科創(chuàng)板受理公司巡禮系列之（一）：中微公司擬科創(chuàng)板上市半導(dǎo)體設(shè)備后起之秀或突破國際壟斷

1、內(nèi)容目錄寫在前面：中微公司擬登陸科創(chuàng)板，成半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)領(lǐng)先？6明辨概念：到底何為刻蝕設(shè)備與 MOCVD設(shè)備？7刻蝕設(shè)備：半導(dǎo)體制造工藝的關(guān)鍵步驟，工藝要求不斷提升7設(shè)備：LED 制造重要環(huán)節(jié)，技術(shù)長足發(fā)展8深探內(nèi)核：十五年磨一劍，中微實現(xiàn)后發(fā)制人原因何在？10縱觀發(fā)展歷程：專注等離子刻蝕與薄膜沉積設(shè)備研發(fā)，已進入 5nm領(lǐng)域10深入核心業(yè)務(wù)：專注半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)與銷售 設(shè)備成主要收入來源刻蝕設(shè)備：刻蝕設(shè)備已進入5nm尺寸，占營收比重為 35%12 及其他設(shè)備：公司營收最大貢獻 年營收 億元15細析業(yè)績表現(xiàn)：營收兩年復(fù)合增長率 64%，2018 年歸母凈潤 億17財務(wù)狀況：2018 收 16

2、.39 億元，凈利潤扭虧為盈17季節(jié)與地域特征：大陸地區(qū)逐漸成主要收入來源地，第四季度為收入旺季19客戶與銷售模式：客戶集中度超過60%，直銷為主要模式20剖析競爭優(yōu)勢：專業(yè)研發(fā)團高研發(fā)投入，全球認可度較高20募投項目分析：擬發(fā)行不超過 萬股，融資10.02 億21聚焦市場：當(dāng)前時點下，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展如何？24市場規(guī)模：2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額621 億美元，中國大陸占 24刻蝕設(shè)備行業(yè)：下游需求推動工藝不斷發(fā)展，價值比重逐漸提高25 設(shè)備行業(yè)：中國需求躍居全球第一，保有量占全球比例已超 40%27競爭格局：中微逐漸成為國內(nèi)領(lǐng)先，與海外巨頭仍有較大差距27發(fā)展趨勢：需求精細化推動刻

3、蝕設(shè)備發(fā)展，LED新產(chǎn)業(yè)方向引領(lǐng)潮流29海外標(biāo)桿：深析三家海外優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體設(shè)備公司，我們看到了什么？31應(yīng)用材料：全球最大半導(dǎo)體設(shè)備制造商，產(chǎn)品覆蓋全面31阿斯麥：光刻機領(lǐng)域龍頭，全球唯一的極紫外光 光刻機供應(yīng)商33拉姆研究：全球第三大半導(dǎo)體生產(chǎn)商，近三年凈利潤增速超過 40%35橫縱比較：對比北方華創(chuàng)，中微公司有何獨特優(yōu)勢？37研發(fā)角度：研發(fā)投入持平研發(fā)人員比例37%+發(fā)明專利數(shù)量處較高水平37財務(wù)角度：與北方華創(chuàng)各有千秋，盈利能力同海外公司仍有差距39圖表目錄圖 1：半導(dǎo)體三大核心制造工藝示意圖7圖 2：干法刻蝕流程7圖 3：電容性等離子反應(yīng)腔8圖 4：電感性等離子體刻蝕反應(yīng)腔8圖 5：MO

4、CVD 系統(tǒng)方框圖8圖 6：MOCVD 系統(tǒng)原理9圖 7：中微公司發(fā)展歷程10圖 8：公司股權(quán)結(jié)構(gòu)圖 9：公司主營業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)12圖 10：公司專用設(shè)備收入結(jié)構(gòu)12圖 刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)工藝流程15圖 12：公司刻蝕設(shè)備銷售收入及占比15圖 13：公司刻蝕設(shè)備毛利及毛利率15圖 14：公司 設(shè)備生產(chǎn)流程17圖 15：公司 設(shè)備銷售收入及占比17圖 16：公司 設(shè)備毛利及毛利率17圖 17：公司營業(yè)收入及毛利率情況18圖 18：公司凈利潤及凈利率情況18圖 19：公司費用率情況19圖 20：公司資產(chǎn)周轉(zhuǎn)情況19圖 21：公司分地域收入情況（萬元）19圖 22：公司分季度收入情況（萬元）19圖 23：20

5、16-2018 年公司研發(fā)投入與占比情況21圖 24：中國集成電路市場規(guī)模及國產(chǎn)情況24圖 25：2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分布24圖 26：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈25圖 27：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及增速25圖 28：大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及增速25圖 29：2017 年集成電路各類設(shè)備銷售額占比26圖 30：2017 年圓晶制造各類設(shè)備銷售額占比26圖 31：10nm多重模板刻蝕工藝26圖 32：各類設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中的價值占比26圖 33：中國LED 顯示市場規(guī)模27圖 34：中國 設(shè)備保有量27圖 35：2016 年四家半導(dǎo)體公司研發(fā)費用（億美元）28圖 36：2017全球刻蝕設(shè)備市場份額分布情況

6、28圖 37：存儲器 與 3DNAND 示意圖29圖 38：2018-2022年 市場規(guī)模預(yù)測（億元）30圖 39：2018-2022年 MicroLED 市場規(guī)模預(yù)測（億元）30圖 40：應(yīng)用材料股價走勢（美元）31圖 41：2010-2018 年應(yīng)用材料營業(yè)收入情況32圖 42：2010-2018 年應(yīng)用材料凈利潤情況32圖 43：2012-2018 年應(yīng)用材料研發(fā)支出情況32圖 44：2012-2018 年應(yīng)用材料毛利率與凈利率情況32圖 45：2013-2018 年應(yīng)用材料四大事業(yè)部營收（百萬美元）33圖 46：阿斯麥股價走勢（美元）33圖 47：阿斯麥產(chǎn)品發(fā)展歷程34圖 48：201

7、3-2018 年阿斯麥營業(yè)收入情況34圖 49：2013-2018 年阿斯麥凈利潤情況34圖 50：2013-2018 年阿斯麥研發(fā)支出情況34圖 51：2013-2018 年阿斯麥毛利率與凈利率情況35圖 52：拉姆研究股價走勢（美元）35圖 53：2013-2018 年拉姆研究營業(yè)收入情況36圖 54：2013-2018 年拉姆研究凈利潤情況36圖 55：2013-2018 年拉姆研究研發(fā)支出情況36圖 56：2013-2018 年拉姆研究料毛利率與凈利率情況36圖 57：中微公司業(yè)務(wù)及主要客戶38圖 58：北方華創(chuàng)業(yè)務(wù)及主要客戶38表 1：公司核心技術(shù)團隊人員簡介10表 2：中微公司主要

8、產(chǎn)品表 3：公司刻蝕設(shè)備主要產(chǎn)品12表 4：電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況13表 5：電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)具體特征13表 6：電感性等離子體刻蝕設(shè)備與深硅刻蝕設(shè)備（TSV系列）核心技術(shù)概況14表 7：電感性等離子體刻蝕設(shè)備與深硅刻蝕設(shè)備（TSV系列）核心技術(shù)具體特征14表 8：公司刻蝕設(shè)備產(chǎn)銷量及價格情況15表 9：公司 及其他設(shè)備主要產(chǎn)品16表 10：MOCVD設(shè)備核心技術(shù)概況16表 設(shè)備核心技術(shù)具體特征16表 12：公司 設(shè)備產(chǎn)銷量及價格情況17表 13：2016-2018 年公司經(jīng)營活動現(xiàn)金流量明細（百萬元）18表 14：2016-2018 公司應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款情況（萬元）1

9、8表 15：2016-2018 年公司預(yù)收款項情況（萬元）19表 16：公司主要客戶群體20表 17：中微公司主營業(yè)務(wù)收入銷售方式構(gòu)成情況20表 18：公司人員構(gòu)成20表 19：募集資金用途22表 20：新技術(shù)課題研發(fā)基本情況22表 21：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游24表 22：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游24表 23：2018 年全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商系統(tǒng)及服務(wù)收入排名27表 24：全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商涉及領(lǐng)域27表 公司在行業(yè)主要競爭對手29表 26：應(yīng)用材料發(fā)展歷程31表 27：阿斯麥發(fā)展歷程33表 28：拉姆研究發(fā)展歷程35表 29：可比公司研發(fā)對比37表 30：中微公司主要董事、監(jiān)事、高管及核心

10、技術(shù)人員薪酬情況37表 31：中微公司承擔(dān)的重大科研項目37表 32：中微公司與北方華創(chuàng)細分領(lǐng)域38表 33：中微公司與北方華創(chuàng)主要設(shè)備差異38表 34：公司與北方華創(chuàng)盈利能力對比39表 35：中微公司與國外可比公司營業(yè)收入對比39表 36：中微公司與國外可比公司毛利率對比39表 37：中微公司與國外可比公司凈利率對比39表 38：公司與北方華創(chuàng)償債能力對比40表 39：公司與北方華創(chuàng)營運能力對比40表 40：公司與海外可比公司營運能力對比40表 41：中微公司與北方華創(chuàng)成本管理對比412019 年 3 月 29 日，中微公司發(fā)布科創(chuàng)板上市招股說明書（申報稿。本次擬發(fā)行股份不超過 5348.6

11、2 53486.22 次發(fā)行上市申請適用上市規(guī)則第 2.1.2 條第（四）項的規(guī)定。即預(yù)計市值不低于人民幣30 億元，且最近一年營業(yè)收入不低于人民幣 3 億元。本文將對中微公司經(jīng)營狀況，行業(yè)發(fā)展動態(tài)以及主要可比公司進行深度分析，解讀刻蝕設(shè)備與薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢并剖析中微公司獨特優(yōu)勢。中微公司成立于 2004 對等離子體刻蝕設(shè)備和 設(shè)備的開發(fā)，逐漸成為國內(nèi)領(lǐng)先，達到國際先進水平。同2018 年度 VLSI Research“客戶滿意度”調(diào)查中位居全球半導(dǎo)體設(shè)備公司的第三名，在刻蝕和清洗設(shè)備供應(yīng)商排名中位列第二，在全球薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商排名中榮登榜首。公司聚焦用于集成電路、LED 芯片等微觀

12、器件領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備和2018 年公司實現(xiàn)營業(yè)收入 16.39 億元，同比增長 203.72%為 100.00 億元。半導(dǎo)體設(shè)備屬于 LED 制造的核心工藝，隨著中國 市場需求逐漸擴大，對半導(dǎo)體設(shè)備的需求也會到達一個新的臺階?？涛g設(shè)備市場中，下游對半導(dǎo)體精細化的需求將逐漸推動刻蝕設(shè)備與工藝的發(fā)展，刻蝕設(shè)備有望逐紫外 LEDLEDMicro LED 設(shè)備發(fā)展注入新活力。目前，全球半導(dǎo)體市場主要由國外廠商主導(dǎo)，行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭格局。隨著研發(fā)投入的增加，國內(nèi)中微、北方華創(chuàng)等公司的市場競爭力不斷增強，國產(chǎn)替代進口的空間巨大。MOCVD 我們推出本周系列專題，對刻蝕設(shè)備與 設(shè)

13、備行業(yè)的發(fā)展情況進行了深入分析，做出如下思考：從原理出發(fā)，刻蝕設(shè)備與 設(shè)備工藝發(fā)展如何？從招股說明書出發(fā)，中微公司發(fā)展表現(xiàn)如何？下游需求旺盛工藝不斷突破，國內(nèi)刻蝕設(shè)備與 市場能否實現(xiàn)飛躍？海外優(yōu)質(zhì)公司深度分析，有啥借鑒意義？對比國內(nèi)可比公司北方華創(chuàng)，中微有何獨特優(yōu)勢？明辨概念：到底何為刻蝕設(shè)備與設(shè)備？刻蝕設(shè)備：半導(dǎo)體制造工藝的關(guān)鍵步驟，工藝要求不斷提升晶圓制造是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的必要環(huán)節(jié)，指利用二氧化硅作為原材料制作單晶硅硅片的過程。其中光刻、刻蝕、薄膜沉積構(gòu)成了 刻蝕設(shè)備是硅平面器件，與光刻、顯影設(shè)備共同形成電路圖形的關(guān)鍵設(shè)備?？涛g工藝的目的就是將膠層掩膜上的圖形盡可圖 1：半導(dǎo)體三大核心制造工

14、藝示意圖資料來源：招股說明書，刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地在硅片表面去除不需要的材料的過程，是與光刻相聯(lián)系的一種主要工藝?？涛g可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕由于各向異性較差，無法控制線寬，逐漸無法適應(yīng)對工藝精細化的要求，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用或干法刻蝕后清洗殘留物等；干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，擁有較好的各向異性，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)，主要用于刻蝕介質(zhì)材料、硅材料和金屬材料。圖 2：干法刻蝕流程資料來源：招股說明書，根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕，電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、

15、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。圖 3：電容性等離子反應(yīng)腔圖 4：電感性等離子體刻蝕反應(yīng)腔資料來源：招股說明書，資料來源：招股說明書，MOCVD 設(shè)備：LED 制造重要環(huán)節(jié)，技術(shù)長足發(fā)展MOCVD是生產(chǎn) 外延芯片的關(guān)鍵設(shè)備。LED產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、LED外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組成。該產(chǎn)業(yè)鏈中主要涉及的設(shè)備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切 設(shè)備的采購金額一般占 LED 以 、II族元素的有機化合物和 、族元素的氫化物等作為晶體生長原材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長薄層

16、單晶材料。圖 5：MOCVD 系統(tǒng)方框圖資料來源：MOCVD 原理及設(shè)備，生產(chǎn)型 MOCVD 設(shè)備集氣體動力學(xué)、流體力學(xué)、自動化控制、CAD 于一體。目前先進的MOCVD 設(shè)備有兩大類，一類是行星式旋轉(zhuǎn)大面積均勻生長設(shè)備，以德國 AIXTRON 公司的設(shè)備為代表，基本是常壓水平式生長結(jié)構(gòu)。該設(shè)備襯底盤很大, 可以實現(xiàn)緩慢均勻旋轉(zhuǎn)。襯底盤上裝載的襯底在生長材料過程中，被自下向上流入的氫氣流輕輕托起并勻速旋轉(zhuǎn)，保證了襯底上的材料可大面積、均勻地生長。最新發(fā)展的 AIXTRON 生長室還吸收了立式生長方式的優(yōu)點：源材料氣流從室頂部注入，再在襯底上方變成平流方式，實現(xiàn)及時補充因材料生長過程中源材料逐漸

17、消耗引起的不均勻性，使得設(shè)備成為優(yōu)質(zhì)外延片生長規(guī)模最大的設(shè)備。公司設(shè)備為代表 基本是低壓立式結(jié)構(gòu)。該設(shè)備的襯底盤轉(zhuǎn)速達 1000 r/min , 而且還起到了泵的作用，改善了基座上方溫度和反應(yīng)劑濃度分布均勻性，有助于獲得均勻的外延層和較高的生長速度。除了襯底隨基座旋轉(zhuǎn)外，襯底自身沒有自轉(zhuǎn)。圖 6：MOCVD 系統(tǒng)原理資料來源：MOCVD 原理及設(shè)備，領(lǐng)域中微公司于 2004 LED 5nm 領(lǐng)域。圖 7：中微公司發(fā)展歷程資料來源：招股說明書，公司核心技術(shù)團隊由 6 名成員組成，6 名成員皆為美國國籍，大部分擁有博士學(xué)歷，其中有多名成員曾任職于泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料等國際知名企業(yè)。姓名職位個人簡歷

18、尹志堯董事長、總經(jīng)理1944姓名職位個人簡歷尹志堯董事長、總經(jīng)理1944 198619912004技術(shù)官。2004 年至今，擔(dān)任中微公司董事長及總經(jīng)理。杜志游董事、副總經(jīng)理1959 19901999年至 2001 年，擔(dān)任應(yīng)用材料全球供應(yīng)管理經(jīng)理；2001 年至 2004年，擔(dān)任梅特勒-托利多上海子公司總經(jīng)理。2004 年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官?，F(xiàn)任中微公司董事及副總經(jīng)理。倪圖強副總經(jīng)理1962 博士后。20048歷任中微公司執(zhí)行總監(jiān)、副總裁，現(xiàn)任中微公司副總經(jīng)理。麥?zhǔn)肆x副總裁1947 年至 19891989 年至 2003 2004 1 2004 6 8 中微公司副

19、總裁。楊偉副總裁1966 1995 年至 2004 資深總監(jiān)；2004 年至今，擔(dān)任中微公司副總裁。李天笑副總裁1958 年生，美國國籍，復(fù)旦大學(xué)學(xué)士、美國韋恩大學(xué)碩士、美國紐約大學(xué)碩1990 擔(dān)任應(yīng)用材料亞太項目經(jīng)理；2004 年 9 月至今，擔(dān)任中微公司副總裁。資料來源：招股說明書，20.02%19.39%， 前十大股東持股比例合計為 74.66%。圖 8：公司股權(quán)結(jié)構(gòu)資料來源：招股說明書，深入核心業(yè)務(wù)：專注半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)與銷售，MOCVD設(shè)備成主要收入來源LED 65 納米到14 納米、7 納米和 5 設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上LED設(shè)備制造商。表 2：中微公司主要產(chǎn)品產(chǎn)品類別圖示

20、應(yīng)用領(lǐng)域電容性等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路制造中氧化硅、氮化硅及低介電系數(shù)膜層等電介質(zhì)材料的刻蝕電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于在集成電路制造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕2.5D3D 刻蝕MOCVD設(shè)備外延片及功率器件生產(chǎn)VOC設(shè)備平板顯示生產(chǎn)線等工業(yè)的空凈化資料來源：招股說明書，公司主營業(yè)務(wù)收入主要來自半導(dǎo)體專用設(shè)備的銷售，專用設(shè)備中，刻蝕設(shè)備與 MOCVD 設(shè)備又是收入主要來源，其他設(shè)備收入主要來自于 VOC 設(shè)備銷售。2018 年專用設(shè)備收入合計為13.98 億元，占比為 85.29%。圖9：公司主營業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)圖 10：公司專用設(shè)備收入結(jié)構(gòu)設(shè)備維護 備品備件 專用設(shè)備其他設(shè)備MOCV

21、D設(shè)備刻蝕設(shè)備20162017資料來源：招股說明書資料來源：招股說明書刻蝕設(shè)備：刻蝕設(shè)備已進入 尺寸，占營收比重為 中微公司從 2004 年建立起首先著手開發(fā)甚高頻去耦合的 CCP 4532、28221475 2012 年開始開發(fā) 刻蝕設(shè)備主要是涵蓋 14、7、5 類型型號推出時間特點應(yīng)用領(lǐng)域電容性等離子體刻蝕設(shè)備類型型號推出時間特點應(yīng)用領(lǐng)域電容性等離子體刻蝕設(shè)備PrimoD-RIE2007 年65-16 納米集成電路制造PrimoAD-RIE2011 年可靈活裝臵多達三個雙反應(yīng)臺反應(yīng)腔45-7 納米邏輯集成電路制造PrimoAD-RIE-e2017 年的基礎(chǔ)上改進了靜電吸盤，達到四分區(qū)單獨溫

22、控并有動態(tài)調(diào)溫的功能7 納米以下邏輯集成電路制造PrimoSSCAD-RIE2013 年可支持六個完全獨立可控的單反應(yīng)臺腔體16 納米以下 2D 閃存芯片制造PrimoSSCHD-RIE2016 年在 的基礎(chǔ)上，進一步優(yōu)化刻64 層及以上的 3D 閃存芯片制造Primonanova2016 年應(yīng)腔14 納米及以下的邏輯3D 閃存芯片制造電感性刻蝕設(shè)備圖像傳感器、功率器件和等離子切割等PrimoTSV2010 年臺的反應(yīng)腔資料來源：招股說明書，公司重視核心技術(shù)發(fā)展，強調(diào)創(chuàng)新和差異化。在電容性等離子體刻蝕設(shè)備的開發(fā)中，公司提出甚高頻去耦合等離子體刻蝕技術(shù)；在電感性等離子體源的開發(fā)中，公司創(chuàng)造性地設(shè)

23、計了新型電感線圈架構(gòu)，極大減少電容性耦合引起的不良作用。相關(guān)核心技術(shù)與專利緊密結(jié)合，并且基本進入量產(chǎn)階段。表 4：電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源專利情況技術(shù)水平應(yīng)用和貢獻情況（“”代表已量產(chǎn)）PrimoD-RIEPrimoAD-RIEPrimoSSCAD-RIEPrimoSSCHD-RIE雙反應(yīng)臺高產(chǎn)出率技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 5 項國際先進接觸式上電極噴淋板技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專 利 10 項；申請中專利 6 項國際先進晶圓邊緣區(qū)域氣簾技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)2 申請中專利 2 項國際先進脈沖阻抗匹配技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專 利 11 項；申請中專利 2 項國際先進等離子體約束技術(shù)

24、自主研發(fā)已獲授權(quán)7 申請中專利 3 項國際先進資料來源：招股說明書，名稱具體特征雙反應(yīng)臺高產(chǎn)出率技術(shù)2 名稱具體特征雙反應(yīng)臺高產(chǎn)出率技術(shù)2 同時減少設(shè)備生產(chǎn)成本。接觸式上電極噴淋板技術(shù)粘和技術(shù)更低的缺陷數(shù)和制造成本。晶圓邊緣區(qū)域氣簾技術(shù)氣簾技術(shù)通過特殊的氣路和氣流通道孔徑設(shè)計，在保證刻蝕均勻度的同時在晶圓邊緣形脈沖阻抗匹配技術(shù)公司自主開的雙水平雙頻脈沖射頻等離子體阻抗匹配技術(shù)，有效解決了脈沖射頻等離子體的功率輸出穩(wěn)定性難題，實現(xiàn)對溝槽底部積累電荷進行去除。等離子體約束技術(shù)把對反應(yīng)腔抽氣能力的影響降到最低。資料來源：招股說明書，類別名稱技術(shù)來源專利情況技術(shù)水平類別名稱技術(shù)來源專利情況技術(shù)水平量產(chǎn)

25、） PrimonanovaTSV 設(shè)備低電容耦合線圈技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 4項；申請中專利 1項國際先進電感性等離子體刻蝕設(shè)備抗損耗氧化釔鍍膜技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 8項；申請中專利 1項國際先進反應(yīng)腔對稱抽氣技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 2項國際先進深硅刻蝕設(shè)備（ TSV 系列） 雙反應(yīng)臺高產(chǎn)出率技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 3項；申請中專利 1項國際先進側(cè)引入氣體均勻化技術(shù)自主研發(fā)131項國際先進高速氣體轉(zhuǎn)換技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 9項；申請中專利 1項國際先進資料來源：招股說明書，類別名稱具體特征表 7：電感性等離子體刻蝕設(shè)備與深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）核心技術(shù)具體特征類別名稱具體特征

26、電感性等離子體刻蝕設(shè)備低電容耦合線圈技術(shù)抗損耗氧化釔鍍膜技術(shù)抗損耗氧化釔鍍膜技術(shù)用的等離子噴涂技術(shù)，其抗等離子體侵蝕的能力增加、多孔性降低從而提高了設(shè)備加工能力重復(fù)性并降低缺陷率。反應(yīng)腔對稱抽氣技術(shù)深硅刻蝕設(shè)備（TSV系列）雙反應(yīng)臺高產(chǎn)出率技術(shù)加產(chǎn)出率，通過共用氣系統(tǒng)和抽氣系統(tǒng)來降低設(shè)備成本。側(cè)引入氣體均勻化技術(shù)該技術(shù)是在頂部進氣的基礎(chǔ)上，增加了從反應(yīng)腔側(cè)面供氣的通道，并配合關(guān)鍵的中心導(dǎo)流板，從而能夠滿足刻蝕均勻度的需要。高速氣體轉(zhuǎn)換技術(shù)氣體快速切換，從而優(yōu)化了刻蝕形貌資料來源：招股說明書，公司刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)工藝流程主要包括小型模組組裝、反應(yīng)腔體組裝、傳送模組組裝、系統(tǒng)集成、終測及工藝調(diào)試、分

27、拆及裝箱等步驟。圖 11：刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)工藝流程資料來源：招股說明書，2018 由于中國大陸集成電路制造商投資持續(xù)大幅增長；刻蝕設(shè)備銷售單價總體有所下降，2018 年刻蝕設(shè)備銷售單價為 796.63 萬元/型號刻蝕設(shè)備銷售收入有所提升，而該較其它單腔多反應(yīng)臺設(shè)備售價相對較低所致。表 8：公司刻蝕設(shè)備產(chǎn)銷量及價格情況產(chǎn)品項目201620172018刻蝕設(shè)備產(chǎn)量（腔）755095銷量（腔）563371刻蝕設(shè)備均價（萬元/腔） 839.93875.64796.63資料來源：招股說明書，注：反應(yīng)腔是刻蝕設(shè)備或 MOCVD 中發(fā)生反應(yīng)的并可單獨計價的獨立單元2018 年公司刻蝕設(shè)備銷售收入為5.66 3

28、4.51402018 年刻蝕設(shè)備毛利率為47.52。圖12：公司刻蝕設(shè)備銷售收入及占比圖 13：公司刻蝕設(shè)備毛利及毛利率0刻蝕設(shè)備銷售收入（萬元）占20162017201890.00%80.00%70.00%60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%0毛利（萬元）毛利20162017201850.00%45.00%40.00%35.00%30.00%25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%0.00%資料來源：招股說明書資料來源：招股說明書MOCVD 及其他設(shè)備：公司營收最大貢獻，2018 8.32億元2010 年開始開發(fā)用于LED LE

29、DPrismoD-Blue、第二代設(shè)備 及正在開發(fā)的第三代 30 英寸大尺寸設(shè)備，公司的 MOCVD 設(shè)備 可配臵多達 4 個反應(yīng)腔，可以同時加工 136 片 4 英寸晶片或56 片 6 英寸晶片，工藝能力還能延展到生長 8 英寸外延晶片，每個反應(yīng)腔都可獨立控制， 這一設(shè)計可以實現(xiàn)卓越的生產(chǎn)靈活性，有效提高了客戶的生產(chǎn)效率。類型型號推出時間類型型號推出時間特點應(yīng)用領(lǐng)域2013年設(shè)備PrismoA7設(shè)備PrismoA72017 年281364566該設(shè)備每個反應(yīng)腔的產(chǎn)量是藍綠光 LED 外延片生產(chǎn)PrismoD-Blue 的 2 倍以上平板顯示生產(chǎn)線其他設(shè)備VOC 設(shè)備2016 年遠程實時管理和

30、智能控制等工業(yè)用的空氣凈化19 232 片 2 英寸晶片或 56 片 4 英寸晶片片及功率器件生產(chǎn)資料來源：招股說明書，設(shè)備已被多家領(lǐng)先 LED 生產(chǎn)廠家使用和認可。10：MOCVD設(shè)備核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源專利情況技術(shù)水平）PrismoD-BluePrismoA7雙區(qū)可調(diào)控工藝氣體噴淋頭自主研發(fā)181項國際先進高溫度均勻性加熱器和帶鎖托盤驅(qū)動技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 12項國際先進高精度可編程托盤傳輸技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利 41項國際先進智能化溫控技術(shù)自主研發(fā)161項國際先進表 11：MOCVD 設(shè)備核心技術(shù)具體特征名稱具體特征雙區(qū)可調(diào)控工藝氣體噴淋頭（高溫度均勻性加熱器和帶鎖托盤驅(qū)動技

31、術(shù)加熱器最高溫度可達 1,200C；加熱片材料為高純度難熔金屬及高溫合金，表面高精度可編程托盤傳輸技術(shù)獨立的石墨盤雙層冷卻系統(tǒng)，具有冷卻效果好、生產(chǎn)效率高以及更好的耐高溫性智能化溫控技術(shù)調(diào)節(jié)范圍大（0.01/秒（0.5%，穩(wěn)態(tài)精度0.5）。資料來源：招股說明書，公司 從而大大縮短了產(chǎn)品組裝周期。圖 14：公司 MOCVD 設(shè)備生產(chǎn)流程資料來源：招股說明書，136/106 腔， 產(chǎn)銷率超過 2018 年價格有所下降， 設(shè)備均價由 2017 930.38 萬元/2018 784.97 萬元/表 12：公司 MOCVD 設(shè)備產(chǎn)銷量及價格情況產(chǎn)品項目201620172018MOCVD 設(shè)備產(chǎn)量（腔）6

32、106136銷量（腔）357106MOCVD 設(shè)備均價（萬元/腔） 519.19930.38784.97資料來源：招股說明書，注：反應(yīng)腔是刻蝕設(shè)備或 MOCVD 中發(fā)生反應(yīng)的并可單獨計價的獨立單元公司 MOCVD 設(shè)備銷售收入增長迅速，2018 年 MOCVD 銷售收入為 8.32 億元，占比超過50%；毛利率則有所下降，2018 年 MOCVD 設(shè)備毛利率為 26.33%。圖15：公司MOCVD設(shè)備銷售收入及占比圖 16：公司 MOCVD設(shè)備毛利及毛利率0MOCVD設(shè)備銷售收入（萬元）占60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%0毛利（萬元）毛利201

33、745.00%40.00%35.00%30.00%25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%0.00%資料來源：招股說明書資料來源：招股說明書64%，20180.91億財務(wù)狀況：2018 16.39億元，凈利潤扭虧為盈公司2018年實現(xiàn)營業(yè)收入16.3968.66206-218年復(fù)合增長率為64，毛利率由于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變化、市場策略變化有所下滑，由 2016 年的 42.52%下降至 2018 年的35.50%；2018 年公司實現(xiàn)歸母凈利潤 0.91 億元，同比增長 203.72%。圖17：公司營業(yè)收入及毛利率情況圖 18：公司凈利潤及凈利率情況18161410864202016

34、營業(yè)收入（億元）毛利2017201844.00%42.00%40.00%38.00%36.00%34.00%32.00%30.00%10-1-2-3歸母凈利潤（億元）凈利20162017201810.00%5.00%0.00%-5.00%資料來源：招股說明書資料來源：招股說明書2018 年公司經(jīng)營性現(xiàn)金流由負轉(zhuǎn)正，2016-2018 年公司經(jīng)營活動產(chǎn)生現(xiàn)金流凈額分別為-1.02-1.502.61表 13：2016-2018 年公司經(jīng)營活動現(xiàn)金流量明細（百萬元）項目201620172018銷售商品、提供勞務(wù)收到的現(xiàn)金606.921,195.352,155.26收到其他與經(jīng)營活動有關(guān)的現(xiàn)金94.7

35、2148.07224.22經(jīng)營活動現(xiàn)金流入小計701.651,343.422,379.48購買商品、接受勞務(wù)支付的現(xiàn)金508.671,045.051,729.59支付給職工以及為職工支付的現(xiàn)金236.01278.06253.56支付的各項稅費15.1740.1370.15支付其他與經(jīng)營活動有關(guān)的現(xiàn)金43.4130.2765.07經(jīng)營活動現(xiàn)金流出小計803.251,493.502,118.37經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量凈額-101.6-150.09261.11資料來源：招股說明書，公司的應(yīng)收票據(jù)全部為銀行承兌匯票，信用風(fēng)險較低，隨著公司營業(yè)收入的增加，尤其是設(shè)備市場銷售的大幅提升，公司基于長期戰(zhàn)略合

36、作的考慮，開始接受部分優(yōu)質(zhì)客戶年應(yīng)收票據(jù)增長至 5428 2016-2018 年應(yīng)收賬款余額分別為 2.09、4.604.60 億元，2017 年應(yīng)收賬款迅速增加，主要原因是公司 2017 年在營業(yè)收入迅速增長的同時應(yīng)收賬款基本保持不變，主要原因是公司對應(yīng)收賬款管理能力的增強。表 14：2016-2018 公司應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款情況（萬元）項目201620172018應(yīng)收票據(jù)316.755,021.165,427.88應(yīng)收賬款20,897.2046,038.8246,030.10合計21,213.9551,059.9851,457.99資料來源：招股說明書，公司預(yù)收賬款增長迅速，由 2016

37、年的 163.36 萬元增長至 2018 年的 6.80 億元，占期末流動負債比例增長至 50.39%，主要原因是在手訂單逐年增加，預(yù)收客戶貨款增加。表 15：2016-2018 年公司預(yù)收款項情況（萬元）項目201620172018預(yù)收款項163.3637,015.6167,982.28占期末流動負債比例0.10%21.81%50.39%資料來源：招股說明書，2016-2018 年銷售費用率、管理費用率、財務(wù)費用率、研發(fā)費用率分別為13.21%、15.17%、0.63%、7.21%。從資金周轉(zhuǎn)情況來看，公司存貨周轉(zhuǎn)率略有下降，由2016 1.06 2018 年總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率為 0.56；應(yīng)收賬

38、款周轉(zhuǎn)率略有波動，2018 年應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)率為 2.39。圖19：公司費用率情況圖 20：公司資產(chǎn)周轉(zhuǎn)情況銷售費用率管理費用率存貨周轉(zhuǎn)率總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率70.00%60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%財務(wù)費用率研發(fā)費用率 應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)率3210201620172018201620172018資料來源：招股說明書資料來源：招股說明書季節(jié)與地域特征：大陸地區(qū)逐漸成主要收入來源地，第四季度為收入旺季從空間來看，公司產(chǎn)品銷售主要集中在大陸地區(qū)與臺灣地區(qū)，其中大陸地區(qū)收入占比逐漸提 13.75 1.88 億元， 占比 11.46%2017 設(shè)備并迅速占領(lǐng)國內(nèi)市場

39、，根據(jù) IHSMarkit 的統(tǒng)計，2018 年公司在全球氮化鎵基 設(shè)備市場已占據(jù)主導(dǎo)地位。從時間來看，公司主營業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)一定的季節(jié)性特征，第一季度收入較少，第四季度收入年第一季度收入占比為 圖21：公司分地域收入情況（萬元）圖 22：公司分季度收入情況（萬元）0其他國家和地區(qū) 臺灣地區(qū) 大陸地區(qū)2016201720180第四季度第三季度第二季度第一季度201620172018資料來源：招股說明書資料來源：招股說明書客戶與銷售模式：客戶集中度超過 ，直銷為主要模式從公司客戶及供應(yīng)商情況來看，公司每年前五名客戶包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯(lián)華電子、長江存儲、三安光電、華燦光電、乾

40、照光電、璨揚光電等，2016-2018 年公司向前五名客戶合計銷售額占當(dāng)期銷售總額的比例分別為85.74%74.52%和60.55%， 客戶集中度有所下降，但依然水平較高。表 16：公司主要客戶群體產(chǎn)品類別客戶類別重要代表客戶刻蝕設(shè)備集成電路制造商、半導(dǎo)體封測廠商法半導(dǎo)體MOCVD 設(shè)備LED 芯片、功率器件制造商三安光電、璨揚光電、華燦光電、乾照光電資料來源：招股說明書，從公司銷售模式來看，公司以直銷為主要模式，因歐洲市場的客戶較為分散，公司在該區(qū)域通過代理商模式進行銷售。2018 年直銷銷售收入為 16.39 億元，占比 99.97%。表 17：中微公司主營業(yè)務(wù)收入銷售方式構(gòu)成情況單位：萬

41、元項目2016 年度2017 年度2018 年度直銷收入59574.9297075.93163878.46直銷占比97.74%99.88%99.97%代理商銷售收入1377.92116.1350.37代理商銷售占比2.26%0.12%0.03%合計60952.8497192.06163928.83資料來源：招股說明書、剖析競爭優(yōu)勢：專業(yè)研發(fā)團隊高研發(fā)投入，全球認可度較高經(jīng)過多年的發(fā)展，公司已經(jīng)在技術(shù)團隊、研發(fā)、產(chǎn)品、采購體系、客戶認證等方面積聚了一定的競爭優(yōu)勢，為今后進一步發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。技術(shù)團隊優(yōu)勢：專業(yè)研發(fā)團隊，保障自主創(chuàng)新能力中微公司以合作共贏的團隊精神和全員持股的激勵制度，吸引了來

42、自世界各地具有豐富經(jīng)驗的半導(dǎo)體設(shè)備專家，形成了成熟的研發(fā)和工程技術(shù)團隊。截至 2018 年，公司擁有研發(fā)人員240 人，占公司全部人員的比例高達 36.75%。表 18：公司人員構(gòu)成類別人數(shù)占員工總數(shù)比例研發(fā)人員24036.75%工程技術(shù)人員14121.59%管理人員12118.53%銷售人員497.50%生產(chǎn)人員426.43%其他人員609.19%合計653100%資料來源：招股說明書，研發(fā)優(yōu)勢：持續(xù)高研發(fā)投入，專利優(yōu)勢明顯公司始終保持大額的研發(fā)投入和較高的研發(fā)投入占比，2016-2018 年研發(fā)投入分別為 3.0、3.3、4.0 億元，占營業(yè)收入的比重分別為 49.6%、34.0%、24.

43、6%。公司持續(xù)高研發(fā)投入幫助企業(yè)技術(shù)不斷創(chuàng)新，緊跟時代潮流。20192月281,201項專利，已獲授權(quán)專利 發(fā)項目，是執(zhí)行國家科技發(fā)展重大專項的標(biāo)桿單位。公司已順利完成四個等離子體刻蝕機的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目。目前正在執(zhí)行的第五個研發(fā)項目已提前兩年達到預(yù)定技術(shù)指標(biāo)。圖 23：2016-2018 年公司研發(fā)投入與占比情況43210研發(fā)投入（億元）20162017201860.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%資料來源：招股說明書，采購體系優(yōu)勢：全球化采購體系完整，服務(wù)水平持續(xù)提升公司建立了全球化的采購體系，與全球超過 450 家供應(yīng)商建立了穩(wěn)定的合作關(guān)系，其

44、中包括90 客戶資源優(yōu)勢：優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)，供應(yīng)商排名行業(yè)領(lǐng)先為保證公司的售后服務(wù)水平，公司成立了全球業(yè)務(wù)部統(tǒng)籌公司銷售業(yè)務(wù)，組建了一支經(jīng)驗豐富的售后服務(wù)團隊，保證 724 小時響應(yīng)客戶的需求，并在約定時間內(nèi)到達現(xiàn)場排查故障、解決問題。公司專業(yè)、快捷的售后服務(wù)能力在業(yè)內(nèi)樹立了良好的品牌形象。公司在 VLSIResearch2018 年度全球芯片設(shè)備“客戶滿意度”調(diào)查多項排名中位居前列，包括全球晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商排名第三、芯片制造設(shè)備專業(yè)供應(yīng)商排名第二、薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商排名榜首，體現(xiàn)了公司在客戶認證及服務(wù)方面的優(yōu)勢。5348.6210.02億本次發(fā)行股數(shù)不低于發(fā)行后總股本的 10%，發(fā)行股數(shù)不超

45、過 5348.62 萬股，融資規(guī)模在 10 1）（2）（3）表 19：募集資金用途項目名稱總投資額（萬元） 使用募集資金投入額高端半導(dǎo)體設(shè)備擴產(chǎn)升級項目40,058.9640,000.00技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級項目40,097.2240,000.00補充流動資金20,000.0020,000.00合計100,156.18100,000.00資料來源：招股說明書，高端半導(dǎo)體設(shè)備擴產(chǎn)升級項目公司高端半導(dǎo)體設(shè)備的擴產(chǎn)升級計劃包括但不限于聘請工程師、專家及其他人才，采購不同類型的刻蝕設(shè)備及MOCVD設(shè)備的Beta 設(shè)備的生產(chǎn)能力及在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用。（PrimoAD-RIEPrimoSSCHD-RIE 和

46、 ronanova 等；高端 OD 設(shè)備擴產(chǎn)升級（LOD、高溫 O、硅基氮化鎵功率應(yīng)用 O、基于 LD 顯示應(yīng)用的 OD 設(shè)備等；配套建設(shè)施工（。技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級項目募集資金主要用于以下項目：先進刻蝕設(shè)備研發(fā)（包括先進邏輯電路的 CCP 刻蝕設(shè)備、用于存儲器的 P 刻蝕設(shè)備及更先進的 1-7 P 刻蝕設(shè)備等OD 設(shè)備研發(fā)（包括下一代高產(chǎn)能藍綠光LEDMOCVDAlpha 試驗平臺、基于 顯示應(yīng)用的 試驗平臺、基于 MicroLED 顯示應(yīng)用的新型OD試驗平臺等；配套建設(shè)施工（包括新增實驗室、潔凈室擴建、新增設(shè)備用房以及新增測試工位研發(fā)課題具體安排5-3 納米電容性等離子體刻蝕技術(shù)的開發(fā)研發(fā)

47、課題具體安排5-3 納米電容性等離子體刻蝕技術(shù)的開發(fā) 設(shè)備的 Alpha 機的主體研發(fā)以及后續(xù)的一系列工藝技術(shù)開發(fā)等。具有超高深寬比的存儲器芯片等離子體介質(zhì)刻蝕技術(shù)開發(fā)能滿足超高深寬比） 5-3 納米電感式等離子體刻蝕技術(shù)的研發(fā)5-3 1X 納米的存儲芯片，96 層以上 3DNAND術(shù)。應(yīng)用于紫外 LED 的高溫 MOCVD 技術(shù)技術(shù)。、300 LED 外延片生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)以及后續(xù)的一系列工藝技術(shù)開發(fā)等?；?MiniLED 應(yīng)用的氮化鎵MOCVD技術(shù)6 英寸襯底工藝片6 英寸外延片的生產(chǎn)能力?；?MicroLED 應(yīng)用的氮化鎵 MOCVD技術(shù)課題包括開發(fā)新型的 60.8技術(shù)的要求。基于氮化鎵

48、功率半導(dǎo)體應(yīng)用的 MOCVD 技術(shù)對新型 MOCVD 設(shè)備的需求。資料來源：招股說明書，市場規(guī)模：2018621從整體集成電路需求端分析，隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展，中國已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費市場，衍生出了巨大的半導(dǎo)體器件需求。根據(jù) ICInsights 統(tǒng)計，從 2013 年到 2018年僅中國半導(dǎo)體集成電路市場規(guī)模就從 820 1550 億美元，年均復(fù)合增長率約為 13.58%年自給率約為 15.35%2015 年起已連續(xù)四年位列所有進口商品中的第一位，不斷擴大的中國半導(dǎo)體市場規(guī)模嚴(yán)重依賴于進口，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率過低，進口替代的空間巨大。圖24：中國集成電路市場規(guī)模及國產(chǎn)情況圖

49、25：2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分布2.90%8.10%5.10%83.90%中國IC市場規(guī)模（億美元）2.90%8.10%5.10%83.90%國產(chǎn)IC規(guī)模（億美元） 自給率(左軸）2008180016001400120010000集成電路分立器件傳感器資料來源資料來源：WSTS，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可分為上、中、下游。產(chǎn)業(yè)鏈上游由為設(shè)計、制造和封測環(huán)節(jié)提供軟件及知識產(chǎn)權(quán)、硬件設(shè)備、原材料等生產(chǎn)資料的核心產(chǎn)業(yè)組成。產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導(dǎo)體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系統(tǒng)等。半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)包括集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類，其中集成電路占銷售額比例為 83.9%，仍是最重要的下游產(chǎn)品。表

50、21：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游核心產(chǎn)業(yè)說明EDA 工具半導(dǎo)體原材料指在半導(dǎo)體產(chǎn)品制造和封測環(huán)節(jié)所用到的所有原材料。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細分領(lǐng)域最多半導(dǎo)體設(shè)備資料來源：招股說明書，整理主要環(huán)節(jié)說明設(shè)計將最終設(shè)計出的電路圖制作成光罩，進入下一個制造環(huán)節(jié)。制造主要環(huán)節(jié)說明設(shè)計將最終設(shè)計出的電路圖制作成光罩，進入下一個制造環(huán)節(jié)。制造主要包含薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。封裝測試半導(dǎo)體的后道生產(chǎn)工序，主要包含減薄切割、貼裝互聯(lián)、封裝、測試等過程。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個保護殼內(nèi)，防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，通過測試的最終成品將投入到下游的應(yīng)用中去。資料來源：招股說明書，整理半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于半導(dǎo)

51、體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)之一，是發(fā)展 IC 設(shè)計、制造、封測的基石。75%圖 26：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈資料來源：招股說明書，2013 年以來，隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，半導(dǎo)體設(shè)備市場也呈增長趨勢。根據(jù) SEMI 2013 年的 318 億美元增長至 2018 年的預(yù)估 621 億美元，年均復(fù)合增長率約為 14.33%2018 18 億美元，同比增長 56.10%，約占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的 21%，已成為僅次于韓國的全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備需求市場。圖27：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及增速圖 28：大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及增速0全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億美元）同比增長20132014201520162017

52、 40.00%35.00%30.00%25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%0.00%-5.00%0大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億美元）同比增長20132014201520162017 60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%資料來源資料來源刻蝕設(shè)備行業(yè)：下游需求推動工藝不斷發(fā)展，價值比重逐漸提高集成電路設(shè)備包括晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測試設(shè)備等，晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過 80%年價值量分別占比占晶圓制造設(shè)備價值量為 、23%。圖 29：2017 年集成電路各類設(shè)備銷售額占比圖 30：2017 年圓晶制造各類設(shè)備銷售額占比晶圓制造設(shè)

53、備5%8%封裝設(shè)備6%測試設(shè)備81%其他設(shè)備刻蝕設(shè)備光刻機/光刻膠9%24%處理薄膜沉積設(shè)備13%CMP/表面處理/清潔13%檢測設(shè)備23%其他沉積設(shè)備18%資料來源：SEMI，資料來源：SEMI，3D 7 5 納米及以下的圖 31：10nm 多重模板刻蝕工藝資料來源：招股書，圖 32：各類設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中的價值占比資料來源：SEMI，MOCVD 設(shè)備行業(yè)：中國需求躍居全球第一，保有量占全球比例已超 以 LED LED 照明年中國 LED 復(fù)合年增長率為 30.79%，LED 設(shè)備的發(fā)展創(chuàng)造了廣闊的空間，高工 LED 數(shù)據(jù)顯示，2015 年至 2017 年中國 設(shè)備保有量從 1222 臺增長至

54、 1718 18%LEDinside 設(shè)備設(shè)備保有量占全球比例已超 40%。圖33：中國顯示市場規(guī)模圖 34：中國 MOCVD設(shè)備保有量0LED顯示市場規(guī)模（億元）同比增20152016201733.00%32.00%31.00%30.00%29.00%28.00%27.00%0中國MOCVD設(shè)備保有量（臺）同比增長25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%0.00%20132014201520162017資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信網(wǎng)，資料來源：高工 LED，競爭格局：中微逐漸成為國內(nèi)領(lǐng)先，與海外巨頭仍有較大差距目前，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場主要由國外廠商主導(dǎo)，行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭格局

55、。根據(jù)VLSI Research 統(tǒng)計，2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)及服務(wù)銷售額為 811 億美元，其中前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，包括應(yīng)用材料、阿斯麥、東京電子、泛林半導(dǎo)體與科天半導(dǎo)體，由于起步較早，憑借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場65%的市場份額。表 23：2018 年全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商系統(tǒng)及服務(wù)收入排名排名公司半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)及服務(wù)銷售額（億美元）全球市場占有率1應(yīng)用材料140.1617.27%2阿斯麥127.7215.74%3東京電子109.1513.45%4拉姆研究108.7113.40%5科天半導(dǎo)體42.105.19%合計527.8465.

56、05%資料來源：VLSIResearch，在上述公司中，各大龍頭在各自的細分領(lǐng)域分別占據(jù)領(lǐng)先地位。阿斯麥?zhǔn)枪饪虣C設(shè)備方面的45 光刻機領(lǐng)域目前處于壟斷地位，市占率 100%。應(yīng)用材料、東京電子和泛林半導(dǎo)體是提供等離子體ALD、離子注入、外延工藝和 RTP 領(lǐng)域均有涉獵?？铺彀雽?dǎo)體則是檢測設(shè)備的龍頭企業(yè)。表 24：全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商涉及領(lǐng)域公司光刻干法刻蝕薄膜沉積檢測離子注入氧化擴散清洗封裝性能測試應(yīng)用材料阿斯麥東京電子泛林半導(dǎo)體科天半導(dǎo)體資料來源：WIND，整理國外巨頭公司重視自主研發(fā)，持續(xù)投入高額研發(fā)費用以維持競爭力。2016-2018 年，應(yīng)用材料、阿斯麥研發(fā)費用快速增長，在 20

57、18 年分別達到 20.19 億美元與 18.02 億美元，市場份額也不斷提升?？铺彀雽?dǎo)體與維意科則小幅上漲。圖 35：2016 2017 年四家半導(dǎo)體公司研發(fā)費用（億美元）應(yīng)用材料阿斯麥科天半導(dǎo)體維意科2520151050201620172018資料來源：WIND，圖 36：2017 全球刻蝕設(shè)備市場份額分布情況6%19%55%應(yīng)用材料20% 其他資料來源：36Kr，隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，拉姆研究由于其刻蝕設(shè)備品類齊全，從 納米、納米設(shè)備市場起逐步超過應(yīng)用材料和東京電子，在刻蝕設(shè)備行業(yè)202 圖 36：2017 全球刻蝕設(shè)備市場份額分布情況6%19%55%

58、應(yīng)用材料20% 其他資料來源：36Kr，拉姆研究從OD2017年以前OD設(shè)備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。 2017 年以來公司的 設(shè)備逐步打破上述企業(yè)的壟斷。根據(jù) IHSMarkit 的統(tǒng)計，2018 年公司在全球氮化鎵基 設(shè)備已被三安光電、華燦光電、乾照光電等多家一流 LED 制造廠商大批量采購。設(shè)備類型企業(yè)名稱發(fā)展情況刻蝕設(shè)備拉姆研究設(shè)備類型企業(yè)名稱發(fā)展情況刻蝕設(shè)備拉姆研究設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、晶圓清洗設(shè)備、光致抗蝕設(shè)備等。東京電子機和顯影機等。應(yīng)用材料快速熱處理設(shè)備、離子注入機、化學(xué)機械拋光設(shè)備等。北方華創(chuàng)2001 清洗機及鋰電極片裝備等半導(dǎo)體設(shè)備及零部件。維易科公司成于 年要從

59、薄膜加設(shè)備研發(fā)產(chǎn)和售主產(chǎn)品技術(shù)包括 設(shè)備、分子束外延、光刻備等。MOCVD 設(shè)備愛思強公司成立于 1983 積設(shè)備和化學(xué)薄膜淀積設(shè)備等。資料來源：招股說明書，發(fā)展趨勢：需求精細化推動刻蝕設(shè)備發(fā)展，LED新產(chǎn)業(yè)方向引領(lǐng)潮流對 IC 制造工藝提出了更高的要求。根據(jù) SEMI 統(tǒng)計，20 納米工藝需要的刻蝕步驟約為 50 次，而 10 7 納米工藝所需刻蝕步驟則超過 次。工序步驟的大幅增加意味著需要更多以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的半導(dǎo)體設(shè)備參與集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，指引刻蝕設(shè)備發(fā)展方向。由于 2D 存儲器件的線寬已接近物理極閃存已進入 3D 40：1 到 60：1 的極深孔或

60、極深的溝槽。3DNAND 層數(shù)的增加要求刻蝕技術(shù)實現(xiàn)更高的深寬比， 圖 37：存儲器 2DNAND 與 3DNAND 示意圖資料來源：招股說明書，新技術(shù)與應(yīng)用方向推動 MOCVD 的價格每 年將為原來的 1/10，輸出流明則增加 20 設(shè)備反應(yīng)腔的加工能力從 31 片 4 英寸外延片發(fā)展到 34 4 4 英寸外延片超大反應(yīng)器。未來除紅黃光 LED、紫外光 LED 以外，MiniLED、MicroLED、第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)備有待進一步開LEDinside LED 2017 年成長至 2022 年將會到達 12.24 億美金，2017-2022 33%。圖 38：2018-2022 年 Min