大物ii單自旋發(fā)射

1、- 1 - 介觀體系的動(dòng)力學(xué)輸運(yùn)邢燕霞北京理工大學(xué)2014.11.15- 2 - 經(jīng)典交流電路：基本電路元件經(jīng)典交流電路電阻和頻率無關(guān)，電抗和頻率有關(guān)- 3 - 經(jīng)典交流電路- 4 - 介觀體系：量子電容（源于入射微分態(tài)密度）經(jīng)典歐姆定律：電阻和尺寸的關(guān)系介觀量子區(qū)：量子電導(dǎo)，電阻和尺寸無關(guān)交流介觀區(qū)：半整數(shù)量子電導(dǎo)（動(dòng)力學(xué)弛豫電阻） 動(dòng)力學(xué)輸運(yùn)：弛豫電阻量子交流電路經(jīng)典電容：幾何介質(zhì)電容，對(duì)內(nèi)勢(shì)的響應(yīng)介觀非平衡電容（對(duì)化學(xué)勢(shì)而不是內(nèi)勢(shì)的響應(yīng)） 包括幾何電容和量子電容動(dòng)力學(xué)調(diào)制：單電子發(fā)射- 5 - 實(shí)驗(yàn)上測(cè)到半整數(shù)弛豫電阻，低頻GHz，千分之一個(gè)meV直流情況為零，高頻效果明顯實(shí)驗(yàn)1：半整數(shù)

2、弛豫電阻- 6 - VLVR非平衡介觀體系，總電容（對(duì)化學(xué)勢(shì)的響應(yīng)）包括幾何電容（對(duì)內(nèi)勢(shì)的響應(yīng)）和量子電容（源于非平衡入射微分態(tài)密度）1. 半整數(shù)弛豫電阻- 7 - 帶入態(tài)密度表達(dá)式，得到正常電路和超導(dǎo)電路的交流電容1. 半整數(shù)弛豫電阻- 8 - 1. 半整數(shù)弛豫電阻- 9 - 比較經(jīng)典導(dǎo)納的定義和量子導(dǎo)納的表達(dá)式，可以得到如下結(jié)果1. 半整數(shù)弛豫電阻- 10 - single spin source- 10 - 周期純交流方波，所有頻率疊加，包括超高頻單極板，純電容，電子發(fā)射器實(shí)驗(yàn)2：單電子發(fā)射器Science，316（2007）- 11 - - 12 - single spin sourc

3、e- 12 - PRL100,086601(2008)Buttiker的結(jié)果（量子點(diǎn)，散射矩陣，諧波）- 13 - 2. 單電子發(fā)射（量子點(diǎn)，格林函數(shù)，方波）高頻：頻率線性項(xiàng)已不夠有限偏壓：高倍頻也必須考慮原先的微偏壓方法失效，必須用普遍的電流表達(dá)式：- 14 - 2. 單電子發(fā)射nsnsnsns- 15 - 2. 單電子發(fā)射- 16 - 2. 單電子發(fā)射- 17 - 2. 單電子發(fā)射門電壓幅增大- 18 - 2. 單電子發(fā)射- 19 - single spin source- 19 - 3. 單自旋發(fā)射（諧波）- 20 - 3. 單自旋發(fā)射- 21 - 求自旋流，方波無法嚴(yán)格求解，用低頻諧波，絕熱近似3. 單自旋發(fā)射- 22 - 3. 單自旋發(fā)射- 23 - - 23 - 直徑21a，入口3a，導(dǎo)線寬40a3. 單自旋發(fā)射- 24 - - 24 - 直徑21a,入口3a和7a邊長20a,入口7aE0=0E0=0.08E0=0.153. 單自旋發(fā)射- 25 - E0=0，量子化不穩(wěn)定，漲落較大，3. 單自旋發(fā)射- 26 - 謝謝！- 27 - - 27 - - 28 - - 28 - - 29 - - 29