手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解_第1頁(yè)
手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解_第2頁(yè)
手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解_第3頁(yè)
手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解_第4頁(yè)
手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩5頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解xxx公司手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解文件編號(hào):文件日期:修訂次數(shù):第1.0次更改批準(zhǔn)審核制定方案設(shè)計(jì),管理制度保護(hù)板知識(shí)講解保護(hù)板的主要保護(hù)功能:過(guò)充電保護(hù)功能過(guò)放電保護(hù)功能過(guò)電流保護(hù)電流包括過(guò)流1過(guò)流2短路保護(hù)主要器件IC它由精確的比較器來(lái)獲得保護(hù)可靠的保護(hù)參數(shù),主要參數(shù):-過(guò)充電壓-過(guò)充恢復(fù)電壓-過(guò)放電壓-過(guò)放恢復(fù)電壓-過(guò)流檢測(cè)電壓-短路保護(hù)電壓-耗電MOSFET串在主充放電回路中,擔(dān)當(dāng)高速開關(guān),執(zhí)行保護(hù)動(dòng)作。我司所用的都是串在B-P-間。MOSFET包含三個(gè)電極:漏極(D)源極(S)柵極(G);當(dāng)G極為高電平時(shí),D極與S極導(dǎo)通,當(dāng)G極為低電平時(shí),D極與S極斷開。主要參數(shù):-內(nèi)阻-耐電流-耐電壓-內(nèi)部是否連通-封裝FUSEPTC:二次保護(hù)器件。電流導(dǎo)通流程圖:正極:B+FUSEP+負(fù)極:B-MOS(2、3)腳MOS(1)腳MOS(8)腳MOS(5、6)腳夫P--通常狀態(tài):當(dāng)電芯電壓在2。5V---4。2V之間,IC的充電控制腳(第1腳)和放電管控制腳(第3腳)同時(shí)處于高電平,充電MOS、放電MOS同時(shí)打開,B-與P-連通,保護(hù)板有輸出電壓,能正常允放電.-過(guò)放狀態(tài):當(dāng)電池接上手機(jī)等負(fù)載后,電芯電壓漸漸降低,同時(shí)IC同部通過(guò)R1電阻實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電芯電壓,當(dāng)電芯電壓降到IC的過(guò)放保護(hù)電壓時(shí),IC放電控制腳(第1腳)輸出電壓為0V,即低電平,放電MOS關(guān)閉,無(wú)輸出電壓。-過(guò)充狀態(tài):當(dāng)電池通過(guò)充電器充電時(shí),隨著充電時(shí)間的增加,電芯電壓越來(lái)越高,當(dāng)電芯電壓升高到過(guò)充保護(hù)電壓時(shí),IC將認(rèn)為電芯處于過(guò)充電電壓狀態(tài),IC的充電控制腳(第3腳)輸出為低電平,即0V;此時(shí)充電MOS管關(guān)閉,B-與P-處于斷開狀態(tài),充電回路切斷,充電停止。保護(hù)板處于過(guò)充狀態(tài)并一直保持。等到P+P-之間接上負(fù)載后,因此時(shí)雖然充電管處于關(guān)閉狀態(tài),但其內(nèi)部的二極管的正方向與放電回路的方向相同,故放電回路可以放電,當(dāng)電芯電壓被放低至過(guò)充電恢復(fù)電壓以下時(shí),充電管又導(dǎo)通,電芯的B-與保護(hù)板的P-又重新接上,電芯又能正常的充放電。-過(guò)流及短路保護(hù):當(dāng)電池的負(fù)載電流超過(guò)IC的過(guò)流保護(hù)值時(shí),IC的放電控制腳(第1腳)輸出低電平,MOS管關(guān)閉。常見的問(wèn)題點(diǎn):-內(nèi)阻大:決定電池內(nèi)阻的器件有PCB的線阻,MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻,F(xiàn)USE的內(nèi)阻,電芯內(nèi)阻及鎳片的電阻。解決方法:首先判斷電芯內(nèi)阻(一般要求小于60mΩ)是否超過(guò)標(biāo)準(zhǔn),其次是測(cè)試保護(hù)板內(nèi)阻(一般要求小于60mΩ)、FUSE內(nèi)阻(一般要求小于15mΩ),最后檢查鎳片及接觸電阻(一般要求小于15mΩ)-無(wú)電壓無(wú)內(nèi)阻(不能充放電等):無(wú)電壓無(wú)內(nèi)阻通常是充電MOSFET關(guān)閉或放電MOSFET關(guān)閉或充放電MOS同時(shí)關(guān)閉,導(dǎo)致MOS管關(guān)閉的原因有IC不能正常工作或MOS管自身?yè)p壞或MOS連錫,虛焊。解決方法:先檢查IC第5腳電壓電否正常(電壓與電芯電壓相同),第6腳與B-是否連好,電芯電壓是否正常,R1電阻是阻值是否正確,R1是否虛焊。其次檢查IC的充電控制腳(3腳)和放電控制腳(5腳)電壓是否正確(在通常的狀態(tài),IC的1、3腳都是高電平,等于電芯電壓)。再次檢查MOS是否短路,虛焊。無(wú)ID(熱敏):ID電阻一端連接保護(hù)板的P-端子,一端連接保接保護(hù)板的ID端子,若有此類問(wèn)題時(shí),可首先確認(rèn)線路是否導(dǎo)通,其次可

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論