大工22春《高電壓技術(shù)》在線作業(yè)一

1、-本頁為預(yù)覽頁P(yáng)AGE5-本頁為預(yù)覽頁-本頁為預(yù)覽頁大工22春高電壓技術(shù)在線作業(yè)1-00001第1題. 由于電場不均勻,在電極附近發(fā)生的局部放電稱為()。選項(xiàng)A：擊穿選項(xiàng)B：電暈選項(xiàng)C：閃絡(luò)選項(xiàng)D：放電參考答案：B第2題. 每個(gè)碰撞陰極的正離子,使陰極金屬表面平均釋放出的自由電子數(shù)稱為()。選項(xiàng)A：系數(shù)選項(xiàng)B：系數(shù)選項(xiàng)C：系數(shù)選項(xiàng)D：系數(shù)參考答案：C第3題. 下列方法不可以提高氣體介質(zhì)強(qiáng)度的是()。選項(xiàng)A：改進(jìn)電極形狀選項(xiàng)B：利用空間電荷改善電場分布選項(xiàng)C：采用低氣壓選項(xiàng)D：采用高真空參考答案：C第4題. 下列關(guān)于湯遜理論說法不正確的是()。選項(xiàng)A：湯遜理論認(rèn)為自持放電是氣體間隙擊穿的必要條件

2、選項(xiàng)B：湯遜理論認(rèn)為電子空間碰撞電離是電離主要因素選項(xiàng)C：湯遜理論適用于高氣壓長間隙選項(xiàng)D：湯遜理論適用于低氣壓短間隙參考答案：C第5題. 下列說法正確的是()。選項(xiàng)A：在電場的作用下，由電介質(zhì)組成的絕緣間隙喪失絕緣性能形成導(dǎo)電通道的現(xiàn)象稱為擊穿選項(xiàng)B：擊穿電壓是指使絕緣擊穿的最高臨界電壓選項(xiàng)C：發(fā)生擊穿時(shí)在絕緣中的最大平均電場強(qiáng)度叫做擊穿場強(qiáng)選項(xiàng)D：以上說法都正確參考答案：A第6題. 湯遜理論不適用于()情況下。選項(xiàng)A：小間隙選項(xiàng)B：壓力小選項(xiàng)C：空氣稀薄選項(xiàng)D：長間隙參考答案：D第7題. 下列屬于極不均勻電場特性的是()。選項(xiàng)A：極不均勻電場的擊穿電壓比均勻電場低選項(xiàng)B：極不均勻電場如果是

3、不對稱電極，則放電有極性效應(yīng)選項(xiàng)C：極不均勻電場具有特殊的放電形式電暈放電選項(xiàng)D：以上選項(xiàng)都屬于參考答案：D第8題. 電暈放電是一種()。選項(xiàng)A：自持放電選項(xiàng)B：非自持放電選項(xiàng)C：電弧放電選項(xiàng)D：均勻場中放電參考答案：A第9題. 當(dāng)電場不均勻系數(shù)為()時(shí),此電場為極不均勻電場。選項(xiàng)A：f=2選項(xiàng)B：f2選項(xiàng)C：f4參考答案：D第10題. 發(fā)生()時(shí)只產(chǎn)生電子,沒有正離子出現(xiàn)。選項(xiàng)A：表面電離選項(xiàng)B：光電離選項(xiàng)C：熱電離選項(xiàng)D：碰撞電離參考答案：A第11題. 流注具有電離強(qiáng)度大、傳播速度快、導(dǎo)電性能良好的特點(diǎn)。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：A第12題. 在均勻電場中,直流擊穿電壓和工頻擊穿電壓(

4、幅值)是不同的。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：B第13題. 去電離過程通常包括帶電粒子的運(yùn)動、擴(kuò)散、復(fù)合和附著效應(yīng)。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：A第14題. 流注理論適用于低氣壓、短間隙的情況。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：B第15題. 在棒-板構(gòu)成的不均勻電場中,正棒的電暈起始電壓大于負(fù)棒的電暈起始電壓。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：B第16題. 流注理論認(rèn)為電子碰撞電離和空間光電離是維持自持放電的主要因素。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：A第17題. 電暈現(xiàn)象必須防止,因?yàn)樗鼪]有任何好處。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：B第18題. 絕緣子的用途是將電位不同的導(dǎo)體在機(jī)械上面相互連接,而在電氣上面相互絕緣。選項(xiàng)A：對選項(xiàng)B：錯(cuò)參考答案：A第19題. 表面電離是氣體產(chǎn)生帶電粒子的最重要形式。