工學(xué)第3章-TMS320C55x的指令系統(tǒng)課件

TMS320C55x的指令系統(tǒng)

尋址方式TMS320C55x的指令系統(tǒng)

12/31/20221東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院TMS320C55x的指令系統(tǒng)12/指令中使用的語法元素符號(hào)如下：Smem：來自數(shù)據(jù)、I/O空間或存儲(chǔ)器映射寄存器的16bit數(shù)據(jù)；Lmem：來自數(shù)據(jù)空間或存儲(chǔ)器映射寄存器的32bit數(shù)據(jù)；Xmem&Ymem：同時(shí)來自數(shù)據(jù)空間的兩個(gè)16bit數(shù)據(jù)；Cmem：來自內(nèi)部數(shù)據(jù)空間的16bit數(shù)據(jù)；Baddr：代表累加器AC0-AC3、輔助寄存器AR0-AR7、暫存器T0-T3的位域，對(duì)位域的置1、清0、測試、求補(bǔ)等位運(yùn)算用到該元素。(Bit-Address)12/31/20222東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院指令中使用的語法元素符號(hào)如下：12/27/20222東華理工指令中涉及的寄存器如下：1.累加器（AC0-AC340bitACxG:ACxH:ACxL）2.擴(kuò)展數(shù)據(jù)頁寄存器(XDP,DPH,DP)

XDP的高7位是DPH，DP是數(shù)據(jù)頁寄存器。DPH和DP都可作為存儲(chǔ)器映射寄存器（MMR）訪問，但是XDP不可作為MMR訪問。12/31/20223東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院指令中涉及的寄存器如下：12/27/20223東華理工大學(xué)機(jī)3.輔助寄存器(AR0-7)與擴(kuò)展輔助寄存器(XAR0-7)ARn可作為存儲(chǔ)器映射寄存器(MMR)訪問；ARnH是擴(kuò)展輔助寄存器的高位，不可單獨(dú)訪問，只能通過訪問XARn進(jìn)行。XARn不是存儲(chǔ)器映射寄存器。12/31/20224東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院3.輔助寄存器(AR0-7)與擴(kuò)展輔助寄存器(XAR0-7)地址寄存器名位域000000/1hIER0/IF46hIER1/IFR110-00000/02/4B/03/04hST0/1/2/3_5515-0000006/7hST0/ST1(C54)15-0000008/9/AhAC0L/H/G15-0/16-31/39-3200000B/C/DhAC1L/H/G15-0/16-31/39-32000024h-26hAC2L/H/G15-0/16-31/39-32000028h-2AhAC3L/H/G15-0/16-31/39-3200000F/38hTRN0/1(傳輸)15-000001Dh(C54兼容)PMST狀態(tài)寄存器315-000001Eh(C54兼容)XPC擴(kuò)展程序計(jì)數(shù)器7-0000020h-23(0E)hT0-T3(T3第2地址)15-0000049h-4Ah

IVPD/IVPH:DSP/主機(jī)中斷向量指針15-0000044hRPTC：單循環(huán)計(jì)數(shù)器15-0000047-48DBIER0-1:調(diào)試中斷使能寄存器0-115-2/10-04.常用存儲(chǔ)器映射寄存器(MMR)地址表(00h-5Fh)12/31/20225東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院地址寄存器名位域000000/1hIER地址寄存器名位域000010h-17hAR0-715-0000018h/4DhSP(數(shù)據(jù)堆棧指針)15-000002BhDPH擴(kuò)展數(shù)據(jù)頁高字6-000002EhDP數(shù)據(jù)頁寄存器15-000002FhPDP外設(shè)數(shù)據(jù)頁寄存器8-000004ChSSP系統(tǒng)堆棧指針15-000004EhSPH擴(kuò)展堆棧指針高字6-0000027hCDP系數(shù)數(shù)據(jù)指針15-000004FhCDPH系數(shù)數(shù)據(jù)指針高字6-0000019/30/47hBK03/BK47/BKC:CDP循環(huán)緩沖區(qū)大小寄存器15-000001A/39hBRC0/BRC1塊重復(fù)計(jì)數(shù)器0/115-000001B/1ChRSA0L/REA0L塊重復(fù)首/尾地址寄存器的低字15-00000/32h-35hBSA01/23/45/67：ARn循環(huán)緩沖區(qū)首地址寄存器（AR0-1,2-3,4-5,6-7）15-0000036hBSAC:CDP的循環(huán)緩沖區(qū)首地址寄存器15-000003C-3DhRSA0H(23-16)/RSA0L:塊重復(fù)首地址寄存器015-000003E-3FhREA0H(23-16)/REA0L:塊重復(fù)末地址寄存器015-012/31/20226東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院地址寄存器名位域000010h-17hAR尋址方式尋址方式是指如何指定指令和操作數(shù)所在存儲(chǔ)空間的地址。C55xDSP支持三種尋址模式絕對(duì)尋址：模式指令中的常數(shù)作為地址或部分地址完成尋址，共有三種方式：K16，K23，I/O；直接尋址模式：使用地址的偏移地址尋址，共有四種方式：DP（ST1-55CPL=0），SP（ST1-55CPL=1），寄存器位，PDP（外設(shè)數(shù)據(jù)頁指針）；間接尋址模式：使用指針完成尋址，共有四種方式：AR，雙AR，CDP，系數(shù)間接尋址。12/31/20227東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院尋址方式尋址方式是指如何指定指令和操作數(shù)所在存儲(chǔ)空間的地址絕對(duì)尋址模式

k16絕對(duì)尋址其操作數(shù)為*abs16(#k16)，[k16:16位的無符號(hào)常數(shù)]將7位的寄存器DPH和k16級(jí)聯(lián)形成一個(gè)23位的地址，用于對(duì)數(shù)據(jù)空間的訪問K16絕對(duì)尋址模式

12/31/20228東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院絕對(duì)尋址模式k16絕對(duì)尋址K12/27/20228東華理工k23絕對(duì)尋址操作數(shù)為*(#k23)，[k23：23位的無符號(hào)常數(shù)]I/O絕對(duì)尋址操作數(shù)是*port(#k16)，[k16：16位無符號(hào)常數(shù)]使用助記符指令，操作數(shù)是port(#k16)（操作數(shù)前沒有*）k23絕對(duì)尋址模式

I/O絕對(duì)尋址12/31/20229東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院k23絕對(duì)尋址k23絕對(duì)尋址模式I/O絕對(duì)尋址12/2直接尋址方式描述DP直接尋址用DPH和DP合并的擴(kuò)展數(shù)據(jù)頁指針尋址存儲(chǔ)空間和存儲(chǔ)器映射寄存器。

(ST1_55CPL=0）SP直接尋址用SPH和SP合并為擴(kuò)展堆棧指針尋址存儲(chǔ)空間中的堆棧。

（ST1_55CPL=1）寄存器位直接尋址用偏移地址指定一個(gè)位地址，用于尋址特定寄存器中的一個(gè)或兩個(gè)相鄰的位，與CPL無關(guān)。PDP直接尋址用PDP和一個(gè)偏移地址尋址I/O空間，與CPL無關(guān)。DP：DataPagePointer

SP：dataStackPointer

PDP:

PeripheralDatapagePointer直接尋址方式需使用DP、SP、PDP、ARn。直接尋址模式

12/31/202210東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院直接尋址方式描述DP直接尋址用DPH和DP合高7位由DPH提供，用來確定主數(shù)據(jù)頁低16位由兩部分組成：DP7位偏移量（Doffset）DP直接尋址模式

DP直接尋址12/31/202211東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院高7位由DPH提供，用來確定主數(shù)據(jù)頁DP直接尋址模式DP

SP直接尋址

SPH確定高7位地址16位地址由SP和7位偏移量決定，偏移量范圍是0~127由SPH和SP構(gòu)成了擴(kuò)展數(shù)據(jù)堆棧指針XSP

SP直接尋址模式12/31/202212東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院SP直接尋址SP直接尋址模式12/27/202212東寄存器位尋址

操作數(shù)是@bitoffset,為寄存器最低位開始的偏移值只有寄存器的位測試、置位、清零、取反指令支持這種尋址模式PDP直接尋址（64K×16位I/O空間，128字/512頁,PDP的9位）

PDP直接尋址模式

12/31/202213東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院寄存器位尋址P12/27/202213東華理工大學(xué)機(jī)械與電間接尋址方式尋址方式描述AR間接尋址(AuxiliaryRegister)

使用AR0-AR7中的任一寄存器訪問數(shù)據(jù)。CPU使用輔助寄存器產(chǎn)生地址的方式取決于訪問數(shù)據(jù)的來源：數(shù)據(jù)空間、存儲(chǔ)器映射寄存器(MMRs)、I/O空間或是獨(dú)立的寄存器位。雙AR間接尋址

與AR間接尋址相似，但借助兩個(gè)輔助寄存器，可同時(shí)訪問兩個(gè)或更多的數(shù)據(jù)。CDP間接尋址(CoefficientDataPointer)

使用系數(shù)數(shù)據(jù)指針(CDP)訪問數(shù)據(jù)。CPU使用CDP產(chǎn)生地址的方式取決于訪問數(shù)據(jù)的來源:數(shù)據(jù)空間，MMR，I/O或是獨(dú)立的寄存器位。系數(shù)間接尋址(coefficient)

與CDP間接尋址方式相似，它可以在訪問數(shù)據(jù)空間某一系數(shù)的同時(shí)，借助兩個(gè)輔助寄存器（雙AR）可在數(shù)據(jù)空間訪問另外兩個(gè)數(shù)據(jù)。CPU支持的間接尋址方式有4種，都支持線性/循環(huán)尋址12/31/202214東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院間接尋址方式尋址方式描述間接尋址模式AR間接尋址模式

通過一個(gè)輔助寄存器ARn（n=0~7）訪問數(shù)據(jù)空間ST2-55的ARMS位決定AR間接尋址的操作類型ARMS=0，DSP模式：CPU提供增強(qiáng)應(yīng)用的高效執(zhí)行功能ARMS=1，控制模式：CPU能夠優(yōu)化代碼的長度AR間接尋址DSP模式12/31/202215東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院間接尋址模式AR間接尋址模式AR間接尋址DSP模式12雙AR間接尋址模式通過輔助寄存器（AR0~AR7）同時(shí)訪問兩個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)功能：執(zhí)行一條可完成兩個(gè)16位數(shù)據(jù)空間訪問的指令X/Ymen并行執(zhí)行兩條指令

，每條指令訪問一個(gè)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)S/Lmen

雙AR間接尋址操作數(shù)

12/31/202216東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院雙AR間接尋址模式雙AR間接尋址操作數(shù)12/27/202CDP間接尋址模式使用系數(shù)數(shù)據(jù)指針（CDP）對(duì)數(shù)據(jù)空間、寄存器位和I/O空間進(jìn)行訪問CDP間接尋址操作數(shù)12/31/202217東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院CDP間接尋址模式CDP間接尋址操作數(shù)12/27/2022系數(shù)間接尋址模式支持以下算術(shù)指令：FIR濾波乘法乘加乘減雙乘加或雙乘減

系數(shù)間接尋址操作數(shù)12/31/202218東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院系數(shù)間接尋址模式系數(shù)間接尋址操作數(shù)12/27/2022183.2.1C55x指令的并行執(zhí)行指令并行的特征

單指令中內(nèi)置并行方式—隱含并行方式

例如：

MPY*AR0,*CDP,AC0::MPY*AR1,*CDP,AC1用戶自定義的兩條指令間的并行方式

例如：

MPYM*AR1–,*CDP,AC1||XORAR2,T1內(nèi)置與用戶自定義混合的并行方式例如：

MPYMT3=*AR3+,AC1,AC2||MOV#5,AR1

指令并行的規(guī)則兩條指令的總長度不能超過6個(gè)字節(jié)；在指令的執(zhí)行過程中不存在操作器、地址產(chǎn)生單元、總線等資源沖突；其中一條指令必須有并行使能位或兩條指令符合軟-雙并行條件。12/31/202219東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院3.2.1C55x指令的并行執(zhí)行指令并行的特征12/不能使用并行方式的情況

使用立即數(shù)尋址方式例如：

*abs16(#k16)；*(#k23)；port(#k16)；*ARn(K16)；*+ARn(K16)；*CDP(K16)；*+CDP(K16)

條件跳轉(zhuǎn)、條件調(diào)用、中斷、復(fù)位等程序控制指令例如：

BCCP24,cond；CALLCCP24,cond； IDLE；INTRk5；RESET；TRAPk5

使用下列指令或者操作修飾符例如：

mmap()；port()；<instruction>.CR； <instruction>.LR12/31/202220東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院不能使用并行方式的情況12/27/202220東華理工大學(xué)資源沖突C55x的資源運(yùn)算器可使用的操作器有：D單元的ALU、D單元的移位器、D單元的交換器、A單元的交換器、A單元的ALU和P單元。地址產(chǎn)生單元兩個(gè)數(shù)據(jù)地址（DA）產(chǎn)生單元、一個(gè)系數(shù)地址（CA）產(chǎn)生單元和一個(gè)堆棧地址（SA）產(chǎn)生單元。只能使用給定數(shù)量的數(shù)據(jù)地址產(chǎn)生單元?？偩€兩個(gè)數(shù)據(jù)讀（DR）總線、一個(gè)系數(shù)讀（CA）總線、兩個(gè)數(shù)據(jù)寫（DW）總線、1個(gè)ACB總線（將D單元寄存器的內(nèi)容傳送給A單元和P單元的操作器）、一個(gè)KAB總線（立即數(shù)總線）和一個(gè)KDB總線（立即數(shù)總線）只能使用給定數(shù)量的總線12/31/202221東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院資源沖突12/27/202221東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)軟-雙并行條件

兩個(gè)存儲(chǔ)器操作數(shù)必須是雙AR間接尋址模式指令不能包含high_byte(Smem)和low_byte(Smem)

指令不能讀、寫同一個(gè)存儲(chǔ)器單元如果指令中的k4的值是0~8，就會(huì)改變XDP的值，所以，不能與加載DP的指令組成并行指令讀重復(fù)計(jì)數(shù)寄存器（RPTC）指令不能和如下的任何一個(gè)單重復(fù)指令組成并行指令

RPT，RPTADD，RPTSUB，RPTCC。12/31/202222東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院軟-雙并行條件12/27/202222東華理工大學(xué)機(jī)械與電3.2.2TMS320C55XDSP的匯編指令指令集中使用的術(shù)語、符號(hào)和縮寫12/31/202223東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院3.2.2TMS320C55XDSP的匯編指令指令指令集中使用的運(yùn)算符12/31/202224東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院指令集中使用的運(yùn)算符12/27/202224東華理工大學(xué)機(jī)TMS320C55x指令集按操作類型分類算術(shù)運(yùn)算指令位操作指令擴(kuò)展輔助寄存器操作指令邏輯運(yùn)算指令移動(dòng)指令程序控制指令注：一條指令的屬性包括：指令，執(zhí)行的操作，是否有并行使能位，長度，周期，在流水線上的執(zhí)行階段以及執(zhí)行的功能單元等。

12/31/202225東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院TMS320C55x指令集按操作類型分類算術(shù)運(yùn)算指令注：一條算術(shù)運(yùn)算指令加法指令

加法指令有幾點(diǎn)說明：如果目的操作數(shù)是累加器ACx，在D單元的ALU中進(jìn)行運(yùn)算操作；如果目的操作數(shù)是輔助或臨時(shí)寄存器TAx，在A單元的ALU中進(jìn)行運(yùn)算操作；如果目的操作數(shù)是存儲(chǔ)器（Smem），在D單元的ALU中進(jìn)行運(yùn)算操作；如果是移位指令（16位立即數(shù)移位除外），在D單元移位器中進(jìn)行運(yùn)算操作狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：CARRY，C54CM，M40，SATA，SATD，SXMD執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202226東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院算術(shù)運(yùn)算指令12/27/202226東華理工大學(xué)機(jī)械與電子加法指令

12/31/202227東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院加法指令12/27/202227東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程舉例：ADD*AR3+,T0,T1；AR3間接尋址得到的內(nèi)容與T0的內(nèi)容相加，結(jié)果裝入T1，并將AR3增1。12/31/202228東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：12/27/202228東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：ADD*AR1<<T0,AC1,AC0;將由AR1尋址得到的內(nèi)容左移T0位與AC1相加，結(jié)果裝入AC0。12/31/202229東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：ADD*AR1<<T0,AC1,AC0;將由AR減法指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：CARRY，C54CM，M40，SATA，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY指令12/31/202230東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院減法指令12/27/202230東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)減法指令

12/31/202231東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院減法指令12/27/202231東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程舉例：SUBuns(*AR1),BORROW,AC0,AC1將CARRY位求反，AC0減去由AR1尋址得到的內(nèi)容及CARRY的內(nèi)容，并將結(jié)果裝入AC1。

12/31/202232東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：SUBuns(*AR1),BORROW,AC0條件減法指令SUBCSmem,[ACx,]ACy if((ACx–(Smem<<#15))>=0) ACy=(ACx–(Smem<<#15))<<#1+1 else ACy=ACx<<#1狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVy，CARRY12/31/202233東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院條件減法12/27/202233東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程舉例：

SUBC*AR1,AC0,AC1 如果(AC0–(*AR1)<<#15)>=0，則AC1=(AC0–(*AR1)<<#15)<<#1+1，否則AC1=AC0<<#112/31/202234東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：SUBC*AR1,AC0,AC112/27條件加減法指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40，SATD，SXMD，TC1，TC2。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVy，CARRY12/31/202235東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院條件加減法12/27/202235東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工舉例：

ADDSUBCC*AR1,AC0,TC2,AC1 如果TC2=1，則AC1=AC0+(*AR1<<#16， 否則AC1=AC0－(*AR1）<<#1612/31/202236東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：ADDSUBCC*AR1,AC0,TC2,A乘法指令指令在D單元的MAC中完成操作狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，M40，RDM，SATD執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy12/31/202237東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院乘法指令12/27/202237東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程乘法指令

12/31/202238東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院乘法指令12/27/202238東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程舉例：

MPYAC1,AC0;AC1=AC0*AC112/31/202239東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：MPYAC1,AC0;AC1=AC0*AC1乘加指令指令在D單元的MAC中完成操作狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，M40，RDM，SATD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy12/31/202240東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院乘加指令12/27/202240東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程乘加指令12/31/202241東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院乘加指令12/27/202241東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)舉例1：

MACMR*AR1,*CDP,AC2 AC2=AC2+（*AR1）*（*CDP）12/31/202242東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：MACMR*AR1,*CDP,AC212/舉例2：

MACMRuns(*AR2+),uns(*AR3+),AC3 AC3=（*AR2）+（*AR3）+AC3，AR2=AR2+1，AR3=AR3+1

12/31/202243東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例2：MACMRuns(*AR2+),uns(*AR乘減指令指令在D單元的MAC中完成操作狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，M40，RDM，SATD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy12/31/202244東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院乘減指令12/27/202244東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程乘減指令

12/31/202245東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院乘減指令12/27/202245東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程舉例：

MASRT1,AC0,AC1 AC1=AC1-AC0*T112/31/202246東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：MASRT1,AC0,AC112/27/20雙乘加/減指令指令—利用D單元的兩個(gè)MAC在一個(gè)周期內(nèi)同時(shí)執(zhí)行兩個(gè)乘法或乘加/減運(yùn)算狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，M40，RDM，SATD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy12/31/202247東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院雙乘加/減指令12/27/202247東華理工大學(xué)機(jī)械與電舉例：

MASR40uns(*AR0),uns(*CDP),AC0 ::MACR40uns(*AR1),uns(*CDP),AC1 ；AC0=AC0-uns（*AR0）*uns（*CDP） ；AC1=AC1-uns（*AR1）*uns（*CDP）12/31/202248東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例： MASR40uns(*AR0),uns(*CD雙16位算術(shù)指令指令—利用D單元中的ALU在一個(gè)周期內(nèi)完成兩個(gè)并行的算術(shù)運(yùn)算，包括一加一減、一減一加、兩個(gè)加法或兩個(gè)減法狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202249東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院雙16位算術(shù)指令12/27/202249東華理工大學(xué)機(jī)械與雙16位算術(shù)指令12/31/202250東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院雙16位算術(shù)指令12/27/202250東華理工大學(xué)機(jī)械與電舉例：

ADDSUBT1,*AR1,AC1 ；AC1（39-16）=（*AR1）+T1 ；||AC1（15-0）=（*AR1）-T112/31/202251東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：ADDSUBT1,*AR1,AC112/27比較和選擇極值指令指令—在D單元的ALU中完成兩個(gè)并行16位極值選擇操作和一個(gè)40位極值選擇操作狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，SATD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVw，CARRY12/31/202252東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院比較和選擇極值指令12/27/202252東華理工大學(xué)機(jī)械比較和選擇極值指令12/31/202253東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院比較和選擇極值指令12/27/202253東華理工大學(xué)機(jī)械與舉例：MAXDIFFAC0,AC1,AC2,AC112/31/202254東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：MAXDIFFAC0,AC1,AC2,AC1最大/最小值指令指令MAX[src,]dst；dst=max(src,dst)MIN[src,]dst；dst=min(src,dst)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：CARRY12/31/202255東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院最大/最小值指令12/27/202255東華理工大學(xué)機(jī)械與舉例1：

MAXAC2,AC1 ；由于（AC2）<（AC1），所以AC1保 持不變且CARRY狀態(tài)位置1舉例2：

MINAC1,T1；由于T1<AC1（15-0），所以T1的內(nèi)容保持不變且將CARRY狀態(tài)位置1

12/31/202256東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：MAXAC2,AC1舉例2：MINAC1存儲(chǔ)器比較指令指令CMPSmem==K16,TCx ；IfSmem==K16thenTCx=1elseTCx=0狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx舉例CMP*AR1+==#400h,TC112/31/202257東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院存儲(chǔ)器比較指令12/27/202257東華理工大學(xué)機(jī)械與電寄存器比較指令指令—在D單元和A單元的ALU中完成兩個(gè)累加器、輔助寄存器或臨時(shí)寄存器的比較，若累加器與輔助寄存器或臨時(shí)寄存器比較，在A單元將ACx（15-0）與TAx進(jìn)行比較狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40，TCy。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx12/31/202258東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院寄存器比較指令12/27/202258東華理工大學(xué)機(jī)械與電舉例1：

CMPAC1==T1,TC1 ；由于AC1（15-0）=T1，所以將TC1置112/31/202259東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：CMPAC1==T1,TC112/27條件移位指令指令SFTCCACx,TCx；IfACx(39–0)=0thenTCx=1；IfACx(31–0)hastwosignbitsthen；ACx=ACx(31–0)<<#1andTCx=0；elseTCx=1狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx舉例SFTCCAC0,TC112/31/202260東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院條件移位指令12/27/202260東華理工大學(xué)機(jī)械與電子帶符號(hào)移位指令指令—移位指令中的移位值由立即數(shù)、SHIFTW或Tx內(nèi)容確定狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40，SATA，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202261東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院帶符號(hào)移位指令12/27/202261東華理工大學(xué)機(jī)械與電舉例1：

SFTST2,#1；T2=T2<<#1舉例2：SFTSCAC0,#–5,AC1 ；AC1=AC0>>5，移出的位裝入CARRY

12/31/202262東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：SFTST2,#1；T2=T2<<#1舉例修改輔助寄存器（MAR）指令指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：ST2-55執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無舉例AADD#255,T0；T0=T0+255AMOV#255,AR0；AR0=255AMAR*AR3+；AR3=AR3+112/31/202263東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院修改輔助寄存器（MAR）指令12/27/202263東華理修改堆棧指針指令指令

AADDK8,SP；SP=SP+K8

狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無。舉例

AADD#127,SP；SP=SP+12712/31/202264東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院修改堆棧指針指令12/27/202264東華理工大學(xué)機(jī)械與電隱含并行指令指令加-存儲(chǔ)、乘加/減-存儲(chǔ)、加/減-存儲(chǔ)、裝載-存儲(chǔ)和乘加/減-裝載狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，C54CM，M40，RDM，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202265東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院隱含并行指令12/27/202265東華理工大學(xué)機(jī)械與電子隱含并行指令

12/31/202266東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院隱含并行指令12/27/202266東華理工大學(xué)機(jī)械與電子舉例：MPYMR*AR0+,T0,AC1 ::MOVHI(AC0<<T2),*AR1+ ；AC1=（*AR0）*T0，因?yàn)镕RCT=1，AC1=rnd（AC1*2）， ；AC0=AC0<<T2，（*AR1）=AC0（31-16），AR1=AR1+1， ；AR0=AR0+1

12/31/202267東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：MPYMR*AR0+,T0,AC112/27絕對(duì)距離指令指令以并行方式完成兩個(gè)操作，一個(gè)在D單元的MAC中，另一個(gè)在D單元的ALU中ABDSTXmem,Ymem,ACx,ACy；ACy=ACy+|HI(ACx)|；ACx=(Xmem<<#16)–(Ymem<<#16)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，C54CM，M40，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202268東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院絕對(duì)距離指令12/27/202268東華理工大學(xué)機(jī)械與電子舉例：

ABDST*AR0+,*AR1,AC0,AC1 ；AC1=AC1+|HI(AC0)| ；AC0=（（*AR0）<<#16）–（（*AR1）<<#16） ；AR0=AR0+112/31/202269東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：ABDST*AR0+,*AR1,AC0,AC11絕對(duì)值指令指令A(yù)BS[src,]dst；dst=|src|狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40，SATA，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，CARRY舉例ABSAR1,AC1；AC1=|AR1|12/31/202270東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院絕對(duì)值指令12/27/202270東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工FIR濾波指令指令FIRSADDXmem,Ymem,Cmem,ACx,ACy；ACy=ACy+(ACx(32-16)*Cmem) ；ACx=(Xmem<<#16)+(Ymem<<#16)FIRSSUBXmem,Ymem,Cmem,ACx,ACy；ACy=ACy+(ACx(32-16)*Cmem) ；ACx=(Xmem<<#16)–(Ymem<<#16)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，C54CM，M40，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202271東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院FIR濾波指令12/27/202271東華理工大學(xué)機(jī)械與電舉例：FIRSADD*AR0,*AR1,*CDP,AC0,AC1

；AC1=AC1+AC0(32-16)*(*CDP) ；AC0=((*AR0)<<#16)+((*AR1)<<#16)12/31/202272東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：FIRSADD*AR0,*AR1,*CDP,最小均方（LMS）指令指令LMSXmem,Ymem,ACx,ACy ；ACy=ACy+(Xmem*Ymem) ；::ACx=rnd(ACx+(Xmem<<#16))狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，C54CM，M40，RDM，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202273東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院最小均方（LMS）指令12/27/202273東華理工大學(xué)舉例：

LMS*AR0,*AR1,AC0,AC1 ；AC1=AC1+(*AR0）*(*AR1) ；::AC0=rnd(AC0+((*AR0）<<#16))12/31/202274東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：LMS*AR0,*AR1,AC0,AC11補(bǔ)碼指令指令NEG[src,]dst；dst=–src狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：M40，SATA，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，CARRY舉例NEGAC1,AC0；AC0=-AC1

12/31/202275東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院補(bǔ)碼指令12/27/202275東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程歸一化指令指令MANTACx,ACy；ACy=mant(ACx),::NEXPACx,Tx；Tx=–exp(ACx)EXPACx,Tx；Tx=exp(ACx)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無舉例MANTAC0,AC1；AC1等于AC0的尾數(shù)，即將AC0右移與32位帶符號(hào)數(shù)對(duì)齊后的值；::NEXPAC0,T1；T1等于將AC0的MSB左移與32位帶符號(hào)數(shù)對(duì)齊所移位的次數(shù)值12/31/202276東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院歸一化指令12/27/202276東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工飽和和舍入指令指令SAT[R][ACx,]ACy；ACy=saturate(rnd(ACx))ROUND[ACx,]ACy；ACy=rnd(ACx)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40，RDM，SATD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVy12/31/202277東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院飽和和舍入指令12/27/202277東華理工大學(xué)機(jī)械與電舉例1：ROUNDAC0,AC1 ；AC1=AC0+8000h，且16個(gè)最低有效位清0舉例2：

SATAC0,AC1 ；將32位的AC0飽和，將飽和后的值FF80000000裝入AC1

12/31/202278東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：ROUNDAC0,AC1舉例2：SATA平方差指令指令SQDSTXmem,Ymem,ACx,ACy ；ACy=ACy+(ACx(32-16)*ACx(32-16)) ；ACx=(Xmem<<#16)–(Ymem<<#16)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：FRCT，SMUL，C54CM，M40，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，ACOVy，CARRY12/31/202279東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院平方差指令12/27/202279東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工舉例：SQDST*AR0,*AR1,AC0,AC1

；AC1=AC1+（AC0（32-16））*（AC0（32-16）） ；AC0=（（*AR0）<<16）-（（*AR1<<16)12/31/202280東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例：SQDST*AR0,*AR1,AC0,AC1位操作指令

位域比較指令指令BANDSmem,k16,TCx ；If(((Smem)ANDk16)==0)，TCx=0 ；elseTCx=1狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx舉例：BAND*AR3,#00A0h,TC2 ；由于(*AR3)ANDk16==0，TC2=012/31/202281東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院位操作指令12/27/202281東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工位計(jì)數(shù)指令BCNTACx,ACy,TCx,Tx ；Tx=(ACxANDACy)中1的個(gè)數(shù) ；若Tx為奇數(shù)，則TCx=1，反之TCx=0狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx舉例：BCNTAC1,AC2,TC1,T1 ；T1=（AC1與AC2）中1的個(gè)數(shù)，個(gè)數(shù)是奇數(shù)，TC1=112/31/202282東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院位計(jì)數(shù)12/27/202282東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)位域擴(kuò)展和抽取指令指令位域抽取：BFXTRk16,ACx,dst；從LSB到MSB將k16中非零位對(duì)應(yīng)的ACx中的位抽取出來，依次放到dst的LSB中位域擴(kuò)展：BFXPAk16,ACx,dst；將ACx的LSB放到k16中非零位對(duì)應(yīng)的dst中的位置上，；ACx的LSB個(gè)數(shù)等于k16中1的個(gè)數(shù)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無12/31/202283東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院位域擴(kuò)展和抽取指令12/27/202283東華理工大學(xué)機(jī)械舉例1：BFXTR#8024h,AC0,T2

；從最低位到最高位將（8024h）中非零位對(duì)應(yīng)的AC0中的位抽取出來依次放到T2的LSB中

舉例2：

BFXPA#8024h,AC0,T2

；將AC0的LSB放到#8024h中非零位對(duì)應(yīng)的T2中的位置上，AC0的LSB個(gè)數(shù)等于#8024h中1的個(gè)數(shù)

12/31/202284東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：BFXTR#8024h,AC0,T2舉例2存儲(chǔ)器位操作指令指令測試、清零、置位和取反

狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx

12/31/202285東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院存儲(chǔ)器位操作指令12/27/202285東華理工大學(xué)機(jī)械與舉例1：BTSTAC0,*AR0,TC1

；位地址AC0（3-0）=8，測試（*AR0）的位8，結(jié)果存入TC1舉例2：

BTSTNOT#12,*AR0,TC1

；測試（*AR0）的位12，結(jié)果存入TC1，并將（*AR0）的位12取反

12/31/202286東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：BTSTAC0,*AR0,TC1舉例2：B寄存器位操作指令指令測試、置位、清零和取反操作狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx12/31/202287東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院寄存器位操作指令12/27/202287東華理工大學(xué)機(jī)械與舉例1：

BTST@#12,T0,TC1

；測試T0的位12，將結(jié)果存入TC1

舉例2：

BNOTAR1,T0

；將T0中由AR1確定的位12取反

12/31/202288東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：BTST@#12,T0,TC1舉例2：B舉例3：

BTSTPAR1(T0),AC0

；由基地址（AR1）和偏移地址T0確定的位地址為39，測試AC0中的第39位并存入TC1；測試AC0中的第40位并存入TC212/31/202289東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例3：BTSTPAR1(T0),AC012/27/狀態(tài)位設(shè)置指令指令置位和清零狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：已經(jīng)選擇的狀態(tài)位12/31/202290東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院狀態(tài)位設(shè)置指令12/27/202290東華理工大學(xué)機(jī)械與電舉例1：

BCLRAR1LC,ST2_55

；由標(biāo)號(hào)AR1LC確定位地址為1，將ST2-55的位2清零

舉例2：

BSETCARRY,ST0_55

；由標(biāo)號(hào)CARRY確定位地址為11，將ST0-55的位11置位

舉例3：

BSETCARRY

；將ST0-55的CARRY（位11）置位

12/31/202291東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：BCLRAR1LC,ST2_55舉例2：B擴(kuò)展輔助寄存器操作指令

指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：ST2-55。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無12/31/202292東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院擴(kuò)展輔助寄存器操作指令12/27/202292東華理工大學(xué)舉例1：

AMAR*AR1+,XAR0；將（*AR1）的內(nèi)容裝入XAR0，且AR1增1AMOV#7FFFFFh；將23位的值（7FFFFFh)裝入XAR0MOVdbl(*AR3),XAR1；將（*AR3）低7位和（*（AR3+1））的16位裝入XAR112/31/202293東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：12/27/202293東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程位操作指令

位域比較指令指令BANDSmem,k16,TCx ；If(((Smem)ANDk16)==0)，TCx=0 ；elseTCx=1狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：TCx舉例：BAND*AR3,#00A0h,TC2 ；由于(*AR3)ANDk16==0，TC2=012/31/202294東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院位操作指令12/27/202294東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工邏輯運(yùn)算指令

按位與/或/異或/取反指令指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無12/31/202295東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院邏輯運(yùn)算指令12/27/202295東華理工大學(xué)機(jī)械與電子舉例1：

NOTAC0,AC1；將AC0的內(nèi)容取反，結(jié)果存入AC1

舉例2：

ANDAC0,AC1；AC1=AC1ANDAC0

舉例3：AC0<<#4,AC1；將AC0邏輯左移4位后與AC1相或，結(jié)果存 入AC1舉例4：XORAC0,AC1；AC1=AC1XORAC012/31/202296東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：NOTAC0,AC1；將AC0的內(nèi)容取反，結(jié)邏輯移位指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：CARRY12/31/202297東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院邏輯移位12/27/202297東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程舉例1：

SFTLAC1,#1；AC1=AC1<<#1，由于M40=0，CARRY=位31，且位（39-32）清零

舉例2：

SFTLAC0,T0,AC1；AC1=AC0<<-6，由于M40=0，所以（39-32）清零

12/31/202298東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：SFTLAC1,#1；AC1=AC1<<#1循環(huán)移位指令ROLBitOut,src,BitIn,dst；將BitIn移進(jìn)src的LSB，src被移出的位存放于BitOut，此時(shí)的結(jié)果放到dst中RORBitIn,src,BitOut,dst；將BitIn移進(jìn)src的MSB，src被移出的位存放于BitOut，此時(shí)的結(jié)果放到dst中狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：CARRY，M40，TC2。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：CARRY，TC2舉例：ROLCARRY,AC1,TC2,AC1；將TC2移入AC1的LSB，將AC1中位31移出放入CARRY，由于M40=0，將AC0（39-32）清零12/31/202299東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院循環(huán)移位12/27/202299東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程移動(dòng)指令

累加器、輔助寄存器或臨時(shí)寄存器裝載、存儲(chǔ)、移動(dòng)和交換存儲(chǔ)單元間的移動(dòng)及初始化入棧和出棧CPU寄存器裝載令、存儲(chǔ)和移動(dòng)12/31/2022100東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院移動(dòng)指令12/27/2022100東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工累加器、輔助寄存器或臨時(shí)寄存器裝載、存儲(chǔ)、移動(dòng)和交換指令指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：C54CM，M40，RDM，SATD，SXMD。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx舉例1：MOVAC0,*(#0E10h)；將AC0（15-0）存入E10h單元12/31/2022101東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院累加器、輔助寄存器或臨時(shí)寄存器裝載、存儲(chǔ)、移動(dòng)和交換指令舉例2：

MOVAC0,AC1；AC1=AC0，由于M40=0，在31位檢測到溢出，將ACOV1置位

舉例3：

MOV#248,AC1；AC1=#248舉例4：SWAPAR4,T0，將AR4的內(nèi)容和T0的內(nèi)容互換12/31/2022102東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例2：MOVAC0,AC1；AC1=AC0，由于M存儲(chǔ)單元間的移動(dòng)及初始化指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無12/31/2022103東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院存儲(chǔ)單元間的移動(dòng)及初始化12/27/2022103東華理舉例1：

DELAY*AR1+；*（AR3+1）=*（AR3），AR3=AR3+1

舉例2：

MOV*CDP,*(#0500h)；將（*CDP）存入0500h處

12/31/2022104東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：DELAY*AR1+；*（AR3+1）=*（A入棧和出棧指令指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無12/31/2022105東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院入棧和出棧指令12/27/2022105東華理工大學(xué)機(jī)械與舉例1：

POPAC0,AC1 ；AC0（15-0）=（SP），AC1（15-0）=（SP+1）（39-16）不變，SP=SP+2

舉例2：

PSHAR0,AC1 ；SP=SP-2，（SP）=AR0，（SP+1）=AC1（15-0）

12/31/2022106東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：POPAC0,AC1舉例2：PSHAR0CPU寄存器裝載、存儲(chǔ)和移動(dòng)指令指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：無舉例1：MOVT1,BRC1；BRC1=BRS1=T1MOVSP,*AR1+；（*AR1）=（SP），AR1=AR1+112/31/2022107東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院CPU寄存器裝載、存儲(chǔ)和移動(dòng)指令12/27/20221076.程序控制指令

跳轉(zhuǎn)指令調(diào)用與返回指令中斷與返回指令重復(fù)指令12/31/2022108東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院6.程序控制指令12/27/2022108東華理工大學(xué)跳轉(zhuǎn)指令指令—包括條件跳轉(zhuǎn)、無條件跳轉(zhuǎn)狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：ACOVx，CARRY，C54CM，M40，TCx。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx12/31/2022109東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院跳轉(zhuǎn)指令12/27/2022109東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工跳轉(zhuǎn)指令

12/31/2022110東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院跳轉(zhuǎn)指令12/27/2022110東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工舉例1：

BCCbranch,TC1

；TC1=1，程序跳轉(zhuǎn)到標(biāo)號(hào)branch處執(zhí)行舉例2：

BAC0；PC=AC0（23-0）12/31/2022111東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：BCCbranch,TC1；TC1=1調(diào)用與返回指令指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：ACOVx，CARRY，C54CM，M40，TCx。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx舉例CALLCC(subroutine),AC1>=#2000h；AC1>=#2000h，PC=子程序地址RETCCACOV0=#0；ACOV0=0，PC=調(diào)用子程序的返回地址12/31/2022112東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院調(diào)用與返回指令12/27/2022112東華理工大學(xué)機(jī)械與中斷與返回指令指令I(lǐng)NTRk5；程序執(zhí)行中斷服務(wù)子程序，中斷向量地址由中斷向量指針（IVPD）和5比TRAPk5；特?zé)o符號(hào)數(shù)確定RETI；PC=中斷任務(wù)的返回地址狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：無。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：INTM12/31/2022113東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院中斷與返回指令12/27/2022113東華理工大學(xué)機(jī)械與重復(fù)指令指令狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：ACOVx，CARRY，C54CM，M40，TCx。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx12/31/2022114東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院重復(fù)指令12/27/2022114東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工舉例1：

RPTCSR；下一條指令執(zhí)行CSR+1次 MACM*AR3+,*AR4+,AC112/31/2022115東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：RPTCSR；下一條指令執(zhí)行CSR+1次12其他程序控制指令指令XCC[label,]cond；當(dāng)條件滿足時(shí)，執(zhí)行下面一條指令XCCPART[label,]cond；當(dāng)條件滿足時(shí)，執(zhí)行下面兩條并行指令I(lǐng)DLE；空閑NOP；空操作，PC=PC+1NOP_16；空操作，PC=PC+2RESET；軟件復(fù)位狀態(tài)位影響指令執(zhí)行的狀態(tài)位有：ACOVx，CARRY，C54CM，M40，TCx，INTM。執(zhí)行指令后會(huì)受影響的狀態(tài)位：ACOVx，IFR0，IFR1，ST0-55，ST1-55，ST2-5512/31/2022116東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院其他程序控制指令12/27/2022116東華理工大學(xué)機(jī)械舉例1：

XCCbranch,*AR0!=#0；AR0不等于0，執(zhí)行下一條指令（ADD）

ADD*AR2+,AC0；AC0=AC0+（*AR2），AR2=AR2+112/31/2022117東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院舉例1：XCCbranch,*AR0!=#0；ATMS320C55x的指令系統(tǒng)

尋址方式TMS320C55x的指令系統(tǒng)

12/31/2022118東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院TMS320C55x的指令系統(tǒng)12/指令中使用的語法元素符號(hào)如下：Smem：來自數(shù)據(jù)、I/O空間或存儲(chǔ)器映射寄存器的16bit數(shù)據(jù)；Lmem：來自數(shù)據(jù)空間或存儲(chǔ)器映射寄存器的32bit數(shù)據(jù)；Xmem&Ymem：同時(shí)來自數(shù)據(jù)空間的兩個(gè)16bit數(shù)據(jù)；Cmem：來自內(nèi)部數(shù)據(jù)空間的16bit數(shù)據(jù)；Baddr：代表累加器AC0-AC3、輔助寄存器AR0-AR7、暫存器T0-T3的位域，對(duì)位域的置1、清0、測試、求補(bǔ)等位運(yùn)算用到該元素。(Bit-Address)12/31/2022119東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院指令中使用的語法元素符號(hào)如下：12/27/20222東華理工指令中涉及的寄存器如下：1.累加器（AC0-AC340bitACxG:ACxH:ACxL）2.擴(kuò)展數(shù)據(jù)頁寄存器(XDP,DPH,DP)

XDP的高7位是DPH，DP是數(shù)據(jù)頁寄存器。DPH和DP都可作為存儲(chǔ)器映射寄存器（MMR）訪問，但是XDP不可作為MMR訪問。12/31/2022120東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院指令中涉及的寄存器如下：12/27/20223東華理工大學(xué)機(jī)3.輔助寄存器(AR0-7)與擴(kuò)展輔助寄存器(XAR0-7)ARn可作為存儲(chǔ)器映射寄存器(MMR)訪問；ARnH是擴(kuò)展輔助寄存器的高位，不可單獨(dú)訪問，只能通過訪問XARn進(jìn)行。XARn不是存儲(chǔ)器映射寄存器。12/31/2022121東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院3.輔助寄存器(AR0-7)與擴(kuò)展輔助寄存器(XAR0-7)地址寄存器名位域000000/1hIER0/IF46hIER1/IFR110-00000/02/4B/03/04hST0/1/2/3_5515-0000006/7hST0/ST1(C54)15-0000008/9/AhAC0L/H/G15-0/16-31/39-3200000B/C/DhAC1L/H/G15-0/16-31/39-32000024h-26hAC2L/H/G15-0/16-31/39-32000028h-2AhAC3L/H/G15-0/16-31/39-3200000F/38hTRN0/1(傳輸)15-000001Dh(C54兼容)PMST狀態(tài)寄存器315-000001Eh(C54兼容)XPC擴(kuò)展程序計(jì)數(shù)器7-0000020h-23(0E)hT0-T3(T3第2地址)15-0000049h-4Ah

IVPD/IVPH:DSP/主機(jī)中斷向量指針15-0000044hRPTC：單循環(huán)計(jì)數(shù)器15-0000047-48DBIER0-1:調(diào)試中斷使能寄存器0-115-2/10-04.常用存儲(chǔ)器映射寄存器(MMR)地址表(00h-5Fh)12/31/2022122東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院地址寄存器名位域000000/1hIER地址寄存器名位域000010h-17hAR0-715-0000018h/4DhSP(數(shù)據(jù)堆棧指針)15-000002BhDPH擴(kuò)展數(shù)據(jù)頁高字6-000002EhDP數(shù)據(jù)頁寄存器15-000002FhPDP外設(shè)數(shù)據(jù)頁寄存器8-000004ChSSP系統(tǒng)堆棧指針15-000004EhSPH擴(kuò)展堆棧指針高字6-0000027hCDP系數(shù)數(shù)據(jù)指針15-000004FhCDPH系數(shù)數(shù)據(jù)指針高字6-0000019/30/47hBK03/BK47/BKC:CDP循環(huán)緩沖區(qū)大小寄存器15-000001A/39hBRC0/BRC1塊重復(fù)計(jì)數(shù)器0/115-000001B/1ChRSA0L/REA0L塊重復(fù)首/尾地址寄存器的低字15-00000/32h-35hBSA01/23/45/67：ARn循環(huán)緩沖區(qū)首地址寄存器（AR0-1,2-3,4-5,6-7）15-0000036hBSAC:CDP的循環(huán)緩沖區(qū)首地址寄存器15-000003C-3DhRSA0H(23-16)/RSA0L:塊重復(fù)首地址寄存器015-000003E-3FhREA0H(23-16)/REA0L:塊重復(fù)末地址寄存器015-012/31/2022123東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院地址寄存器名位域000010h-17hAR尋址方式尋址方式是指如何指定指令和操作數(shù)所在存儲(chǔ)空間的地址。C55xDSP支持三種尋址模式絕對(duì)尋址：模式指令中的常數(shù)作為地址或部分地址完成尋址，共有三種方式：K16，K23，I/O；直接尋址模式：使用地址的偏移地址尋址，共有四種方式：DP（ST1-55CPL=0），SP（ST1-55CPL=1），寄存器位，PDP（外設(shè)數(shù)據(jù)頁指針）；間接尋址模式：使用指針完成尋址，共有四種方式：AR，雙AR，CDP，系數(shù)間接尋址。12/31/2022124東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院尋址方式尋址方式是指如何指定指令和操作數(shù)所在存儲(chǔ)空間的地址絕對(duì)尋址模式

k16絕對(duì)尋址其操作數(shù)為*abs16(#k16)，[k16:16位的無符號(hào)常數(shù)]將7位的寄存器DPH和k16級(jí)聯(lián)形成一個(gè)23位的地址，用于對(duì)數(shù)據(jù)空間的訪問K16絕對(duì)尋址模式

12/31/2022125東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院絕對(duì)尋址模式k16絕對(duì)尋址K12/27/20228東華理工k23絕對(duì)尋址操作數(shù)為*(#k23)，[k23：23位的無符號(hào)常數(shù)]I/O絕對(duì)尋址操作數(shù)是*port(#k16)，[k16：16位無符號(hào)常數(shù)]使用助記符指令，操作數(shù)是port(#k16)（操作數(shù)前沒有*）k23絕對(duì)尋址模式

I/O絕對(duì)尋址12/31/2022126東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院k23絕對(duì)尋址k23絕對(duì)尋址模式I/O絕對(duì)尋址12/2直接尋址方式描述DP直接尋址用DPH和DP合并的擴(kuò)展數(shù)據(jù)頁指針尋址存儲(chǔ)空間和存儲(chǔ)器映射寄存器。

(ST1_55CPL=0）SP直接尋址用SPH和SP合并為擴(kuò)展堆棧指針尋址存儲(chǔ)空間中的堆棧。

（ST1_55CPL=1）寄存器位直接尋址用偏移地址指定一個(gè)位地址，用于尋址特定寄存器中的一個(gè)或兩個(gè)相鄰的位，與CPL無關(guān)。PDP直接尋址用PDP和一個(gè)偏移地址尋址I/O空間，與CPL無關(guān)。DP：DataPagePointer

SP：dataStackPointer

PDP:

PeripheralDatapagePointer直接尋址方式需使用DP、SP、PDP、ARn。直接尋址模式

12/31/2022127東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院直接尋址方式描述DP直接尋址用DPH和DP合高7位由DPH提供，用來確定主數(shù)據(jù)頁低16位由兩部分組成：DP7位偏移量（Doffset）DP直接尋址模式

DP直接尋址12/31/2022128東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院高7位由DPH提供，用來確定主數(shù)據(jù)頁DP直接尋址模式DP

SP直接尋址

SPH確定高7位地址16位地址由SP和7位偏移量決定，偏移量范圍是0~127由SPH和SP構(gòu)成了擴(kuò)展數(shù)據(jù)堆棧指針XSP

SP直接尋址模式12/31/2022129東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院SP直接尋址SP直接尋址模式12/27/202212東寄存器位尋址

操作數(shù)是@bitoffset,為寄存器最低位開始的偏移值只有寄存器的位測試、置位、清零、取反指令支持這種尋址模式PDP直接尋址（64K×16位I/O空間，128字/512頁,PDP的9位）

PDP直接尋址模式

12/31/2022130東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院寄存器位尋址P12/27/202213東華理工大學(xué)機(jī)械與電間接尋址方式尋址方式描述AR間接尋址(AuxiliaryRegister)

使用AR0-AR7中的任一寄存器訪問數(shù)據(jù)。CPU使用輔助寄存器產(chǎn)生地址的方式取決于訪問數(shù)據(jù)的來源：數(shù)據(jù)空間、存儲(chǔ)器映射寄存器(MMRs)、I/O空間或是獨(dú)立的寄存器位。雙AR間接尋址

與AR間接尋址相似，但借助兩個(gè)輔助寄存器，可同時(shí)訪問兩個(gè)或更多的數(shù)據(jù)。CDP間接尋址(CoefficientDataPointer)

使用系數(shù)數(shù)據(jù)指針(CDP)訪問數(shù)據(jù)。CPU使用CDP產(chǎn)生地址的方式取決于訪問數(shù)據(jù)的來源:數(shù)據(jù)空間，MMR，I/O或是獨(dú)立的寄存器位。系數(shù)間接尋址(coefficient)

與CDP間接尋址方式相似，它可以在訪問數(shù)據(jù)空間某一系數(shù)的同時(shí)，借助兩個(gè)輔助寄存器（雙AR）可在數(shù)據(jù)空間訪問另外兩個(gè)數(shù)據(jù)。CPU支持的間接尋址方式有4種，都支持線性/循環(huán)尋址12/31/2022131東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院間接尋址方式尋址方式描述間接尋址模式A