FLASH芯片制作過(guò)程

1、.FLASH 芯片制作過(guò)程芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工Wafer FabricationWafer ProbePackagingInitial Testand Final 等幾個(gè)步驟。其中晶Front EndBack End工序。1子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。2、晶圓針測(cè)工序：經(jīng)過(guò)上道工序后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)的小格，即晶粒，一般情 Probe儀對(duì)每個(gè)晶粒檢測(cè)其電氣特性，并將 裝入不同的托盤中，不合格的晶粒那么舍棄。3實(shí)用文檔.4、測(cè)試工序：芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前 制造芯片的根本原料制造芯片的根本原料:硅、

2、金屬材料(鋁主要金屬材料,電遷移特性要好.銅互連技術(shù)可以減小芯片面積，同時(shí)由于銅導(dǎo)體的電阻更低，其上電流通過(guò)的速度也更快、化學(xué)原料等。芯片制造的準(zhǔn)備階段200 毫米。在保存硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當(dāng)?shù)碾y度的intel 300 35 新技術(shù)的成功使得 intel 毫米硅15 億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹芯片的制造過(guò)程。實(shí)用文檔.CMOS (互補(bǔ)型金屬氧)N MOS 管和P MOS 管之間的交互作用。N P 在電子工藝中分別代表負(fù)極和正極。多數(shù)情況下，切片被摻入化學(xué)物質(zhì)形成P 型襯底，nMOS 電路的特性來(lái)設(shè)計(jì)，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節(jié)能。同時(shí)在多數(shù)情

3、況下，必須盡量限制pMOS 型晶體管的出現(xiàn)，因?yàn)樵谥圃爝^(guò)程的后期，需要將N 型材料植入P 型襯底當(dāng)中，這一過(guò)程會(huì)導(dǎo)致pMOS 管的形成。intel 90 寬度小到了驚人的 5 光刻蝕光刻蝕是芯片制造過(guò)程中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟10GB 20 步(每一步進(jìn)行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個(gè)紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜，試想一下，把整個(gè)紐約地圖縮小到實(shí)際面積大小只有100 個(gè)平方毫米的芯片上，那么這個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)有多么復(fù)雜，可想而知了。二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。摻雜實(shí)用文檔.要對(duì)暴露在外的硅層通過(guò)化學(xué)方式進(jìn)行離子轟擊，此處的目的是生成N P 溝道。這實(shí)用文檔.重復(fù)這一過(guò)程被單獨(dú)測(cè)試來(lái)確定該芯片有否特殊