Foundry工廠專業(yè)名詞解釋-chapter1

1、Foundry工廠專業(yè)名詞解釋chapter11 Active Area 有源區(qū)（工作區(qū)） 有源晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的有源區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥嘴（BIRDS BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0.5UM之BIRDS BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定義的區(qū)域小0.5UM。 2 ACE

2、TONE 丙酮 1. 丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2. 性質(zhì)為無色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。4. 對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。5. 允許濃度1000PPM。 3 AADI 顯影后后檢查 1.定定義：AAfteer DDeveeloppingg Innspeectiion 之縮寫寫2.目的的：檢查查黃光室室制程；光阻覆覆蓋對(duì)準(zhǔn)曝光顯影。發(fā)發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)點(diǎn)后，如如覆蓋不不良、顯顯影不良良等即予予

3、修改，以以維護(hù)產(chǎn)產(chǎn)品良率率、品質(zhì)質(zhì)。3.方法：利用目目檢、顯顯微鏡為為之。 4 AAEI 蝕刻后后檢查 1. 定義：AEII即Aftter Etcchinng IInsppecttionn，在蝕蝕刻制程程光阻去去除前及及光阻去去除后，分分別對(duì)產(chǎn)產(chǎn)品實(shí)施施全檢或或抽樣檢檢查。22.目的的：2-1提高高產(chǎn)品良良率，避避免不良良品外流流。2-2達(dá)到到品質(zhì)的的一致性性和制程程之重復(fù)復(fù)性。22-3顯顯示制程程能力之之指針22-4阻阻止異常常擴(kuò)大，節(jié)節(jié)省成本本3.通常常AEII檢查出出來之不不良品，非非必要時(shí)時(shí)很少作作修改，因因?yàn)橹厝トパ趸瘜訉踊蛑亻L(zhǎng)長(zhǎng)氧化層層可能造造成組件件特性改改變可靠靠性變差差、缺點(diǎn)

4、點(diǎn)密度增增加，生生產(chǎn)成本本增高，以以及良率率降低之之缺點(diǎn)。 5 AAIR SHOOWERR 空氣氣洗塵室室 進(jìn)入潔潔凈室之之前，需需穿無塵塵衣，因因在外面面更衣室室之故，無無塵衣上上沾著塵塵埃，故故進(jìn)潔凈凈室之前前，需經(jīng)經(jīng)空氣噴噴洗機(jī)將將塵埃吹吹掉。 6 AALIGGNMEENT 對(duì)準(zhǔn) 11. 定定義：利利用芯片片上的對(duì)對(duì)準(zhǔn)鍵，一一般用十十字鍵和和光罩上上的對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)鍵合對(duì)對(duì)為之。2. 目的：在IC的制造過程中，必須經(jīng)過610次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3. 方法：A.人眼對(duì)準(zhǔn)B.用光、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。 7 AALLOOY/SSIN

5、TTER 熔合 AAllooy之目目的在使使鋁與硅硅基(SSiliiconn Suubsttratte)之之接觸有有Ohmmic特特性，即即電壓與與電流成成線性關(guān)關(guān)系。AAllooy也可可降低接接觸的阻阻值。 8 AAL/SSI 鋁鋁/硅 靶 此為金金屬濺鍍鍍時(shí)所使使用的一一種金屬屬合金材材料利用用Ar游離離的離子子，讓其其撞擊此此靶的表表面，把把Al/Si的的原子撞撞擊出來來，而鍍鍍?cè)谛酒砻嫔仙?，一般般使用之之組成為為Al/Si (1%)，將將此當(dāng)作作組件與與外界導(dǎo)導(dǎo)線連接接。 9 AAL/SSI/CCU 鋁鋁/硅 /銅 金屬濺濺鍍時(shí)所所使用的的原料名名稱，通通常是稱稱為TAARGEET

6、，其其成分為為0.55銅，1硅及988.5鋁，一一般制程程通常是是使用999鋁1硅，后后來為了了金屬電電荷遷移移現(xiàn)象（ELEC TROMIGRATION）故滲加0.5銅，以降低金屬電荷遷移。 10 ALUUMINNUN 鋁 此為金金屬濺鍍鍍時(shí)所使使用的一一種金屬屬材料，利利用Arr游離的的離子，讓讓其撞擊擊此種材材料做成成的靶表表面，把把Al的原原子撞擊擊出來，而而鍍?cè)谛拘酒砻婷嫔?，將將此?dāng)作作組件與與外界導(dǎo)導(dǎo)線之連連接。 11 ANGGLE LAPPPINNG 角角度研磨磨 Annglee Laappiing 的目的的是為了了測(cè)量JJuncctioon的深深度，所所作的芯芯片前處處理，這這

7、種采用用光線干干涉測(cè)量量的方法法就稱之之Anggle Lapppinng。公公式為XXj=/2 NF即即Junnctiion深深度等于于入射光光波長(zhǎng)的的一半與與干涉條條紋數(shù)之之乘積。但但漸漸的的隨著VVLSII組件的的縮小，準(zhǔn)準(zhǔn)確度及及精密度度都無法法因應(yīng)。如如SRPP(Sppreaadinng RResiistaancee Prrqbiing)也是應(yīng)應(yīng)用Annglee Laappiing的的方法作作前處理理，采用用的方法法是以表表面植入入濃度與與阻值的的對(duì)應(yīng)關(guān)關(guān)系求出出Junnctiion的的深度，精精確度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過入入射光干干涉法。 12 ANGGSTRRON 埃 是一個(gè)個(gè)長(zhǎng)度單單位，其其大

8、小為為1公尺的百百億分之之一，約約為人的的頭發(fā)寬寬度之五五十萬分分之一。此此單位常常用于IIC制程程上，表表示其層層（如SSiO22，Polly，SiNN.）厚厚度時(shí)用用。 13 APCCVD（ATMMOSPPRESSSURRE） 常壓化化學(xué)氣相相沉積 APCCVD為為Atmmosppherre(大大氣)，Preessuure(壓力)，Cheemiccal(化學(xué))，Vappor(氣相)及Depposiitioon(沉沉積)的縮寫寫，也就就是說，反反應(yīng)氣體體（如SSiH44(g)，B2HH6(gg)，和和O2(g)）在在常壓下下起化學(xué)學(xué)反應(yīng)而而生成一一層固態(tài)態(tài)的生成成物（如如BPSSG）于于芯片

9、上上。 14 AS775 砷砷 自然界界元素之之一；由由33個(gè)質(zhì)質(zhì)子，442個(gè)中中子即775個(gè)電電子所組組成。半半導(dǎo)體工工業(yè)用的的砷離子子（Ass）可可由AssH3氣氣體分解解得到。砷砷是N-TYPPE DDOPAANT 常用作作N-場(chǎng)區(qū)區(qū)、空乏乏區(qū)及SS/D植植入。 15 ASHHINGG，STRRIPPPINGG 電漿漿光阻去去除 11. 電電漿預(yù)處處理，系系利用電電漿方式式（Pllasmma），將將芯片表表面之光光阻加以以去除。2. 電漿光阻去除的原理，系利用氧氣在電漿中所產(chǎn)生只自由基（Radical）與光阻（高分子的有機(jī)物）發(fā)生作用，產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，再由幫浦抽走，達(dá)到光阻去除的目的。

10、3. 電漿光組的產(chǎn)生速率通常較酸液光阻去除為慢，但是若產(chǎn)品經(jīng)過離子植入或電漿蝕刻后，表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學(xué)作用，整個(gè)表面之光阻均已變質(zhì)，若以硫酸吃光阻，無法將表面已變質(zhì)之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。 16 ASSSEMBBLY 晶粒封封裝 以樹酯酯或陶瓷瓷材料，將將晶粒包包在其中中，以達(dá)達(dá)到保護(hù)護(hù)晶粒，隔隔絕環(huán)境境污染的的目的，而而此一連連串的加加工過程程，即稱稱為晶粒粒封裝（Assembly）。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝，制程包括：芯片切割晶粒目檢晶粒上架（導(dǎo)線架，即Lead frame）焊線模壓封裝穩(wěn)定烘烤（使

11、樹酯物性穩(wěn)定）切框、彎腳成型腳沾錫蓋印完成。以樹酯為材料之IC，通常用于消費(fèi)性產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、計(jì)算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產(chǎn)品上。 17 BACCK GGRINNDINNG 晶晶背研磨磨 利用研研磨機(jī)將將芯片背背面磨薄薄以便測(cè)測(cè)試包裝裝，著重重的是厚厚度均勻勻度及背背面之干干凈度。一一般6吋芯片片之厚度度約200mill30 mill左右，為為了便于于晶粒封封裝打線線，故需需將芯片片厚度磨磨薄至110 mmil 15mmil左左右。 18 BAKKE, SOFFT BBAKEE,HAARD BAKKE 烘烘烤，軟軟烤，預(yù)預(yù)烤 烘烤（BBak

12、ee）：在在集成電電路芯片片上的制制造過程程中，將將芯片至至于稍高高溫（6602500）的烘烘箱內(nèi)或或熱板上上均可謂謂之烘烤烤，隨其其目的的的不同，可可區(qū)分微微軟烤（Soft bake）與預(yù)烤（Hard bake）。軟烤（Soft bake）：其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預(yù)烤（Hard bake）：又稱為蝕刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wet etching）更為重要，預(yù)烤不全長(zhǎng)會(huì)造成過蝕刻。 19 BF22 二氟氟化硼 一種種供做離離子植入入用之離離子。BF22 是是

13、由BFF3 氣體晶晶燈絲加加熱分解解成：BB10、B111、F199、B10FF2、B11FF2 。經(jīng)經(jīng)Exttracct拉出出及質(zhì)譜譜磁場(chǎng)分分析后而而得到。是一種P-type 離子，通常用作VT植入（閘層）及S/D植入。 20 BOAAT 晶晶舟 BBoatt原意是是單木舟舟，在半半導(dǎo)體IIC制造造過程中中，常需需要用一一種工具具作芯片片傳送、清清洗及加加工，這這種承載載芯片的的工具，我我們稱之之為Booat。一一般Booat有有兩種材材質(zhì)，一一是石英英、另一一是鐵氟氟龍。石石英Booat用用在溫度度較高（大大于3000）的場(chǎng)場(chǎng)合。而而鐵氟龍龍Boaat則用用在傳送送或酸處處理的場(chǎng)場(chǎng)合。 2

14、1 B.OO.E 緩沖蝕蝕刻液 BOEE是HF與NH4FF依不同同比例混混合而成成。6:1 BBOE蝕蝕刻即表表示HFF：NH4FF=1：6的成分分混合而而成。HHF為主主要的蝕蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定H的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會(huì)浸蝕玻璃及任何含硅石的物質(zhì)，對(duì)皮膚有強(qiáng)烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量水沖洗。 22 BONNDINNG PPAD 焊墊 焊墊晶利用用以連接接金線或或鋁線的的金屬層層。在晶晶粒封裝裝（Asssemmblyy）的制制程中，有有一個(gè)步步驟是作作“焊線”，即是是用金線線（塑料料包裝體體）或鋁鋁線（陶陶瓷包裝裝體）將將晶粒的的線路與與包裝

15、體體之各個(gè)個(gè)接腳依依焊線圖圖（Boondiing Diaagraam）連連接在一一起，如如此一來來，晶粒粒的功能能才能有有效地應(yīng)應(yīng)用。由由于晶粒粒上的金金屬線路路的寬度度即間隙隙都非常常窄小，（目目前SIIMC所所致的產(chǎn)產(chǎn)品約是是微米左左右的線線寬或間間隙），而而用來連連接用的的金線或或鋁線其其線徑目目前由于于受到材材料的延延展性即即對(duì)金屬屬接線強(qiáng)強(qiáng)度要求求的限制制，祇能能做到11.01.33mill（25.433jj微米）左左右，在在此情況況下，要要把二、三三十微米米的金屬屬線直接接連接到到金屬線線路間距距只有33微米的的晶粒上上，一定定會(huì)造成成多條鋁鋁線的接接橋，故故晶粒上上的鋁路路，在其

16、其末端皆皆設(shè)計(jì)成成一個(gè)約約4miil見方方的金屬屬層，此此即為焊焊墊，以以作為接接線使用用。焊墊墊通常分分布再晶晶粒之四四個(gè)外圍圍上（以以粒封裝裝時(shí)的焊焊線作業(yè)業(yè)），其其形狀多多為正方方形，亦亦有人將將第一焊焊線點(diǎn)作作成圓形形，以資資辨識(shí)。焊焊墊因?yàn)闉橐鹘咏泳€，其其上得護(hù)護(hù)層必須須蝕刻掉掉，故可可在焊墊墊上清楚楚地看到到“開窗線線”。而晶晶粒上有有時(shí)亦可可看到大大塊的金金屬層，位位于晶粒粒內(nèi)部而而非四周周，其上上也看不不到開窗窗線，是是為電容容。 23 BORRON 硼 自然元元素之一一。由五五個(gè)質(zhì)子子及六個(gè)個(gè)中子所所組成。所所以原子子量是111。另另外有同同位素，是是由五個(gè)個(gè)質(zhì)子及及五個(gè)中

17、中子所組組成原子子量是110（B100）。自自然界中中這兩種種同位素素之比例例是4：1，可由由磁場(chǎng)質(zhì)質(zhì)譜分析析中看出出，是一一種P-typpe的離離子（BB 111），用用來作場(chǎng)場(chǎng)區(qū)、井井區(qū)、VVT及S/DD植入。 24 BPSSG 含含硼及磷磷的硅化化物 BBPSGG乃介于于Polly之上上、Meetall之下，可可做為上上下兩層層絕緣之之用，加加硼、磷磷主要目目的在使使回流后后的Sttep較較平緩，以以防止MMetaal llinee濺鍍上上去后，造造成斷線線。 25 BREEAKDDOWNN VOOLTAAGE 崩潰電電壓 反向P-N接面面組件所所加之電電壓為PP接負(fù)而而N接正，如如為此

18、種種接法則則當(dāng)所加加電壓通通在某個(gè)個(gè)特定值值以下時(shí)時(shí)反向電電流很小小，而當(dāng)當(dāng)所加電電壓值大大于此特特定值后后，反向向電流會(huì)會(huì)急遽增增加，此此特定值值也就是是吾人所所謂的崩崩潰電壓壓（BRREAKKDOWWN VVOLTTAGEE）一般般吾人所所定義反反向P - N接面面之反向向電流為為1UAA時(shí)之電電壓為崩崩潰電壓壓，在PP - N或 N-P之接接回組件件中崩潰潰電壓，隨隨著N（或者者P）之濃濃度之增增加而減減小。 26 BURRN IIN 預(yù)預(yù)燒試驗(yàn)驗(yàn) 預(yù)燒燒（BBurnn inn）為可可靠性測(cè)測(cè)試的一一種，旨旨在檢驗(yàn)驗(yàn)出哪些些在使用用初期即即損壞的的產(chǎn)品，而而在出貨貨前予以以剔除。預(yù)預(yù)燒試

19、驗(yàn)驗(yàn)的作法法，乃是是將組件件（產(chǎn)品品）至于于高溫的的環(huán)境下下，加上上指定的的正向或或反向的的直流電電壓，如如此殘留留在晶粒粒上氧化化層與金金屬層之之外來雜雜質(zhì)離子子或腐蝕蝕性離子子將容易易游離而而使故障障模式（Failure Mode）提早顯現(xiàn)出來，達(dá)到篩選、剔除早期夭折產(chǎn)品之目的。預(yù)燒試驗(yàn)分為靜態(tài)預(yù)燒（Static Burn in）與動(dòng)態(tài)預(yù)燒（Dynamic Burn in）兩種，前者在試驗(yàn)時(shí)，只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率，而后者除此外并有仿真實(shí)際工作情況的訊號(hào)輸入，故較接近實(shí)際狀況，也較嚴(yán)格?；旧希恳慌a(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)，馾由于成本及交貨其等因素，有

20、些產(chǎn)品舊祇作抽樣（部分）的預(yù)燒試驗(yàn)，通過后才出貨。另外對(duì)于一些我們認(rèn)為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準(zhǔn)的產(chǎn)品，亦可以抽樣的方式進(jìn)行，當(dāng)然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)。 27 CADD 計(jì)算算機(jī)輔助助設(shè)計(jì) CADD：Commputter Aidded Dessignn計(jì)算機(jī)機(jī)輔助設(shè)設(shè)計(jì)，此此名詞所所包含的的范圍很很廣，可可泛稱一一切計(jì)算算機(jī)為工工具，所所進(jìn)行之之設(shè)計(jì)；因此不不僅在IIC設(shè)計(jì)計(jì)上用得得到，建建筑上之之設(shè)計(jì)，飛飛機(jī)、船船體之設(shè)設(shè)計(jì)，都都可能用用到。在在以往計(jì)計(jì)算機(jī)尚尚未廣泛泛應(yīng)用時(shí)時(shí)，設(shè)計(jì)計(jì)者必須須以有限限之記憶憶、經(jīng)驗(yàn)驗(yàn)來進(jìn)行行設(shè)計(jì)，可可是有了了所謂CCAD后后，我們們把一

21、些些常用之之規(guī)則、經(jīng)經(jīng)驗(yàn)存入入計(jì)算機(jī)機(jī)后，后后面的設(shè)設(shè)計(jì)者，變變可節(jié)省省不少?gòu)膹念^摸索索的工作作，如此此不僅大大幅地提提高了設(shè)設(shè)計(jì)的準(zhǔn)準(zhǔn)確度，使使設(shè)計(jì)的的領(lǐng)域進(jìn)進(jìn)入另一一新天地地。 28 CD MEAASURREMEENT 微距測(cè)測(cè)試 CCD: Criiticcal Dimmenssionn之簡(jiǎn)稱稱。通常常于某一一個(gè)層次次中，為為了控制制其最小小線距，我我們會(huì)制制作一些些代表性性之量測(cè)測(cè)圖形于于晶方中中，通常常置于晶晶方之邊邊緣。簡(jiǎn)簡(jiǎn)言之，微微距測(cè)量量長(zhǎng)當(dāng)作作一個(gè)重重要之制制程指針針，可代代表黃光光制程之之控制好好壞。量量測(cè)CDD之層次次通常是是對(duì)線距距控制較較重要之之層次，如如氮化硅硅、PO

22、OLY、CONNT、METT等，而而目前較較常用于于測(cè)量之之圖形有有品字型型，L-BARR等。 29 CH33COOOH 醋醋酸 AACETTIC ACIID 醋醋酸澄清清、無色色液體、有有刺激性性氣味、熔熔點(diǎn)166.633、沸點(diǎn)點(diǎn)1188。與水水、酒精精、乙醚醚互溶?？煽扇?。冰冰醋酸是是99.8以上之之純化物物，有別別于水容容易的醋醋酸食入入或吸入入純醋酸酸有中等等的毒性性，對(duì)皮皮膚及組組織有刺刺激性，危危害性不不大，被被濺到用用水沖洗洗。 30 CHAAMBEER 真真空室,反應(yīng)室室 專指一一密閉的的空間，常常有特殊殊的用途途：諸如如抽真空空、氣體體反應(yīng)或或金屬濺濺度等。針針對(duì)此特特殊空間

23、間之種種種外在或或內(nèi)在環(huán)環(huán)境：例例如外在在粒子數(shù)數(shù)（paartiiclee）、濕濕度及內(nèi)內(nèi)在溫度度、壓力力、氣體體流量、粒粒子數(shù)等等加以控控制。達(dá)達(dá)到芯片片最佳反反應(yīng)條件件。 31 CHAANNEEL 信信道 當(dāng)在MOOS晶體體管的閘閘極上加加上電壓壓（PMMOS為為負(fù)，NNMOSS為正），則則閘極下下的電子子或電洞洞會(huì)被其其電場(chǎng)所所吸引或或排斥而而使閘極極下之區(qū)區(qū)域形成成一反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)層（IInveersiion Layyer），也也就是其其下之半半導(dǎo)體PP-tyype變變成N-typpe SSi，N-ttypee變成P-typpe SSi，而而與源極極和汲極極，我們們舊稱此此反轉(zhuǎn)層層為“信道”。

24、信道道的長(zhǎng)度度“Chhannnel Lenngthh”對(duì)MOSS組件的的參數(shù)有有著極重重要的影影響，故故我們對(duì)對(duì)POLLY CCD的控控制需要要非常謹(jǐn)謹(jǐn)慎。 32 CHIIP ,DIEE 晶粒粒 一片芯芯片（OOR晶圓圓，即WWafeer）上上有許多多相同的的方形小小單位，這這些小單單位及稱稱為晶粒粒。同一一芯片上上每個(gè)晶晶粒都是是相同的的構(gòu)造，具具有相同同的功能能，每個(gè)個(gè)晶粒經(jīng)經(jīng)包裝后后，可制制成一顆顆顆我們們?nèi)粘Ｉ钪谐３Ｒ姷腎IC，故故每一芯芯片所能能制造出出的ICC數(shù)量是是很可觀觀的，從從幾百個(gè)個(gè)到幾千千個(gè)不等等。同樣樣地，如如果因制制造的疏疏忽而產(chǎn)產(chǎn)生的缺缺點(diǎn)，往往往就會(huì)會(huì)波及成成

25、百成千千個(gè)產(chǎn)品品。 33 CLTT（CARRRIEER LLIFEE TIIME） 截子生生命周期期 一、 定義少少數(shù)戴子子再溫度度平均時(shí)時(shí)電子被被束縛在在原子格格內(nèi)，當(dāng)當(dāng)外加能能量時(shí)，電電子獲得得能量，脫脫離原子子格束縛縛，形成成自由狀狀態(tài)而參參與電流流島通的的的工作作，但能能量消失失后，這這些電子子/電洞將將因在結(jié)結(jié)合因素素回復(fù)至至平衡狀狀態(tài)，因因子當(dāng)這這些載子子由被激激發(fā)后回回復(fù)平衡衡期間，稱稱之為少少數(shù)載子子“LIIFE TIMME“二二、 應(yīng)用范范圍1.評(píng)估盧盧管和清清洗槽的的干凈度度2.針對(duì)對(duì)芯片之之清潔度度及損傷傷程度對(duì)對(duì)CLTT值有影影響為AA.芯片片中離子子污染濃濃度及污污染

26、之金金屬種類類B.芯片片中結(jié)晶晶缺陷濃濃度 34 CMOOS 互互補(bǔ)式金金氧半導(dǎo)導(dǎo)體 金屬氧氧化膜半半導(dǎo)體（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在單晶硅上形成絕緣氧化膜，再沉積一層復(fù)晶硅（或金屬）作為閘極，利用家到閘極的電場(chǎng)來控制MOS組件的開關(guān)（導(dǎo)電或不導(dǎo)電）。按照導(dǎo)電載子的種類，MOS，又可分成兩種類型：NMOS（由電子導(dǎo)電）和PMOS（由電洞導(dǎo)電）。而互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）則是由NMOS及PMOS組合而成，具有省電、抗噪聲能力強(qiáng)、-PARTICLE免疫力好等許多優(yōu)點(diǎn)，是超大規(guī)模集成電路（VLSI）的主流。 35

27、 COAATINNG 光光阻覆蓋蓋 將光阻阻劑以浸浸泡、噴噴霧、刷刷怖、或或滾壓等等方法加加于芯片片上，稱稱為光阻阻覆蓋。目目前效果果最佳的的方法為為旋轉(zhuǎn)法法；旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)法乃是是將芯片片以真空空吸附于于一個(gè)可可旋轉(zhuǎn)的的芯片支支持器上上，適量量的光阻阻劑加在在芯片中中央，然然后芯片片開始轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)，芯芯片上的的光阻劑劑向外流流開，很很均勻的的散在芯芯片上。要要得到均均勻的光光阻膜，旋旋轉(zhuǎn)速度度必須適適中穩(wěn)定定。而旋旋轉(zhuǎn)速度度和光阻阻劑黏滯滯性絕應(yīng)應(yīng)所鍍光光阻劑的的厚度。光光阻劑加加上后，必必須經(jīng)過過軟烤的的步驟，以以除去光光阻劑中中過多的的溶劑，進(jìn)進(jìn)而使光光阻膜較較為堅(jiān)硬硬，同時(shí)時(shí)增加光光阻膜與與芯片的

28、的接合能能力的主主要方法法就是在在于適當(dāng)當(dāng)調(diào)整軟軟烤溫度度與時(shí)間間。經(jīng)過過了以上上的鍍光光阻膜即即軟烤過過程，也也就是完完成了整整個(gè)光阻阻覆蓋的的步驟。 36 CROOSS SECCTIOON 橫橫截面 IC的的制造基基本上是是由一層層一層的的圖案堆堆積上去去，而為為了了解解堆積圖圖案的構(gòu)構(gòu)造，以以改善制制程或解解決制程程問題，經(jīng)經(jīng)常會(huì)利利用破壞壞性切割割方式以以電子顯顯微鏡（SEM）來觀察，而切割橫截面、觀察橫截面的方式是其中較為普遍之一種。 37 C-VV PLLOT 電容,電壓圓圓 譯意為為電容、電電壓圖：也就是是說當(dāng)組組件在不不同狀況況下，在在閘極上上施以某某一電壓壓時(shí)，會(huì)會(huì)產(chǎn)生不不同

29、之電電容值（此此電壓可可為正或或負(fù)），如如此組件件為理想想的組件件；也就就是閘極極和汲極極間幾乎乎沒有雜雜質(zhì)在里里面（CCOMTTAMIINATTIONN）。當(dāng)當(dāng)外界環(huán)環(huán)境改變變時(shí)（溫溫度或壓壓力），并并不太會(huì)會(huì)影響它它的電容容值，利利用此可可MONNITOOR MMOS 組件之之好壞，一一般V0.22為正常常。 38 CWQQC 全全公司品品質(zhì)管制制 以往有有些經(jīng)營(yíng)營(yíng)者或老老板，一一直都認(rèn)認(rèn)為品質(zhì)質(zhì)管制是是品管部部門或品品管主管管的責(zé)任任，遇到到品質(zhì)管管制做不不好時(shí)，即即立即指指責(zé)品質(zhì)質(zhì)主管，這這是不對(duì)對(duì)的。品品質(zhì)管制制不是品品質(zhì)部門門或某一一單位就就可以做做好的，而而是全公公司每一一部門全

30、全體人員員都參與與才能做做好。固固品質(zhì)管管制為達(dá)達(dá)到經(jīng)營(yíng)營(yíng)的目的的，必須須結(jié)合公公司內(nèi)所所有部門門全體人人員協(xié)力力合作，構(gòu)構(gòu)成一個(gè)個(gè)能共同同認(rèn)識(shí)，亦亦于實(shí)施施的體系系，并使使工作標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)化，且且使所定定的各種種事項(xiàng)確確實(shí)實(shí)行行，使自自市場(chǎng)調(diào)調(diào)查、研研究、開開發(fā)、設(shè)設(shè)計(jì)、采采購(gòu)、制制造、檢檢查、試試驗(yàn)、出出貨、銷銷售、服服務(wù)為止止的每一一階段的的品質(zhì)都都能有效效的管理理，這就就是所謂謂的全公公司品質(zhì)質(zhì)管制（Company Wide Quality Control）。實(shí)施CWQC的目的最主要的就是要改善企業(yè)體質(zhì)；即發(fā)覺問題的體質(zhì)、重視計(jì)劃的體質(zhì)、重點(diǎn)指向的體質(zhì)、重視過程的體質(zhì)，以及全員有體系導(dǎo)向的體

31、質(zhì)。 39 CYCCLE TIMME 生生產(chǎn)周期期時(shí)間 指原料料由投入入生產(chǎn)線線到產(chǎn)品品于生產(chǎn)產(chǎn)線產(chǎn)生生所需之之生產(chǎn)/制造時(shí)時(shí)間。在在TI-ACEER，生生產(chǎn)周期期有兩種種解釋：一為“芯片產(chǎn)產(chǎn)出周期期時(shí)間”（WAFFER-OUTT CYYCLEE TIIME），一一為“制程周周期時(shí)間間”（PROOCESSS CCYCLLE TTIMEE）“芯片產(chǎn)產(chǎn)出周期期時(shí)間”乃指單單一批號(hào)號(hào)之芯片片由投入入到產(chǎn)出出所需之之生產(chǎn)/制造時(shí)時(shí)間?！爸瞥讨苤芷跁r(shí)間間”則指所所有芯片片于單一一工站平平均生產(chǎn)產(chǎn)/制造時(shí)時(shí)間，而而各工站站（從頭頭至尾）平平均生產(chǎn)產(chǎn)/制造之之加總極極為該制制程之制制程周期期時(shí)間。目目前TI

32、I-ACCER LINNE RREPOORT 之生產(chǎn)產(chǎn)周期時(shí)時(shí)間乃采采用“制程周周期時(shí)間間”。一般般而言，生生產(chǎn)周期期時(shí)間可可以下列列公式概概略推算算之：生生產(chǎn)周期期時(shí)間=在制品品（WIIP）/產(chǎn)能（TTHROOUGHHOUTT） 40 CYCCLE TIMME 生生產(chǎn)周期期 ICC制造流流程復(fù)雜雜，且其其程序很很長(zhǎng)，自自芯片投投入至晶晶圓測(cè)試試完成，謂謂之Cyyclee Tiime。由由于ICC生命周周期很短短，自開開發(fā)、生生產(chǎn)至銷銷售，需需要迅速速且能掌掌握時(shí)效效，故CCyclle TTimee越短，競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)能力力就越高高，能掌掌握產(chǎn)品品上市契契機(jī)，就就能獲取取最大的的利潤(rùn)。由由于Cyycl

33、ee Tiime 長(zhǎng)，不不容許生生產(chǎn)中的的芯片因因故報(bào)廢廢或重做做，故各各項(xiàng)操作作過程都都要依照照規(guī)范進(jìn)進(jìn)行，且且要做好好故障排排除讓產(chǎn)產(chǎn)品流程程順利，早早日出FFIB上上市銷售售。 41 DEFFECTT DEENSIITY 缺點(diǎn)密密度 缺點(diǎn)點(diǎn)密度系指芯芯片單位位面積上上（如每每平方公公分、每每平方英英吋等）有有多少缺點(diǎn)數(shù)數(shù)之意意，此缺缺點(diǎn)數(shù)一一般可分分為兩大大類：AA.可視視性缺點(diǎn)點(diǎn)B.不可可視性缺缺點(diǎn)。前前者可藉藉由一般般光學(xué)顯顯微鏡檢檢查出來來（如橋橋接、斷斷線），由由于芯片片制造過過程甚為為復(fù)雜漫漫長(zhǎng)，芯芯片上缺缺點(diǎn)數(shù)越越少，產(chǎn)產(chǎn)品量率率品質(zhì)必必然越佳佳，故缺點(diǎn)密密度常常備用來來當(dāng)作

34、一一個(gè)工廠廠制造的的產(chǎn)品品品質(zhì)好壞壞的指針針。 42 DEHHYDRRATIION BAKKE 去去水烘烤烤 目的：去除芯芯片表面面水分，增增加光阻阻附著力力。以免免芯片表表面曝光光顯影后后光阻掀掀起。方方法：在在光阻覆覆蓋之前前，利用用高溫（120或150）加熱方式為之。 43 DENNSIFFY 密密化 CCVD沉沉積后，由由于所沈沈積之薄薄膜（TTHINN FIILM之之密度很很低），故故以高溫溫步驟使使薄膜中中之分子子重新結(jié)結(jié)合，以以提高其其密度，此此種高溫溫步驟即即稱為密密化。密密化通常常以爐管管在8000以上的的溫度完完成，但但也可在在快速升升降溫機(jī)機(jī)臺(tái)（RRTP；RAPPID T

35、HEERMAAL PPROCCESSS）完成成。 44 DESSCUMM 電漿漿預(yù)處理理 1.電漿預(yù)預(yù)處理，系系利用電電漿方式式（Pllasmma），將將芯片表表面之光光阻加以以去除，但但其去光光阻的時(shí)時(shí)間，較較一般電電漿光阻阻去除（Stripping）為短。其目的只是在于將芯片表面之光阻因顯影預(yù)烤等制程所造成之光阻毛邊或細(xì)屑（Scum）加以去除，以使圖形不失真，蝕刻出來之圖案不會(huì)有殘余。2. 有關(guān)電漿去除光阻之原理，請(qǐng)參閱電漿光阻去除（Ashing）。3. 通常作電漿預(yù)處理，均以較低之力，及小之功率為之，也就是使光阻之蝕刻率降低得很低，使得均勻度能提高，以保持完整的圖形，達(dá)到電漿預(yù)處理的目的。 45 DESSIGNN RUULE 設(shè)計(jì)規(guī)規(guī)范 由于半半導(dǎo)體制制程技術(shù)術(shù)，系一一們專業(yè)業(yè)、精致致又復(fù)雜雜的技術(shù)術(shù)，容易易受到不不同制造造設(shè)備制制程方法法（REECIPPE）的的影響，故故在考慮慮各項(xiàng)產(chǎn)產(chǎn)品如何何從事制制造技術(shù)術(shù)完善，成成功地制制造出來來時(shí)，需需有一套套規(guī)范來來做有關(guān)關(guān)技術(shù)上上之規(guī)定定，此即即“DEESIGGN RRULEE”，其其系依照照各種不不同產(chǎn)品品的需