2、1…………………40

圖瞬態(tài)熱阻抗Zt與時(shí)間的關(guān)系

A.3th()………………41

圖三個(gè)矩形脈沖單序列

A.4……………41

圖相同脈沖的周期序列

A.5……………42

圖每組兩個(gè)不同脈沖的周期序列

A.6…………………43

Ⅳ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

表整流二極管的型式試驗(yàn)和常規(guī)試驗(yàn)的最少試驗(yàn)項(xiàng)目

1……………17

表耐久性試驗(yàn)后接收時(shí)判定失效的特性

2,……………39

表耐久性試驗(yàn)條件

3……………………39

表幾種典型負(fù)載時(shí)等效結(jié)溫升的計(jì)算公式

A.1………45

Ⅴ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

前言

半導(dǎo)體器件分立器件系列國家標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)計(jì)結(jié)構(gòu)如下

《》:

第部分總則

———1:;

第部分整流二極管

———2:;

第部分信號(hào)包括開關(guān)和調(diào)整二極管

———3:();

第部分微波器件

———4:;

第部分微波二極管和晶體管微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范

———4-1:;

第部分光電子器件總則

———5-1:;

第部分光電子器件基本額定值和特性

———5-2:;

第部分光電子器件測(cè)試方法

———5-3:;

第部分光電子器件半導(dǎo)體激光器

———5-4:;

第部分光電子器件光電耦合器

———5-5:;

第部分晶閘管

———6:;

第部分雙極型晶體管

———7:;

第部分場(chǎng)效應(yīng)晶體管

———8:;

第部分絕緣柵雙極晶體管

———9:;

第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

———10:;

第部分分立器件分規(guī)范

———11:;

第部分半導(dǎo)體傳感器總則和分類

———14-1:;

第部分半導(dǎo)體傳感器霍爾元件

———14-2:;

第部分半導(dǎo)體傳感器壓力傳感器

———14-3:;

第部分半導(dǎo)體傳感器半導(dǎo)體加速度計(jì)

———14-4:;

第部分半導(dǎo)體傳感器結(jié)半導(dǎo)體溫度傳感器

———14-5:PN;

第部分絕緣功率半導(dǎo)體器件

———15:;

第部分微波集成電路放大器

———16-1:;

第部分微波集成電路頻率預(yù)計(jì)數(shù)器

———16-2:;

第部分微波集成電路頻率轉(zhuǎn)換器

———16-3:;

第部分微波集成電路開關(guān)

———16-4:;

第部分基本絕緣和加強(qiáng)絕緣的磁性和電容性耦合

———17:。

本部分為半導(dǎo)體器件分立器件系列國家標(biāo)準(zhǔn)的第部分

《》2。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分整流二極管

GB/T4023—1997《2:》。

本部分與相比主要變化如下

GB/T4023—1997:

編寫規(guī)則和采用標(biāo)準(zhǔn)的版本與其一致性程度不同是按

———IEC、:GB/T4023—1997GB/T1.1—

等效采用和年年的兩個(gè)修訂件本部分是按

1993,IEC747-2:19831992、1993;GB/T1.1—

和等同采用

2009GB/T20000.2—2009,IEC60747-2:2000。

內(nèi)容結(jié)構(gòu)編排不同采用篇章節(jié)條項(xiàng)編號(hào)引言屬正文并編章條

———:GB/T4023—1997()、、、,“”

號(hào)本部分采用章條項(xiàng)編號(hào)引言在正文前單獨(dú)為一頁不編章條號(hào)

;、、,“”,。

增加了管殼不破裂峰值電流的文字符號(hào)I并將其對(duì)應(yīng)的管殼不破裂I2t中的I2t

———“”“RSMC”,“”

Ⅶ

GB/T4023—2015/IEC60747-22000

:

改為I2t同時(shí)將管殼不破裂I2t由耗散功率術(shù)語條移至電流術(shù)語條

RC,“RC”。

增加了反向恢復(fù)軟度因子術(shù)語定義文字符號(hào)及其特性值的條件

———“()[]”、、。

增加了正向恢復(fù)峰值電壓特性值的條件

———“”。

文字符號(hào)章增加了開關(guān)特性的文字符號(hào)個(gè)和電流的文字符號(hào)個(gè)III

———114(FAV、FRMS、RM、

I刪除了I

RSMC),R(AV)。

增加了型式試驗(yàn)和常規(guī)試驗(yàn)的要求整流二極管的標(biāo)志一章內(nèi)容

———“、”。

刪除了反向重復(fù)峰值電壓的另一名稱最高反向重復(fù)電壓及相關(guān)的注

———“”“”“”。

刪除了附錄瞬態(tài)熱阻抗測(cè)試方法快速測(cè)試方法

———B“()”。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分

IEC60747-2:2000《2:

整流二極管英文版

》()。

本部分做了下列編輯性修改和勘誤

:

增加了前言刪除了標(biāo)準(zhǔn)的前言

———“”,IEC“”;

的本部分本出版物和本國際標(biāo)準(zhǔn)均改為本部分

———“IEC60747”“”“”“”;

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)條文中的實(shí)際引用情況增加了電工術(shù)語半導(dǎo)體器件和集

———,GB/T2900.66—2004《

成電路作為規(guī)范性引用文件

》;

將用于電流電壓的修飾詞連續(xù)直流改為直流

———、“()”“”;

將表示溫度的文字符號(hào)T和θ兩種字母統(tǒng)一為T表示溫度的文字符號(hào)下標(biāo)

———“”“”“”,amb、case、

分別改為

vj、refa、c、j、r;

用小數(shù)點(diǎn)代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)

———“.”“,”;

對(duì)公式統(tǒng)一編號(hào)

———;

將正向不重復(fù)浪涌電流統(tǒng)一為正向浪涌電流與第章中一致

———“()”“”,3;

將中反向重復(fù)峰值電流的文字符號(hào)I勘誤為I

———5.7.4“”RMRRM;

刪除系中下一層次的孤條的編號(hào)相應(yīng)的內(nèi)容直接歸入

———5.8.1(5.8),5.8;

將式中符號(hào)t的釋文較高頻率的重復(fù)率勘誤為較高頻率的重復(fù)率的倒數(shù)

———(A.29)2“”“”。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位西安電力電子技術(shù)研究所國營第八七三廠湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司株洲

:、、、

南車時(shí)代電氣股份有限公司電力電子事業(yè)部浙江硅都電力電子有限公司

、。

本部分主要起草人