歐洲質(zhì)量獎模型doc18

1、電磁.電子.理論11.電的的理解1.電的的本質(zhì)1）物質(zhì)質(zhì)和電：一切物物質(zhì)是很很少的分分子或原原子的集集合，原原子是由帶陽陽電的原原子核和和帶陰電電的電子子微粒子子來構(gòu)成成。原子核由由和電子子同數(shù)的的陽子和和不帶電電的中子子構(gòu)成。電子軌道原子核2)電子子和陽子子的性質(zhì)質(zhì)陽子是是帶正電電，電子子是帶負負電，同同種電的的相互排排斥，不同相互互吸引。電子的的質(zhì)量是是9.10955*10-31Kg陽子的質(zhì)質(zhì)量很重重1.67261*10-27Kg約是電子子的1840倍倍。1個電電子和陽陽子具有有的負電電和正電電子量的的絕對值值相同，是1.60219*10-19C。23)自由由電子：金屬的的情況是是繞原子子

2、核的電電子在最最外軌道道上轉(zhuǎn)動動，電子與原原子核結(jié)結(jié)合力弱弱，這些些電子具具有離開開原子核核自由移移動的性質(zhì)，這些電電子叫自自由電子子。電的的各種現(xiàn)現(xiàn)象幾乎乎都是在在自由電子的的作用下下產(chǎn)生的的。2.電的的發(fā)生物質(zhì)產(chǎn)生生余量（?；蛉比鄙伲┑牡恼娀蚧蜇撾娊薪衅湮镔|(zhì)質(zhì)陽（），陰（）導電。3.電荷荷與電量量通過物質(zhì)質(zhì)摩擦等等原因使使物質(zhì)導導電的為為電荷，且電荷荷具有的的電的量叫電量量。自由電子子自由電子子（a）中性的狀狀態(tài)（b）發(fā)生正電電（c）發(fā)生負電電34.電壓壓和電流流1）電流流：單位位時間內(nèi)內(nèi)通過導導體截面面積的電電量叫電電流。IQ/tAQ：電量C，t：時間即1s中1c通過的電電量移動動1g

3、的電。2）導體體和絕緣緣體導體：電電荷容易易通過的的物質(zhì)（金屬，鹽，酸酸，堿類類的水溶溶液）半導體體：在低低溫下電電荷很難難流動與與絕緣體體一樣，但溫度度升高就就和導體體一樣容容易導電電的物質(zhì)質(zhì)（硼，硅硅）絕緣體體（不導導體）：電荷很很難通過過的物質(zhì)質(zhì)（空氣氣，玻璃璃，橡膠膠）3）電壓壓：物質(zhì)質(zhì)的電性性高為電電位，電電流是從從高地方方向低流流，其差差為電位位差（電電壓）VW/QJW：功的量J，Q：電量CV即1c的電在兩兩點之間間作1j的功時這這兩點之之間的電電位差叫叫1V。還有像電電池一樣樣造成電位位差的力力叫作電電力。4）法則：回回路上流流的電流流強度是是與電壓壓正比，與電流流反比。I=V/

4、RAV:電壓V，R：電阻防礙電流流的流動動叫電阻阻，容易易導電的的程度叫叫CONDUCTANCE。用電阻的的逆數(shù)來來表示。G=1/RV=IR，I=GV# G是導電率率45.水和電的比較水的高度（h）（電壓v）管的粗（)（電阻）水流是大?。╬）電流（I）電阻大，電流小電阻小，電流大水流的大小是管的 粗成反比。 V=IR I=V / R2.電的的作用1.電的的熱作用用1）電力力：電以以能量原原因作的的功速度度表示1s之間的電電能量來來表示，單位是是瓦wattWP=W/tVQ/tEI=I2RE2/R（W）1（HP）746（W）3/42）電力量：說電的的熱量，單位是是（J）用（W.sec）表示。實實際

5、用（Wh.kwh）表示。W=VitPt（J）1（KWh）103（Wh）3.6*106（J）860（Kcal）53）效率效率 = 出力入力入力損失入力出力出力+損失2.法則則電阻（）里電流I(A)在t(s)之間流動動時在R力消費的的電力量量變換為為熱能。1cal4.186（J）1（J）0.24（cal）熱量H0.24I2Rt（cal） ，W=PtI2Rt（J），1KWh860（Kcal）P:電力（KW），H：熱量（Kcal）3.熱電電的現(xiàn)象象1）控制制效果：兩種金金屬接觸觸，兩金金屬點間間的溫度度差就生生成熱量量，電流流，這叫叫熱力電力。電流叫叫熱電流流，裝置置叫*。效效果為（seebeckef

6、fect熱電效果果）。利用這效效果溫度度表（溫溫度SENSOR類）廣泛泛應用。2）*效果果兩種類型型的金屬屬接合部部分的電電流在電電流方向向以外吸吸收或發(fā)發(fā)生熱現(xiàn)現(xiàn)象的吸吸收裝置有電電子冷凍凍機。63.電阻阻（Resistance）1.電阻1）固有電阻阻IARAIR =()I:單位面積積（m2），：固有電阻阻（m）長度為1（m），單位面積積為1（m2）的物體的的電阻按按物質(zhì)表表示的叫叫物體的固有電電阻。1（ m）102（cm）103（mm）- 1-100755025籃備金鋁鎢鋅鈦錫鎳104100706530281791.7歷親撈利促歷親撈農(nóng)促(傈幅啊儒福扁獎促.)(傈幅啊儒福扁絹菲促.)檔眉狼

7、輛幅客傈扁儒撫狼厚背電阻?。娏魅萑菀琢鳎╇娮璐螅娏骱芎茈y流）導體體種種類類和和電電流流比比較較銀銅72）導電電率=1 /=1/(RA/I)=I/RA3)D電阻的溫溫度系數(shù)數(shù)：電阻阻溫度上上升1時，與與原電阻阻值電阻阻上升的的比率叫叫溫度系數(shù)。RrRt1t（Tt）t 0/（1 0t）純銅在0 時時的溫度度系數(shù)01/234.50.00427金屬的溫溫度上升升就電阻阻就增加加，半導導體或電電解液的的電阻減減少。2.電阻器（Resistor） 防礙電流的流動的素子 符號：R 單位：Ohm（） 公認符號：8電阻體體必要條條件 固有有電阻要要大 電阻阻的溫度度系數(shù)要要小 對銅銅的熱起起電力要要少電阻種

8、種類 固定定電阻：標準電電阻，線線圈電阻阻，碳皮皮莫電阻阻，CHIP電阻 可變變電阻：slide電阻，dial型電阻，plug電阻 氫化化物電阻阻器（HydridResistor）水電阻器器特殊電電阻 絕緣緣電阻，接地電電阻，接接觸電阻阻，電解解液電阻阻測定電電阻 中電電阻測定定：電壓壓，電流流計法（電壓，降下法法），回回路實驗驗計 低電電阻測定定：電位位差計 高電電阻測定定：絕緣緣電阻計計，megger特殊電阻阻測定：coulausibridge9- 1 -【10%【5%【1%【2%【0.5%【0.25%【0.1%【20%012345678901234567890123456789】0.01

9、】0.1】1】10】100】1】10】100】1】10】100】1G3.電阻阻值標識識方法藍 灰褐褐黑黑紅紅藍灰紅金金6812%6.8K5%五色電阻阻的第一一帶（顏顏色）colour銀色金色黑色褐色紅色桔黃色黃色綠色藍色紫色灰色白色none四色電阻阻的第一一帶（顏顏色）10- 1-4.電阻阻的接觸觸串聯(lián)合成電阻阻R =R1 +R2 +R3 +.Rn電壓比V1 :V2 :V3 =IR1 :IR2 :IR3= R1 :R2 :R3- 1-R3V3=-VRR2V2=-VRR1V1=-VR并聯(lián)合成電阻阻R1R111R21R31Rn+.電流比：I1：I2：I3VR1VR2VR3:- 1-RI1=-IR1

10、RI2=-IR2RI2=-IR2電阻串聯(lián)聯(lián)接觸的的合成電電阻電阻并聯(lián)聯(lián)接觸的的合成電電阻114. 容量（Capacitance） 為儲存電荷為目的作的，Condenser，儲存電荷的能力叫靜電容量。 符號：C（Coulomb） 單位：F（Farad） 國際公認符號：1.Condenser的結(jié)構(gòu)Condenser是如上圖圖2張金金屬板（電極板板）相對對的結(jié)構(gòu)構(gòu)。這Condenser上加電壓壓就+正正電極的的金屬板板儲存+電荷，負極板板的金屬屬板上儲儲存-電電荷兩極極上儲存存電荷叫叫充電。122.靜電電容量Condenser儲存的電電荷的量量Q(C)是與Condenser的靜電容容量和加加的電壓壓

11、成比例例。Q=C*VQ:電荷，C：靜電容量量，V：加的電壓壓C大就在低低的電壓壓下能儲儲存很多多電荷，C小就電壓壓高也只只能儲存存一點電電荷。所以有1（F）靜電容量量的Condenser加1（V）的電壓時時可以儲儲存1（C）的電荷容容量。還有加某某電壓（V）儲存電荷荷Q(C)其靜電容容量C(F)是- 1-QC=(F)VCondenser儲存的電電荷的量量極少使使用（F）的單位，使用上上不便，在電子子回路上上多使用用F或PF.133.Condenser的充，放放電Condenser上儲存電電荷叫充充電，充充電原因因流的電電流叫充充電電流流。 把充充電的Condenser短路時瞬瞬間流電電中和的的

12、叫放電電，放電電時流的的電流叫放電電電流。電壓電流流充電電壓壓充電電流流電壓電流流放電電流流放電電壓壓Condenser的充電特特性Condenser的放電特特性4.時常常數(shù)充電時Vc一定的電電壓稱V的63.2時間間，放電電時Vc一定的電電壓的36.8的時間間叫時常常數(shù)。符號單位sec（秒）時間時間14充電放電Condenser充電放電電特性充電S /W充電電流流放電電流流充電放電電回路Condenser端子電壓壓充電放電時間時常數(shù)的的意義（sec）C(F)*R()：時常數(shù)，C：靜電容量量，R：電阻Inductance和R的直列回回路上在在L上流的電電流是與與Condenser情況相同同，這時

13、時常常數(shù)是（sec） L(H)/R()：時常數(shù)，L:電感，R：電阻時間時間放電155.Condenser的表示 Ceramic Condenser- 1 -103K=10*1 03=10,000pF=0.01F誤差:10%,K級符號CDFGJKMNZPVX公差(%)0.250.5125102030+80-2 0+100-0+20-1 0+40-2 0公差表示顏色紅 黃黑 青紫 桔黃 綠 無色 符號 LHRHCHTHUJPHSHSL表示意義容量表示10的平方誤差Condenser特征103K特性表示符號及顏色16（Mylar）Condenser靜電容量量：22*103Pf0.022F誤差K：10

14、額定使用用電壓：50V 電解解Condenser6.Condenser連接1）串聯(lián)聯(lián)- 1-VQQQV1V2V3C1C2C3111V=Q(+)C1C2C3Q：儲存的電電荷（C，庫）C1C3:各Condenser容量（F,法）V1V3：各Condenser兩端電壓壓（V，伏）17合成靜電電容量2）并并聯(lián)接觸觸- 1-VQ1Q2Q3C1C2C3Q1Q3：各Condenser儲存的電電荷（C，庫侖）C1C3:各Condenser容量（F,法拉）V1V3：各Condenser兩端電壓壓（V，伏特）- 1-Q1=C1V,Q2=C2V,Q3=C3VQ=Q1+Q2+Q3=V(C1+C2+C3)QC=C1+C

15、2+C3FV合成靜電電容量185.電感感（Inductance）把導體卷卷成圓筒筒狀的叫叫Inductor或或coin，coin具有電電特性（大?。?，用Inductance表示。1.電特特性 電流流的流動動常數(shù)磁磁力或起起電力。 防礙礙交流的的電流2.符號號，單位位，公認認符號 符號號：L單位：H(Henry)（1H：1s間 1A的電流有有變化時時發(fā)生1V的起電力力的Inductance。公認符號號：空芯芯（AirCore）鐵芯（Iron Core） Core使用H一般很少少，通常常使用H或mH單位。193.按Core動作分類類和用途途Core動作應用用途電流產(chǎn)生生磁力磁素的原原因得到到機械力

16、力錄音Head，M/T回轉(zhuǎn)管的的偏向CoreDY使電子的的流動偏偏向的磁磁系Microphone誘導起電電力core，F(xiàn)ilter遲返特性性延遲回路路引起共振振與Condenser并用共振特性性發(fā)振回路路產(chǎn)生比例例電流的的磁系4.core的連接串聯(lián) 并聯(lián)聯(lián)合成inductance合成inductance206.交流流（AC）1.SINE波交流1）交流流：隨時時間的變變化大小小和方向向周期變變化的電電流，電電壓叫交交流電壓壓，電流流叫交流流電流。相相反方向向和大小小不變，流的方方向一定定的叫直直流電，直流電電壓。2）周期期和頻率率：周期：1頻率率變化所所需的時時間叫周周期。單單位上（SEC）。頻

17、率：1秒內(nèi)變變化的頻頻率數(shù)叫叫之。周期與與頻率的的關(guān)系T=1/f (s),f=1/T(Hz)- 1 -0it0itT(s)0it林扁2直流（DC）DirectCurrent交流（AC）AlternatingCurrent交流的周周期周期212.交流流的大小小1）瞬時時值：交交流是隨隨時間變變化，任任一的瞬瞬間的大大小叫瞬瞬時值。2）最大大值：在在瞬時值值中最大大 的值值叫最大大值。3）實效效值：把把交流的的大小轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換為作作同樣功功的直流流的值叫叫實效值值。正弦波的的實效值值正是最最大值。Em的1/（位）即即，E 1/Em（V）4）交流的瞬瞬時值的的瞬間到到下次為為止，陽陽（+）的半周周期的瞬瞬

18、時值的平均叫叫平均值值。平均值Eavg叫最大值值Em之間是Eavg= 2/ Em0.637Em(V)2222- 1-+Peak-PeakPeakTOPeak(p-p)RMSAVG063.770.7100RMS:實效值，AVG：平均值，Peak：最大值，Peak to Peak：幅度- 1 -237.電子子部品1.二極極管（Diode）具有使電電流向一一個方向向，反方方向不讓讓流的性性質(zhì)的（整流作作用）的素子。1）Diode結(jié)構(gòu)，外外觀，符符號PN結(jié)合Diode是鍺或硅硅的單品品里使結(jié)結(jié)晶成晶晶體，P型半導體體部分和N型半導體體部分連連接做出出的。這內(nèi)部的的原理結(jié)結(jié)構(gòu)如上上圖是二二極管，電極是是

19、P向端子，（陽極極）N向端子（陰極）構(gòu)成。- 1 -PNAKAKPN圈磊蠟傈磊hall自由電子子AK陰極波段段陽極陰極24- 1 -鑒規(guī)氫傈拘開規(guī)氫傈鑒規(guī)氫傈幅開規(guī)氫傈幅親汗傈拘PN+開規(guī)氫傈幅鑒規(guī)氫傈幅2.Diode特性順方向電電流逆方向電電壓逆方向電電流順方向電電流逆方向電電流順方向電電流電壓與與電流的的關(guān)系不不是直線線，不符符zenerOhm法則小的順順方向電電壓能讓讓大電流流，硅Diode約0.2V，鍺Diode約0.6V逆方向電電壓大就就大電流流突然逆逆方向流流，這并并不是PN結(jié)合被破破壞，電壓減少少就電流流也趨于于0。這這現(xiàn)象叫叫抗復現(xiàn)現(xiàn)象。電電流突然然增加時時的電壓叫叫抗復電電壓

20、或zener電壓?？箯碗妷?53）Diode的不良判判定（使使用法參參照）測定順順序萬用表表電阻Range調(diào)為*1K。測定筆（紅色與與黑色）接觸調(diào)調(diào)零。測試的的Diode的正級（A）黑對黑筆筆，負極極（K）對紅筆（順方向向TSET）指針不到到0處停停在中間間就好。（按Diode特性有所所不同）相反（A）對紅筆，負極對對黑筆（逆方向向測試）指針不不動就好好。zenerDiode是逆方向向TSET時電壓低低的時候候指針上上去一點點。 發(fā)光光二極管管（LED:LightEmittingDiode）的TEST時放*1range里后作順順方向?qū)嶒烌灂r高就就良好。順方向TEST逆方向TEST正極負極26靜

21、電壓Diode（ZenerDiode）利用逆方方向抗復復現(xiàn)象的的，抗復復電壓叫叫Zener電壓。Zener電壓大小小是隨著著被添加加的不純純物質(zhì)的的量，擴擴散時間間，合金溫度度被確定定的。用途：靜電壓壓Diode。鑒規(guī)氫傈拘順方向電流逆方向電流順方向電壓逆方向電壓Zener電壓特性曲線記號272.三極極管1）概要要- 1 -CEBPNPEBCNPNE:發(fā)射極（Emitter）B:基極（Base）C:集電極（Collector）ECBECB28- 1-瀝傍傈磊瀝傍PNPBCEVBEVCE傈磊瀝傍傈磊NPNBCEVBEVCE真空電子真空電子真空電子2）Transistor動作領(lǐng)域域VBE（+）VB

22、E（-）（+）（-）活性領(lǐng)域域飽和領(lǐng)域域逆活性領(lǐng)領(lǐng)域切斷領(lǐng)域域29- 1-3）Transistor種類CEBECBECBECBEBCEBCEBCECBEBCEBCCEBECBECB304)半導導體素子子的形成成名- 1-2SC945A第一行數(shù)數(shù)字0:PHOTO1:DIODE2:TR,FET3:4段FET4:5段FET第二行文文字意味著半半導體素子子第二行文文字意味著半半導體素子子第三行文文字用途別區(qū)區(qū)分A:PNP高波形B:PNP低波形C:NPN高波D:NPN低波形F:PGATE3極G:NGATE3極H:TR(UJT)J:PCHANNELFETK:NCHANNELFETM:TRIACP:發(fā)光素子

23、子V：可變?nèi)萘苛康?行文文字登錄順番番號11開開始連續(xù)番號號第5行數(shù)數(shù)字改良品種種把圓形變變更的變更次次序貼A,B,C,D,E,F,G,N,J,K。還有極性性相反的Diode貼R。參照制造造公司的名稱（Catalog）313.直接回路（IC:Integrated Circuit） 三極管，二極管，電阻，電容等電子部品結(jié)合的叫CHIP的小的半導體， chip是在金屬或plastic package內(nèi)設(shè)置的接點與外部端子來構(gòu)成。 1）優(yōu)點：小型，高信賴性，低價，動作速度快，低電力消耗，外部配線少。 2）發(fā)展過程- 1 -10-1210-910-610-3柳傍包飄罰瘤膠磐籠利雀肺家屈哪腔磐狼慣傈(措

24、痹葛IC(LSI)HEMT第1代第2代第3代第4代第35代真空管transistor直接回路小型COMPUTER的發(fā)展大規(guī)模IC（LSI）HEMT真空管 transistor IC LSI 鉀 素子回路/1素子 14回路 10200回路/ 420010000 10萬回路 /1素子 1chip 回路/1chip 以上1ms1s1n s1ps322)直接接回路的的分類按結(jié)構(gòu)構(gòu)分 雙極極型直接接回路（Bipolar IC）：利用普通通transistor結(jié)構(gòu)在11個的的板上構(gòu)構(gòu)成回路路。MOS型直接回回路（MOSIC）：MOS型電效果果Transistor（FET）直接回路路也叫單單極型直直接回路。

25、按功能能分類 線型型直接回回路（LinearIC）：一般增幅幅回路，驗算增增幅回路路等的直直接回路路。 數(shù)字字直接回回路（Digital IC）：閥門等的的構(gòu)成Digital回路的直直接回路路。按制造造技術(shù)的的分類 半導導體直接接回路：半導體體基板上上作的各各素子之之間接觸觸的之間間回路一一般使用用的多。 薄膜膜直接回回路（Thin FilmIC）：絕緣物基基板上電電阻，電電容，三三極管等等素子和和回路接接觸按薄膜結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)成成的直接接回路。 混性性直接回回路（HybridIC）：半導體IC和薄膜IC混成的直直接回路路。按規(guī)模模分類 小規(guī)規(guī)模IC（SSI）：100素子以內(nèi)內(nèi)中規(guī)模模IC（MSI）：100素子以上上，1000素素子以內(nèi)內(nèi)大規(guī)模模IC（LSI）：1000素子以上上333）直接接回路的的型名和和外形添字：RSN：放射能無無影響回回路SN標準品SNM：SNC,SNH,SNJ等特殊 按制制造MAKER分類（HD,HC,TC,TD,UA,UP.