長春理工大學(xué)光電檢測填空和簡答考試必備

B半體對光的吸收:半導(dǎo)體受光照射時，一質(zhì)型半導(dǎo)光敏電阻。部分光被反射部分光被吸收導(dǎo)體對光G光電阻的相對光電導(dǎo)隨溫度升高而降低，的吸收可分為:本吸收，雜質(zhì)吸收，激子吸光響應(yīng)受溫度響較大收，自由載流子吸收和晶格吸收。能引光G光敏電阻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則提光電應(yīng)有本征吸收、雜質(zhì)吸收。敏阻的光電導(dǎo)靈敏，盡可能地縮短B本征半導(dǎo)體光敏電阻常用于可見光波段的光電阻兩電極間的距離L。測探質(zhì)半導(dǎo)體光敏電阻用于紅外波G光電阻的本特性特響，段甚至于遠(yuǎn)紅外波段輻射的探測。光譜響應(yīng)，伏安特性，噪聲特性。B導(dǎo)體激光器發(fā)光原理激射子G光電阻的光電特性光照量的變化反轉(zhuǎn)和諧振。

導(dǎo)變化越大的光敏電阻就越靈敏。C粗柵和細(xì)光柵d大于波λ叫粗G光電阻的噪聲特性噪生復(fù)合噪光柵，柵距近于波長λ的細(xì)光柵。聲低噪聲熱噪光電阻內(nèi)的載流子C由電子的遷移率遠(yuǎn)大于空穴的遷移率熱動產(chǎn)生的噪聲低噪是光敏阻再此型CCD比型的作頻率高很多。騙置電壓作用下會產(chǎn)生信號光電流光D丹效應(yīng)載子遷移的差別產(chǎn)生受層微粒的不均勻生微火花電爆放電現(xiàn)照面與遮蔽面之間的伏特現(xiàn)象。象微火花放電引起的電爆脈沖就是低頻F發(fā)生本征吸收的條件光子能量必須大于半噪聲來源。導(dǎo)體的禁帶寬度光電的光譜響應(yīng)電阻的電流靈敏F輻射源一般由光源及其電源組成將電度與波長的關(guān).決定素主要有光敏材料禁能轉(zhuǎn)化成光能的系統(tǒng)。

帶寬度,質(zhì)電離,料摻雜比與摻雜濃度等F發(fā)光效率：由內(nèi)部與外部量子效率決定。G光電阻的設(shè)計(jì)的三種基本結(jié)構(gòu)狀F發(fā)光譜LED發(fā)光的相對強(qiáng)隨波長形刻線結(jié)構(gòu)。變化的分布曲線。

G光電阻電流與光照強(qiáng)度的曲線度很F發(fā)光二極管基本結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管和發(fā)低時曲近似為線形度升高曲線近似光二極管。

為拋物線形。G光檢測技術(shù)采用不同的手段和方法獲取G生伏特器件光生伏特效應(yīng)制造的光信息，運(yùn)用光電技術(shù)的方法來檢驗(yàn)和處理信電件。息，從而實(shí)現(xiàn)各種幾何量和物理量的檢測G光二極管的光譜響應(yīng)功率的不同單G光系統(tǒng)組成輻射源，光學(xué)系統(tǒng)，光電系色輻射波長的光作用于光敏二極管上時統(tǒng)，電子學(xué)系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)應(yīng)度或電流靈敏度與波長的關(guān)系。G光于物質(zhì)作用產(chǎn)生的光電效應(yīng)分為：內(nèi)光位置敏感器(PSD)：是基于光生伏特電效應(yīng)和外光電效應(yīng)。

器件的橫向光電效應(yīng)的器件種對入射到G光電導(dǎo)效應(yīng)：半導(dǎo)體受到光照后，其內(nèi)光敏面上的光斑位置敏感的光電器件。產(chǎn)生光生載流子導(dǎo)中載流子數(shù)量顯著主要性位置檢測特性近似于線性但邊增加而電阻減小的現(xiàn)象。

緣部分線性較差。G（征）光電導(dǎo)效應(yīng):在光作用下由本征G光倍增管一真光電發(fā)射器件吸收引起的半導(dǎo)體電導(dǎo)率發(fā)生變化的現(xiàn)象要入射窗光電陰極電子光學(xué)系統(tǒng)倍G光電導(dǎo)的馳豫，決定了在迅速變化的光極和陽極等部分構(gòu)成靈度高和響應(yīng)速下一個光電器件能否有效工作的問題。度快等特點(diǎn)在譜探測和極微弱快速光G光伏特效應(yīng)是基于半導(dǎo)體PN結(jié)基礎(chǔ)上信的探測方面成為首選。的一種將光能轉(zhuǎn)換成電能的效應(yīng)光倍增管的量子效率響這兩個參G光磁電效應(yīng)：在垂直于光照方向與磁場數(shù)主要取決于光電陰極材料。向的半導(dǎo)體上、下表面上產(chǎn)生伏特電壓。光敏晶體管工作原理光電轉(zhuǎn)換,電流放大G光子牽引效應(yīng)：在開路的情況下，半導(dǎo)G光合器件光與光電接收器件組合材料將產(chǎn)生電場，它阻止載流子的運(yùn)動。成體，制成的具有信號傳輸功能的器件。G光檢測典型器件:電導(dǎo)器件，光生伏特G光譜分布的兩個主要參量波和發(fā)光器件光電發(fā)生器件輻探測器件釋電強(qiáng)度的半寬度。器件，光耦合器件和圖像傳感器件。G光檢測電路光電器件入電路和前G光敏電阻：在均勻的具有光電效應(yīng)的半置放大器等組成。體材料的兩端加上電極便構(gòu)成光敏電阻。光電效應(yīng)照而引起物體電學(xué)特性的G光敏電阻分類：本征半導(dǎo)體光敏電阻、變的現(xiàn)象

G光電耦合器件：可以實(shí)現(xiàn)前后級電路隔B導(dǎo)體光電導(dǎo)效應(yīng)與入射輻射通量的關(guān)系：的較為有效的器件。

在弱輻射作用的情況下是線性的輻增光產(chǎn)生的基本條件受激輻射粒數(shù)反強(qiáng)線關(guān)系變差當(dāng)射很強(qiáng)時變?yōu)閽佄镛D(zhuǎn)和共振腔

線關(guān)系。替變化的光信號須所選器件的限C與CCD比結(jié)和工作原理截止頻率大于輸入信號的頻率才能測出輸入產(chǎn)圖低噪聲高性能但構(gòu)復(fù)雜耗電量信號的變化。

大，成本高通X-Y尋技術(shù)直接M莫條紋當(dāng)兩塊光柵以微小傾角重疊時從開關(guān)陣列中直接輸出，比，方便在與刻線大致垂直的方向上到暗相間制造：CCD要求嚴(yán)格CMOS制簡單3.性的粗條紋。特：1.移放大作用。2.差平能較CCD信讀取方式簡單，速度均效應(yīng)。輸出信號與光柵位移相對應(yīng)。4.實(shí)快電低，成像質(zhì)量和靈敏度CCD要優(yōu)于現(xiàn)自動控制、自動測量。

CMOS。N量最高的是價電子填滿的能帶,為價帶D電子運(yùn)動的三個重要特點(diǎn)電繞核運(yùn)動價帶以上的能帶基本上是空的其最低的帶由于微觀粒子具有粒子與波動的兩重性稱為導(dǎo)帶價帶與導(dǎo)帶之間的區(qū)域則為禁帶以電子沒有完全確定的軌道在個原子或P結(jié)：PN結(jié)將P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)分由原組成的系統(tǒng)中有個電子屬一別對半導(dǎo)體摻雜而成的。一般把型區(qū)和N個量子態(tài)。型區(qū)之間的過度區(qū)域稱為PN結(jié)。發(fā)光二極管的發(fā)光機(jī)理一注入式電致R熱射探測器件光射與物質(zhì)相互作光器件,它由型N型導(dǎo)體組合而,用的熱效應(yīng)制成的器件。

其發(fā)光機(jī)理常分為P結(jié)注入發(fā)光與異質(zhì)注入R熱電阻入輻射后起升溫而使電發(fā)兩種PN結(jié)注發(fā):結(jié)處于平衡狀阻值改變致負(fù)載電阻兩端電壓的變化態(tài)存在一定的勢壘。當(dāng)加正偏壓時PN給出電信號的元件?；簩?dǎo)對光結(jié)勢壘降散注入的大量非平衡載的晶格吸收和激子吸收產(chǎn)載流子在子不斷地復(fù)合發(fā)光，并主要發(fā)生在P區(qū)不同程度上轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?，引起晶格震動加劇G光檢測系統(tǒng)的組成及各部分用輻使器件溫度上升，即器件的阻值發(fā)生變化。射將電能轉(zhuǎn)換成為光能到合后面光結(jié)熱材料制成的厚度為右學(xué)統(tǒng)要求的波段范圍和光強(qiáng)度；光學(xué)系統(tǒng)：的薄皮電阻粘合在導(dǎo)熱能力高的絕緣墊襯底將射源發(fā)出的光進(jìn)行光學(xué)色散、幾何成像、上體兩端蒸發(fā)金屬電極以便與外電路連分束和改變輻射流的傳送方向電統(tǒng)接把底與一個熱容很大熱能良好光信號轉(zhuǎn)換成電信號的系統(tǒng)子系統(tǒng)的金屬連接，構(gòu)成熱敏電阻。光系統(tǒng)傳輸過來的電信號進(jìn)行放大機(jī)R熱偶用質(zhì)溫差產(chǎn)生電動勢的效應(yīng)系包括自動控制數(shù)據(jù)處理顯輸出等探測入射輻射的。

G光伏特效應(yīng)與光電導(dǎo)效應(yīng)的區(qū)別和聯(lián)系：R熱電器件種用熱釋電效應(yīng)制成的同于內(nèi)光電效應(yīng)別生特效應(yīng)是少熱探測器件。

數(shù)載流子導(dǎo)電電應(yīng)是多載流子導(dǎo)電W溫差澤貝克)熱電效應(yīng)：兩種金屬材料A的光電效應(yīng)。和B組成一個回路時，若兩金連接點(diǎn)的溫光電效應(yīng)導(dǎo)外加磁場場方向與度存在著差異，則在回路中會有電流產(chǎn)生。光方向垂直導(dǎo)受光照射產(chǎn)生丹倍效X雪效應(yīng)在敏二極管結(jié)加當(dāng)時于電子和空穴在磁場中運(yùn)動會受到洛大略低于擊穿電壓的反向偏壓將產(chǎn)生倫茲力的作用，使它們的運(yùn)動軌跡發(fā)生偏轉(zhuǎn)，一個很高的電場載子雪崩增出空穴半導(dǎo)體的上方偏轉(zhuǎn)子向下方流迅速增加。

果在垂直于光照方向與磁場方向的半導(dǎo)體上、X陷效應(yīng)能累非平衡載流子的作用下面產(chǎn)生伏特電壓，稱光磁電場。Z只有本征吸收和雜質(zhì)吸收能夠直接產(chǎn)生非光電阻的基本原理敏阻的兩端加平衡載流子，引起光電效應(yīng)上當(dāng)?shù)碾妷汉蟊阌须娏髁鬟^電流表檢Z載流子的運(yùn)動形式：擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動測該電流。改變照射到光敏電阻上的光度量，擴(kuò)散運(yùn)動子由熱運(yùn)動造成從高濃度處現(xiàn)流過光敏電阻的電流發(fā)生變化光向低濃度的遷移運(yùn)動。

電阻的阻值隨照度變化。漂移運(yùn)動除了熱運(yùn)動以外獲得的附加運(yùn)動。G光二極管光電池的異同同是光Z雜質(zhì)吸收型導(dǎo)體和型導(dǎo)體吸收足生特效應(yīng)器件。不同：截面積比光電池小，夠能量的光子，產(chǎn)生電離的過程。輸出電流普遍比光電池?。浑娮杪时裙怆姵?/p>

高作底材料摻雜濃度比光池低敏減小了極間距。二極管在反向偏置電壓下工作而光電池多工緣體、導(dǎo)體、半導(dǎo)體的能帶情況：一般，作在零偏。

絕緣體的禁帶比較寬，半導(dǎo)體與絕緣體相似，G光位置敏感器(PSD)工作原理：當(dāng)光束其禁帶比較窄而導(dǎo)體分兩種種它的入射到器件光敏層上距中心點(diǎn)的距離為價帶有被電子填滿高能量電子只能填時在入射置上產(chǎn)生于入射輻射成正比充價的下半部分半分空著種是它的信號電荷，此電荷形成的光電流通過P型的帶與導(dǎo)帶相重疊。層電阻分別由電極與輸出。設(shè)型層的N內(nèi)電效應(yīng)光激發(fā)所產(chǎn)生的載流子在電阻是均勻的，兩電極間的距離是，流過物內(nèi)部運(yùn)動質(zhì)電導(dǎo)率發(fā)生變化或產(chǎn)兩電極的電流分別為I1和I2則流過N層生生電動勢的現(xiàn)象上電極的電流為I0=I1+I2，以器的型電二極管的構(gòu)成及I層用：在高幾何中心點(diǎn)O為點(diǎn)，光斑中A距點(diǎn)O摻P型N型導(dǎo)體之間生成一層本征半的距離為，則I1=I0((L-Xa)/2L)，導(dǎo)材料或低摻雜半導(dǎo)體材料用寬光I2=I0((L-Xa)/2L)，。電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域了子效率與靈G光電倍增管的基本特性：1.靈敏度(陰極靈敏度高擊穿電壓可承受較高的反向偏敏度、陽極靈敏電流放大倍增益)3.暗壓線性輸出范圍變寬且減少了串聯(lián)電電流影響素:歐漏電;熱射;殘氣體放阻時間常數(shù)高應(yīng)速度高頻率應(yīng)電場致發(fā)射玻璃殼放電和玻熒)4.聲R熱偶的工作原理用物質(zhì)溫差產(chǎn)生G光合器件的特點(diǎn)具電隔離功能2信動勢的效應(yīng)探測入射輻射的。號傳輸方式性具有抗干擾和噪聲的能X雪二極管與PIN型光敏二極管和普通二力響速度快實(shí)性強(qiáng)既有合特性極管的異同者都是基于PN的結(jié)型光電又具有隔離特性。

探測器，工作在伏安特性曲線的第三象限。應(yīng)1.平轉(zhuǎn)換2.輯門電路3.隔離方面的型光電二極管響應(yīng)頻率高，響應(yīng)速度快，應(yīng)用晶閘管控制電路

供電電壓低作分穩(wěn)定崩極管靈敏G光檢測器件與熱電檢測器件區(qū)別熱度響應(yīng)高但工電壓高性能與入射光檢測器件常熱釋電探測器敏電阻熱功率有關(guān)；光電二極管響應(yīng)速度慢。電偶、熱電堆。響應(yīng)波長無選擇性，響應(yīng)慢外光電效應(yīng)：被光激發(fā)產(chǎn)生的子逸出物光檢測器件：常用、光電池、光敏質(zhì)面，形成真空中的電子的現(xiàn)象。二極管。響應(yīng)波長有選擇性，存在截止波長X怎用象陣傳感器檢測光位置斑超過無光譜響應(yīng)，響應(yīng)快。在象限器件的光敏面上時偏的方向G光調(diào)制（調(diào)制盤）的作用避了直流或小就可以被電路檢測出來，光斑偏向P2放大器零點(diǎn)漂移的缺點(diǎn)。過背景。消除區(qū)P2的流大于P1的流放器的輸出探測器和前置放大器的低頻噪聲4.以判別電壓為大于0的電壓值大小反應(yīng)輻射信號的幅值和相位類：幅度調(diào)制盤光斑的偏離程度，反之，若光斑偏向區(qū)相位調(diào)制盤、頻率調(diào)制盤。輸電壓將為負(fù)電壓壓大小反應(yīng)光斑G光電導(dǎo)是什么，為什么產(chǎn)生光電導(dǎo)，從偏向P1區(qū)的程度，因此，由二象限器件組成導(dǎo)體理論導(dǎo)應(yīng)可分為本光電導(dǎo)效