大尺寸平板玻璃磁控濺射室與真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)(論文)匯總

1、目錄中文摘要： .1英文摘要： .21緒論.31.1大尺寸平板玻璃鍍膜設(shè)備的發(fā)展 .31.2磁控濺射技術(shù)的最新進(jìn)展 .32磁控濺射原理及濺射沉積工藝參數(shù) .42.1磁控濺射法的原理 .42.2磁控濺射的工藝參數(shù) .43大平面磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線 .63.1大尺寸磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線的組成.63.2平面磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線的分類 .74磁控濺射鍍膜真空室的設(shè)計(jì)要求與原則 .84.1設(shè)計(jì)參數(shù) .84.2磁控濺射鍍膜真空室的主要設(shè)計(jì)原則 .84.3磁控濺射鍍膜室對(duì)抽氣系統(tǒng)的要求 .95磁控濺射真空鍍膜室主要部分的設(shè)計(jì)與計(jì)算.105.1真空室殼體的設(shè)計(jì)與計(jì)算 .105.1.1真空室殼體的類型選擇

2、 .105.1.2真空室殼體的計(jì)算與校核 .105.2傳動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算 .125.2.1傳動(dòng)方式的選擇 .125.2.2變頻電機(jī)的確定 .135.2.3傳動(dòng)軸的計(jì)算與校核 .135.2.4 V帶傳動(dòng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算 .145.2.5軸承的配置與軸承座的選定 .155.2.6軸承密封與傳動(dòng)軸動(dòng)密封的設(shè)計(jì).165.3平面磁控濺射靶的選擇與計(jì)算 .165.3.1平面磁控濺射靶的類型選擇 .165.3.2平面磁控濺射靶水冷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算. 185.4抽氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算 .185.4.1選泵與配泵 .185.4.2抽氣時(shí)間的計(jì)算 .195.5機(jī)架的設(shè)計(jì)與計(jì)算 .205.5.1磁控濺射真空鍍膜室總重估

3、算 .20機(jī)架的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)215.6 工藝氣體的分布的分析與設(shè)計(jì)21結(jié)論24謝辭24 參考文獻(xiàn) 25大尺寸平板玻璃磁控濺射室與真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)摘要：大尺寸平板玻璃鍍膜技術(shù)主要應(yīng)用于建筑玻璃、平板顯示等領(lǐng)域。目前，生產(chǎn)大尺寸玻璃廣泛采用真空磁控濺射鍍膜工藝， 每年都有大量的平板玻璃進(jìn)行濺射鍍膜。我國連續(xù)式磁控濺射鍍膜設(shè)備多為進(jìn)口 ,國內(nèi)自主研發(fā)設(shè)計(jì)還有很大的空缺。 因此本設(shè)計(jì)具有十分重要的意義。 本文介紹了磁控濺射鍍膜的工藝流程和大尺寸玻璃生產(chǎn)線的組成。 設(shè)計(jì)出了一種用于大尺寸平板玻璃鍍膜的磁控濺射室和真空系統(tǒng)。 本文對(duì)真空腔體和機(jī)架進(jìn)行可行性設(shè)計(jì)，然后傳動(dòng)系統(tǒng)采用帶傳動(dòng)進(jìn)行玻璃的輸送， 抽氣系統(tǒng)選用

4、分子泵作為主泵，濺射靶使用最新的中頻電源供電的矩形平面孿生磁控濺射技術(shù)。關(guān)鍵詞： 大尺寸玻璃鍍膜；磁控濺射；矩形平面靶；鍍膜玻璃生產(chǎn)線1The design of magnetron sputtering chamberand vacuum system forlarge area glasscoatingAbstract: Large area glass coating mainly used in the field of architectural glass and flatpanel display. Nowadays, magnetron sputtering coating f

5、ilm is the mainstream technology of vacuum coating , every year a large number of flat glass for coating. Thus, this design has very important practical significance. Thisarticle introduces the process line of the plane magnetron sputtering coated glass and the main craft processes of magnetron sput

6、tering coating film. Then a feasibility of design proposal on the magnetron sputtering chamber and vacuum system is carried out. Feasibility design of vacuum system andrack are presented in the paper. Then drivetrain system uses the belt conveyor to drive， vacuum pumping system chooses the molecular

7、 pump as the main pump, and sputtering target uses the latest intermediate frequency power supply rectangular planar twin-target sputtering technology.Keywords:large area glass coating；magnetron sputtering； rectangular planar target； coating glass product line2緒論1.1 大尺寸平板玻璃鍍膜設(shè)備的發(fā)展目前，用于生產(chǎn)大尺寸玻璃的方法很多，主

8、要有真空磁控濺射法、真空蒸發(fā)法、凝膠浸漬法和電浮法鍍膜等。從鍍膜玻璃的膜層均勻性、牢固度、膜厚可控性以及產(chǎn)品品種、生產(chǎn)操作的難易程度和生產(chǎn)效率等方面比較，真空磁控濺射鍍膜法是生產(chǎn)大尺寸鍍膜玻璃的最佳方法1 。用這種方法生產(chǎn)的鍍膜玻璃，膜不易受污染， 膜的純度高，膜層的均勻性、牢固性和工藝重復(fù)性都很好。另外，由于該種工藝能有效地控制膜的厚度，所以可采用不同膜材來生產(chǎn)不同光學(xué)性能的各種顏色的熱反射玻璃和低輻射玻璃，甚至還能生產(chǎn)導(dǎo)電膜玻璃。磁控濺射鍍膜技術(shù)是七十年代末期發(fā)展起來的一種先進(jìn)的工藝方法, 它的膜層由多層金屬或金屬氧化層組成 , 允許任意調(diào)節(jié)能量通過率、能量反射率 , 具有良好的外觀美學(xué)效

9、果 , 它克服了其它幾種生產(chǎn)方法存在的一些缺點(diǎn) , 因而目前國際上廣泛采用這一方法 2 。磁控濺射鍍膜玻璃已越來越多地被運(yùn)用于現(xiàn)代建筑并逐漸在民用住宅、汽車、電子等領(lǐng)域使用, 具有廣闊的發(fā)展前景。這種的我國應(yīng)用磁控濺射鍍膜工藝生產(chǎn)鍍膜玻璃起始于八十年代中期, 其時(shí)國內(nèi)一些廠家陸續(xù)引進(jìn)了一批磁控濺射鍍膜設(shè)備和技術(shù) , 生產(chǎn)高檔的鍍膜玻璃。 但由于當(dāng)時(shí)人們對(duì)鍍膜玻璃的功能還沒有足夠的認(rèn)識(shí) , 加之價(jià)格偏高 , 國家又采取了一系列的緊縮政策, 一批高檔的樓、堂、館、所被停建或緩建 , 因而鍍膜玻璃的市場(chǎng)極不景氣, 磁控濺射鍍膜工藝也未受到人們的重視和青睞。1.2 磁控濺射技術(shù)的最新進(jìn)展由于磁控濺射能

10、夠精確地控制工藝參數(shù)和膜層質(zhì)量，它已經(jīng)成為大面積鍍膜領(lǐng)域的主流。然而這種鍍膜技術(shù)亦存在一些缺點(diǎn)，特別是在反應(yīng)濺射過程中存在著沉積速率低及工藝不穩(wěn)定等問題。所以普通的直流磁控濺射對(duì)于大面積薄膜產(chǎn)品的工業(yè)化生產(chǎn)來說不是最佳的工藝手段 3 。目前，國內(nèi)外多采用將直流磁控濺射電源改為交流中頻電源的中頻磁控濺射技術(shù)。單靶可抑制打弧現(xiàn)象的發(fā)生4 ，中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶（Twin-Mag）3濺射系統(tǒng)中。孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性，可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累，引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題，濺射速率高，是目前化合物薄膜濺射鍍膜生產(chǎn)的理想首選技術(shù) 5 。本文共分 5 章，第 1

11、 章介紹了我國低輻射玻璃的現(xiàn)狀以及大面積磁控濺射技術(shù)的最新進(jìn)展；第2 章介紹了磁控濺射原理、過程及工藝參數(shù)；第3 章介紹了平面磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線；第4 章介紹了磁控濺射鍍膜室、磁控濺射靶、真空系統(tǒng)以及傳動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原則與要求；第5 章對(duì)四個(gè)系統(tǒng)部分以及機(jī)架進(jìn)行了設(shè)計(jì)計(jì)算。磁控濺射原理及濺射沉積工藝參數(shù)2.1 磁控濺射法的原理磁控濺射是在真空室中進(jìn)行的，將真空室的氣體抽空， 陰極接通負(fù)電壓 （-500 ）（ -800 ）V ，陽極接通正電壓（ 0100V），并向真空室的負(fù)壓達(dá)到濺射工作壓力 10-4 10-5 Pa 時(shí)，在陰極前面產(chǎn)生輝光放電，氬氣發(fā)生電離，生產(chǎn)氬離子和電子，形成等離子區(qū)；陰

12、極通電后產(chǎn)生的電場(chǎng)與永磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)正交，氬離子在正交的電磁場(chǎng)的作用下飛向陰極，在很短距離的陰極電位下降區(qū)獲得很大能量，在到達(dá)陰極前轟擊靶材 6 。根據(jù)動(dòng)能傳遞作用將能量傳遞給靶材的中性原子（或分子），使這些原子（或分子）脫離附近的其他原子（或分子）而從靶面上彈射出來。在濺射的粒子中，帶有高能量的中性靶原子（或分子）在玻璃表面上沉積成膜層。而其他的二次電子進(jìn)入等離子區(qū)參與電離碰撞，不斷地補(bǔ)充大量的正離子，二次電子在其能量將耗盡時(shí)，被陽極吸引而導(dǎo)出真空室。它具備了“低溫” 、“高速”兩大特點(diǎn) 7 。2.2 磁控濺射的工藝參數(shù)濺射鍍膜過程中，由于靶功率與靶的濺射率呈直線正比關(guān)系，因此提高靶的功率即

13、可提高靶的濺射率和沉積到基片上的沉積速率，從而提高設(shè)備的工作效率。經(jīng)驗(yàn)表明：高的濺射速率的最佳參數(shù)是提高陰極電壓，增大靶的電流密度，選擇濺射率高的濺射氣體，較高的工作真空度以及合適的基片溫度?，F(xiàn)就這些參數(shù)分述如下：（1）磁控濺射的功率從理論上看，對(duì)于磁控濺射源，鍍膜沉積速率都會(huì)隨著靶功率的增大而增大，4二者具有較好的線性關(guān)系。由于在異常輝光放電中，電流的增大，必然導(dǎo)致電流密度成比例地增加，而電流密度的增加會(huì)引起電場(chǎng)的進(jìn)一步畸變，使陰極位降區(qū)的長度不斷減少，維持放電所必須的陰極位降將進(jìn)一步增加，撞擊陰極的正離子數(shù)目及動(dòng)能都大為增加，在陰極表面發(fā)生濺射作用也要強(qiáng)烈得多，致使沉積速率增大。但是需要指

14、出的是，靶材承受的功率是有限的。靶面溫度過高會(huì)導(dǎo)致靶材熔化或引起弧光放電。因此靶功率應(yīng)當(dāng)在靶材允許值范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。因此提高鍍膜速率的工藝原則應(yīng)當(dāng)盡可能接近允許值；靶電壓盡可能接近最佳值 8 。（2）磁場(chǎng)強(qiáng)度磁控濺射的關(guān)鍵參數(shù)是與電場(chǎng)垂直的水平磁場(chǎng)分量B ，而垂直磁場(chǎng) B 對(duì)磁控模型運(yùn)行沒有作用。 B 在靶面各處并不是一個(gè)均勻的值，一般以最大水平場(chǎng)強(qiáng) Bmax代替靶面的場(chǎng)強(qiáng)要求。通常要求距靶平面35mm處測(cè)得的數(shù)值為 0.02 0.06T 。但在靶面上水平場(chǎng)強(qiáng)分布不均勻時(shí)會(huì)引起濺射的不均勻，因此，適當(dāng)調(diào)整磁鐵布局，使之得到均勻的水平磁場(chǎng)，以得到均勻的濺射區(qū)，提高靶材的利用率。（3）濺射氣壓在直流磁

15、控濺射過程中，濺射氣壓( 工作氣壓 ) 是一個(gè)很重要的參數(shù)，它對(duì)濺射速率，沉積速率以及薄膜的質(zhì)量都有很大的影響。氣體分子從一次碰撞到相鄰的下一次碰撞所通過的距離的統(tǒng)計(jì)平均值，稱之為平均自由程9-10 。從分子的平均自由程的角度來說，濺射氣體壓力低時(shí)濺射粒子的平均自由程大，與氣體離子的碰撞的幾率小，使沉積速率增大。但是，濺射氣體壓力低時(shí)入射離子濃度低，濺射出的離子數(shù)目也少，又使沉積速率減小。當(dāng)濺射氣體壓力高時(shí)，轟擊靶的氣體離子多，濺射出的離子數(shù)也多，使濺射速率增大。但是濺射粒子的平均自由程減小，與氣體離子碰撞的幾率增大，使沉積速率減小。濺射氣壓所產(chǎn)生的這兩種效果互相制約，隨著濺射氣壓的增加，最初

16、沉積速率不斷增大，當(dāng)濺射氣壓增大到一定程度時(shí)，沉積速率達(dá)到最大值，之后隨著濺射氣壓的增大又不斷減小。（4）基片的溫度基片的溫度對(duì)沉積速率也有一定的影響。有些材質(zhì)的沉積速率隨著基片溫度的上升略有下降，這可能是基片溫度升高時(shí)到達(dá)基片的沉積原子較易解吸的緣故。但在反應(yīng)沉積化合物時(shí)，沉積速率是隨著基片溫度的增加而上升的。因?yàn)榉磻?yīng)沉積實(shí)際上是反應(yīng)氣體和濺射原子在表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的過程，而這一過程是隨基片溫度升高而增強(qiáng)的 11 。5大尺寸磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線3.1 平面磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線的組成任何類型的生產(chǎn)線，對(duì)于產(chǎn)品的產(chǎn)生過程都要遵守符合某種規(guī)律的生產(chǎn)流程要求，圖 3.1 是該類生產(chǎn)線的典型流程

17、圖：選片進(jìn)線前處理段真空鍍膜段后處理段離線圖 3.1平面磁控濺射鍍膜玻璃產(chǎn)品生產(chǎn)流程圖為了達(dá)到大尺寸平板玻璃表面鍍膜流程要求，實(shí)現(xiàn)連續(xù)性生產(chǎn)，其總體設(shè)計(jì)構(gòu)思均采用串接積木組合方式（如圖3.2 ）形成機(jī)械化，自動(dòng)化封閉環(huán)節(jié)的生產(chǎn)線。從圖中可以看出，生產(chǎn)線構(gòu)成可分三大功能段，即前處理段，真空鍍膜段，后處理段。每個(gè)功能段，又有各自獨(dú)立承擔(dān)鍍膜工藝中某一個(gè)單個(gè)工序的功能。通常設(shè)計(jì)這類生產(chǎn)線，應(yīng)考慮以下五個(gè)方面的問題做為設(shè)計(jì)依據(jù)10 。（1）對(duì)前處理段應(yīng)滿足如下要求：a具有足夠的表面清洗能力；b具有可控的基片加熱溫度場(chǎng)；c對(duì)原片，發(fā)現(xiàn)疵病有在線篩選能力。入線VVKZ KKKVV出線12123434ABB

18、CC1#234567DEFG#- 前處理段- 真空鍍膜段- 后處理段圖 3.2典型的平面磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線A進(jìn)線工作臺(tái)B打霉機(jī)、玻璃洗滌機(jī)C防塵加熱烘烤裝置D膜層透射率檢查臺(tái)E 膜層清洗后處理機(jī)F、 G膜層物理外觀臺(tái)1#預(yù)儲(chǔ)室2#過渡室3#濺射室4#濺射室5#濺射室6#過渡室67#輸出室V1 V4門式閘板閥K1 K4隔離腔Z平面磁控濺射陰極（2）對(duì)真空鍍膜段應(yīng)滿足如下要求：a全段有較強(qiáng)的抽氣能力，創(chuàng)造穩(wěn)定的真空環(huán)境，有良好的氣密性，充入介質(zhì)氣體的可控性，確保濺射真空室的磁控濺射陰極穩(wěn)定工作。b真空鍍膜段兩端的真空室的工作周期，即實(shí)現(xiàn)由真空到破壞真空，或從大氣下抽真空，達(dá)到要求的真空度所經(jīng)歷

19、的時(shí)間要短，故一般設(shè)計(jì)要遵循的條件： a 真空室空間體積要小； b 配置的真空機(jī)組要大， 確保限定的循環(huán)周期時(shí)間， 即生產(chǎn)節(jié)拍（每片玻璃所用的鍍制時(shí)間）短。c全程清潔處理方便。（3）對(duì)后處理段應(yīng)滿足如下要求：a具有在線檢測(cè)玻璃鍍膜后的光學(xué)性能的能力。b提供物理外觀表面檢查能力。（4）滿足設(shè)定的產(chǎn)量要求。（5）滿足設(shè)定的產(chǎn)品品種要求，且具有一定開發(fā)膜層膜系的潛在能力。3.2 平面磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線的分類平面磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線，國內(nèi)外已出現(xiàn)各種類型，歸納起來可按原片玻璃鍍膜時(shí)的出送方式，鍍膜玻璃的產(chǎn)量，可實(shí)現(xiàn)的花樣品種能力等進(jìn)行不同的分類。這里介紹按照原片玻璃鍍膜時(shí)的輸送方式進(jìn)行分類。（1

20、）臥式水平結(jié)構(gòu)，即被鍍玻璃平面為水平輸送。其優(yōu)點(diǎn)： a 輸送玻璃方便，不像立式輸送時(shí)，必須有玻璃框架；b 輸送速度比立式結(jié)構(gòu)要快，輸送效率高；c 投料（上片）取料（下片）方便。缺點(diǎn)： a 由于玻璃水平輸送，易在玻璃表面沉落脹物、灰塵，造成鍍后表面出現(xiàn)針孔； b 清潔真空室衛(wèi)生的周期較頻、延長了非生產(chǎn)時(shí)間、影響生產(chǎn)；c 傳動(dòng)系統(tǒng)龐大（輸送輥道長，動(dòng)力大）造價(jià)高。（2）立式結(jié)構(gòu)，即被鍍玻璃的平面垂直地面并稍有傾斜來輸送。其優(yōu)點(diǎn)： a 灰塵不易落在玻璃表面上，故不易造成針孔；b 相對(duì)臥式結(jié)構(gòu)，在清潔真空室衛(wèi)生方面周期長，縮短非生產(chǎn)時(shí)間，有利于生產(chǎn)；c 傳動(dòng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，拖動(dòng)動(dòng)力小，造價(jià)低廉。7缺點(diǎn)：

21、a 該類生產(chǎn)線， 輸送玻璃必須采用框架輸送，而且又必須備用足夠的運(yùn)送玻璃的框架數(shù)量，使之達(dá)到產(chǎn)量節(jié)拍要求，故投資大，占地面積大，效率低；b 立式結(jié)構(gòu)，多為隧道式，設(shè)備檢修不方便。本設(shè)計(jì)主要針對(duì)真空鍍膜段中的磁控濺射鍍膜真空室進(jìn)行設(shè)計(jì)計(jì)算，包括真空室腔體、平面磁控濺射陰極靶、抽氣系統(tǒng)、傳動(dòng)系統(tǒng)以及機(jī)架。本設(shè)計(jì)采用臥式水平結(jié)構(gòu)。磁控濺射鍍膜真空室的設(shè)計(jì)要求與原則4.1 設(shè)計(jì)參數(shù)需要傳送的基片尺寸的最大寬度和最大長度分別是2540mm，3660mm，真空鍍膜室采用不銹鋼圓筒形殼體，使用分子泵和羅茨泵機(jī)組抽氣，對(duì)于分子泵和羅茨泵泵進(jìn)行選配，濺射電壓300-600V，工作壓力0.1-1Pa ，平行靶面的

22、磁感應(yīng)強(qiáng)度分量在0.04-0.07T之間。4.2 磁控濺射鍍膜真空室的主要設(shè)計(jì)原則（1）創(chuàng)造良好的安裝磁控濺射陰極位置，提供良好的電場(chǎng)條件，維持穩(wěn)定的輝光放電。（2）創(chuàng)造磁控濺射陰極間有良好的隔離條件，設(shè)置隔離擋板。（3）提供充足的充氣源裝置（可通入Ar、 O2、 N2 ）達(dá)到均勻彌散，特別是沿磁控濺射陰極長度方向噴射的介質(zhì)氣體越均勻越好（如圖4.1 ），保證膜質(zhì)均勻 10 。（4）設(shè)有獨(dú)立的變速范圍較寬的傳動(dòng)輸送玻璃系統(tǒng)，隨意可調(diào)。（5）殼體結(jié)構(gòu)，臥式采用剖分式，立式采用剖分式，方便清潔衛(wèi)生。普通鋼結(jié)構(gòu)要滿足真空容器要求的強(qiáng)度、剛度條件。（6）備有觀察、檢測(cè)、發(fā)訊等裝置。8平面磁控濺射陰極電

23、場(chǎng)導(dǎo)入板Ar氣充氣管NSNArArO2或N2 充氣管被鍍玻璃O2O2N2N2圖 4.1充氣源裝置斷面圖4.3 磁控濺射鍍膜室對(duì)抽氣系統(tǒng)的要求（1）鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)應(yīng)有足夠大的抽氣速率，該抽速即應(yīng)迅速抽走鍍膜過程中基片及膜材和真空室內(nèi)其他構(gòu)件所放出的氣體，也應(yīng)對(duì)濺射鍍膜過程中滲氣及系統(tǒng)的泄漏等氣體量迅速地抽出。（2）磁控濺射鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)的極限壓強(qiáng)應(yīng)根據(jù)不同膜的要求，而有所不同。-3（3）在油擴(kuò)散泵為主泵的抽氣系統(tǒng)中，要求泵的返油率越小越好，否則返流的油蒸汽將會(huì)污染被鍍的玻璃表面，使膜層易于脫落。（4）鍍膜室及抽氣系統(tǒng)的漏氣率要小。即或是微量氣體的漏入，也易影響膜的質(zhì)量，為了保證系統(tǒng)的密封性能，必

24、須把系統(tǒng)的總漏率限制在一定的范圍之內(nèi)。目前這一范圍國內(nèi)尚無標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)計(jì)時(shí)可根據(jù)工藝要求而定。（5）真空系統(tǒng)的操作，使用及檢修維護(hù)應(yīng)方便，系統(tǒng)的抽氣性能應(yīng)穩(wěn)定可靠。9磁控濺射真空鍍膜室主要部分的設(shè)計(jì)與計(jì)算5.1 真空室殼體的設(shè)計(jì)與計(jì)算真空室殼體的類型選擇真空容器是構(gòu)成真空室的基本部件。在真空工程中，各種真空應(yīng)用對(duì)真空室的功能要求不同，構(gòu)成真空室的真空容器形狀和大小就不相同。真空容器殼體主要有圓筒形殼體、球形殼體、圓錐形殼體、盒形殼體、橢圓球形殼體和圓環(huán)形殼體15 。圓筒形殼體制造容易、強(qiáng)度好。球形殼體從穩(wěn)定性和節(jié)省材料上來說是最好的，但球形制造困難，內(nèi)部有效利用空間小，因此應(yīng)用不多。盒形殼體制造復(fù)

25、雜，耗費(fèi)金屬材料多。但其內(nèi)部可利用的空間大。為減少板材厚度，在盒形殼體上通常都使用了加強(qiáng)筋?？紤]到玻璃制造時(shí)的形狀以及實(shí)際應(yīng)用結(jié)果，盒形殼體對(duì)此鍍膜生產(chǎn)線最適合。因此，本設(shè)計(jì)真空鍍膜室的形狀采用盒形殼體。真空室殼體的計(jì)算與校核本設(shè)計(jì)采用 1Cr18Ni9Ti 作為真空室殼體材料，其b540Mpa ，s200MPa 。為了減少盒形殼體的厚度，采用矩形截面的橫向加強(qiáng)筋，其中l(wèi)20cm 。真空室長3860mm，寬 2900mm，高 470mm。（ 1）按強(qiáng)度極限確定許用應(yīng)力b540MPavnb200MPa2.7（ 2）按屈服極限確定許用應(yīng)力s200Mpav133.3Mpan31.5（ 3）確定最小厚

26、度0.224B0.224 20S0cm 0.4cmv133.3（4）確定實(shí)際厚度壁厚附加量 C C1 C2 C3 ， C1 ：鋼板的最大負(fù)公差附加量，取 0.5mm ； C2 ：腐蝕裕度，取 2mm ； C3 ：封頭沖壓時(shí)的拉伸減薄量，取 0.4 mm 。故壁厚附加量為 2.9 mm 。10所以實(shí)際厚度SS0C4mm2.9mm6.9mm圓整為 7 mm 。又因?yàn)殇摪搴穸戎袥]有此規(guī)格，故取實(shí)際壁厚為8 mm 。5）校核水壓試驗(yàn)應(yīng)力水的試驗(yàn)壓力 Ps 0.2MPa水的靜壓力 P0Hd20 10 3 MPa 0.02MPa總的壓力 P PsP00.2MPa 0.02 MPa 0.22 MPa當(dāng)做水壓

27、試驗(yàn)時(shí)，矩形板的應(yīng)力為：0.5B2P0.5 2020.22MPa166Mpa0.9 s 180MPaS20.82C0.29滿足水壓試驗(yàn)要求，故可取壁厚為8mm 。（6）選取矩形截面橫向加強(qiáng)筋，寬與高之比為1 5 ，其截面模量為WPB2 lP2902820 0.22 cm3173.5cm32Ks2133.3則其加強(qiáng)筋的寬度為SP0.62 3 Wp0.623 173.5cm34.6mm取整為 35 mm 即 3.5cm 。則其高度為hP175mm 即 17.5 cm 。7）計(jì)算加強(qiáng)筋和壁聯(lián)合的截面模數(shù)加強(qiáng)筋截面積FP3.5 17.5cm261.25cm2壁部分的截面積Fc0.5120cm210.2

28、 cm2加強(qiáng)筋截面的慣性矩Jp13.5 17.53 cm31563.2cm312壁部分截面積的慣性矩11Jc120 0.513 cm30.22cm312由壁到聯(lián)合重心的距離FP hPFCS C61.2517.510.20.8 0.297.5cmy2FPFC2 61.25cm10.2加強(qiáng)筋與壁聯(lián)合作用的界面模量JP JCFP 0.5hP22yFC y 0.5 S CWP?ChPy1563.20.2261.25(0.5 17.57.5)210.2 7.5 0.5 (0.80.29)2cm317.57.5227.3cm3（8）計(jì)算水壓試驗(yàn)應(yīng)力B2 lP290220 0.22 MPa 135.7MPa

29、 0.9s 180MPaKWP C8227.3可見滿足水壓實(shí)驗(yàn)要求。5.2 傳動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算傳動(dòng)方式的選擇帶傳動(dòng)是由固聯(lián)于主動(dòng)軸上的帶輪、固聯(lián)于從動(dòng)輪上的帶輪和緊套在兩帶輪上的傳動(dòng)帶組成的。當(dāng)原動(dòng)機(jī)主動(dòng)輪轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，由于帶和帶輪間的摩擦（或嚙合），便拖動(dòng)從動(dòng)輪一起轉(zhuǎn)動(dòng)，并傳遞一定動(dòng)力。帶傳動(dòng)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、傳動(dòng)平穩(wěn)、造價(jià)低廉以及緩沖吸振等特點(diǎn)，在近代機(jī)械中被廣泛應(yīng)用17 。在一般機(jī)械傳動(dòng)中， 應(yīng)用最廣的是V 帶傳動(dòng)。 V 帶的橫截面呈等腰梯形， 帶輪上也做出相應(yīng)的輪槽。傳動(dòng)時(shí)， V 帶只和輪槽的兩個(gè)側(cè)面接觸，即以兩側(cè)為工作面。根據(jù)槽面摩擦的原理，在同樣的張緊力下，V 帶傳動(dòng)較平帶傳動(dòng)能產(chǎn)生更大的

30、摩擦力。本生產(chǎn)線中采用窄V 帶用做主傳動(dòng)軸和電磁調(diào)速異步電動(dòng)機(jī)之間的連接。平帶傳動(dòng)結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單，帶輪也容易制造，在傳動(dòng)中心距較大的情況下應(yīng)用較多。本生產(chǎn)線采用平帶傳動(dòng)來連接兩個(gè)相鄰傳動(dòng)軸的轉(zhuǎn)動(dòng)，借以帶動(dòng)傳動(dòng)軸上面的滾掄轉(zhuǎn)動(dòng)。12變頻電機(jī)的確定（1）計(jì)算最終輸出功率系統(tǒng)所鍍玻璃的尺寸為2540mm 3660mm ，厚度為 8 mm 10mm 可調(diào)，鍍膜玻璃的密度為 2.6 g cm3 。玻璃與輥輪之間的摩擦因數(shù)為0.50.7，取 0.6。則最大的摩擦力為f max mgu254 366 1 2.6 10 39.80.6N 1421.2 N生產(chǎn)線的生產(chǎn)節(jié)拍為 30s90s，輥輪的直徑取90mm ，則

31、最大的傳輸速度為vmax3.66 m s0.122 m s30因此，輸出地最大功率為Pmaxfmaxvmax 1421.30.122W 173.4W（2）確定電機(jī)型號(hào)由電機(jī)傳動(dòng)到最后一根滾輪的傳動(dòng)效率為13120.9613120.66a1230.990.98其中1 、2 、3 分別為 V 帶傳動(dòng)、滾動(dòng)球軸承、平帶傳動(dòng)的傳動(dòng)效率。因此電動(dòng)機(jī)的功率為PdPmax173.4 W263Wa0.66滿足條件的調(diào)速電機(jī)主要有三種：YVFZ80M1 ，YCT1124A ，YCTD100 4A。根據(jù)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和應(yīng)用范圍， 最終選用 YCT112 4A 型電機(jī)。其功率為 0.55KW，轉(zhuǎn)速為 1250125r/m

32、in。傳動(dòng)軸的計(jì)算與校核（1）預(yù)算最小軸徑取每根軸之間的間距為 350 mm ，則玻璃最少橫跨 10 根軸，因此每根軸所提供的最大摩擦力為fmax142.1N因此每根軸的功率為Pmaxfmax vmax142.10.122W17.3W13軸材料選用 45 號(hào)鋼，則傳動(dòng)軸的最小直徑為33dmin A0Pmax12617.3 10 3mm 11.2mmn25.9軸徑上面有兩個(gè)鍵槽，軸徑應(yīng)增大10%-15%，即為 16.8 mm 。軸徑最終選取為 30 mm 。（2）軸的理論校核 18從軸的受力方面看，軸的兩軸承之間的中點(diǎn)面為最危險(xiǎn)截面，因此只需校核此截面。1彎扭合成強(qiáng)度校核計(jì)算為了簡(jiǎn)化計(jì)算，假設(shè)重

33、力在軸上分布均勻，并且在這之外的區(qū)域也有均布。此時(shí)截面的彎矩M maxGL2236.92657 2N mm 8.2 104 N mmL825408彎矩Tfmax D142.1 90N mm 6.4 103 N mm22因此軸的彎扭合成強(qiáng)度條件為M 2T 28231021 6935 2MPa 30.6Mpa1 60MPacaM30330軸滿足彎扭合成強(qiáng)度條件。2軸的剛度校核計(jì)算5.73 104 T5.73 104639530 4/ m 0.06 / m0.5 / mGI p8100030軸滿足剛度校核條件。帶傳動(dòng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算（1）確定計(jì)算功率PcaK AP1.30.55KW0.715KW（2）選

34、擇 V 帶的帶型14選取A型普通V帶。（3）確定帶輪的基準(zhǔn)直徑并驗(yàn)算帶速初取 dd 180mm ，則帶速v60dd1 n180390 m s 1.63 m s1000601000（4）確定中心距啊，并選擇V 帶的基準(zhǔn)長度初選中心距為500mm，最后算得所需基準(zhǔn)長度為1400mm ，實(shí)際中心距493.29mm。（5）驗(yàn)算小帶輪上的包角1180odd 2dd157.3o168.4o90 oa（6）確定帶的根數(shù) zzPca3.3P0P0K K L由于帶的速度較慢，一般要求帶的根數(shù)要多一些，因此選擇5 根。軸承的配置與軸承座的選定合理的軸承配置應(yīng)考慮軸在機(jī)器中有正確的位置，為防止軸向竄動(dòng)及軸受熱膨脹后

35、不將軸承卡死。（本濺射室溫度能達(dá) 200）。對(duì)于跨距較大（大于 350mm）且工作溫度較高的軸，其伸長量大，應(yīng)采用一支點(diǎn)雙向固定，另一支點(diǎn)游動(dòng)的支承結(jié)構(gòu)。作為固定支承的軸承，應(yīng)能承受雙向載荷，故內(nèi)外圈在軸向都要固定。作為補(bǔ)償軸的熱膨脹的游動(dòng)支承，若使用的是內(nèi)外圈不可分離型軸承，只需固定內(nèi)圈，其外圈在座孔內(nèi)應(yīng)可以軸向游動(dòng)；若使用的是分離型的圓柱滾子軸承或滾針軸承，則內(nèi)外圈都要固定，當(dāng)軸向載荷較大時(shí)，作為固定的支點(diǎn)可以采用向心軸承組合在一起的結(jié)構(gòu)；也可以采用兩個(gè)角接觸球軸承（或圓錐滾子軸承） “背對(duì)背”或“面對(duì)面”組合一起的結(jié)構(gòu)。綜合以上的考慮，本設(shè)計(jì)選用深溝球軸承，并采用一支點(diǎn)雙向固定，另一端支

36、點(diǎn)游動(dòng)。對(duì)于深溝球軸承（內(nèi)外圈不可分離型），對(duì)雙向固定端，內(nèi)外圈均要固定；而對(duì)作為補(bǔ)償軸的熱膨脹的游動(dòng)支承，只需固定內(nèi)圈，其外圈在座孔內(nèi)應(yīng)可軸向移動(dòng)。根據(jù)軸徑為 30mm，查機(jī)械設(shè)計(jì)手冊(cè)，可選到深溝球軸承，代號(hào)為6306。15根據(jù) 6306 軸承選定軸承座型號(hào)為：SN306。軸承密封與傳動(dòng)軸動(dòng)密封的設(shè)計(jì)（1）軸承密封裝置的設(shè)計(jì)據(jù)真空設(shè)計(jì)手冊(cè)上動(dòng)密封形式，選用材料密封件是氟橡膠。因氟橡膠具有如下特性：具有良好的耐高溫、耐油和化學(xué)穩(wěn)定性。使用溫度在200 C 左右，長期去氣溫度達(dá) 250 C ，短期去氣溫度可達(dá)300 C , 在烘烤條件下，氟橡膠放氣率也很低。（2）傳動(dòng)軸動(dòng)密封的設(shè)計(jì)真空動(dòng)密封連接

37、結(jié)構(gòu)與工作在常壓下的密封結(jié)構(gòu)有所不同。這種密封除了要求其結(jié)構(gòu)本身有足夠的強(qiáng)度、壽命和合理的外形尺寸等外，針對(duì)真空的特點(diǎn)，它還必須保證密封的可靠性。即動(dòng)密封連接在長期工作中必須保證外界環(huán)境不向真空容器內(nèi)漏氣或使漏氣維持在設(shè)計(jì)要求的范圍之內(nèi)。在此，采用O 型橡膠密封圈結(jié)構(gòu)的接觸式真空動(dòng)密封。O型橡膠密封圈不但能傳遞圓周速度不大于2m/s 的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，而且還能傳遞真空度不高于 1.3 10-4 Pa，速度小于 0.2m/s 的直線運(yùn)動(dòng)。在這里完全符合傳動(dòng)與密封要求，并且技術(shù)成熟，價(jià)格低廉。5.3 平面磁控濺射靶的選擇與計(jì)算平面磁控濺射靶的類型選擇磁控濺射靶主要分為：同軸圓柱形磁控濺射靶、 平面磁控濺

38、射靶、 S 槍磁控濺射靶三種。其中，平面磁控濺射靶又分為圓形平面磁控濺射靶和矩形平面磁控濺射靶兩種。同軸圓柱形磁控測(cè)射靶的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)緊湊，靶材利用率較平面矩形靶高。但缺點(diǎn)是在濺射時(shí)，整個(gè)靶表面上為多個(gè)輝光環(huán)，不能形成連續(xù)的條形輝光，故在鍍制大面積的膜層時(shí)，膜層表面的均勻性差，很難滿足要求。平面磁控濺射靶的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，通用性強(qiáng)，膜層均勻性與重復(fù)性好。但缺點(diǎn)是靶材的利用率低，一般約為 20%左右。當(dāng)輝光區(qū)，即磁力線分布區(qū)域的靶材消耗到一定程度時(shí)， 將形成條形凹坑，靶材體變薄，凹坑深度達(dá)到一定程度時(shí)，靶材就不能繼續(xù)使用。 S 槍磁控濺射靶由于其特殊的靶形和冷卻方式，使其具有靶材利用率高、膜厚分布

39、均勻、靶功率密度大和易于更換靶材等優(yōu)點(diǎn)。但是 S 槍磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、磁場(chǎng)計(jì)算困難。矩形平面磁控濺射靶雖然從基本原理方面看劣勢(shì)較多，但近年來矩形濺射靶的16研究和改進(jìn)不斷?，F(xiàn)如今的矩形濺射靶已經(jīng)非常成熟、先進(jìn)，并且在工業(yè)生產(chǎn)中成功應(yīng)用。從以上各個(gè)方面，并且聯(lián)系生產(chǎn)實(shí)際，本設(shè)計(jì)采用矩形平面磁控濺射靶。但是一般的磁控濺射靶存在兩個(gè)主要的問題：靶的電弧放電問題，陽極消失問題。因此，目前國內(nèi)外采用一種用中頻電源供電的孿生靶進(jìn)行磁控濺射，即“TwinTargets ”。 中頻濺射常用于濺射兩個(gè)靶，通常為并排的兩個(gè)靶，尺寸和外形全部相同，因此這兩個(gè)靶常稱為孿生靶。孿生靶在濺射室中懸浮安裝，在濺射過程中

40、，兩個(gè)靶周期性輪流作為陰極與陽極，既抑制了打火，而且由于消除了普通直流反應(yīng)磁控濺射中的陽極消失現(xiàn)象，從而使濺射過程得以穩(wěn)定進(jìn)行。中頻孿生磁控濺射具有以下優(yōu)點(diǎn)： （1）可以得到高的沉積速率； （ 2）濺射過程可以始終穩(wěn)定地工作在設(shè)定的工作點(diǎn)上； （ 3）由于消除了打火現(xiàn)象，缺陷密度較普通直流磁控濺射要小幾個(gè)數(shù)量級(jí)； （ 4）由于交流反應(yīng)濺射時(shí)到達(dá)基板的原子平均釋放的能量高于直流反應(yīng)濺射的值，因此在沉積過程中基板溫度較高，沉積膜會(huì)更致密，與基板的結(jié)合會(huì)更牢固。近幾年，新型的大面積孿生磁控濺射源的誕生，又克服了傳統(tǒng)的孿生磁控濺射源如下所述的缺點(diǎn)： a 磁控濺射源與直流電連接， 長期使用后容易在磁控濺

41、射源表面形成污物； b 磁控濺射源的磁鋼與冷卻用的水路共用一個(gè)通道，磁鋼泡在冷卻水中，19因此，磁控濺射靶采用孿生矩形靶。圖為孿生靶安裝示意圖圖矩形孿生靶安裝示意圖17平面磁控濺射靶水冷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算（1）冷卻水管內(nèi)徑的計(jì)算本設(shè)計(jì)的濺射靶靶材的尺寸為258cm27cm， 一般陰極設(shè)計(jì)的功率密度通常工程應(yīng)用取 1520W cm2 。因此，濺射靶的功率為P2582717W117.422KW根據(jù)此設(shè)計(jì)靶的結(jié)構(gòu)，水冷系統(tǒng)分成了四個(gè)部分，相當(dāng)于計(jì)算功率為原來的四分之一，因此冷卻水管內(nèi)徑為4Pt1123157122d1.5 103 4.2 103m 14.4mmV c t30取管徑 d18mm。（2）冷

42、卻水管長度的計(jì)算濺射電壓為 300600V，所以濺射鍍膜裝置冷卻水管的長度L 為VL600mm1000從靶的結(jié)構(gòu)上看，冷卻水管的長度一定比600mm要大，具體的長度大小要根據(jù)實(shí)際裝配之間的關(guān)系來算。5.4 抽氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算選泵與配泵本系統(tǒng)采用分子泵和羅茨泵作為主泵，選用旋片泵作為預(yù)抽泵和前級(jí)泵。圖為抽氣系統(tǒng)示意圖。圖抽氣系統(tǒng)示意圖18主泵可以利用下面的經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算。S1510 V式中： V鍍膜室的體積， L。所以，分子泵的抽速為：S16 3.86 2.90.47 103 L / s31567 .08L / s選用 10 臺(tái)抽速為 3500 L s 的 F 400/3500 型渦輪分子泵。羅

43、茨泵的抽速可由下式算出：S22 10%S12 3500 L s70 L s因此，選用 ZJP70 的羅茨泵作為分子泵的前級(jí)泵。通常，羅茨泵所配前級(jí)泵抽速根據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算，旋片泵的抽速為：S31 1S1 7 35 L s102選用 2XZ15 的旋片泵作為羅茨泵的前級(jí)泵及真空系統(tǒng)的預(yù)抽泵。抽氣時(shí)間的計(jì)算（1）鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)的氣體來源真空鍍膜機(jī)的鍍膜室中，主要有如下幾種氣源：1抽空前真空室、管道、閥門、阱等元件中所含有的空氣；2原片玻璃所放出的氣體量；3靶材所放出的氣體；4真空室內(nèi)壁及室內(nèi)所有構(gòu)件表面因壓強(qiáng)降低和溫度升高所釋放出來的氣體量；5從真空室外漏入到系統(tǒng)內(nèi)的氣體量。上述五項(xiàng)氣源中，第一項(xiàng)對(duì)

44、計(jì)算高真空泵而言，這部分氣體主要在抽氣系統(tǒng)預(yù)抽真空時(shí)被預(yù)抽真空泵抽走，因而它只是作為選擇預(yù)抽真空泵縮短預(yù)抽時(shí)間的依據(jù)。由于各種材料的放氣量不但數(shù)字差別很大，而且也不完整。因此，高真空的抽氣時(shí)間的計(jì)算結(jié)果與實(shí)際就有一定的出入。（2）預(yù)抽時(shí)間計(jì)算分子泵啟動(dòng)前先用選片泵預(yù)抽至10Pa，預(yù)抽管道大小和選片泵進(jìn)氣口徑一致。則選片泵從大氣壓抽到10Pa 的抽氣時(shí)間為：19t1t1 102.303617.32.303617.32.303617.32.303617.3s151515151.251.52545.0s（2）分子泵抽氣時(shí)間計(jì)算分子泵抽氣范圍為 10 510 4 Pa ，抽氣管道直徑為 200mm，管

45、道長 1000mm。由于過渡態(tài)流導(dǎo)的計(jì)算比較復(fù)雜，工程上允許用分子流導(dǎo)計(jì)算代替。這樣不但計(jì)算簡(jiǎn)單而且設(shè)計(jì)偏于安全，因此可以將這個(gè)過程全部當(dāng)做高真空抽氣來計(jì)算。對(duì)于高真空抽氣，有一些特殊的地方要考慮。這時(shí)容器中空間的氣體已經(jīng)大大減少了，而其他氣源越來越成為主要的氣體負(fù)荷。其中有：微漏，滲漏，蒸發(fā)，表面解吸。高真空領(lǐng)域的抽氣，實(shí)際上是對(duì)伴隨排氣過程的變化所產(chǎn)生的放氣流量的排除。常用的近似計(jì)算高真空抽氣時(shí)間的方法有解析法和圖表法。本設(shè)計(jì)采用的是解析法。真空室的主要表面放氣的對(duì)象及放氣率分別如下：真空室內(nèi)表面： A13.3105 cm2q12.13 10 7 Pa Ls cm2濺射靶：A26.110

46、4 cm2q29.3 10 7 Pa Ls cm2輸送軸：A31.3105 cm2q36.9 10 7 Pa Ls cm2隔離板：A46.6104 cm2q46.13 10 7 Pa Ls cm2利用解析法的求解方程：Se p QcAqi i t i分別在壓強(qiáng)為 10Pa 和壓強(qiáng)為 5 10 4 Pa 時(shí)的時(shí)間 t ，二者相減可以得到高真空的抽氣時(shí)間t20.2h所以，總的抽氣時(shí)間為23min，再加上分子泵啟動(dòng)時(shí)間，仍然滿足要求。5.5 機(jī)架的設(shè)計(jì)與計(jì)算磁控濺射真空鍍膜室總重估算真空室：六塊鋼板組成， 鋼的密度為 7.85g/cm 3，則真空室殼體總重約20724Kg；矩形靶：每個(gè)靶大約300K

47、g，總重 600Kg；20玻璃：玻璃最大尺寸為3600mm 2540mm 10mm，密度為2.6g/cm 3 ，質(zhì)量為241.7Kg；傳動(dòng)軸：每根約 15.6Kg，總重為 203Kg；軸承座：每個(gè)約 2.1Kg ，總重為 54.6Kg；滾輪：每個(gè) 0.5Kg，總重 110.5Kg；平帶輪：每個(gè) 1.6Kg，總重 40Kg；V 帶輪：大帶輪 2Kg。因此，磁控濺射真空鍍膜室總重約為21975Kg。機(jī)架的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)機(jī)架采用槽鋼構(gòu)成，根據(jù)機(jī)械設(shè)計(jì)手冊(cè)選擇槽鋼型號(hào)為 10#。（10槽鋼在平放時(shí)一米跨度能承受集中力為 13.4KN，立放時(shí)一米跨度能承受集中力為34.1KN17 ），滿足設(shè)計(jì)要求。圖為機(jī)架結(jié)

48、構(gòu)三維圖。圖機(jī)架結(jié)構(gòu)三維圖5.6 工藝氣體的分布的分析與設(shè)計(jì)由于市場(chǎng)對(duì)膜層顏色的均勻性（即在整個(gè)鍍膜玻璃表面上膜層厚度的平坦性）等方面的要求不斷增長，濺射氣體的充入就顯得特別重要了。對(duì)于在純氬氣環(huán)境中進(jìn)行的金屬濺射工藝，只要一個(gè)氣體分布系統(tǒng)管路就足夠了（見圖5.6（a）。由于在流導(dǎo)上存在著差異，從氣體噴嘴處噴出的氣體量會(huì)從中心向兩端逐漸減少。不過這不會(huì)對(duì)膜層的均勻性造成影響。但對(duì)于反應(yīng)濺射工藝，則必須采用一個(gè)二元的布21氣系統(tǒng)（見圖 5.6（b）。在這個(gè)系統(tǒng)中，每個(gè)噴嘴對(duì)于濺射氣體的流導(dǎo)都是一致的，所以在整個(gè)陰極上可以得到均衡的氣體的比例和數(shù)量。布?xì)夤苈分苯优挪荚陉帢O的一側(cè)或兩側(cè)。（a）（ b）圖 5.6 濺射氣體分布系統(tǒng)a）單管布?xì)庀到y(tǒng)； （ b）二元管布?xì)庀到y(tǒng)22結(jié)論本設(shè)計(jì)將磁控濺射技術(shù)應(yīng)用到大尺寸玻璃鍍膜的研究和開發(fā)之中，設(shè)計(jì)出相應(yīng)的生產(chǎn)裝置和系統(tǒng)，并進(jìn)行一系列的基礎(chǔ)理論研究和成膜工藝研究以優(yōu)化工藝的流程和薄膜的性能，從而提高