中物院中子物理學(xué)重點試驗室培育課題管理辦法2014年版

1、公開中物院中子物理學(xué)重點實驗室2015 年度課題指南中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所2015年 4月中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室目錄一、概述1二、重點課題2三、一般課題5四、概念研究課題15五、說明16附件 1：中物院中子物理學(xué)重點實驗室開放課題管理辦法（2014 年版）附件 2：中物院中子物理學(xué)重點實驗室培育課題管理辦法（2014 年版）附件 3：課題申請書附件 4：課題進展表中物院中子物理學(xué)重點實驗室2015 年度課題指南一、概述中物院中子物理學(xué)重點實驗室（以下簡稱“實驗室 ”）于 2012 年 3 月經(jīng)我院批準、 2012 年 5 月掛

2、牌進入試運行階段，其掛靠單位為中物院核物理與化學(xué)研究所。實驗室著重面向核武器研發(fā)及戰(zhàn)略科技任務(wù)中中子物理學(xué)方面的科學(xué)問題，通過開展前沿性、創(chuàng)新性的基礎(chǔ)及應(yīng)用基礎(chǔ)研究，加強對外合作交流，與院外科學(xué)技術(shù)基礎(chǔ)創(chuàng)新實現(xiàn)高效聯(lián)接，推動中子物理學(xué)學(xué)科方向的發(fā)展。實驗室以中物院核物理與化學(xué)研究所的研究堆、加速器、中子散射譜儀等大型實驗平臺為基礎(chǔ)，研究方向及重點研究內(nèi)容如下：中子學(xué)參數(shù) ：將開展中子學(xué)宏觀和微觀參數(shù)的實驗、測試技術(shù)及相關(guān)理論研究。實現(xiàn)部分重要宏觀參數(shù)的測試技術(shù)達到國際水平，建立宏觀參數(shù)檢驗的基本理論方法，掌握中子誘發(fā)裂變參數(shù)、裂變中子的能譜、反應(yīng)截面等微觀參數(shù)測量技術(shù)的目標。中子應(yīng)用技術(shù) ：將

3、進行多種新型中子散射和成像技術(shù)的理論和實驗研究，掌握原位加載下材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)、應(yīng)力、缺陷等的分析方法和技術(shù)，建立特定對象的檢測方法及規(guī)范，實現(xiàn)從技術(shù)到應(yīng)用的轉(zhuǎn)化，發(fā)展中子深度分析、中子誘發(fā)瞬發(fā) 活化分析等先進中子分析技術(shù)，開展中子與物質(zhì)相互作用行為研究，發(fā)展先進的輻照控制技術(shù)和性能表征技術(shù)，認識并總結(jié)中子輻照環(huán)境下材料的微觀結(jié)構(gòu)演化和力學(xué)性能變化規(guī)律，構(gòu)建特定材料的多尺度輻射損傷模型，提出抗輻照材料設(shè)計原則。先進中子源及射線探測技術(shù) ：將針對中子學(xué)參數(shù)測量和應(yīng)用研究需求，探索先進中子源技術(shù)；基于已有研究堆、脈沖堆中子源和多種中子發(fā)生器，開展現(xiàn)有裝置優(yōu)化及先進中子源關(guān)鍵部件研發(fā)技術(shù)，高品質(zhì)中子

4、束流調(diào)制技術(shù)和中子場標準化技術(shù)研究，為建立寬能譜、高性能的中子科學(xué)研究綜合平臺，進一步解決大型復(fù)雜科學(xué)問題提供技術(shù)支持；開展先進的射線探測技術(shù)研究，掌握強脈沖混合輻射場中中子和 測量技術(shù)、強本底中的弱信號測量技術(shù)以及強本底測量技術(shù)，為開展精密中子物理實驗、獲1中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室取可靠有效數(shù)據(jù)提供支持；研制新型中子探測器，為改變國外探測器壟斷國內(nèi)市場的現(xiàn)狀做出貢獻。為推動中子物理學(xué)界的開放和交流，根據(jù)相關(guān)管理辦法，實驗室本年度擬支持以下類型的研究課題：重點課題： 原則上，研究周期不超過三年，每個課題的支持經(jīng)費為 100 萬200 萬元。此類課題應(yīng)該具有較高的創(chuàng)新性或重要的應(yīng)用

5、前景，能夠取得重要的原創(chuàng)性成果。一般課題： 原則上，研究周期不超過兩年，每個課題的支持經(jīng)費為 30 萬60 萬元。此類課題應(yīng)該具有一定的創(chuàng)新性或較好的應(yīng)用前景，能夠取得原創(chuàng)性成果。概念研究課題： 原則上，研究周期一年，每個課題的支持經(jīng)費不超過 10 萬元。此類課題為針對新概念、新方法、新技術(shù)而進行的概念性、可行性論證。軟科學(xué)課題： 原則上，實施周期不超過一年，所有此類課題支持經(jīng)費總額不超過 15 萬元。此類課題為面向中子物理學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域而進行的規(guī)劃研究、發(fā)展對策研究及情報調(diào)研等軟科學(xué)研究。培育課題： 此類課題面向非我院正式職工。原則上，研究周期不超過兩年，每個課題的支持經(jīng)費不超過 10 萬元。

6、此類課題由申請者根據(jù)中物院中子物理學(xué)重點實驗室培育課題管理辦法自主選題（支持范圍請參見前述重點研究內(nèi)容） 。二、重點課題課題 1.1：基于單次脈沖源方法的瞬發(fā)中子衰減曲線測量技術(shù)2015AA01）所屬方向： 中子學(xué)參數(shù)研究目標： 建立、完善單次脈沖源方法瞬發(fā)中子衰減常數(shù) 測量技術(shù)，采用該技術(shù)獲得實驗室快中子反應(yīng)堆次緩發(fā)臨界、緩發(fā)臨界和超緩發(fā)臨界狀態(tài)的瞬發(fā)中子衰減常數(shù)，明確該技術(shù)的適用范圍和 測量結(jié)果的不確定度。2中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室研究內(nèi)容： 基于某快中子實驗反應(yīng)堆，開展單次脈沖源法測量瞬發(fā)中子衰減常數(shù) 的模擬研究，通過計算分析源強、探測器響應(yīng)、實驗布局、環(huán)境散射等條件的影響

7、，初步確定單次脈沖源方法測量的適用范圍，完成實驗設(shè)計工作；在快中子反應(yīng)堆緩發(fā)臨界、次臨界開展單次脈沖源法與Rossi-方法、252Cf 隨機脈沖源方法的 比對測試研究， 在超緩發(fā)臨界狀態(tài)開展單次脈沖源法 測試技術(shù)研究；結(jié)合理論與實驗測量情況，評價單次脈沖源法的適用條件和 測量不確定度，提出可能的改進措施。課題 2.1：SiC 材料的中子輻照損傷機制及其與離子輻照間的等效性研究（ 2015AB01）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 對具有較好核能應(yīng)用前景的 SiC 材料和納米晶金屬開展荷能粒子的輻照損傷物理機制研究， 分析材料的微結(jié)構(gòu)演變和性能老化規(guī)律，獲取不同中子傷劑量 （dpa）時材料中特

8、定損傷缺陷的產(chǎn)生速率和形成規(guī)律、樣品的力學(xué)和熱學(xué)特性變化數(shù)據(jù)， 建立力學(xué)模型來預(yù)測力學(xué)性能變化規(guī)律。同時認識離子和中子輻照在材料中缺陷產(chǎn)生規(guī)律及材料性能演化過程中的差異，建立等效評價物理模型。研究內(nèi)容： 中子輻照實驗技術(shù)和物理計算方法研究：根據(jù)研究堆特性開展輻照樣品和輻照裝置設(shè)計，并建立中子輻照注量與損傷劑量dpa、初級碰撞原子（ PKA ）能譜間的準確計算方法，與離子損傷劑量dpa 和 PKA能譜計算方法進行比較并修正；微納結(jié)構(gòu)對輻照缺陷演化過程影響及作用機制的實驗研究：選取具有特定微納結(jié)構(gòu)的模式材料（納米晶），開展中子和離子輻照實驗，通過微納力學(xué)測量和微結(jié)構(gòu)表征來研究不同dpa 時材料的力

9、學(xué)性能和納米顆粒 /界面區(qū)域等微納結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律。微納結(jié)構(gòu)材料中輻照缺陷演化行為的多尺度計算機模擬研究：利用計算機模擬技術(shù) ab-initio 、QMD 、MD 、KMC 、粘彈性力學(xué)自恰模型等從不同角度和不同尺度來開展輻照缺陷和性能演化行為的模擬研究。離子輻照和中子輻照對材料性質(zhì)影響的等效性研究：嚴格控制加速器離子和研究堆中子輻照參數(shù)，保證損傷劑量一致，結(jié)合分析表征手段來研究輻照缺陷種類、數(shù)量、大小及分布等與輻照條件的關(guān)系，認識樣品的力學(xué)性能變化規(guī)律及其與輻照缺3中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室陷間的關(guān)聯(lián)，基于力學(xué)自洽模型來建立兩種輻照方式的等效物理模型。材料抗輻照能力評估模型的初步構(gòu)

10、建：分析輻照條件微納結(jié)構(gòu)宏觀性能間的內(nèi)在聯(lián)系，深入認識材料輻照損傷的物理機制，初步構(gòu)建評價模型。課 題 2.2：聚合物粘結(jié)炸藥（ PBX）聲子譜學(xué)的實驗研究和內(nèi)損傷動力學(xué)多尺度理論模擬（ 2015AB02）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： PBX 在制備、加工和貯存過程中，內(nèi)損傷的形成和演化過程與熱過程的各種效應(yīng)密切相關(guān)，利用冷中子三軸譜儀技術(shù)研究凝聚態(tài)物質(zhì)的元激發(fā)等能量過程和動力學(xué)性質(zhì)，特別是聲子譜和聲子態(tài)密度、軟模相變等，具有實驗上的確定性和唯一性，可望厘清內(nèi)損傷微觀起源。配合中子散射技術(shù)研究體內(nèi)缺陷分布，中子反射技術(shù)研究界面微觀結(jié)構(gòu)，獲得 PBX 在不同加工、制備條件下初始損傷種類、分

11、布等基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，并在各種加載條件下，原位或離線追蹤各類損傷的幾何和結(jié)構(gòu)的演化過程，建立候選材料數(shù)據(jù)庫，開展 PBX 內(nèi)損傷演化過程的理論模擬，提出材料失效預(yù)期模型。研究內(nèi)容： 基于冷中子三軸技術(shù)，測量 PBX 及相關(guān)晶體材料的聲子譜和聲子態(tài)密度，研究晶格動力學(xué)和軟模相變等性質(zhì)；基于中子散射技術(shù)，研究炸藥晶體的熱應(yīng)力誘導(dǎo)缺陷分布和大小以及擴散（聚集）的微觀機制，建立與線膨脹行為以及晶型的變化的關(guān)聯(lián)；研究聚合物在熱應(yīng)力作用下的缺陷 (/自由體積 )的演化規(guī)律，在分子水平上建立甄別力學(xué)性能變化的判據(jù)；基于中子反射技術(shù)，研究炸藥 /粘結(jié)劑界面微缺陷的遷移、聚集及互擴散的動力學(xué)行為，建立與各類加載條件相關(guān)

12、的損傷模型；發(fā)展自主的內(nèi)損傷形成和演化（包括上述物理過程）理論模擬軟件，提出基于界面結(jié)合能和細觀力學(xué)計算模擬的 PBX 失效預(yù)期模型。課 題 2.3：利用中子散射研究量子相變（2015AB03）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 利用中子散射研究材料中磁結(jié)構(gòu)隨磁場的變化以及其自旋激發(fā)與其量子相變之間的規(guī)律；研究量子臨界點附近自由能和外參數(shù)的關(guān)4中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室系，確定相變點附近的標度行為以及相變的普適類。研究內(nèi)容： 采用中子散射技術(shù)來研究相關(guān)體系的自旋漲落；利用已有中子散射譜儀對低能和高能的磁激發(fā)譜進行綜合研究；結(jié)合實驗與理論手段，針對 4f 電子強關(guān)聯(lián)重費米子體系的電子

13、態(tài)和量子臨界行為開展系統(tǒng)研究，為 5f 電子強關(guān)聯(lián)重費米子體系的相關(guān)研究奠定基礎(chǔ)。課題 3.1：用于高精度裂變截面測量的時間投影室（TPC ）研制2015AC01）所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標： 完成裂變 TPC 的物理設(shè)計，研制出具備區(qū)分裂變碎片、alf粒子和輕帶電粒子能力的TPC 原型樣機。研究內(nèi)容： 物理設(shè)計。通過模擬計算，分析出影響系統(tǒng)性能的主要因素，給出最優(yōu)化設(shè)計，并最終分解出各個分系統(tǒng)的設(shè)計指標。漂移氣室的設(shè)計。裂變TPC 所測量的帶電離子既有裂變碎片，又有alpha 粒子，能量分布范圍很大，同時為克服放電、打火等技術(shù)難題，需要尋

14、找合適的工作氣體及工作電壓。讀出探測器的研制。為區(qū)分裂變碎片和其它帶電粒子，需要讀出系統(tǒng)的位置分辨能力在 100m 左右。讀出電子學(xué)的研制。 TPC 單側(cè)讀出需要幾千道電子學(xué)，尤其是前端電子學(xué)，只能采用高密度、低噪聲的 ASIC。數(shù)據(jù)采集與分析軟件的研制。負責(zé)系統(tǒng)控制及數(shù)據(jù)的采集與處理、徑跡重建。三、一般課題課 題 1.2： D-T 中子發(fā)生器氚靶中氫同位素動態(tài)分布原位測量方法2015BA01）所屬方向： 中子學(xué)參數(shù)研究目標： 建立一種高分辨伴隨粒子能譜實驗技術(shù)及基于伴隨粒子法獲取氚 /氘分布的方法。在不干擾中子發(fā)生器正常實驗情況下，通過反演伴隨粒子能譜獲取靶中氚 /氘的深度分布結(jié)果。研究內(nèi)容

15、： 氫同位素分布測量實驗:研究影響伴隨粒子能譜中粒子分5中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室辨的實驗條件，優(yōu)化設(shè)計建立伴隨粒子測量系統(tǒng)，獲得高分辨的質(zhì)子能譜、能譜；基于高分辨伴隨粒子能譜， 使用同位素源和加速器對伴隨粒子能譜測量系統(tǒng)進行 刻度，獲得各種定標關(guān)系。 阻止本領(lǐng)計算與評估 :結(jié)合理論分析與數(shù)值模擬， 研究質(zhì)子、 粒子在探測器中的能量沉積過程， 得到阻止本領(lǐng)與氚、氘密度的關(guān)系；研究目前阻止本領(lǐng)計算誤差對伴隨粒子各項參數(shù)的影響；建立 粒子、質(zhì)子在物質(zhì)中阻止本領(lǐng)計算模型?；诎殡S粒子能譜反演氚 /氘深度分布模型的建立 :研究伴隨粒子阻止本領(lǐng)與氚、 氘濃度的物理聯(lián)系；研究核反應(yīng)動力學(xué)，基于

16、數(shù)據(jù)庫獲得伴隨粒子產(chǎn)生的微分截面數(shù)據(jù)和初始能量；基于薄靶近似、核反應(yīng)截面、阻止本領(lǐng)模型，獲得含有未知數(shù) 氚或氘原子濃度深度分布的伴隨粒子模擬能譜；基于伴隨粒子的模擬能譜與實驗?zāi)茏V，通過最優(yōu)化算法求解模擬能譜中未知數(shù)，獲得靶中氚、氘的深度分布數(shù)據(jù)。課 題 1.3： 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面測量及分析（2015BA02）所屬方向： 中子學(xué)參數(shù)研究目標： 掌握 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面活化測量技術(shù)，設(shè)計搭建測量樣品及裝置，獲取 6-20MeV 主要能段上多中子能量點的 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面實驗結(jié)果，完成實驗數(shù)據(jù)與主流數(shù)據(jù)庫相關(guān)數(shù)據(jù)的對比分析，與理論模型計算結(jié)果對比，并進行

17、宏觀檢驗與分析。研究內(nèi)容： 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面測量研究。238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面測量技術(shù)，包括技術(shù)路線比選、強本底消除、能量峰識別及修正技術(shù)等；鈾樣品物理參數(shù)測定，包括樣品的射線自吸收研究、樣品純度影響消除等；主要能段中子能量（6-20MeV ）獲取及通量監(jiān)測技術(shù)研究，包括單能中子獲取，消除低能中子影響，利用樣品自身反應(yīng)道的輔助中子監(jiān)測技術(shù)研究； 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面數(shù)據(jù)宏觀檢驗研究。對國際上現(xiàn)有相關(guān)宏觀基準實驗和已有的宏觀實驗數(shù)據(jù)進行對比分析，對比評價各主流核數(shù)據(jù)庫；必要時進行適當(dāng)?shù)暮暧^實驗研究。238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面數(shù)據(jù)評價分析。分析國內(nèi)外主流評

18、價核數(shù)據(jù)庫中的相關(guān)數(shù)據(jù)，分析其不確定度；將本項目實驗得到的微觀截面數(shù)據(jù)與國內(nèi)外現(xiàn)有主要的相關(guān)實驗數(shù)據(jù)對比分析，結(jié)合宏觀檢驗結(jié)果，評判本項目數(shù)據(jù)的準確性和可靠性；使用典型6中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室理論模型計算相關(guān)核反應(yīng)截面，獲取結(jié)果并與實驗數(shù)據(jù)對比分析。4探索238U(n,2n)反應(yīng)產(chǎn)物 237U 的反應(yīng)截面測量技術(shù)。課題 1.4：瞬發(fā)中子引發(fā)裂變釋能統(tǒng)計漲落與動態(tài)響應(yīng)機理研究2015BA03）所屬方向： 中子學(xué)參數(shù)研究目標： 建立超瞬發(fā)核系統(tǒng)裂變釋能動態(tài)響應(yīng)物理模型與數(shù)值計算程序。研究內(nèi)容： 超瞬發(fā)核系統(tǒng)裂變釋能統(tǒng)計漲落與動態(tài)響應(yīng)機理研究；超瞬發(fā)核系統(tǒng)裂變釋能實驗驗證技術(shù)研究；超

19、瞬發(fā)脈沖堆 2kg 裂變釋能過程反演。課 題 1.5：強中子和 輻射對土壤生態(tài)系統(tǒng)的影響研究（ 2015BA04）所屬方向： 中子學(xué)參數(shù)研究目標： 建立微生物輻照效應(yīng)的研究方法，獲得高強度的中子和 輻射對土壤中微生物種群分布和功能的影響，從而獲得高強度輻射對土壤生態(tài)系統(tǒng)的影響機制研究內(nèi)容： 強中子和 輻射對土壤中微生物的輻照效應(yīng)研究，包括不同種屬微生物的滅活率，中子和 射線受土壤環(huán)境的影響等； 輻射作用后微生物種群分布和功能的影響研究；微生物種群分布和功能的變化對土壤生態(tài)系統(tǒng)的影響評價。課題1.6：面向反應(yīng)堆屏蔽問題的自適應(yīng)重要抽樣程序研制2015BA05）所屬方向： 中子學(xué)參數(shù)研究目標： 給

20、出復(fù)雜幾何結(jié)構(gòu)（含重復(fù)結(jié)構(gòu)）基于伴隨通量的重要性函數(shù)自動產(chǎn)生與優(yōu)化方法，給出基于伴隨通量的源偏倚與輸運偏倚耦合方法。在 MCNP 基礎(chǔ)上完成程序研制與考核，對于任意一個 MC 計算模型，實現(xiàn)自動建立伴隨輸運模型，獲得伴隨通量，自動產(chǎn)生源偏倚和輸運偏倚的重要性函數(shù)，以及自動偏倚抽樣等功能。7中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室研究內(nèi)容： 伴隨通量用于指導(dǎo)正算粒子輸運的理論研究以及伴隨輸運自動建模研究。研究伴隨通量作為重要性函數(shù)的實現(xiàn)方法，包括選擇特征量，參數(shù)制作，歸一化方法等，研究從MC 正算模型到伴隨模型的自動建模方法；復(fù)雜幾何結(jié)構(gòu)下基于伴隨通量的重要性函數(shù)自動產(chǎn)生與優(yōu)化研究，重點解決重要性

21、函數(shù)在反應(yīng)堆堆芯重復(fù)結(jié)構(gòu)中的映射問題；面向反應(yīng)堆屏蔽的自動源偏倚抽樣方法以及源偏倚與輸運偏倚的耦合研究，重點解決粒子權(quán)重大幅度波動問題；基于 MCNP 平臺的自適應(yīng)重要抽樣程序研制與考核。通過典型反應(yīng)堆屏蔽模型和實驗數(shù)據(jù)完成考核驗證。課 題 2.4：點背光式快中子照相技術(shù)研究（2015BB01）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 開展基于激光慣性約束聚變（ ICF）中子的點背光式照相技術(shù)研究，掌握厚密物質(zhì)的瞬態(tài)過程照相技術(shù)；掌握影響成像質(zhì)量的關(guān)鍵因素，優(yōu)化設(shè)計與脈沖快中子源強相匹配的高探測量子效率（ DQE）快中子成像系統(tǒng)；掌握非期望信號對點背光式快中子圖像分辨的影響規(guī)律；嘗試圖像面密度反演及

22、圖像重建技術(shù)。研究內(nèi)容： 高 DQE 照相系統(tǒng)設(shè)計。根據(jù)聚變源中子特性，通過蒙特卡洛程序模擬中子與探測系統(tǒng)相互作用物理過程，加深脈沖快中子照相物理過程認識，以提高圖像分辨為目標設(shè)計具有高探測量子效率的成像系統(tǒng)。非期望信號對圖像影響的定量化分析。研究在點背光式照相條件下非期望中子特性變化規(guī)律，定量化分析其對圖像模糊的影響，并進行相應(yīng)優(yōu)化。圖像面密度反演及圖像重建技術(shù)?；诤衩芪镔|(zhì)的快中子輻射圖像，嘗試建立其面密度反演方法，探索極少量圖像下的圖像重建技術(shù)。課 題 2.5：電子放大冷中子高分辨成像關(guān)鍵技術(shù)研究（2015BB02）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 掌握電子放大冷中子高分辨率成像技術(shù)，

23、獲取二次電子轉(zhuǎn)換膜優(yōu)化設(shè)計參數(shù)，完成電子聚焦加速段模擬優(yōu)化設(shè)計，實現(xiàn)本征分辨率達到 10m的高分辨率冷中子在線式成像。研究內(nèi)容： 二次電子轉(zhuǎn)換膜材料選擇，厚度優(yōu)化及鍍膜工藝研究：8中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室通過模擬獲得不同含鋰或硼材料的二次電子發(fā)射率及產(chǎn)額；研究選定膜材料在不同基體溫度和蒸發(fā)率條件下的鍍膜性質(zhì)。電子加速段的加速電極優(yōu)化設(shè)計研究：使用有限元計算程序來計算不同電極形狀的電場，獲得平行度較好的電子運動軌跡。電子聚焦放大段的磁場優(yōu)化設(shè)計研究：利用有限元模擬程序計算不同螺線管設(shè)計獲得的磁場，模擬電子在聚焦磁場中的軌跡。放大畸變與噪聲抑制研究：通過模擬獲得電子分布圖樣，與放大前

24、電子圖樣比較，分析其畸變及噪聲，對加速和聚焦場進行優(yōu)化。冷中子高分辨率成像實驗研究?；诶渲凶邮@得電子放大高分辨成像結(jié)果，將其與普通成像結(jié)果對比，驗證模擬結(jié)果。課 題 2.6：新型5d 過渡金屬氮化物的高溫高壓原位中子衍射研究2015BB03）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 利用高溫高壓原位中子衍射平臺與原位測量分析方法，開展新型 5d 過渡金屬氮化物高溫高壓原位中子衍射研究，揭示以氮化鉿、氮化鉭、氮化鎢、氮化錸為代表的新型 5d 過渡金屬氮化物在高溫高壓極端條件下的晶體結(jié)構(gòu)、磁結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律 ,建立一種在極端條件下探索重、輕元素化合物的晶格占位與擴散規(guī)律的研究方法。研究內(nèi)容： 1.制備

25、適用于堆源中子衍射研究的新型 5d 過渡金屬氮化物塊體材料（樣品尺寸 5mm），設(shè)計和優(yōu)化原位中子衍射高溫高壓樣品腔；開展新型 5d 過渡金屬氮化物的高溫高壓原位中子衍射實驗， 利用中子衍射定量描述在極端條件條件下新型 5d 過渡金屬氮化物的晶體結(jié)構(gòu)、 晶格占位和磁序狀態(tài)，掌握新型 5d 過渡金屬氮化物的晶體結(jié)構(gòu)和磁結(jié)構(gòu)隨溫度、壓力的變化規(guī)律；建立一種在極端條件下重、輕元素化合物的晶格占位與擴散規(guī)律的研究方法。課 題 2.7：金屬 U 微觀結(jié)構(gòu)與晶格振動的中子散射研究（2015BB04）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 以金屬 U 為研究對象，采用中子非彈性散射對金屬U 不同狀態(tài)下（溫度、壓

26、力）的晶格振動模式展開系統(tǒng)研究。采用中子衍射表征9中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室金屬 U 不同狀態(tài)下的精細微觀結(jié)構(gòu)演化。闡明金屬U 微觀結(jié)構(gòu)演變、晶格振動模式在溫度、壓力場下的演變規(guī)律。探索金屬U 的宏觀功能行為（力學(xué)、熱學(xué)）與晶體結(jié)構(gòu)和晶格振動模式演變之間的關(guān)聯(lián)機制。研究發(fā)展金屬 U 多場條件下（溫度、壓力）的中子非彈性散射和中子衍射技術(shù)與表征方法，建立相關(guān)的樣品制備方法、測試方法和數(shù)據(jù)處理技術(shù)。研究內(nèi)容： 利用中子衍射技術(shù)測試金屬 U 母相與演化相的精細晶體結(jié)構(gòu)、相分布等，研究金屬 U 微觀晶體結(jié)構(gòu)隨溫度壓力的演化機制；利用中子非彈性散射技術(shù)，系統(tǒng)研究金屬 U 不同過程狀態(tài)下晶格振

27、動模式及其演化規(guī)律，結(jié)合中子衍射得到的結(jié)構(gòu)信息，揭示其宏觀性能（力學(xué)、熱學(xué)等）與微觀機制關(guān)聯(lián)的物理本質(zhì)；通過第一性原理計算進行聲子譜和結(jié)構(gòu)計算，并與實驗結(jié)果對比，揭示晶格振動模式與結(jié)構(gòu)演變的物理起源。課 題 2.8：鍍層約束條件下 NiTiNb 形狀記憶合金的相變變形機理研究（ 2015BB05）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標：發(fā)展熱力耦合原位加載條件下 NiTiNb 形狀記憶合金相變過程的中子散射無損檢測技術(shù)，獲得鍍層約束條件下材料內(nèi)應(yīng)力和微結(jié)構(gòu)演化數(shù)據(jù)；建立考慮鍍層約束的形狀記憶合金數(shù)值計算模型，結(jié)合相關(guān)的實驗結(jié)果分析相變變形與鍍層約束之間的耦合關(guān)系；為在馬氏體逆相變過程中由于變形不均勻

28、導(dǎo)致密封穩(wěn)定性較差的細徑形狀記憶合金管接頭的優(yōu)化設(shè)計提供技術(shù)支撐。研究內(nèi)容： 發(fā)展熱力耦合原位加載條件下材料內(nèi)應(yīng)力和微結(jié)構(gòu)的中子散射無損檢測技術(shù)， 通過定量檢測 NiTiNb 形狀記憶合金樣品中馬氏體和奧氏體的份額變化及微結(jié)構(gòu)演化情況判斷材料在不同溫度和應(yīng)變條件下的相變過程；研究在不同厚度的鍍層約束條件下的 NiTiNb 形狀記憶合金的熱力學(xué)性能，包括升溫應(yīng)變回復(fù)特性，應(yīng)變約束條件下溫度相關(guān)的內(nèi)應(yīng)力演化過程，和不同溫度條件下的應(yīng)力應(yīng)變關(guān)系等；建立在鍍層約束條件下的形狀記憶合金的數(shù)值計算模型，模擬在溫度引起的相變過程中由于材料與鍍層之間不同的變形引起的耦合變形和應(yīng)力分布，并結(jié)合相關(guān)實驗結(jié)果，分析

29、鍍層約束條件下的形狀記憶合金的相變變形機理。10中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室課 題 2.9：用于中子散射的氘代襯度變換技術(shù)研究（2015BB06）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 掌握用于中子散射實驗研究的高分子材料和含能材料實驗樣品的氘代反應(yīng)機理和氘代實驗技術(shù)，建立準確表征樣品氘代率的通用表征方法，為中子散射復(fù)雜樣品的氘代襯度變換提供技術(shù)手段。研究內(nèi)容： 選取聚氨酯、硅橡膠、聚苯乙烯等功能性高分子材料作為目標氘代合成對象，系統(tǒng)研究目標氘代高分子樣品的合成技術(shù)和檢測方法，通過調(diào)控合成條件和檢測中間狀態(tài)探索氘代反應(yīng)的機理，獲得可用于中子散射實驗研究的氘代樣品，并對比研究氘代樣品與非氘

30、代樣品的熱力學(xué)性質(zhì)差異，建立一套可準確表征樣品氘代率的檢測方法；以含能材料（如 HMX 、RDX 等）作為目標氘代對象，采用全合成法或者氫同位素置換方法研究含能材料的氘代實驗技術(shù)，獲得可用于中子散射實驗研究的氘代含能材料樣品；選取高分子材料和氘代良溶劑，研究利用氘代溶劑浸泡的中子散射實驗技術(shù)和氘代襯度變換技術(shù)。課 題 2.10：快中子厚針孔點擴散函數(shù) （PSF）測量技術(shù)研究（2015BB07）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 利用激光慣性約束聚變（ ICF）產(chǎn)生的近單能點中子源，實驗上獲得厚針孔 14.1MeV 快中子 PSF，為相應(yīng)的計算程序提供校驗數(shù)據(jù)；建立亞毫米級快中子成像厚針孔參數(shù)檢

31、驗方法。研究內(nèi)容： 厚針孔 PSF 測量的實驗設(shè)計與測量方法優(yōu)化研究，重點為厚針孔高精度對中準直的方法研究； 厚針孔 14.1MeV 快中子 PSF 處理方法研究。課 題 2.11：新型功能化納米微晶復(fù)合材料結(jié)構(gòu)與性能的原位中子衍射研究（ 2015BB08）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 利用原位化學(xué)中子衍射表征技術(shù)，獲取功能化納米微晶復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)以及與其性能關(guān)系的規(guī)律性認識，并發(fā)展原位復(fù)合氣氛、11中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室溫度加載技術(shù)，為新的化學(xué)原位中子衍射實驗提供技術(shù)基礎(chǔ)。研究內(nèi)容： 制備鐵酸錳納米微晶與氧化石墨烯復(fù)合功能材料，用中子衍射研究復(fù)合材料中鐵酸錳亞晶粒的

32、微結(jié)構(gòu)及其與性能的關(guān)系；開展氬氣氣氛、 700-1000K 溫度條件的原位復(fù)合化學(xué)加載技術(shù)研究，建立相關(guān)原位加載系統(tǒng)；采用分子自組裝技術(shù)制備低維碳 /金屬（如納米鎳）復(fù)合材料，在化學(xué)氣氛及高溫條件下，原位研究金屬的晶化過程和納米鎳的微結(jié)構(gòu)，并探討實驗條件對低維碳形貌和性能的影響。課 題 3.2：用于中子成像的 THGEM 高分辨率快中子探測器關(guān)鍵技術(shù)研究（ 2015BC01）所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標： 完成具有位置分辨能力的THGEM 快中子轉(zhuǎn)換體的物理設(shè)計，探測效率高于 1%，完成多陽極讀出電子學(xué)的優(yōu)化設(shè)計，獲得分辨率達到亞毫米的 THGEM 快中子成像圖像。研究內(nèi)容：

33、位置靈敏中子轉(zhuǎn)換體的物理設(shè)計：研究快中子在轉(zhuǎn)換體中的輸運過程，優(yōu)化轉(zhuǎn)化體的厚度等參數(shù)。開展中子轉(zhuǎn)換體與THGEM 的結(jié)構(gòu)配合研究，提高空間分辨率；帶電粒子獲取的影響因素研究：研究反沖質(zhì)子輸運過程， 以及原初電離電子在THGEM 的小孔的雪崩放大過程，調(diào)制合適的電場分布；多陽極讀出電子學(xué)的設(shè)計和實現(xiàn)：采用多陽極單元結(jié)構(gòu)作為主要的電子學(xué)實現(xiàn)方式，將研究多陽極單元尺寸大小與讀出方式對空間分辨的影響， 并優(yōu)化設(shè)計多陽極讀出結(jié)構(gòu)， 實現(xiàn) ASIC 集成電路讀出電子學(xué)和數(shù)據(jù)獲?。?快中子成像驗證實驗與理論的比對研究。 利用 D-T 反應(yīng) 14MeV 中子源和 THGEM 快中子探測器進行成像實驗， 搭建實

34、驗平臺，設(shè)計模擬樣品，獲得在線快中子圖像，實驗與理論比對，優(yōu)化探測器的設(shè)計。課 題 3.3：用于裂變截面測量的多層快裂變室技術(shù)研究（2015BC02）所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標： 針對多種元素裂變截面測量的研究需求，對多層快裂變室結(jié)構(gòu)進行物理設(shè)計，研制用于裂變截面測量的快裂變室系統(tǒng)，掌握裂變同12中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室位素膜制備技術(shù)， 為多層快裂變室研制及裂變截面測量研究提供技術(shù)支持。研究內(nèi)容： 多層快裂變室物理設(shè)計。基于白光中子源上裂變截面測量的技術(shù)指標，參照國際上多層快裂變室的設(shè)計思想，利用各種模擬工具，對快裂變電離室的幾何結(jié)構(gòu)、材料、裂變核素鍍膜厚度、極

35、間距等優(yōu)化設(shè)計，并提供物理設(shè)計方案；快裂變室研制技術(shù)研究。針對快裂變室主要參數(shù)性能指標（響應(yīng)時間 30ns、探測器效率、測量精度等），開展快裂變室制作技術(shù)及工藝流程研究，研制多層快裂變室，并進行其性能參數(shù)的精確標定；薄底襯裂變同位素膜制備技術(shù)研究。開展大面積（ 50mm）、薄底襯（ 100m）裂變同位素膜制備技術(shù)研究，以及裂變同位素精確定量研究（定量不確定度 2%）；開展裂變截面測量技術(shù)研究。圍繞如何降低裂變截面數(shù)據(jù)不確定度，利用制作的快裂變室，基于加速器中子源，研究影響裂變截面測量的中子能散等實驗因素，開展裂變截面測量技術(shù)研究。課 題 3.4：差分式無窗氣體靶技術(shù)研究（2015BC03）所屬

36、方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標： 通過對差分管道流導(dǎo)和各級真空室壓強的理論計算及軟件模擬，提出一套應(yīng)用于低能中子發(fā)生器的多級差分真空系統(tǒng)設(shè)計方案。研究內(nèi)容： 差分系統(tǒng)的理論計算與結(jié)構(gòu)設(shè)計：在不影響束流包絡(luò)及真空順利過渡的前提下，確定差分孔徑及差分級數(shù)。根據(jù)差分孔徑，對差分管道的流導(dǎo)、各級真空室的壓強進行理論計算，并對充氣氣流效應(yīng)對差分系統(tǒng)性能的影響做定性分析及定量的理論計算，為差分系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計提供理論依據(jù)； 離子束流在差分系統(tǒng)傳輸過程中損失及中子空間分布研究：在束流傳輸過程中，差分管道中氣體質(zhì)量厚度不同對束流的品質(zhì)及能量都會造成一定影響及損失，利用計算機程序模擬及相應(yīng)的理論計算，針對

37、束流品質(zhì)的改善提出解決方案；研究在差分系統(tǒng)及氣體靶室中中子的空間分布；實驗驗證研究：根據(jù)多級差分真空系統(tǒng)設(shè)計方案，加工一套適用現(xiàn)有中子發(fā)生器的多級差分真空系統(tǒng)，進行實驗驗證研究，并通過驗證結(jié)果對設(shè)計方案加以改進。課 題 3.5：熱電晶體驅(qū)動緊湊型脈沖中子源關(guān)鍵技術(shù)研究（2015BC04）13中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標 ：獲得束流加載狀態(tài)下降低熱電晶體電荷損失的有效途徑，提出熱電晶體驅(qū)動緊湊型脈沖中子源設(shè)計方案。研究內(nèi)容 ：提高束流加載下熱電晶體熱釋電性能的技術(shù)研究：通過理論計算、數(shù)值模擬以及實驗研究分析束流轟擊過程中LiTaO3 晶體的溫

38、升速率和晶體尺寸對熱釋電性能的影響；獲得電壓與晶體的溫升速率和晶體尺寸的關(guān)系；設(shè)計合適的溫升速率和晶體尺寸，提高熱電晶體的熱釋電性能。 .熱電晶體二次電子的抑制技術(shù)研究；利用數(shù)值模擬的方法獲得產(chǎn)生的二次電子的傳輸路徑，對靶端結(jié)構(gòu)進行設(shè)計、優(yōu)化，獲得二次電子抑制的有效途徑，減小熱電晶體電荷損失。課 題 3.6：陣列式 RF 離子源的引出特性研究（2015BC05）所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標： 掌握陣列式平面線圈的氣體放電技術(shù)，研究陣列式線圈的功率分布對離子源的線引出分布影響。研究內(nèi)容： 多天線的耦合匹配技術(shù)研究：研究多天線的射頻解耦技術(shù)；研究平面陣列式天線的設(shè)計方法；研究多天線

39、的網(wǎng)絡(luò)阻抗匹配技術(shù)；33 陣列的 RF 離子源技術(shù)研究：研究不同頻率對陣列式RF 離子源的影響；設(shè)計 33 陣列 RF 離子源；建立 33 陣列 RF 離子源實驗裝置；測試 33 陣列 RF 離子源的相關(guān)參數(shù)；陣列式放電對離子源引出分布的影響研究：測試陣列式 RF 離子源等功率分布時，離子源的引出分布；研究陣列式 RF 離子源功率分布對離子源引出密度分布的影響； 研究陣列式 RF 離子源的定向引出技術(shù)。課 題 3.7：正、仲氫比例對冷中子束流參數(shù)影響的研究（2015BC06）所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標： 獲取不同正、仲氫比例對冷源冷中子注量率和中子能譜的影響規(guī)律，確定在綿陽研

40、究堆冷源現(xiàn)有尺寸和結(jié)構(gòu)下的最佳正仲氫比例；測量得到冷源運行不同時間輸出的冷中子注量率和中子能譜，驗證正仲氫比例變化與冷源運行時長的關(guān)系，調(diào)整冷源運行時長對冷中子束流參數(shù)進14中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室行優(yōu)化。研究內(nèi)容： 模擬計算不同正、仲氫比例對冷源冷中子注量率和中子能譜的影響；研究綿陽研究堆冷源結(jié)構(gòu)、尺寸和正、仲氫比例對冷中子束流參數(shù)的影響并進行優(yōu)化；測量綿陽研究堆冷源運行不同時間輸出的冷中子注量率和中子能譜；研究冷源運行時長對冷中子束流參數(shù)的影響規(guī)律。四、概念研究課題課 題 2.12：聚苯硫醚分子鏈支化結(jié)構(gòu) -流變性能關(guān)系的小角中子散射研究（ 2015CB01）所屬方向： 中子

41、應(yīng)用技術(shù)研究目標： 合成出具有不同長鏈支化結(jié)構(gòu)的聚苯硫醚剛性鏈模型聚合物，并實現(xiàn)氘代標記；建立小角中子散射技術(shù)研究分子鏈結(jié)構(gòu)在剪切流動場中運動過程的方法學(xué)和相關(guān)數(shù)據(jù)分析技術(shù)；結(jié)合宏觀流變性能，獲得剛性鏈體系中長鏈支化結(jié)構(gòu)與流變行為之間的構(gòu)效關(guān)系。研究內(nèi)容： 基于改進的 Phillips 法，合成結(jié)構(gòu)可調(diào)控的系列長鏈支化結(jié)構(gòu)聚苯硫醚，并對其分子鏈進行氘代標記；采用剪切流變 -淬冷定型技術(shù)，制備保留流動場中分子鏈運動形態(tài)的樣品，開展小角中子散射實驗及數(shù)據(jù)分析技術(shù)研究；在此基礎(chǔ)上對剛性鏈體系在剪切流動場中分子鏈支化結(jié)構(gòu)及其動力學(xué)過程進行描述，結(jié)合宏觀流變性行為，研究上述結(jié)構(gòu)在流動場的微觀響應(yīng)行為與宏

42、觀流變性能的關(guān)系，揭示相關(guān)機理并開展動力學(xué)模型研究。課題 2.13：聚變環(huán)境下鐵中輻照與氦的協(xié)同相互作用機制研究2015CB02）所屬方向： 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標： 建立鐵中輻照與氦協(xié)同相互作用機制的計算方法；獲得聚變環(huán)境下鐵中輻照與氦的協(xié)同相互作用機制；獲得聚變環(huán)境下鐵中輻照與氦相互作用之后的微觀結(jié)構(gòu)。研究內(nèi)容： 研究氦團簇， 氦-空位團簇，氦 -間隙原子團簇， 空位團簇，15中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室間隙原子團簇的弛豫能，形成能，結(jié)合能和遷移能；研究氦濃度和鐵 -氦位形對輻照缺陷形成的影響；研究中子能量，材料溫度對含有氦雜質(zhì)的鐵的輻照損傷的影響；研究輻照和氦對鐵中輻照缺陷的長時

43、間演化行為的影響。課 題 3.8：中子聚焦光學(xué)技術(shù)的蒙特卡羅方法研究（2015CC01）所屬方向： 先進中子源及射線探測技術(shù)研究目標：明確現(xiàn)階段國內(nèi)外中子光學(xué)技術(shù)的研究現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢；掌握各類型鏡面參數(shù)對中子傳輸?shù)挠绊懠安煌Y(jié)構(gòu)反射鏡的適宜應(yīng)用場景；歸納出對引進平面型反射鏡導(dǎo)管設(shè)施進一步消化吸收需要解決的關(guān)鍵技術(shù)問題。研究內(nèi)容： 調(diào)研國際上知名的研究堆及散裂源等大型中子源中子導(dǎo)管設(shè)施上中子光學(xué)技術(shù)近年的研究進展及下一步的發(fā)展方向；研究不同曲面結(jié)構(gòu)超反射鏡與直型超反射鏡相比對中子傳輸過程的差異，得出不同幾何結(jié)構(gòu)反射鏡對中子傳輸?shù)挠绊?；計算一定曲率的曲面反射鏡在樣品位置對中子的增益；總結(jié)影響中子

44、聚焦鏡性能的關(guān)鍵因素并初步規(guī)劃下一步的研究方向。五、說明申請截止日期為2015 年 6 月 1 日。聯(lián) 系 人：余泳聯(lián)系電話：13881177923電子郵件： 中物院中子物理學(xué)重點實驗室2015年5月4日16附件 1：中物院中子物理學(xué)重點實驗室開放課題管理辦法2014 年版）第一章總則第1條為規(guī)范實驗室開放課題（以下簡稱課題）的申報、管理、考核、評議等工作，根據(jù)實驗室管理辦法的規(guī)定，特制訂本辦法。第2條實驗室開放課題包括實驗室自主提出的課題以及以實驗室名義對外申請的課題（如自然科學(xué)基金、院所基金等）。第二章課題的發(fā)布第3條圍繞實驗室中長期規(guī)劃，結(jié)合上年度課題的實施情

45、況，實驗室按年度發(fā)布課題指南。年度課題指南由實驗室綜合管理辦公室組織編制， 經(jīng)實驗室學(xué)術(shù)委員會審定，由實驗室領(lǐng)導(dǎo)批準，報院和所主管部門備案后對外公布。第4條 實驗室的課題分為軟科學(xué)課題和科研課題。實驗室根據(jù)自身需要確定年度軟科學(xué)課題的范圍，并在年度課題指南中明確?？蒲蓄愓n題包括以下四類：1重點課題：根據(jù) “有限目標、有限規(guī)模、重點突出”的原則，結(jié)合已有中子物理學(xué)研究條件，針對已有較好基礎(chǔ)的研究方向開展深入、 系統(tǒng)的創(chuàng)新性研究，以便在重要領(lǐng)域或科學(xué)前沿上取得突破。原則上，研究周期為三年，總支持經(jīng)費為 100 萬 200 萬元。2一般課題：支持創(chuàng)新性中子物理學(xué)基礎(chǔ)及應(yīng)用研究，促進實驗室的可持續(xù)發(fā)展

46、。原則上，研究周期為兩年，總支持經(jīng)費為30 萬60 萬元。3概念研究課題： 對具有重要應(yīng)用前景的創(chuàng)新性中子物理學(xué)基礎(chǔ)及應(yīng)用研究技術(shù)或方法進行先期的可行性研究，為實驗室未來的研究課題奠定基礎(chǔ)。原則上，研究周期一年，總支持經(jīng)費為5 萬10 萬元。4培育課題： 為了促進實驗室在中子物理及相關(guān)研究領(lǐng)域的擴展及未來的可持續(xù)發(fā)展，支持青年學(xué)者和青年科研人員在資助范圍內(nèi)自主選題，開展創(chuàng)新性的科學(xué)研究。原則上，研究周期不超過兩年，總支持經(jīng)費不超過10 萬元。第5條課題指南采取定向發(fā)布和公開發(fā)布兩種方式。對于定向發(fā)布的課題，實驗室綜合管理辦公室將會同相關(guān)部門審核課題承擔(dān)單位的資質(zhì)及能力，并報實驗室領(lǐng)導(dǎo)審批。1中

47、國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室第6條各承研方可向?qū)嶒炇姨岢稣n題建議書。課題建議書由實驗室綜合管理辦公室匯總，經(jīng)學(xué)術(shù)委員會審定和實驗室領(lǐng)導(dǎo)審批通過后納入到后續(xù)課題指南安排中。第7條經(jīng)審定及審批的課題指南如需調(diào)整，必須經(jīng)實驗室學(xué)術(shù)委員會審定，由實驗室領(lǐng)導(dǎo)批準報院和所主管部門。第三章課題的申請和開題第8條 課題指南在實施過程中將引入競爭機制，以定向組織和自主申報相結(jié)合的方式確定課題承擔(dān)者。實驗室隨時接受概念研究課題及培育課題的申請，可不受年度課題指南的題目限定。第9條 課題承擔(dān)方須提交由實驗室統(tǒng)一制訂格式的課題申請書， 給出明確的技術(shù)路線、合理的經(jīng)費預(yù)算，以及確定的時間節(jié)點和成果提交方式。課題

48、承擔(dān)方需簽署保密承諾書，課題負責(zé)人為保密責(zé)任人，課題牽頭單位為保密責(zé)任單位。第10條每個課題可以由單個單位承擔(dān)，也可以由多家單位聯(lián)合承擔(dān)。由多家單位聯(lián)合承擔(dān)的課題需在申請書中明確各單位承擔(dān)的研究內(nèi)容和經(jīng)費安排， 并確定唯一的課題牽頭單位及唯一的課題負責(zé)人。實驗室鼓勵與院內(nèi)外研究單位聯(lián)合承擔(dān)課題。第11條重點課題負責(zé)人原則上須具有高級專業(yè)技術(shù)職稱或具有博士學(xué)位。第12條 同一人員只能擔(dān)任一項重點課題的負責(zé)人。課題主研人員參加課題（包括在研課題及申請課題）數(shù)不得超過 3 項。作為課題負責(zé)人所承擔(dān)課題被終止或撤銷，未滿 2 年的，不能再擔(dān)任課題負責(zé)人。第13條 實驗室綜合管理辦公室負責(zé)受理課題的申請

49、、申請書及開題論證報告的審查，并組織評審小組對課題申請書或開題論證報告進行評審。評審小組由實驗室學(xué)術(shù)委員會成員及課題相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜医M成。第14條 多個單位申請同一個課題時， 課題評審小組將基于申請團隊的總體情況提出擬承研方建議，提請實驗室領(lǐng)導(dǎo)批準確定。第15條 評審?fù)ㄟ^的課題將由實驗室綜合管理辦公室下達課題任務(wù)書或協(xié)議書， 明確課題研究內(nèi)容、成果及經(jīng)費。第四章課題的實施第16條承研方應(yīng)嚴格執(zhí)行課題任務(wù)書或協(xié)議書的相關(guān)條款，建立保證課題目標實現(xiàn)的組織管理體系， 提供和協(xié)調(diào)落實課題實施配套保障條件， 督促、檢查課題實施進度，協(xié)調(diào)解決課題執(zhí)行過程中的有關(guān)問題。第17條 承研方應(yīng)嚴格執(zhí)行國家保密法律法規(guī)

50、及院所有關(guān)保密規(guī)定，明確保密工作責(zé)任制，確保國家秘密安全。第18條承研方應(yīng)嚴格遵守國家和院所有關(guān)質(zhì)量、安全、標準化、計量、環(huán)保等方2中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室面的管理要求，做到責(zé)任落實、管理規(guī)范。第19條 課題實施前，承研方應(yīng)編制實施方案，并組織評審。課題實施過程中，承研方應(yīng)就重要實驗及大型實驗活動預(yù)先編制方案，并進行評審，評審?fù)ㄟ^后方能實施。第20條 承研方應(yīng)按要求及時向?qū)嶒炇揖C合管理辦公室報送課題相關(guān)信息，包括課題實施過程中取得的重要進展、階段性成果、重要的學(xué)術(shù)活動和國際合作等。第21條 有明確階段要求的課題，在轉(zhuǎn)階段時承研方應(yīng)組織評審，評審?fù)ㄟ^后方可轉(zhuǎn)入下一階段。第22條 實

51、驗室將組織專家對課題進行中期評估，并根據(jù)任務(wù)書或協(xié)議書的關(guān)鍵節(jié)點進行定期或不定期對課題實施情況進行監(jiān)督、檢查和評估。評估和檢查結(jié)果作為協(xié)議繼續(xù)執(zhí)行或調(diào)整的依據(jù)。第23條 實施過程中，承研方如需對技術(shù)指標、主要技術(shù)路線、重要節(jié)點及其技術(shù)狀態(tài)、合作單位、經(jīng)費、課題負責(zé)人等進行調(diào)整，應(yīng)及時書面報告實驗室綜合管理中辦公室，經(jīng)實驗室領(lǐng)導(dǎo)審核批準后實施。批準后根據(jù)實際情況確定是否重新簽署課題任務(wù)書或協(xié)議書。未經(jīng)批準不得擅自變更。第24條 出現(xiàn)下列情形之一的，實驗室可單方面終止課題的執(zhí)行，并報請實驗室領(lǐng)導(dǎo)采取懲罰措施：承研方在任務(wù)簽訂和執(zhí)行過程中弄虛作假；承研方組織管理不力，出現(xiàn)重大質(zhì)量安全事故或嚴重失泄密

52、事件，造成嚴重影響；承研方性質(zhì)和有關(guān)資質(zhì)發(fā)生變化，不符合課題管理要求；連續(xù)兩次未能通過實驗室組織的檢查或評估。第五章課題的考評第25條 根據(jù)課題任務(wù)書或協(xié)議書的約定，到達課題的時間周期終點時，實驗室將對課題進行考評。第26條 承研方需向?qū)嶒炇揖C合管理辦公室提交課題考評申請，實驗室綜合管理辦公室根據(jù)工作進展情況確定考評日期。第27條課題的考評由綜合管理辦公室組織的評議小組進行。評議小組成員包括：實驗室學(xué)術(shù)委員會委員、相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜壹霸核鶎嶒炇抑鞴懿块T的人員。第28條課題承擔(dān)方需提交完整的課題驗收資料，包括：已發(fā)表論文、已獲授權(quán)的專利、完整的科學(xué)技術(shù)檔案等。 研究成果報告必須經(jīng)過一定程序 (會議或書

53、信 )進行鑒定，交由學(xué)術(shù)委員會評議。第29條 實驗室組織有關(guān)專家進行結(jié)題驗收。驗收結(jié)果分為同意結(jié)題（等級分為優(yōu)秀、良好、一般）和不同意結(jié)題（延期或終止）兩類。3中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室第30條根據(jù)課題考核結(jié)果，實驗室將采取以下獎懲措施：評價等級為優(yōu)秀的重點課題， 實驗室將在后續(xù)科研活動中優(yōu)先支持該研究團隊的其它課題；2.被評為不同意結(jié)題或終止的課題，其負責(zé)人在2 年內(nèi)不得申請實驗室課題；被評為延期結(jié)題的課題不得參與評獎。第六章成果管理第31條課題成果的評定、申報、登記由實驗室綜合管理辦公室統(tǒng)一組織進行。第32條 實驗室資助課題取得的成果， 如論文、專著、專利、成果評議鑒定資料等，

54、均須標注 “中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室資助課題 ”，并注明課題批準號。英文標注為 “Project XXXXXX supported by NPL, CAEP ”(XXXXXX為課題批準號 )。第33條成果轉(zhuǎn)讓和專利申請，按國家和我院我所有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。第七章附則第34條 對于以實驗室名義對外申請的課題， 如果經(jīng)費提供方的管理辦法與本方法相沖突，依照經(jīng)費提供方的管理辦法執(zhí)行相沖突的部分。第35條本辦法自發(fā)布之日起執(zhí)行，解釋權(quán)歸中物院中子物理學(xué)重點實驗室。4附件 2：中物院中子物理學(xué)重點實驗室培育課題管理辦法2014 年版）第 1條 為規(guī)范實驗室培育課題的申報、管理、考核、評議等工作，

55、根據(jù) “中物院中子物理學(xué)重點實驗室管理辦法（試行） ”及“中物院中子物理學(xué)重點實驗室培育課題管理辦法 ”的規(guī)定，特制訂本辦法。第 2條 培育課題指在實驗室中長期規(guī)劃確定的研究范圍內(nèi)，由青年學(xué)者和青年科研人員自主選題的創(chuàng)新性科學(xué)研究，實驗室支持這類課題的目的是促進實驗室在中子物理及相關(guān)研究領(lǐng)域的擴展及未來的可持續(xù)發(fā)展。第 3條 原則上，培育課題的研究周期不超過兩年，總支持經(jīng)費不超過 10 萬元。第 4條 實驗室隨時接受培育課題的申請，課題申請由實驗室綜合管理辦公室負責(zé)受理。第 5條 申請者可自主選題，不受年度課題指南的限制，但必須符合實驗室科技規(guī)劃中的研究內(nèi)容。第 6條 培育課題的申請者原則上需

56、具有碩士及以上學(xué)位；或具有中級專業(yè)技術(shù)職稱；或兩名具有高級專業(yè)技術(shù)職稱的同行專家推薦。課題負責(zé)人原則上不得超過 35 歲。中物院正式職工不得申請培育課題。第 7條 實驗室組織學(xué)術(shù)專家對申請材料進行初步評議并給出評議結(jié)果，評議結(jié)果通知課題申請者本人。第 8條 對于初步評議通過的培育課題，申請人需提交整合了初步評議意見的任務(wù)書，經(jīng)實驗室確認后予以正式批準。課題正式批準后，中物院核物理與化學(xué)研究所將與申請人根據(jù)任務(wù)書的內(nèi)容簽訂研究合同。課題的研究周期以任務(wù)書為準。第 9條 課題承擔(dān)方需事先向?qū)嶒炇姨峤槐菊n題的實驗方案及計劃，經(jīng)實驗室確認后方可實施。課題的實驗活動需優(yōu)先在中物院核物理與化學(xué)研究所的研究

57、設(shè)施上進行。第 10條 培育課題的申請、評估、考評、成果管理、獎懲等均按實驗室課題管理辦法執(zhí)行。第 11條 本辦法自發(fā)布之日起執(zhí)行，解釋權(quán)歸中物院中子物理學(xué)重點實驗室。中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室附件 3：課題編號受理日期中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室課題申請書課題名稱：申請者：工作單位：聯(lián)系電話：電子郵箱：中物院中子物理學(xué)重點實驗室中物院核物理與化學(xué)研究所中國工程物理研究院中子物理學(xué)重點實驗室填寫說明一、課題申請單位必須為法人單位，可獨立申請，也可多家單位聯(lián)合申請，但必須確定牽頭單位。每個課題須確定負責(zé)人一名。二、申請書所填寫內(nèi)容均為公開，申請單位須提供保證內(nèi)容不涉密的保密審查資料。三、申請書應(yīng)當(dāng)