晶瑞股份專題研究

晶瑞股份專題研究1

守正出奇的國內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍我們認(rèn)為半導(dǎo)體新材料企業(yè)的競爭力來自于三個方面：獨(dú)家工藝或設(shè)備、穩(wěn)定生產(chǎn)及穩(wěn)固的卡位。復(fù)盤公司，經(jīng)過二十余年投入，晶瑞股份成功研制出高純濃硫

酸、高純氨水及高純雙氧水的提純方法，同時不斷攻克光刻膠配方技術(shù)，成功打破

了國際壟斷，業(yè)已成為國內(nèi)諸多半導(dǎo)體下游廠商材料主供應(yīng)商之一。1.1

專注半導(dǎo)體領(lǐng)域新材料公司蘇州晶瑞化學(xué)股份有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的科技型新材料

公司，為國內(nèi)外新興科技領(lǐng)域提供關(guān)鍵材料和技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品包括超凈高純試

劑、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、面板顯示、LED等泛

半導(dǎo)體領(lǐng)域及鋰電池、太陽能光伏等新能源行業(yè)。公司經(jīng)過多年研發(fā)和積累，部分

超凈高純試劑達(dá)到國際最高純度等級（G5），打破了國外技術(shù)壟斷；光刻膠產(chǎn)品規(guī)模

化生產(chǎn)

24

年，達(dá)到國際中高級水準(zhǔn)，是國內(nèi)最早規(guī)模量產(chǎn)光刻膠的少數(shù)幾家企業(yè)之

一。公司實(shí)際控制人為羅培楠女士，通過新銀國際（BVI）持有晶瑞股份控股股東新

銀國際（香港）100%股權(quán)，通過內(nèi)生+外延的發(fā)展方式，集團(tuán)逐漸形成存量基礎(chǔ)業(yè)務(wù)、

并購賦能業(yè)務(wù)及新建業(yè)務(wù)和產(chǎn)能等三大架構(gòu)。2020

年公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入

4.03

億元，較去年同期上升

135.06%；營業(yè)成本

3.27

億元，較去年同期上升

159.43%；歸屬于上市公司股東的凈利潤

2303.03

萬元，比上年同期上升

441.19%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤

2092.32

萬元，比上年同期上升

2766.53%。營收增速迅猛的原因在于中國半導(dǎo)體材料行業(yè)國

產(chǎn)替代進(jìn)程提速、新能源行業(yè)高速發(fā)展，下游客戶對產(chǎn)品需求旺盛，公司充分把握

行業(yè)發(fā)展機(jī)遇，完善產(chǎn)業(yè)鏈布局，積極開拓市場，同時隨著全球疫情影響修復(fù)，整

體經(jīng)濟(jì)環(huán)境復(fù)蘇，公司各類銷售訂單量價(jià)齊升，營業(yè)收入較去年同期大幅增長。1.2

助力國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)獨(dú)立公司已經(jīng)形成半導(dǎo)體+新能源雙輪驅(qū)動業(yè)務(wù)格局。為了打造電子級硫酸產(chǎn)業(yè)鏈，

公司正在投資建設(shè)年產(chǎn)9萬噸電子級硫酸改擴(kuò)建項(xiàng)目，一期3萬噸產(chǎn)線主體已于2021

年

5

月已完成項(xiàng)目備案、環(huán)境影響評價(jià)批復(fù)等程序，未來將逐步改變中國目前半導(dǎo)

體級硫酸主要依賴進(jìn)口的局面，同時有利于滿足未來持續(xù)增長的半導(dǎo)體市場需求。

公司在眉山投資建設(shè)

8.7

萬噸光電顯示、半導(dǎo)體用新材料項(xiàng)目，有利于企業(yè)維護(hù)和

拓展優(yōu)質(zhì)客戶，充分發(fā)揮公司產(chǎn)品市場競爭力，開拓西南地區(qū)市場，進(jìn)一步擴(kuò)大市

場份額。公司產(chǎn)品等級不斷提升，在中高端客戶市場的客戶儲備和開拓也取得一定突破。光刻膠及配套材料方面，根據(jù)

2020

年報(bào)顯示，公司生產(chǎn)的

i線光刻膠已向

合肥長鑫、士蘭微、揚(yáng)杰科技、福順微電子等行業(yè)頭部公司供貨。公司在

2016

年與日本三菱化學(xué)株式會社在蘇州設(shè)立了

LCD用彩色光刻膠共同研究所，并于

2019

年開始批量生產(chǎn)供應(yīng)顯示面板廠家。同時公司依托設(shè)立在公

司的國家CNAS實(shí)驗(yàn)室及江蘇省集成電路精細(xì)化學(xué)品工程技術(shù)中心等研發(fā)平

臺，開發(fā)了系列配套材料用于光刻膠產(chǎn)品配套，為客戶提供了完善的技術(shù)

解決方案，并向半導(dǎo)體公司實(shí)現(xiàn)批量供貨。超凈高純試劑方面，高純雙氧水、高純氨水及在建的高純硫酸等品質(zhì)已達(dá)

SEMI最高等級

G5

水準(zhǔn)，金屬雜質(zhì)含量均低于

10ppt，可基本解決高純化學(xué)

品這一大類芯片制造材料的本地化供應(yīng)。2020

年報(bào)顯示已投產(chǎn)主導(dǎo)產(chǎn)品獲

得中芯國際、華虹宏力、長江存儲、士蘭微等國內(nèi)知名半導(dǎo)體客戶的采購。

公司其他多種超凈高純試劑如

BOE、硝酸、鹽酸、氫氟酸等產(chǎn)品品質(zhì)全面達(dá)

到

G3、G4

等級，可滿足平板顯示、LED、光伏太陽能等行業(yè)客戶需求。鋰電池材料方面，2020

年公司研發(fā)的

CMCLi粘結(jié)劑生產(chǎn)線順利落成，并實(shí)

現(xiàn)量產(chǎn)，規(guī)模達(dá)千噸級，實(shí)現(xiàn)了中國在該領(lǐng)域零的突破，打破了高端市場

被國外企業(yè)壟斷的格局。同年公司順利完成對載元派爾森的收購，一舉進(jìn)

入三星環(huán)新的供應(yīng)體系，其主要產(chǎn)品

NMP全年產(chǎn)銷兩旺，市場空間較大。2

打造半導(dǎo)體“過程材料”平臺型公司我們認(rèn)為全球半導(dǎo)體“不對稱競爭”是引發(fā)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獨(dú)立性變革的根本

原因，也是持續(xù)動力。同時制造、封裝等工藝的創(chuàng)新已達(dá)極限，未來半導(dǎo)體行業(yè)將

由“過程材料”從分子層面進(jìn)行支撐，“過程材料”即生產(chǎn)過程中被消耗掉的、不遺

留在產(chǎn)品中的輔助材料。晶瑞股份有望將憑借自身在高純試劑領(lǐng)域品種齊全、領(lǐng)先的提純技術(shù)等特點(diǎn)，

未來持續(xù)擴(kuò)大濕化學(xué)品領(lǐng)域的市場。此外，鑒于當(dāng)前半導(dǎo)體領(lǐng)域的風(fēng)向標(biāo)由光刻機(jī)

光源研發(fā)轉(zhuǎn)移至光刻膠的研發(fā)，晶瑞股份有望憑借技術(shù)先發(fā)及配方優(yōu)勢繼續(xù)鞏固光

刻膠行業(yè)領(lǐng)軍者地位。2.1

半導(dǎo)體“過程材料”從分子層面支撐整個產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自上而下可以分為設(shè)計(jì)、制造及封裝測試等三個環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材

料主要應(yīng)用在中游圓晶制造端。整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)流程可以歸納為，設(shè)計(jì)公司

設(shè)計(jì)出集成電路，然后委托晶圓制造公司進(jìn)行制造，最后再由封測廠商對集成電路

進(jìn)行封裝測試。在制造和封裝的過程中，還會涉及到很多高精度的設(shè)備和高純度的

材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游由為設(shè)計(jì)、制造和封測環(huán)節(jié)提供軟件及知識產(chǎn)權(quán)、硬件

設(shè)備、原材料等生產(chǎn)資料的核心產(chǎn)業(yè)組成。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的中游可以分為半導(dǎo)體芯

片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)、制造環(huán)節(jié)和封裝測試環(huán)節(jié)。廣義的半導(dǎo)體材料是指半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中用到的各種材料，例如前端芯片制造用

大尺寸硅片，晶片拋光用拋光液和拋光墊，貫穿半導(dǎo)體各個工藝制程的電子特種氣

體，IC制作過程中用的光掩膜版、光刻膠等。典型的半導(dǎo)體材料是指電阻率在

10-3Ω·cm～108Ω·cm、導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，主要包括半金屬、

元素半導(dǎo)體材料和化物半導(dǎo)體材料等。中國晶圓制造材料銷售額增速遠(yuǎn)超封裝材料增速。從占比來看，2011

年中國晶

圓制造材料與封裝材料市場份額基本都在

50%左右，平分秋色。而到

2020

年中國晶

圓制造材料占比上升至63.11%，封裝材料下降至36.89%。從絕對數(shù)額來看，2016-2020年中國晶圓制造材料年均復(fù)合增速為

18.3%，封裝材料同期的復(fù)合增速為

9.18%，晶

圓制造材料的增速接近于封裝材料的兩倍，重要性日益提高。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占

比為

32.9%。其次為氣體，占比為

14.1%，光掩膜排名第三，占比為

12.6%，其后分

別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為

7.2%、6.9%、6.1%、4%和

3%。我們認(rèn)為未來，國內(nèi)圓晶廠商擴(kuò)建、技術(shù)革新增加用量、政策面推動、國家基

金支持及國產(chǎn)替代等五大因素將有力推動半導(dǎo)體“過程”材料市場的成長。產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移推動國內(nèi)圓晶廠建設(shè)中國集成電路大部分依賴進(jìn)口。目前中國根據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2020

年中國進(jìn)口集成

電路

5435

億塊，同比增長

22.1%；進(jìn)口金額

3500.4

億美元，同比增長

14.6%。2020

年中國集成電路出口

2598

億塊，同比增長

18.8%，出口金額

1166

億美元，同比增長

14.8%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步東移，國產(chǎn)化進(jìn)程加速。總體來看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總共經(jīng)歷了三

次大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是

20

世紀(jì)

70-80

年代，由美國向日本轉(zhuǎn)移，日本借助家電產(chǎn)業(yè)和大型機(jī)

DRAM市場，實(shí)現(xiàn)了對美國的趕超；第二次在

20

世紀(jì)

80-90

年代，

由美國、日本向韓國和中國臺灣轉(zhuǎn)移，韓國借助

PC及移動通信發(fā)展成為

DRAM的主

要生產(chǎn)者，而中國臺灣則通過在晶圓代工、封裝測試領(lǐng)域的垂直分工奠定了半導(dǎo)體

代工領(lǐng)域的龍頭地位。第三次轉(zhuǎn)移逐步向中國大陸轉(zhuǎn)移，國產(chǎn)化替代已成為主旋律。中國大陸圓晶廠產(chǎn)量占比全球總產(chǎn)量逐年提升。ESIA將半導(dǎo)體產(chǎn)能歸一化為

200

毫米晶圓當(dāng)量后的統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示，中國大陸圓晶廠產(chǎn)量從

1995

年占全球產(chǎn)量的

14.4%上升到

2020

年的

22.8%，同期歐洲從

9.4%下降到

7.2%。近五年，除中國大陸

以外的所有半導(dǎo)體產(chǎn)區(qū)的份額均出現(xiàn)下降。美國從

2015

年的

12.6%下降到了

2020

年的

10.6%，中國臺灣地區(qū)也從

2015

年的

18.8%略降到了

2020

年的

17.8%。中國大陸晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，持續(xù)驅(qū)動晶圓制造材料板塊發(fā)展。截止

2020

年第四季

度，12

英寸生產(chǎn)線投產(chǎn)的

26

條，合計(jì)裝機(jī)產(chǎn)能約

103

萬片，較

2019

年增長

15%，8

英寸生產(chǎn)線投產(chǎn)的

24

條，合計(jì)裝機(jī)產(chǎn)能約

117

萬片，較

2019

年增長

17%；2020

年

在建未完工、開工建設(shè)或簽約的

12

英寸生產(chǎn)線有

15

條，月規(guī)劃產(chǎn)能達(dá)

62

萬片；在

建未完工、開工建設(shè)或簽約的

8

英寸生產(chǎn)線有

7

條，月規(guī)劃產(chǎn)能達(dá)

26

萬片。技術(shù)迭代增加濕化學(xué)品用量，同時催生更多品類光刻膠高純試劑主要用來清洗芯片制造過程中的沾污，隨著制程工藝精細(xì)化發(fā)展，所

需的高純試劑量也隨之增加。芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行，如果在制造過程中，

有沾污現(xiàn)象，將影響芯片上器件的正常功能。據(jù)估計(jì)，80%的芯片電學(xué)失效都是由沾

污帶來的缺陷引起的。沾污雜質(zhì)是指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率

及電學(xué)性能的物質(zhì)，具體的沾污包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等，因而通

常采用高純酸堿及其混合溶液來進(jìn)行清洗。一般來說，工藝越精細(xì)對于控污的要求越高，而且難度越大，隨著半導(dǎo)體芯片

工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入

28

納米、14

納米等更先進(jìn)等級，工藝流程的延長且越趨復(fù)雜，產(chǎn)

線成品率也會隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個原因就是先進(jìn)制程對雜質(zhì)的敏感度更

高，小尺寸污染物的高效清洗更困難，解決的方法主要是增加清洗步驟。在

80-60nm制程中，清洗工藝大約

100

多個步驟，而到了

10nm制程，增至

200

多個清洗步驟。

因而也需要更多的濕化學(xué)品。隨著光刻技術(shù)的不斷深入發(fā)展，光刻膠的品類也在逐漸增加。從

1959

年被發(fā)

明以來，光刻膠就是半導(dǎo)體工業(yè)最核心的工業(yè)材料之一，

在大規(guī)模集成電路的制造

過程中，光刻和刻蝕技術(shù)是精細(xì)線路圖形加工中最重要的工藝，決定著芯片的最小

特征尺寸，占芯片制造時間的

40-50%，占制造成本的

30%。現(xiàn)代微電子（集成電路）

工業(yè)按照摩爾定律在不斷發(fā)展，即集成電路的集成度每

18

個月翻一番；芯片的特征

尺寸每

3

年縮小

2

倍，芯片面積增加

15

倍，芯片中的晶體管數(shù)增加約

4

倍，即每過

3

年便有一代新的集成電路產(chǎn)品問世?，F(xiàn)在世界集成電路水平已由微米級（10μｍ）、

亞微米級（10～0.35μｍ）、深亞微米級（0.35μｍ以下）進(jìn)入到納米級（90～65ｎ

ｍ）階段，對光刻膠分辨率等性能的要求不斷提高。因?yàn)楣饪棠z的可分辨線寬

δ＝

ｋλ／ＮＡ，因此縮短曝光波長和提高透鏡的開口數(shù)（Ｎ可提高光刻膠的分辨率）。光刻技術(shù)隨著集成電路的發(fā)展，光刻技術(shù)已經(jīng)經(jīng)歷了從紫外寬譜（300~450nm），G線(436nm)，Ｉ線（365nm），KrF（248nm），ARF（193nm）

F2（157nm），到

EUV（13.5nm）

階段，用于滿足世界集成電路更高密度的堆積和更先進(jìn)的制程工藝。政策支持，相關(guān)利好政策推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體材料行業(yè)作為支撐半導(dǎo)體發(fā)展的上游行業(yè)，近年來得到了國家一系列相

關(guān)政策的支持。為實(shí)現(xiàn)集成電路跨越式的發(fā)展，2014

年國務(wù)院發(fā)布國家集成電路

發(fā)展推進(jìn)綱要，提出到

2020

年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平差距逐步縮小；到

2030

年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國際第一梯隊(duì)

的發(fā)展目標(biāo)。2016

年以后，大量政策開始出臺，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展，為我

國集成電路產(chǎn)業(yè)帶來強(qiáng)力支撐，體現(xiàn)了國家對半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視。資金支持，大基金助力半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，主要為推進(jìn)中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而設(shè)立。大基金

一期主要投資于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，投資期為五年，累計(jì)投資約

60

家企業(yè)。大

基金二期主要投資方向?yàn)橐黄谕顿Y較少的半導(dǎo)體制造設(shè)備和半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。二期

在資金規(guī)模上遠(yuǎn)超一期，一二期資金協(xié)同配合以完成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。國產(chǎn)替代迫在眉睫復(fù)盤日韓貿(mào)易沖突，光刻膠和高純試劑被列入日本對韓限制關(guān)鍵材料。2019

年

8

月，日本對韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行出口管制，其中包含氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純

氟化氫等三種半導(dǎo)體材料。韓國貿(mào)易協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，日本企業(yè)生產(chǎn)的顯示器制造所

需的氟化多聚物和光刻膠，產(chǎn)量幾乎占到全球總供應(yīng)的

100%；氟化氫占全球供應(yīng)量

的近

70%。韓國從日本進(jìn)口的大部分是關(guān)鍵材料和零部件，這些材料和零部件主要用

于生產(chǎn)韓國主要出口產(chǎn)品，此次與日本的貿(mào)易爭端直接沖擊了韓國屏幕、芯片生產(chǎn)

和半導(dǎo)體行業(yè)。面對制裁，韓國不斷投入以尋求自我突破或研發(fā)替代材料。為減少對日本的依

賴，韓國政府推出了一項(xiàng)綜合研發(fā)計(jì)劃，包括在未來七年內(nèi)投入

64.8

億美元用于本

土材料、元器件等的研發(fā)，同時將投入

41.2

億美元提高關(guān)鍵工業(yè)材料的研發(fā)能力。氟化氫較快地實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化，LG在

9

月便宣布使用韓國生產(chǎn)的氟化氫替代

了日本進(jìn)口材料，Soulbrain和

SKMaterials緊隨其后，擴(kuò)大了半導(dǎo)體氟

化氫的生產(chǎn)。除獨(dú)立生產(chǎn)外，韓國同時從中國大陸和中國臺灣省以及美國進(jìn)口

以替代日本產(chǎn)品。2020

年，韓國從日進(jìn)口氟化氫降至

93.8

億美元，是

17

年來首次低于

100

億美元，相較

2018

年

668.6

億美元的進(jìn)口額下降了

86%。光刻膠方面，韓國的解決措施更多依賴于與日本公司的合作，通過合資企

業(yè)繞開日本政府的限制。TaiyoHoldings通過和其韓國子公司

TaiyoInk合營投資建設(shè)

EUV光刻膠產(chǎn)線，TOK和三星合資設(shè)立的

TOKAdvancedMaterials在韓生產(chǎn)

EUV光刻膠以供應(yīng)三星需求，三星同時從

JSR在比利時

的合資企業(yè)進(jìn)口光刻膠。此外，據(jù)韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部，韓國從美國

吸引了價(jià)值

3000

億美元的

EUV相關(guān)投資。2021

年

1~5

月，日本進(jìn)口光刻膠

占比

85.2%，相較

2019

年同期的

91.9%，下降了

6.7

個百分點(diǎn)。整體上看，韓國的不利局面并沒有得到根本的扭轉(zhuǎn)。文在寅在

2021

年

7

月的一次講話中提出韓國關(guān)鍵工業(yè)材料的獨(dú)立獨(dú)立自主取得了重大進(jìn)展，但韓國的去日化

依然遠(yuǎn)未成功。韓國對日貿(mào)易逆差額依然居高不下，僅在

2019

年出現(xiàn)下降，此后反

而呈擴(kuò)大態(tài)勢。據(jù)

KITA數(shù)據(jù)，2021

年

1~5

月期間韓國對日貿(mào)易逆差達(dá)到

102

億美元，

相較去年同期大幅度增長

34%，其中進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備金額相較去年同期增長

55%，高

端化學(xué)品進(jìn)口額增長

12%。同時

KITA預(yù)測

2021

年韓國對日貿(mào)易逆差將超過

2020

年。中國半導(dǎo)體國產(chǎn)化率極低，以史為鑒，國產(chǎn)替代已迫在眉睫。根據(jù)中國電子工

業(yè)材料協(xié)會統(tǒng)計(jì)，全球微電子化學(xué)品市場主要被歐美、日本和亞太企業(yè)占據(jù)，目前

國際大型微電子化學(xué)廠商主要集中在歐洲、美國和日本等地區(qū)，主要包括日本的

TOK、

JSR、富士、信越化學(xué)、住友化學(xué)、，歐洲的

AZEM、

E.Merck和韓國的東進(jìn)世美等。

隨著產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移、美國對中國科技技術(shù)的打壓和配套產(chǎn)業(yè)鏈的完善，未來進(jìn)口

替代是趨勢所向，其中大部分中低端產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，國內(nèi)企業(yè)已在光刻膠等

高端產(chǎn)品進(jìn)口替代上取得突破，進(jìn)口替代趨勢愈加明顯。2.2

超高/高純試劑已成為中堅(jiān)力量公司超凈高純試劑主要應(yīng)用在半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)過程。隨著公司年產(chǎn)

9

萬噸超大

規(guī)模集成電路用半導(dǎo)體級高純硫酸技改項(xiàng)目的實(shí)施，部分硫酸產(chǎn)能將由基礎(chǔ)化工行

業(yè)類別轉(zhuǎn)化為超凈高純試劑行業(yè)類別，公司產(chǎn)品將進(jìn)一步朝著半導(dǎo)體材料領(lǐng)域傾斜。我們認(rèn)為種類豐富、品質(zhì)高及注重專利保護(hù)等三大因素助力公司脫穎而出。品類豐富可以滿足下游多樣化需求超凈高純試劑是控制顆粒和雜質(zhì)含量的電子工業(yè)用化學(xué)試劑。按性質(zhì)可劃分為：

酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其它類。晶瑞股份的超凈高純試劑多款產(chǎn)品達(dá)到

G4

等級，其中超凈高純雙氧水、超凈高

純硫酸、超凈高純氨水三大類產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)整體技術(shù)突破，達(dá)到

G5

等級，是國內(nèi)唯一

一家同時供應(yīng)硫酸、雙氧水、氨水三種高純試劑的企業(yè)，適用于

4

納米以上集成電

路加工工藝。公司目前已投產(chǎn)產(chǎn)品已獲得上海華虹、中芯國際、長江存儲、合肥長

鑫等知名半導(dǎo)體客戶的采購或認(rèn)證。公司產(chǎn)品品質(zhì)極高，硫酸、氨水及雙氧水均為G5

級別

集成電路集成度越高，對高純試劑顆?？刂频囊笤絿?yán)格。一般認(rèn)為，產(chǎn)生集

成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質(zhì)大小為最小線寬的

1/4,產(chǎn)生腐蝕或漏電等化

學(xué)性故障的雜質(zhì)大小為最小線寬的

1/10。隨著集成電路線寬尺寸減小，對專用化學(xué)

品中的金屬雜質(zhì)、塵埃含量、塵埃粒徑等指標(biāo)提出了更高的要求，對超凈高純試劑

的需求日益增加。晶瑞股份的超凈高純試劑品質(zhì)行業(yè)領(lǐng)先。1975

年國際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織

(SEMI)制定了國際統(tǒng)一的超凈高純試劑標(biāo)準(zhǔn)，以對應(yīng)不同線寬的集成電路應(yīng)用。目

前中國大多數(shù)企業(yè)的工藝水平在

SEMIG1

至

G2

之間，較好的能達(dá)到

SEMIG3

級別，僅

有少數(shù)國內(nèi)企業(yè)部分產(chǎn)品能達(dá)到

SEMIG4

及以上的等級。其中晶瑞股份的濃硫酸、氨

水及雙氧水等三項(xiàng)產(chǎn)品的提純技術(shù)已經(jīng)能達(dá)到

SEMIG5

級別。公司注重專利申請以防止競爭者復(fù)刻通過多年創(chuàng)新，公司取得了一系列擁有自主知識產(chǎn)權(quán)并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的科研

成果。公司擁有江蘇省工程技術(shù)中心，江蘇省企業(yè)技術(shù)中心等省級研發(fā)平臺，擁有

國家

CNAS認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室一個。近十年先后承擔(dān)了國家重大科技專項(xiàng)、863

計(jì)劃等一

大批國家科技項(xiàng)目。研發(fā)生產(chǎn)銷售微電子業(yè)用超純電子材料如電子級雙氧水、電子

級氨水、電子級硝酸等。2.3

半導(dǎo)體光刻膠有望成為未來支柱集成電路制造工藝繁多復(fù)雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導(dǎo)體制造三大核

心工藝。制造芯片的過程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過薄膜沉積、光

刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。其中薄膜沉積工藝

主要功效是在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，光刻技術(shù)主要功效是把光罩上的圖形

轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝主要功效是把光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，最后去除光刻膠

后，就完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。光刻膠的質(zhì)量決定著刻蝕的質(zhì)量。光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，由成膜劑、光敏劑、

溶劑和添加劑等主要化學(xué)品

成分和其他助劑組成，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微

細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。由于集成電路一般有十幾

層結(jié)構(gòu)，每層結(jié)構(gòu)加工則需要十幾個刻蝕步驟，只有每個刻蝕步驟的合格率均達(dá)到

99.99%，才能實(shí)現(xiàn)總體合格率

90%以上，因此高品質(zhì)光刻膠的作用不言而喻。過去光刻膠品類隨著光刻機(jī)迭代而更新，而光刻機(jī)的迭代實(shí)質(zhì)其實(shí)是光源的迭代更新。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻

膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在

底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。簡單點(diǎn)來說，光刻機(jī)

就是放大的單反，光刻機(jī)就是將光罩上的設(shè)計(jì)好集成電路圖形通過光線的曝光印到

光感材料上，形成圖形。過去的幾十年中，光刻的曝光波長已從汞燈的

436nm縮小到

356nm，進(jìn)而到深

紫外波長

248nm的

KrF準(zhǔn)分子激光，193nm的

ArF準(zhǔn)分子激光和更短波長的

157nmF2

準(zhǔn)分子激光。目前光源創(chuàng)新已達(dá)極致，未來光刻膠的研發(fā)將接棒光刻機(jī)的研發(fā)，占據(jù)推動整

個半導(dǎo)體行業(yè)的主導(dǎo)地位。根據(jù)瑞利公式，為了提高分辨率，獲得較窄的光刻線寬，

常用的方法有采用更短的曝光波長或更大的數(shù)值孔徑。然而，孔徑的增加會受到焦

深的限制。因此，提高分辨率的最直接辦法就是采用更短波長的光源。隨著特征尺寸的不斷變小，傳統(tǒng)的光學(xué)投影光刻已經(jīng)達(dá)到了物理極限，要研發(fā)

相應(yīng)的光刻設(shè)備所付出的技術(shù)和資金代價(jià)都十分高昂。目前正在研發(fā)的

EUV光源有

激光等離子體源（LPP）技術(shù)和放電等離子體源（DPP）技術(shù)等兩種光源。LPP技術(shù)是

采用高功率激光轟擊氙（Xe）或錫（Sn）等靶材產(chǎn)生等離子體，由等離子體釋放極

紫外光。DPP技術(shù)在放電氣體中加入脈沖高電壓，產(chǎn)生等離子釋放極紫外光。而

LPP技術(shù)被認(rèn)為是

EUV光源的最佳候選者，主要是因?yàn)?/p>

LPPEUV光源發(fā)光區(qū)域小，發(fā)出

的極紫外輻射可以很好地收集，能達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)制造所需要的功率。而

DPPEUV光源功率還達(dá)不到要求。LPP技術(shù)的靶材由氙轉(zhuǎn)變?yōu)殄a后，具有更高的轉(zhuǎn)換效率（CE）。

因而

LPPEUV光源是下一代光刻光源中最有希望的，進(jìn)而繼

193

nm浸沒式光刻技術(shù)

后成為集成電路制造領(lǐng)域的主流光刻技術(shù)。我們認(rèn)為種類豐富、配方能力及注重專利保護(hù)等兩大因素助力公司在光刻膠產(chǎn)業(yè)脫穎而出。品類豐富，能滿足下游多樣需求蘇州瑞紅

1993

年開始光刻膠生產(chǎn)，承擔(dān)并完成了國家

02

專項(xiàng)“i線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目。公司光刻膠產(chǎn)品序列齊全，產(chǎn)業(yè)化規(guī)模、盈利能力均處于行業(yè)領(lǐng)先水平，其中

i線光刻膠已向國內(nèi)的知名大尺寸半導(dǎo)體廠商供貨，

KrF（248nm深紫外）光刻膠完成

中試，產(chǎn)品分辨率達(dá)到了

0.25～0.13μm的技術(shù)要求，建成了中試示范線。此外，公

司在

2016

年與日本三菱化學(xué)株式會社在蘇州設(shè)立了

LCD用彩色光刻膠共同研究所，

為三菱化學(xué)的彩色光刻膠在國內(nèi)的檢測以及中國國內(nèi)客戶評定檢測服務(wù)，并于

2019

年開始批量生產(chǎn)供應(yīng)顯示面板廠家。公司于

2020

年下半年購買

ASML1900Gi型光刻

機(jī)設(shè)備，

ArF高端光刻膠研發(fā)工作正式啟動，旨在研發(fā)滿足

90-28nm芯片制程的ArF(193nm)光刻膠，滿足當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料市場需求。配方工藝為最核心工藝公司生產(chǎn)的光刻膠對應(yīng)的核心生產(chǎn)工藝為產(chǎn)品配方技術(shù)、超潔凈技術(shù)和質(zhì)量控

制技術(shù)，其中配方技術(shù)為最核心工藝。公司擁有

100

級凈化灌裝線，生產(chǎn)人員在潔

凈環(huán)境下根據(jù)公司自主研發(fā)的產(chǎn)品配方對原材料進(jìn)行配比溶解，經(jīng)調(diào)整后，進(jìn)行精

密過濾，最后灌裝形成光刻膠成品；同時，公司擁有國內(nèi)一流的光刻膠檢測評價(jià)技

術(shù)，為了保證公司產(chǎn)品質(zhì)量，在每一步工藝流程后均會對公司產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量檢測分

析，以滿足客戶對光刻膠的分辨率、感光靈敏度等技術(shù)指標(biāo)要求。以專利保護(hù)構(gòu)建護(hù)城河公司具有悠久的光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)歷史，具有較多的技術(shù)沉淀、應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)和市

場基礎(chǔ)，利于新品的研發(fā)和產(chǎn)品的推廣。公司生產(chǎn)工藝流程和設(shè)備完善、質(zhì)量控制

體系完善。光刻膠配套材料包括緩沖蝕刻液、鋁蝕刻液、清洗液、顯影液、稀釋劑、

剝離液、硅蝕刻液等十幾個品種，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路、液晶面板、

LED、觸摸屏、光伏電池、鋰電池等行業(yè)。2.4

對標(biāo)信越夯實(shí)領(lǐng)軍者地位信越化學(xué)工業(yè)株式會社成立于

1926

年，于

1949

年在東京證券交易所上市，是

日本最大的化工企業(yè)。信越化學(xué)是全球半導(dǎo)體材料巨頭，在半導(dǎo)體硅、光掩膜等領(lǐng)

域占據(jù)了全球最大的市場份額。公司主要業(yè)務(wù)包括

PVC/聚氯乙烯、有機(jī)硅、特種化

學(xué)品、半導(dǎo)體硅和電子與功能性材料五個板塊。信越化學(xué)經(jīng)營風(fēng)格穩(wěn)健，長期保持著超過

80%的凈資產(chǎn)比。十年來公司營業(yè)收入

和歸母凈利潤穩(wěn)步上升。2020

財(cái)年（2020

年

4

月至

2021

年

3

月）受疫情影響，市

場形勢不佳，需求縮減，公司營收和歸母凈利潤出現(xiàn)小幅度下降，分別為

15435

億

日元（141.6

億美元）和

3140

億日元（28.8

億美元），同比下降

3%和

6%，證明公司

具有較強(qiáng)的風(fēng)險(xiǎn)應(yīng)對能力。分業(yè)務(wù)板塊看，PVC/聚氯乙烯是公司最大的業(yè)務(wù)板塊，營業(yè)收入占比

31%。電子與

功能性材料板塊

2020

財(cái)年?duì)I業(yè)收入

2348

億日元，占比

16%。在各個板塊中，電子與功

能性材料的營業(yè)利潤率始終保持在較高的水平，并呈現(xiàn)出緩慢增長的趨勢，半導(dǎo)體硅的

營業(yè)利潤率近年來出現(xiàn)了較大幅度的增長，從

2017

年的

22%增長到了

2020

年的

39%。信越及晶瑞半導(dǎo)體材料品類眾多，且貼近下游客戶信越公司半導(dǎo)體材料種類豐富，涵蓋高品質(zhì)硅片、光刻膠、切割拋光、樹脂密

封等等，完全覆蓋下游需求。信越光刻膠產(chǎn)品包括

SIPR、SEPR、SAIL等六個系列，

覆蓋了

i線、干式

ArF、浸沒式

ArF、KrF和

EUV，主要用于半導(dǎo)體制造和磁頭制造。

SIPR等

i線產(chǎn)品主要用于半導(dǎo)體、GaAs（砷化鎵）、薄膜磁頭（thin-filmmagneticheads）、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）、凸塊制造（bump）等，KrF和

ArF產(chǎn)品用于半導(dǎo)體蝕

刻，此外，在前沿的微型化領(lǐng)域，公司也實(shí)現(xiàn)了多層光刻膠產(chǎn)品的量產(chǎn)。信越公司產(chǎn)地分布貼近下游圓晶廠，可以更及時服務(wù)客戶。信越光刻膠生產(chǎn)基

地布局在日本新潟縣和中國臺灣省云林縣。其中中國臺灣生產(chǎn)基地于

2018

年

11

月

設(shè)立，是信越在海外設(shè)立的首個光刻膠生產(chǎn)基地，該基地旨在利用中國臺灣作為主

要光刻膠需求地的區(qū)位優(yōu)勢。2020

年

10

月，信越宣布投資

300

億日元（2.85

億美

元）擴(kuò)張中國臺灣和日本的光刻膠產(chǎn)線，建設(shè)完成后中國臺灣工廠將增產(chǎn)

50%，并新

建

EUV光刻膠產(chǎn)能以滿足臺積電等客戶的需求，日本工廠將增產(chǎn)

20%。公司通過外延并購豐富產(chǎn)品類型，目前已形成高純半導(dǎo)體用試劑及光刻膠組合

拳產(chǎn)品。公司圍繞泛半導(dǎo)體材料和新能源材料兩個方向，通過并購行業(yè)優(yōu)質(zhì)資源來擴(kuò)充自身實(shí)力。2017

年收購蘇州瑞紅股份，完成光刻膠業(yè)務(wù)布局；2017

年及

2019

年分階段收購電子級硫酸公司江蘇陽恒，一舉增強(qiáng)了公司濕化學(xué)品研制能力；2019

年發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買載元派爾森，完成鋰電池行業(yè)布局；2021

年收購晶之瑞

（蘇州）微電子科技有限公司，進(jìn)一步豐富了自身的產(chǎn)品類型。未來，公司依然通過內(nèi)生增長和外延并購，將公司打造成產(chǎn)品種類全、技術(shù)水

平高，具有國際競爭力的微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)。晶瑞股份生產(chǎn)基地基本選在中國圓晶廠密集地區(qū)。中國的晶圓廠，熟悉半導(dǎo)體

的朋友都會有所了解，我們在大陸有大量的晶圓廠正在建設(shè)，分布在不同的區(qū)域，

華北、華南、華中都有，華東的數(shù)量是最多的。信越憑借半導(dǎo)體器件卡位半導(dǎo)體市場，晶瑞則憑借光刻膠率先研發(fā)實(shí)現(xiàn)卡位信越化學(xué)以半導(dǎo)體器件迅速切入半導(dǎo)體市場，完成卡位后快速導(dǎo)入光刻膠及高

純度硅片產(chǎn)品。信越集團(tuán)于

1979

年便設(shè)立

S.E.H.

America公司，開始生產(chǎn)

IC掩膜

板用合成石英基板，隨后于

1984

年設(shè)立

S.E.H.

Europe（英國），并完成鉭酸鋰（LT）

產(chǎn)品的生產(chǎn)，隨后十余年內(nèi)逐步開發(fā)出超高純氮化硼（PBN）成型產(chǎn)品、超小型光隔

離器及光掩膜防塵用保護(hù)罩、蒙版，成功打入了美國及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。隨后公司于

1998

年實(shí)現(xiàn)了光刻膠生產(chǎn)商業(yè)化，并成功導(dǎo)入韓國三星等企業(yè)中。

根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020

年，信越化學(xué)在全球光刻膠市場占有約

13%的份額。

其中在目前光刻技術(shù)最前沿的

EUV光刻領(lǐng)域，信越化學(xué)是全球?yàn)閿?shù)不多具備

EUV光

刻膠生產(chǎn)能力的企業(yè)之一，和

JSR共同占據(jù)了約

90%的市場份額。相比行業(yè)內(nèi)其他公司，晶瑞股份子公司蘇州瑞紅為國內(nèi)最早一批投入光刻膠研

發(fā)的企業(yè)。蘇州瑞紅

1993

年開始光刻膠的生產(chǎn)，是國內(nèi)最早規(guī)?；a(chǎn)光刻膠的

企業(yè)之一，承擔(dān)了國家重大科技項(xiàng)目

02

專項(xiàng)

“i線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”

項(xiàng)目，在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)目前集成電路芯片制造領(lǐng)域大量使用的核心光刻膠的量產(chǎn)，

可以實(shí)現(xiàn)

0.35μm的分辨率，在業(yè)內(nèi)建立了較高技術(shù)聲譽(yù)。2021

年

6

月

22

日，晶

瑞股份在投資者互動平臺中表示，公司的KrF光刻膠完成中試，建成了中試示范線，

目前已進(jìn)入客戶測試階段，達(dá)到0.15μm的分辨率，測試通過后即可進(jìn)入量產(chǎn)階段，

滿足當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料市場需求?？v觀行業(yè)其他公司，研發(fā)時間大多晚于

晶瑞股份，且相關(guān)配方已被公司申請專利保護(hù)，因而行業(yè)內(nèi)其他公司的研制路徑及

方式必然存在不同。雖然該領(lǐng)域產(chǎn)品通過下游驗(yàn)證后性能相似，但其配方及研制方

法均為各家企業(yè)獨(dú)創(chuàng)。信越及晶瑞均十分重視研發(fā)投入及專利保護(hù)信越十分重視知識產(chǎn)權(quán)，從

90

年代開始大量布局光刻膠相關(guān)專利，到

2011

年

左右達(dá)到頂峰。同時公司也注重在海外的專利布局，其在韓國、中國大陸、中國臺灣和美國都擁有大量的專利。通過早期大規(guī)模布局，公司得以鞏固其技術(shù)壁壘。晶瑞股份取得了一大批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)并產(chǎn)業(yè)化的科研成果。2020

年公司研

發(fā)投入為

3384.7

萬元，穩(wěn)定的研發(fā)投入及優(yōu)秀的研發(fā)創(chuàng)新能力使公司擁有較強(qiáng)的技

術(shù)優(yōu)勢和競爭實(shí)力，將持續(xù)為公司帶來穩(wěn)定的經(jīng)濟(jì)效益。截至

2020

年期末，公司及

下屬子公司共擁有專利

72

項(xiàng)，其中發(fā)明專利

45

項(xiàng)。2.5

面板和光伏制造精度的“半導(dǎo)體化”打開新篇章平板顯示工藝中，光刻的清洗和蝕刻環(huán)節(jié)需要大量超凈高純試劑，顯影和剝離

環(huán)節(jié)中需要顯影液、剝離液等功能性材料，光刻膠也是制作

TFT-LCD關(guān)鍵器件彩色

濾光片的核心材料，約占

TFT-LCD總成本的

4%。目前，國內(nèi)超凈高純試劑以及功

能性材料的技術(shù)儲備已經(jīng)基本達(dá)到平板顯示市場要求，隨著國內(nèi)平板顯示行業(yè)的增

長以及微電子化學(xué)產(chǎn)業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，超凈高純試劑及光刻膠市場需求將進(jìn)一步增大。濕化學(xué)品方面，濕電子化學(xué)品發(fā)揮顯影、光刻和清洗功效。濕電子化學(xué)品在液

晶顯示器（LCD）

生產(chǎn)過程中，主要用于面板制造中基板上顆粒和有機(jī)物的清洗、光刻膠的顯影

和去除、電極的刻蝕等，濕化學(xué)品中所含的金屬離子和個別塵埃顆粒，

都會讓

面板產(chǎn)生極大缺陷，所以工藝化學(xué)品的純度和潔凈度對平板顯示器的成品率

有

著十分重要的影響。隨著中國政策的扶持和龍頭企業(yè)十幾年來的建設(shè)發(fā)展，國內(nèi)

高世代線紛紛建成投產(chǎn)，顯示產(chǎn)業(yè)已經(jīng)由日韓向中國轉(zhuǎn)移，中國在全球平板顯示產(chǎn)

業(yè)中的地位逐步穩(wěn)固，根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，2020

年中國

LCD產(chǎn)能占全球產(chǎn)能的

50%，

穩(wěn)居全球第一，OLED領(lǐng)域產(chǎn)能也在不斷釋放，未來增長可期。從全球

TFT-LCD產(chǎn)業(yè)格局來看，韓國、中國臺灣、日本是全球主要的

TFT-LCD生產(chǎn)地，中國大陸

TFT-LCD產(chǎn)業(yè)正在快速崛起。隨著中國高世代線的加快建設(shè)，中

國大陸在全球平板顯示產(chǎn)業(yè)中的地位將會快速提升。液晶面板產(chǎn)業(yè)為國家重點(diǎn)戰(zhàn)略

扶持產(chǎn)業(yè)，近年來得到高速發(fā)展，國內(nèi)龍頭面板企業(yè)已經(jīng)建設(shè)了全球領(lǐng)先的高世代

液晶面板生產(chǎn)線。根據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，

2020

年中國大陸

LCD面板、

OLED面板產(chǎn)能分別達(dá)

1.69

億平米、1509

萬平米。按照

80%的產(chǎn)能利用率，

測算

2020

年

LCD、

OLED面板制造對微電子化學(xué)品的需求量分別達(dá)

42

萬噸、27

萬噸，行業(yè)總需求為

69

萬噸，2014-2020

年復(fù)合增長率為

28.15%，預(yù)計(jì)未來三年

將保持

25%以上的增速。光刻膠方面，根據(jù)法國知名調(diào)研機(jī)構(gòu)-Reportlinker于

2020

年

7

月公布的數(shù)據(jù)

顯示，2019

年，全球光刻膠在面板顯示(LCD)領(lǐng)域的應(yīng)用占比最大，約

27.8%;而在

PCB和半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用比例分別為

23%和

21.9%。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2020

年，全球光刻膠整體市場規(guī)模約

87

億美元。據(jù)

Reportlinker機(jī)構(gòu)的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，

2019-2026

年全球光刻膠市場的復(fù)合年增長率為

6.3%，前瞻據(jù)此以

6%左右的增速測

算，至

2026

年，全球光刻膠行業(yè)市場規(guī)模將突破

120

億美元，面板光刻膠市場規(guī)模

將達(dá)

27

億美元。光伏電池是通過光電效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。按照基體材質(zhì)的不同，太

陽能電池可分為晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池。以高純度硅材料作為主要原

料的晶體硅太陽能電池一直是市場主流產(chǎn)品，占據(jù)著光伏發(fā)電市場的優(yōu)勢地位。公司產(chǎn)品超凈高純試劑、功能性材料主要應(yīng)用于上游多晶硅、單晶硅、硅片以

及中游的電池片制造工藝中清洗、蝕刻等環(huán)節(jié)。近年來，受歐洲市場對光伏電池的

需求拉動，中國光伏太陽能電池制造主要用于向境外出口。經(jīng)過多年快速發(fā)展，我

國目前已成為全球最大的晶體硅太陽能電池生產(chǎn)國之一。太陽能發(fā)展“十三五”規(guī)

劃中明確提出，到

2020

年底，太陽能發(fā)電裝機(jī)達(dá)到

1.1

億千瓦以上，其中，光伏

發(fā)電裝機(jī)達(dá)到

1.05

億千瓦以上，在“十二五”基礎(chǔ)上每年保持穩(wěn)定的發(fā)展規(guī)模;太

陽能熱發(fā)電裝機(jī)達(dá)到

500

萬千瓦。太陽能熱利用集熱面積達(dá)到

8

億平方米。到

2020

年，太陽能年利用量達(dá)到

1.4

億噸標(biāo)準(zhǔn)煤以上。由此可見，光伏發(fā)電仍將是中國電

力生產(chǎn)行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展方向。太陽能利用規(guī)模的擴(kuò)大會帶動太陽能電池需求的增長。

自

531

新政發(fā)布以來，光伏產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)價(jià)格已降低了

30%-40%，光伏平價(jià)上網(wǎng)加速

推進(jìn)中。同時