薄膜電容器知識(shí)課件

電容器基礎(chǔ)知識(shí)講座技術(shù)中心1技術(shù)中心電容器基礎(chǔ)知識(shí)講座技術(shù)中心1技術(shù)中心培訓(xùn)內(nèi)容

電容器基礎(chǔ)知識(shí)電容器的應(yīng)用電容器的標(biāo)準(zhǔn)與測(cè)試電容器材料電容器工藝產(chǎn)品分析報(bào)告薄膜電容器的發(fā)展動(dòng)態(tài)2技術(shù)中心培訓(xùn)內(nèi)容電容器基礎(chǔ)知識(shí)2技術(shù)中心第一講

電容器基礎(chǔ)知識(shí)（一）概念電容器的分類電容器的結(jié)構(gòu)電容器的發(fā)展3技術(shù)中心第一講電容器基礎(chǔ)知識(shí)（一）概念3技術(shù)中心概念電容器是儲(chǔ)存電荷或存儲(chǔ)電量（電勢(shì)能）的容器。是電工及電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用的電路基本元件，通常由電介質(zhì)（絕緣材料）隔離的兩塊導(dǎo)電極板組成。任何絕緣材料都可能成為電容器的電介質(zhì)，如紙、玻璃、云母、油、空氣等等，目前主要產(chǎn)品有陶瓷電容器、塑料薄膜電容器、電解電容器三大類。薄膜電容器：指以（電工級(jí)）塑料薄膜為電介質(zhì)的電容器。與陶瓷和電解電容器相比具有產(chǎn)品性能好、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，但容量/體積比小，價(jià)格高。4技術(shù)中心概念電容器是儲(chǔ)存電荷或存儲(chǔ)電量（電勢(shì)能）的容器。是電工及電概念電容器的符號(hào)電容器的標(biāo)志：電容量、等級(jí)、額定電壓、型號(hào)、生產(chǎn)日期、商標(biāo)、認(rèn)證標(biāo)志……+5技術(shù)中心概念電容器的符號(hào)+5技術(shù)中心概念電容量的單位：F、μF、nF、pF。1F=106μF=109nF=1012pF1μF=103nF=106pF1nF=103pF三位數(shù)表示法：ABC=AB×10CpF。如:104、223符號(hào)法：4p7、3n3、15n、6μ86技術(shù)中心概念電容量的單位：F、μF、nF、pF。6技術(shù)中心概念額定電壓：直流：dc、---、或不標(biāo)交流：ac、～額定電壓的符號(hào)法：（JIS）生產(chǎn)日期：直標(biāo)法：05.2；年號(hào)：S、T；周：符號(hào)等等。2A1003B12501C162D2002E2502F3152G4001H501J632K8007技術(shù)中心概念額定電壓：2A1003B12501C162D2002E2電容器的分類按介質(zhì)分類：有機(jī)介質(zhì)電容器

塑料薄膜、紙介、漆膜、復(fù)合介質(zhì)

PET、OPP、PEN、PPS、PS、PC無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器

瓷介、云母、玻璃膜及玻璃釉高頻瓷、鐵電瓷、半導(dǎo)體瓷電解電容器

鋁電解、鉭電解、鈮電解

液體鋁電解、固體鋁電解、無(wú)極性電解8技術(shù)中心電容器的分類按介質(zhì)分類：8技術(shù)中心電容器的型號(hào)命名（GB2470-81）C□□□（第一位C，第四位為序號(hào)）D鋁電解A鉭電解N鈮電解G合金電解E電解C高頻瓷T低頻瓷Y云母V云母紙I玻璃釉O(shè)玻璃膜B聚苯乙烯非極性薄膜L聚酯極性薄膜H紙膜復(fù)合J金屬化紙Z紙Q漆膜第三位123456789薄膜非密封密封穿心高壓特殊電解箔式燒結(jié)粉無(wú)極性特殊瓷介圓形管型疊片獨(dú)石穿心支柱高壓9技術(shù)中心電容器的型號(hào)命名（GB2470-81）C□□□（第一位C，第幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan工作溫度(℃)-55/105-55/125-55/140-55/125-55/125-55/125電容量隨溫度變化ΔC/C(%)±5±5±1.5±1±15±10DC電壓系數(shù)(%)可忽略可忽略可忽略可忽略-20可忽略壽命期容量變化（%/h,十年）可忽略可忽略可忽略可忽略2——損耗(%)1kHz10kHz100kHz0.81.53.00.81.53.00.200.250.500.100.100.102.5

8

ESR低低很低低中至高高RI(s)25℃85℃10000100010000100010000100010000100010005001001010技術(shù)中心幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan電容量范圍102/106102/475101/105100/473101/475104/108容器允許偏差J,K,MJ,K,MJ,K,MJ,KK,MK,M自愈性有有有無(wú)無(wú)無(wú)典型失效模式(壽命終止時(shí))開路開路開路短路短路短路可靠性高高高高中低壓電效應(yīng)無(wú)無(wú)無(wú)有有有抗熱機(jī)械沖擊高高高中至低中至低低非線形失真非常低非常低非常低低高——極性無(wú)無(wú)無(wú)無(wú)無(wú)有11技術(shù)中心幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（介質(zhì)）聚丙烯膜高頻損耗極低，電容量穩(wěn)定性很高，負(fù)溫度系數(shù)較小，絕緣電阻極高，介質(zhì)吸收系數(shù)極低，自愈性好，介電強(qiáng)度高，吸水率低。聚酯膜工作溫度范圍寬，介電常數(shù)高，電容量穩(wěn)定性高，正溫度系數(shù)，絕緣電阻高，自愈性好，薄膜厚度可達(dá)0.9m,容積比高。12技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（介質(zhì)）聚丙烯膜高頻損耗極低，電容量穩(wěn)定性很（塑料）薄膜電容器的分類通用用于以直流分量為主的電路場(chǎng)合。如：耦合、旁路、濾波....交流與脈沖用于以交流或脈沖電壓分量為主的電路場(chǎng)合，可以承受較大的交流或脈沖電流。如：行逆程高壓、S校正、尖峰吸收....抑制電源電磁干擾用于電源電路，抑制電磁干擾，提高整機(jī)的CE特性?？缇€：X1\X2\X3；接地：Y1\Y2\Y3\Y4精密用于要求電容量精確、穩(wěn)定、溫度系數(shù)小的場(chǎng)合。如：定時(shí)、振蕩、積分。交流工作于交流電源。如：電機(jī)起動(dòng)、功率因數(shù)補(bǔ)償....13技術(shù)中心（塑料）薄膜電容器的分類通用用于以直流分量為主的電路場(chǎng)合。交薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（電極）金屬箔鋁箔（5、6、6.5μm）工藝流程短，成本低，耐電流沖擊。沒有自愈性，擊穿后短路，可靠性差，工作場(chǎng)強(qiáng)低，體積大，不適合做高壓。錫箔（7、14μm）金屬化鋁金屬化高/低方阻，加厚邊，安全膜，波浪邊，雙面有自愈性，可靠性高，工作場(chǎng)強(qiáng)高，體積小，開路失效模式，適合做高壓產(chǎn)品。耐電流差，成本高，工藝流程長(zhǎng)鋅鋁金屬化加厚邊，安全膜，波浪邊膜箔式金屬箔作外電極金屬化作內(nèi)電極兼顧金屬箔和金屬化的優(yōu)點(diǎn)，適合做高壓大電流產(chǎn)品。主要為內(nèi)串式結(jié)構(gòu)。14技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（電極）金屬箔鋁箔工藝流程短，成本低，耐電流薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（芯子結(jié)構(gòu)）卷繞式金屬箔式有感式引出線點(diǎn)焊旗箔式無(wú)感式露箔點(diǎn)焊，預(yù)焊金屬化無(wú)感式噴金疊片式疊片式噴金表面安裝噴金/（涂漿料）/上錫焊片式內(nèi)串式2/3/4/5串噴金膜箔式有感式旗箔式無(wú)感式預(yù)焊，噴金15技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（芯子結(jié)構(gòu)）卷繞式金屬箔式有感式引出線點(diǎn)焊無(wú)薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（外部結(jié)構(gòu)）封裝浸漬型液體/粉末/簡(jiǎn)裝設(shè)計(jì)靈活盒式塑料外殼金屬外殼外觀一致性好插件直通率高裸裝浸樹脂加套管體積小引出方式徑向成型編帶易插件排版密度高軸向圓柱形扁平型結(jié)構(gòu)穩(wěn)定節(jié)省高度空間16技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（外部結(jié)構(gòu)）封裝浸漬型液體/粉末/簡(jiǎn)裝設(shè)計(jì)靈薄膜電容器的選用1.根據(jù)用途或電路原理確定電容器的類型：1.1直流回路：選用通用類薄膜電容器。

低電壓：盒式、高性能：CL23B、CL23/大間距浸漬型、小型化：CL21X廉價(jià)：CL11容量穩(wěn)定：CBB21、CBB13、CH11高精密：CBB71、CBB72、CBB70表面安裝：CLN51、CBS52中高壓：體積?。篊L21、CL20容量穩(wěn)定：CBB21、CBB81表面安裝：CLN51、17技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.根據(jù)用途或電路原理確定電容器的類型：17薄膜電容器的選用1.2交流脈沖回路（S校正電路、行逆程電路、尖峰吸收回路、燈具）：選用脈沖類電容器行逆程電路：CBB81、CBB81B、CBB81AS校正電路：CBB21、CBB21B、CBB21A、CBB13電子鎮(zhèn)流器：MKP21、MKP81、MMKP82、MMKP84節(jié)能燈：CL11、CBB11、CL21、CL23B、CL25、CBB2118技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.2交流脈沖回路（S校正電路、行逆程電路、薄膜電容器的選用1.3安規(guī)電容器的選用：電源跨線（抑制差模干擾）：X類X2類：CBB62（CQC）MKP61、MKP62（CQC、UL、ENEC）X1類：MKP63（CQC、UL、ENEC）電源對(duì)地（抑制共模干擾）：Y類Y2類:MKP63（CQC、UL、ENEC）19技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.3安規(guī)電容器的選用：19技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.4精密電容器的選用：我公司的精密電容器有五種型號(hào)。CBB70為金屬化軸向引出方式，電容量范圍較寬。CBB71A為箔式結(jié)構(gòu)，溫度系數(shù)較?。?150±70ppm）。6.3×11×5塑殼封裝，容量較小。CBB71B為箔式結(jié)構(gòu)，溫度系數(shù)較?。?150±70ppm）。方型塑殼封裝引線呈對(duì)角線引出，容量比A型的大。CBB72A為金屬化結(jié)構(gòu)，溫度系數(shù)為（-200±100ppm）。6.3×11×5塑殼封裝，容量較小。CBB72B為金屬化結(jié)構(gòu)，溫度系數(shù)為（-200±100ppm）。方型塑殼封裝引線呈對(duì)角線引出，容量比A型的大。20技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.4精密電容器的選用：20技術(shù)中心薄膜電容器的壽命

影響薄膜電容器壽命的因數(shù)主要是環(huán)境溫度和電應(yīng)力。下圖給出環(huán)境溫度與電應(yīng)力對(duì)產(chǎn)品失效的影響：21技術(shù)中心薄膜電容器的壽命影響薄膜電容器壽命的因數(shù)主要是環(huán)境溫度薄膜電容器的發(fā)展方向介質(zhì)材料的發(fā)展趨勢(shì)：PAPERPETPCPSPETPENPPSPET丙烯酸樹脂聚對(duì)二甲苯成膜技術(shù)22技術(shù)中心薄膜電容器的發(fā)展方向介質(zhì)材料的發(fā)展趨勢(shì)：PAPERPETPE薄膜電容器的發(fā)展方向通用類電容器的發(fā)展趨勢(shì)：低成本、小型化、表面安裝。

通用類電容器主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是陶瓷和電解，目前是以電氣性能優(yōu)異、高可靠取勝，如果在價(jià)格、體積和表面安裝等方面不能突破的話，市場(chǎng)份額將會(huì)萎縮。有引出線

無(wú)引出線

卷繞式

疊片式

金屬箔式

金屬化

有感式

無(wú)感式

疊片式

表面安裝

23技術(shù)中心薄膜電容器的發(fā)展方向通用類電容器的發(fā)展趨勢(shì)：有引出線無(wú)引出薄膜電容器的發(fā)展方向脈沖類的發(fā)展趨勢(shì)：一是向高頻率、高電壓、大功率方向發(fā)展。二是專用化，根據(jù)用途進(jìn)行專門設(shè)計(jì)，如節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器、汽車電容器等等。安規(guī)電容器的發(fā)展趨勢(shì)--小型化。采用安全膜可以提高容積比，但成本較高，目前更傾向于提高薄膜的介電強(qiáng)度和改善工藝來減薄介質(zhì)厚度。UL1414標(biāo)準(zhǔn)-第六版的修訂。精密類—的發(fā)展趨勢(shì)是提高電容器的性能，使電容器更精密、更穩(wěn)定、更可靠。24技術(shù)中心薄膜電容器的發(fā)展方向脈沖類的發(fā)展趨勢(shì)：24技術(shù)中心薄膜電容器的發(fā)展方向交流類電容器是與直流電容器并列的大類產(chǎn)品，是薄膜電容器的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品，是其他介質(zhì)電容器無(wú)法取代的是。我公司交流電容器的市場(chǎng)份額還較小，因此發(fā)展空間還很大，必須抓住機(jī)遇，走高端、專用、冷門的路線，做大做強(qiáng)交流電容器。25技術(shù)中心薄膜電容器的發(fā)展方向交流類電容器是與直流電容器并列的薄膜電容器的發(fā)展方向

總之，薄膜電容器的發(fā)展方向是低成本，小型化，片式化，超高壓，大功率，高精密，高可靠。隨著新材料、新工藝技術(shù)的應(yīng)用與開發(fā)，薄膜電容器將產(chǎn)生重大變革。隨著整機(jī)設(shè)備的發(fā)展，對(duì)薄膜電容器的應(yīng)用將帶來機(jī)遇和挑戰(zhàn)。26技術(shù)中心薄膜電容器的發(fā)展方向總之，薄膜電容器的發(fā)展方向是低成電容器基礎(chǔ)知識(shí)講座技術(shù)中心27技術(shù)中心電容器基礎(chǔ)知識(shí)講座技術(shù)中心1技術(shù)中心培訓(xùn)內(nèi)容

電容器基礎(chǔ)知識(shí)電容器的應(yīng)用電容器的標(biāo)準(zhǔn)與測(cè)試電容器材料電容器工藝產(chǎn)品分析報(bào)告薄膜電容器的發(fā)展動(dòng)態(tài)28技術(shù)中心培訓(xùn)內(nèi)容電容器基礎(chǔ)知識(shí)2技術(shù)中心第一講

電容器基礎(chǔ)知識(shí)（一）概念電容器的分類電容器的結(jié)構(gòu)電容器的發(fā)展29技術(shù)中心第一講電容器基礎(chǔ)知識(shí)（一）概念3技術(shù)中心概念電容器是儲(chǔ)存電荷或存儲(chǔ)電量（電勢(shì)能）的容器。是電工及電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用的電路基本元件，通常由電介質(zhì)（絕緣材料）隔離的兩塊導(dǎo)電極板組成。任何絕緣材料都可能成為電容器的電介質(zhì)，如紙、玻璃、云母、油、空氣等等，目前主要產(chǎn)品有陶瓷電容器、塑料薄膜電容器、電解電容器三大類。薄膜電容器：指以（電工級(jí)）塑料薄膜為電介質(zhì)的電容器。與陶瓷和電解電容器相比具有產(chǎn)品性能好、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，但容量/體積比小，價(jià)格高。30技術(shù)中心概念電容器是儲(chǔ)存電荷或存儲(chǔ)電量（電勢(shì)能）的容器。是電工及電概念電容器的符號(hào)電容器的標(biāo)志：電容量、等級(jí)、額定電壓、型號(hào)、生產(chǎn)日期、商標(biāo)、認(rèn)證標(biāo)志……+31技術(shù)中心概念電容器的符號(hào)+5技術(shù)中心概念電容量的單位：F、μF、nF、pF。1F=106μF=109nF=1012pF1μF=103nF=106pF1nF=103pF三位數(shù)表示法：ABC=AB×10CpF。如:104、223符號(hào)法：4p7、3n3、15n、6μ832技術(shù)中心概念電容量的單位：F、μF、nF、pF。6技術(shù)中心概念額定電壓：直流：dc、---、或不標(biāo)交流：ac、～額定電壓的符號(hào)法：（JIS）生產(chǎn)日期：直標(biāo)法：05.2；年號(hào)：S、T；周：符號(hào)等等。2A1003B12501C162D2002E2502F3152G4001H501J632K80033技術(shù)中心概念額定電壓：2A1003B12501C162D2002E2電容器的分類按介質(zhì)分類：有機(jī)介質(zhì)電容器

塑料薄膜、紙介、漆膜、復(fù)合介質(zhì)

PET、OPP、PEN、PPS、PS、PC無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器

瓷介、云母、玻璃膜及玻璃釉高頻瓷、鐵電瓷、半導(dǎo)體瓷電解電容器

鋁電解、鉭電解、鈮電解

液體鋁電解、固體鋁電解、無(wú)極性電解34技術(shù)中心電容器的分類按介質(zhì)分類：8技術(shù)中心電容器的型號(hào)命名（GB2470-81）C□□□（第一位C，第四位為序號(hào)）D鋁電解A鉭電解N鈮電解G合金電解E電解C高頻瓷T低頻瓷Y云母V云母紙I玻璃釉O(shè)玻璃膜B聚苯乙烯非極性薄膜L聚酯極性薄膜H紙膜復(fù)合J金屬化紙Z紙Q漆膜第三位123456789薄膜非密封密封穿心高壓特殊電解箔式燒結(jié)粉無(wú)極性特殊瓷介圓形管型疊片獨(dú)石穿心支柱高壓35技術(shù)中心電容器的型號(hào)命名（GB2470-81）C□□□（第一位C，第幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan工作溫度(℃)-55/105-55/125-55/140-55/125-55/125-55/125電容量隨溫度變化ΔC/C(%)±5±5±1.5±1±15±10DC電壓系數(shù)(%)可忽略可忽略可忽略可忽略-20可忽略壽命期容量變化（%/h,十年）可忽略可忽略可忽略可忽略2——損耗(%)1kHz10kHz100kHz0.81.53.00.81.53.00.200.250.500.100.100.102.5

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ESR低低很低低中至高高RI(s)25℃85℃10000100010000100010000100010000100010005001001036技術(shù)中心幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan電容量范圍102/106102/475101/105100/473101/475104/108容器允許偏差J,K,MJ,K,MJ,K,MJ,KK,MK,M自愈性有有有無(wú)無(wú)無(wú)典型失效模式(壽命終止時(shí))開路開路開路短路短路短路可靠性高高高高中低壓電效應(yīng)無(wú)無(wú)無(wú)有有有抗熱機(jī)械沖擊高高高中至低中至低低非線形失真非常低非常低非常低低高——極性無(wú)無(wú)無(wú)無(wú)無(wú)有37技術(shù)中心幾種電容器的特性對(duì)比材料PETPENPPSNPOX7RTan薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（介質(zhì)）聚丙烯膜高頻損耗極低，電容量穩(wěn)定性很高，負(fù)溫度系數(shù)較小，絕緣電阻極高，介質(zhì)吸收系數(shù)極低，自愈性好，介電強(qiáng)度高，吸水率低。聚酯膜工作溫度范圍寬，介電常數(shù)高，電容量穩(wěn)定性高，正溫度系數(shù)，絕緣電阻高，自愈性好，薄膜厚度可達(dá)0.9m,容積比高。38技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（介質(zhì)）聚丙烯膜高頻損耗極低，電容量穩(wěn)定性很（塑料）薄膜電容器的分類通用用于以直流分量為主的電路場(chǎng)合。如：耦合、旁路、濾波....交流與脈沖用于以交流或脈沖電壓分量為主的電路場(chǎng)合，可以承受較大的交流或脈沖電流。如：行逆程高壓、S校正、尖峰吸收....抑制電源電磁干擾用于電源電路，抑制電磁干擾，提高整機(jī)的CE特性?？缇€：X1\X2\X3；接地：Y1\Y2\Y3\Y4精密用于要求電容量精確、穩(wěn)定、溫度系數(shù)小的場(chǎng)合。如：定時(shí)、振蕩、積分。交流工作于交流電源。如：電機(jī)起動(dòng)、功率因數(shù)補(bǔ)償....39技術(shù)中心（塑料）薄膜電容器的分類通用用于以直流分量為主的電路場(chǎng)合。交薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（電極）金屬箔鋁箔（5、6、6.5μm）工藝流程短，成本低，耐電流沖擊。沒有自愈性，擊穿后短路，可靠性差，工作場(chǎng)強(qiáng)低，體積大，不適合做高壓。錫箔（7、14μm）金屬化鋁金屬化高/低方阻，加厚邊，安全膜，波浪邊，雙面有自愈性，可靠性高，工作場(chǎng)強(qiáng)高，體積小，開路失效模式，適合做高壓產(chǎn)品。耐電流差，成本高，工藝流程長(zhǎng)鋅鋁金屬化加厚邊，安全膜，波浪邊膜箔式金屬箔作外電極金屬化作內(nèi)電極兼顧金屬箔和金屬化的優(yōu)點(diǎn)，適合做高壓大電流產(chǎn)品。主要為內(nèi)串式結(jié)構(gòu)。40技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（電極）金屬箔鋁箔工藝流程短，成本低，耐電流薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（芯子結(jié)構(gòu)）卷繞式金屬箔式有感式引出線點(diǎn)焊旗箔式無(wú)感式露箔點(diǎn)焊，預(yù)焊金屬化無(wú)感式噴金疊片式疊片式噴金表面安裝噴金/（涂漿料）/上錫焊片式內(nèi)串式2/3/4/5串噴金膜箔式有感式旗箔式無(wú)感式預(yù)焊，噴金41技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（芯子結(jié)構(gòu)）卷繞式金屬箔式有感式引出線點(diǎn)焊無(wú)薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（外部結(jié)構(gòu)）封裝浸漬型液體/粉末/簡(jiǎn)裝設(shè)計(jì)靈活盒式塑料外殼金屬外殼外觀一致性好插件直通率高裸裝浸樹脂加套管體積小引出方式徑向成型編帶易插件排版密度高軸向圓柱形扁平型結(jié)構(gòu)穩(wěn)定節(jié)省高度空間42技術(shù)中心薄膜電容器的結(jié)構(gòu)（外部結(jié)構(gòu)）封裝浸漬型液體/粉末/簡(jiǎn)裝設(shè)計(jì)靈薄膜電容器的選用1.根據(jù)用途或電路原理確定電容器的類型：1.1直流回路：選用通用類薄膜電容器。

低電壓：盒式、高性能：CL23B、CL23/大間距浸漬型、小型化：CL21X廉價(jià)：CL11容量穩(wěn)定：CBB21、CBB13、CH11高精密：CBB71、CBB72、CBB70表面安裝：CLN51、CBS52中高壓：體積?。篊L21、CL20容量穩(wěn)定：CBB21、CBB81表面安裝：CLN51、43技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.根據(jù)用途或電路原理確定電容器的類型：17薄膜電容器的選用1.2交流脈沖回路（S校正電路、行逆程電路、尖峰吸收回路、燈具）：選用脈沖類電容器行逆程電路：CBB81、CBB81B、CBB81AS校正電路：CBB21、CBB21B、CBB21A、CBB13電子鎮(zhèn)流器：MKP21、MKP81、MMKP82、MMKP84節(jié)能燈：CL11、CBB11、CL21、CL23B、CL25、CBB2144技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.2交流脈沖回路（S校正電路、行逆程電路、薄膜電容器的選用1.3安規(guī)電容器的選用：電源跨線（抑制差模干擾）：X類X2類：CBB62（CQC）MKP61、MKP62（CQC、UL、ENEC）X1類：MKP63（CQC、UL、ENEC）電源對(duì)地（抑制共模干擾）：Y類Y2類:MKP63（CQC、UL、ENEC）45技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.3安規(guī)電容器的選用：19技術(shù)中心薄膜電容器的選用1.4精密電容器的選用：我公司的精密電容器有五種型號(hào)。CBB70為金屬化軸向引出方式，電容量范圍較寬。CBB71A為箔式結(jié)構(gòu)，溫度系數(shù)較小（-150±70ppm）。6.3×11×5塑殼封裝，容量較小。CBB71B為箔式結(jié)構(gòu)，溫度系數(shù)較小（-150±70ppm）。方型塑殼封裝引線呈對(duì)角線引出，容量比A型的大。CBB72A為金屬化結(jié)構(gòu)，溫度系數(shù)為（-200±100ppm）