XXXX年新材料行業(yè)報告

新材料行業(yè)分析報告

——IGBT行業(yè)分析柒江南怪Contents一二三新材料行業(yè)分析新材料行業(yè)關(guān)注選擇——IGBTIGBT重點(diǎn)關(guān)注公司——吉林華微電子股份有限公司Contents新材料行業(yè)分析一新材料行業(yè)的簡述1新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀23新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測Contents新材料行業(yè)政策解析4新材料行業(yè)其他環(huán)境5我國新材料行業(yè)的談判地位67中國新材料現(xiàn)有企業(yè)的競爭力分析一、新材料行業(yè)的簡述㈠新材料的相關(guān)概念新材料是指新近發(fā)展的或正在研發(fā)的、性能超群的一些材料，具有比傳統(tǒng)材料更為優(yōu)異的性能。新材料技術(shù)則是按照人的意志，通過物理研究、材料設(shè)計、材料加工、試驗(yàn)評價等一系列研究過程，創(chuàng)造出能滿足各種需要的新型材料的技術(shù)。㈡新材料的類型1．按組分類金屬材料、無機(jī)非金屬材料（如陶瓷、砷化鎵半導(dǎo)體等）、有機(jī)高分子材料、先進(jìn)復(fù)合材料；2．按材料性能分類結(jié)構(gòu)材料、功能材料；3．按領(lǐng)域分類電子信息材料、新能源材料、納米材料、先進(jìn)復(fù)合材料、先進(jìn)陶瓷材料、生態(tài)環(huán)境材料、新型功能材料（含高溫超導(dǎo)材料、磁性材料、金剛石薄膜、功能高分子材料等）、生物醫(yī)用材料、高性能結(jié)構(gòu)材料、智能材料、新型建筑及化工新材料等。二、新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀㈠產(chǎn)業(yè)規(guī)模急劇擴(kuò)大，市場需求旺盛近幾年，新材料產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。據(jù)保守估算，現(xiàn)今世界上各種新材料市場規(guī)模每年已超過4000多億美元，新材料產(chǎn)業(yè)將是21世紀(jì)初葉發(fā)展最快的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一?（相關(guān)：圖一）㈡上下游進(jìn)一步融合隨著高新技術(shù)的發(fā)展，新材料與基礎(chǔ)材料產(chǎn)業(yè)結(jié)合日益緊密，基礎(chǔ)材料正向新材料產(chǎn)業(yè)拓展，這種趨勢減少了材料產(chǎn)業(yè)化的中間環(huán)節(jié)，加快了研究成果的轉(zhuǎn)化，降低了研發(fā)與市場風(fēng)險，有利于提高企業(yè)競爭力?㈢多學(xué)科交叉和多部門聯(lián)合材料科學(xué)工程與其他學(xué)科交叉的領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，新材料的發(fā)展需要多部門聯(lián)合推動，為使新材料的開發(fā)能滿足各部門的要求，許多國家都致力于把材料發(fā)展納入到產(chǎn)、學(xué)、研一體化的研發(fā)平臺?根據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)的報告，2001年全球新材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模為1928億美元，2008年為8200億美元，2010年達(dá)到10000億美元，平均年增長率為20.07%。㈣發(fā)展的驅(qū)動力由軍事需求向經(jīng)濟(jì)需求轉(zhuǎn)變上個世紀(jì)，國防和戰(zhàn)爭的需要、核能的利用和航空航天技術(shù)的發(fā)展是新材料發(fā)展的主要驅(qū)動力?而本世紀(jì)，衛(wèi)生保健、經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長以及信息處理和應(yīng)用將成為新材料發(fā)展的根本動力?工業(yè)和商業(yè)的全球化更加注重材料的經(jīng)濟(jì)性、知識產(chǎn)權(quán)價值與商業(yè)戰(zhàn)略的關(guān)系；基于環(huán)保的需要，新材料在發(fā)展綠色工業(yè)方面也會起重要作用?因此，新材料的發(fā)展更加關(guān)注人的經(jīng)濟(jì)和生活需求，新材料的發(fā)展也在很大程度上圍繞如何提高經(jīng)濟(jì)競爭力和人類的生活質(zhì)量展開?三、新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測㈠國際新材料行業(yè)的發(fā)展趨勢

1．向多功能、智能化方向發(fā)展，開發(fā)與應(yīng)用聯(lián)系更加緊密2．低成本、高性能及綠色化發(fā)展趨勢明顯3．新材料產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)呈現(xiàn)全球化趨勢㈡國內(nèi)新材料行業(yè)發(fā)展趨勢“十一五”規(guī)劃中，新材料已經(jīng)是大力發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一。隨著中國逐漸成為全球制造業(yè)基地，新材料將越來越顯示出其發(fā)展?jié)摿?，成為支撐中國制造業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。近年來，我國先后出臺一系列政策措施，鼓勵、扶持和發(fā)展新材料、新能源、節(jié)能環(huán)保等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。而作為重點(diǎn)支持的領(lǐng)域之一，我國新材料產(chǎn)業(yè)在“十二五”這一新的歷史發(fā)展階段有望高速發(fā)展。四、新材料行行業(yè)政策解析析近日，國務(wù)院院出臺了《國務(wù)院關(guān)于加加快培育和發(fā)發(fā)展戰(zhàn)略性新新興產(chǎn)業(yè)的決決定》?！稕Q定》中指出要“大大力發(fā)展稀土土功能材料、、高性能膜材材料、特種玻玻璃、功能陶陶瓷、半導(dǎo)體體照明材料等等新型功能材材料。積極發(fā)發(fā)展高品質(zhì)特特殊鋼、新型型合金材料、、工程塑料等等先進(jìn)結(jié)構(gòu)材材料，提升碳碳纖維、芳綸綸、超高分子子量聚乙烯纖纖維等高性能能纖維及其復(fù)復(fù)合材料發(fā)展展水平。開展展納米、超導(dǎo)導(dǎo)、智能等共共性基礎(chǔ)材料料研究?！蓖瑫r，國務(wù)院院近期針對十十二五規(guī)劃，，做出了加快快培育和發(fā)展展戰(zhàn)略性新興興產(chǎn)業(yè)的決定定，先后通過過高技術(shù)產(chǎn)業(yè)業(yè)化新材料專專項(xiàng)等7個項(xiàng)目大力支支持新材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，更更明確將新材材料產(chǎn)業(yè)列為為七大戰(zhàn)略性性新興產(chǎn)業(yè)之之一。在未來來的五年規(guī)劃劃中，目標(biāo)十十分明確。新新材料、新能能源行業(yè)將在在國家政策規(guī)規(guī)劃的引導(dǎo)下下，進(jìn)入黃金金發(fā)展十年。。國家多重利利好政策強(qiáng)勢勢推動，給新新材料技術(shù)的的發(fā)展帶來了了巨大的空間間。五、新材料行行業(yè)其他環(huán)境境㈠國際環(huán)環(huán)境新材料行業(yè)是是一類在國民民經(jīng)濟(jì)中發(fā)揮揮重要基礎(chǔ)性性和先導(dǎo)性作作用的高技術(shù)術(shù)產(chǎn)業(yè)，發(fā)展展?jié)摿薮?。。新材料和信信息、能源并并列?1實(shí)際三大支柱柱產(chǎn)業(yè)，是發(fā)發(fā)展信息、航航天、汽車、、機(jī)械、生物物醫(yī)藥等高技技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重重要物質(zhì)基礎(chǔ)礎(chǔ)和，已成為為全球經(jīng)濟(jì)迅迅猛增長的源源動力和各國國提升核心競競爭力的焦點(diǎn)點(diǎn)。㈡國內(nèi)環(huán)環(huán)境中國政府也重重視新材料及及產(chǎn)業(yè)化的發(fā)發(fā)展，在各項(xiàng)項(xiàng)國家計劃中中對新材料行行業(yè)給予了重重點(diǎn)支持。同同時利用國家家政策進(jìn)行資資金引導(dǎo)，使使得大量資金金投向新材料料行業(yè)。六、我我國新新材料料行業(yè)業(yè)的談?wù)勁械氐匚虎鍍?yōu)優(yōu)勢勢1．政政策支支持凸凸顯新新材料料優(yōu)勢勢2．新新材料料支撐撐經(jīng)濟(jì)濟(jì)轉(zhuǎn)型型3.新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)上下下游進(jìn)進(jìn)一步步融合合4.新材料料向多多功能能、智智能化化方向向發(fā)展展，開開發(fā)與與應(yīng)用用聯(lián)系系更加加緊密密5.我國新新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)布局局特有有的優(yōu)優(yōu)勢6.新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)集群群化態(tài)態(tài)勢7.國防軍軍工的的現(xiàn)代代化將將極大大的拉拉動新新材料料的需需求8.國內(nèi)龍龍頭企企業(yè)自自主創(chuàng)創(chuàng)新能能力提提升，，進(jìn)口口替代代趨勢勢明顯顯新材料料行業(yè)業(yè)的運(yùn)運(yùn)動狀狀態(tài)與與經(jīng)濟(jì)濟(jì)活動動總水水平的的周期期及振振幅相相關(guān)性性較小小。即即使在在經(jīng)濟(jì)濟(jì)不景景氣的的時期期，新新材料料行業(yè)業(yè)增長長，也也沒有有受到到經(jīng)濟(jì)濟(jì)周期期的影影響，，其推推陳出出新的的技術(shù)術(shù)進(jìn)步步與產(chǎn)產(chǎn)品創(chuàng)創(chuàng)新，，為其其保持持良好好的增增長態(tài)態(tài)勢奠奠定了了基礎(chǔ)礎(chǔ)。此此外，，由于于新材材料行行業(yè)技技術(shù)的的差距距，導(dǎo)導(dǎo)致行行業(yè)進(jìn)進(jìn)入壁壁壘大大、產(chǎn)產(chǎn)能擴(kuò)擴(kuò)張進(jìn)進(jìn)程較較慢，，因此此行業(yè)業(yè)景氣氣周期期比一一般行行業(yè)長長。從2008年10月到2009年8月，上上證指指數(shù)漲漲幅為為70.97%，而新新材料料指數(shù)數(shù)的漲漲幅了了150%，是上上證指指數(shù)的的兩倍倍還多多，體體現(xiàn)了了新材材料行行業(yè)的的高速速增長長性。。從2010年1月至今今，上上證指指數(shù)的的跌幅幅為17.77%，而新新材料料行業(yè)業(yè)指數(shù)數(shù)基本本持平平，體體現(xiàn)了了新材材料行行業(yè)的的較好好防御御性。。㈡劣劣勢勢雖然我我國新新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)取得得了很很大進(jìn)進(jìn)步，，但與與發(fā)達(dá)達(dá)國家家相比比還有有很大大差距距，主主要表表現(xiàn)在在：擁擁有自自主知知識產(chǎn)產(chǎn)權(quán)的的專利利成果果還不不夠多多，高高性能能、高高附加加值的的產(chǎn)品品相對對較少少；新新材料料的工工程應(yīng)應(yīng)用開開發(fā)滯滯后，，成果果轉(zhuǎn)化化率低低，規(guī)規(guī)模化化生產(chǎn)產(chǎn)程度度低；；材料料的合合成與與加工工裝備備落后后，資資源和和能源源利用用率低低，單單位國國民生生產(chǎn)總總值所所消耗耗的礦礦物原原料比比發(fā)達(dá)達(dá)國家家高2-4倍，二二次資資源利利用率率只相相當(dāng)于于世界界發(fā)達(dá)達(dá)水平平的1/4-1/3，廢棄棄資源源的回回收技技術(shù)和和水平平低，，環(huán)境境問題題突出出等?㈢我我國國新材材料行行業(yè)發(fā)發(fā)展的的成就就在一些些重點(diǎn)點(diǎn)、關(guān)關(guān)鍵領(lǐng)領(lǐng)域，，如新新材料料的制制備技技術(shù)、、工藝藝技術(shù)術(shù)、新新產(chǎn)品品開發(fā)發(fā)及節(jié)節(jié)能、、環(huán)保保和資資源綜綜合利利用等等方面面取得得了明明顯成成效，，促進(jìn)進(jìn)了一一批新新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)的形形成和和發(fā)展展，初初步形形成了了完整整的新新材料料體系系，特特別是是在電電子信信息材材料領(lǐng)領(lǐng)域取取得了了顯著著成就就。七、中中國新新材料料現(xiàn)有有企業(yè)業(yè)的競競爭力力分析析㈠新新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)的的三大大特點(diǎn)點(diǎn)1．覆覆蓋范范圍廣廣、關(guān)關(guān)聯(lián)度度小2．投投資與與技術(shù)術(shù)高度度密集集3．高高風(fēng)險險、高高收益益㈡中國國新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)具具有的的競爭爭優(yōu)勢勢1．需需求旺旺盛，，產(chǎn)產(chǎn)業(yè)規(guī)規(guī)模不不斷擴(kuò)擴(kuò)大2.產(chǎn)業(yè)集集聚，，發(fā)發(fā)展凸凸顯新新特色色3.政府支支持，，形成成初步步產(chǎn)業(yè)業(yè)體系系㈢中中國國新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)發(fā)展的的部分分制約約因素素1．企企業(yè)轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)制的的缺陷陷2．市市場關(guān)關(guān)聯(lián)度度小3．技技術(shù)深深度落落后4．價價格協(xié)協(xié)調(diào)能能力弱弱5.與發(fā)達(dá)達(dá)國家家差距距大㈣新新材材料現(xiàn)現(xiàn)有企企業(yè)競競爭激激烈，，挑挑戰(zhàn)與與機(jī)遇遇并存存在稀土土新材材料領(lǐng)領(lǐng)域，，我國國稀土土資源源占世世界總總儲量量的80%，產(chǎn)量量占世世界總總產(chǎn)量量的70%，但其其中的的2/3以資源源或初初級產(chǎn)產(chǎn)品的的方式式出口口國外外。從從整體體看，，國內(nèi)內(nèi)稀土土新材材料廠廠商主主要生生產(chǎn)、、供應(yīng)應(yīng)和出出口低低端材材料產(chǎn)產(chǎn)品。。在電池池新材材料方方面，，近年年來國國內(nèi)電電池新新材料料廠商商不斷斷加強(qiáng)強(qiáng)技術(shù)術(shù)研發(fā)發(fā)，產(chǎn)產(chǎn)品競競爭力力逐步步增強(qiáng)強(qiáng)，但但在鋰鋰電池池隔離離膜方方面，，幾乎乎全部部依賴賴進(jìn)口口。目前，，我國國新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)基基地發(fā)發(fā)展較較快，，新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)基基地正正成為為區(qū)域域經(jīng)濟(jì)濟(jì)發(fā)展展的推推動力力量之之一，，同時時也成成為各各個區(qū)區(qū)域競競爭的的焦點(diǎn)點(diǎn)，，這種種競爭爭促進(jìn)進(jìn)了當(dāng)當(dāng)?shù)匦滦虏牧狭袭a(chǎn)業(yè)業(yè)的發(fā)發(fā)展，，也使使我國國新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)呈呈現(xiàn)區(qū)區(qū)域差差異。。由于新新材料料生產(chǎn)產(chǎn)對技技術(shù)、、生產(chǎn)產(chǎn)工藝藝要求求較高高，國國外一一些企企業(yè)在在材料料供應(yīng)應(yīng)上占占據(jù)主主導(dǎo)地地位，，主要要原因因就是是其在在技術(shù)術(shù)研發(fā)發(fā)和生生產(chǎn)工工藝上上領(lǐng)先先。由由于新新材料料研發(fā)發(fā)和生生產(chǎn)資資金投投入大大，達(dá)達(dá)到規(guī)規(guī)模經(jīng)經(jīng)濟(jì)的的產(chǎn)量量也相相對提提高，，規(guī)模模較大大的廠廠商可可以降降低生生產(chǎn)成成本，，建立立成本本優(yōu)勢勢，因因?yàn)榇舜藭r生生產(chǎn)規(guī)規(guī)模成成了新新的競競爭手手段。。Contents新材料料行業(yè)業(yè)關(guān)注注選擇擇——IGBT二IGBT概述1IGBT所處環(huán)環(huán)境2IGBT發(fā)展前前景3IGBT投資理理念4一、IGBT概述㈠IGBT概念I(lǐng)GBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣緣柵雙雙極型型晶體體管，，是由由BJT(雙極型型三極極管)和MOS(絕緣柵柵型場場效應(yīng)應(yīng)管)組成的的復(fù)合合全控控型電電壓驅(qū)驅(qū)動式式功率率半導(dǎo)導(dǎo)體器器件,兼有MOSFET的高輸輸入阻阻抗和和GTR的低導(dǎo)導(dǎo)通壓壓降兩兩方面面的優(yōu)優(yōu)點(diǎn)。。GTR飽和壓壓降低低，載載流密密度大大，但但驅(qū)動動電流流較大大;MOSFET驅(qū)動功功率很很小，，開關(guān)關(guān)速度度快，，但導(dǎo)導(dǎo)通壓壓降大大，載載流密密度小小。IGBT綜合了了以上上兩種種器件件的優(yōu)優(yōu)點(diǎn)，，驅(qū)動動功率率小而而飽和和壓降降低。。非常常適合合應(yīng)用用于直直流電電壓為為600V及以以上上的的變變流流系系統(tǒng)統(tǒng)如如交交流流電電機(jī)機(jī)、、變變頻頻器器、、開開關(guān)關(guān)電電源源、、照照明明電電路路、、牽牽引引傳傳動動等等領(lǐng)領(lǐng)域域。。㈡IGBT發(fā)展展歷歷史史1979年，，MOS柵功功率率開開關(guān)關(guān)器器件件作作為為IGBT概念念的的先先驅(qū)驅(qū)即即已已被被介介紹紹到到世世間間。。這這種種器器件件表表現(xiàn)現(xiàn)為為一一個個類類晶晶閘閘管管的的結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)（（P-N-P-N四層層組組成成）），，其其特特點(diǎn)點(diǎn)是是通通過過強(qiáng)強(qiáng)堿堿濕濕法法刻刻蝕蝕工工藝藝形形成成了了V形槽槽柵柵。。80年代代初初期期，，用用于于功功率率MOSFET制造造技技術(shù)術(shù)的的DMOS（雙擴(kuò)散散形成的的金屬-氧化物-半導(dǎo)體））工藝被被采用到到IGBT中來。這這是隨著著硅片上上外延的的技術(shù)進(jìn)進(jìn)步，以以及采用用對應(yīng)給給定阻斷斷電壓所所設(shè)計的的n+緩沖層而而進(jìn)展的的。幾年年當(dāng)中，，這種在在采用PT設(shè)計的外外延片上上制備的的DMOS平面柵結(jié)結(jié)構(gòu)，其其設(shè)計規(guī)規(guī)則從5微米先進(jìn)進(jìn)到3微米。90年代中期期，溝槽槽柵結(jié)構(gòu)構(gòu)又返回回到一種種新概念念的IGBT，它是采采用從大大規(guī)模集集成（LSI）工藝借借鑒來的的硅干法法刻蝕技技術(shù)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)的新刻刻蝕工藝藝，但仍仍然是穿穿通（PT）型芯片片結(jié)構(gòu)。。在這種種溝槽結(jié)結(jié)構(gòu)中，，實(shí)現(xiàn)了了在通態(tài)態(tài)電壓和和關(guān)斷時時間之間間折衷的的更重要要的改進(jìn)進(jìn)。1996年，CSTBT（載流子子儲存的的溝槽柵柵雙極晶晶體管））使第5代IGBT模塊得以以實(shí)現(xiàn)，，它采用用了弱穿穿通（LPT）芯片結(jié)結(jié)構(gòu)，又又采用了了更先進(jìn)進(jìn)的寬元元胞間距距的設(shè)計計。目前前，包括括一種““反向阻阻斷型””（逆阻阻型）功功能或一一種“反反向?qū)ㄍㄐ汀保ǎ鎸?dǎo)型型）功能能的IGBT器件的新新概念正正在進(jìn)行行研究，，以求得得進(jìn)一步步優(yōu)化?！，F(xiàn)在,大電流高高電壓的的IGBT已模塊化化,它的驅(qū)動動電路除除上面介介紹的由由分立元元件構(gòu)成成之外,現(xiàn)在已制制造出集集成化的的IGBT專用驅(qū)動動電路.其性能更更好,整機(jī)的可可靠性更更高及體體積更小小。二、IGBT所處環(huán)境境全球IGBT主要供應(yīng)應(yīng)商集中中在英飛飛凌、三三菱、ABB、富士等等少數(shù)幾幾家，我我國只有有少數(shù)企企業(yè)從事事中小功功率IGBT的封裝，，而且尚尚未形成成產(chǎn)業(yè)規(guī)規(guī)模，在在IGBT芯片的產(chǎn)產(chǎn)業(yè)化以以及大功功率IGBT的封裝方方面，幾幾乎是一一片空白白。目前前有近十十家企業(yè)業(yè)正在或或者打算算進(jìn)入這這個行業(yè)業(yè)。國家發(fā)改改委2007年發(fā)布的的《關(guān)于組織織實(shí)施新新型電力力電子器器件產(chǎn)業(yè)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)有關(guān)問問題的通通知》，國家將將實(shí)施電電力電子子器件產(chǎn)產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)項(xiàng)，其中中重點(diǎn)支支持的項(xiàng)項(xiàng)目就包包括IGBT。2007年，國家家科技部部已將IGBT的研制列列為七大大課題之之一。國國家信息息產(chǎn)業(yè)部部產(chǎn)品司司也在今今年8月召開研研討會，，旨在研研究如何何在國內(nèi)內(nèi)發(fā)展IGBT并撥款予予以扶持持。IGBT產(chǎn)業(yè)將遇遇到前所所未有的的發(fā)展契契機(jī)。三、IGBT發(fā)展前景景IGBT是功率半半導(dǎo)體的的技術(shù)前前沿，具具有節(jié)能能效率高高，便于于規(guī)?；a(chǎn)，，較易實(shí)實(shí)現(xiàn)節(jié)能能智能化化等優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，將成成為功率率半導(dǎo)體體市場發(fā)發(fā)展的主主流技術(shù)術(shù)。而目目前該產(chǎn)產(chǎn)品市場場應(yīng)用率率較低，，市場增增長空間間巨大。。2009年我國IGBT市場為53億元左右右，目前前我國IGBT市場占整整個功率率器件市市場份額額尚不足足10%，我們預(yù)預(yù)計未來來幾年IG-BT市場隨著著節(jié)能減減排的推推進(jìn)將得得到快速速發(fā)展，，增速將將達(dá)到20%~30%，遠(yuǎn)超整整個功率率器件市市場。中國已經(jīng)經(jīng)擁有較較好的IGBT的產(chǎn)業(yè)規(guī)規(guī)模，同同時，部部分本土土企業(yè)已已經(jīng)積極極進(jìn)行IGBT制造技術(shù)術(shù)的突破破，并取取得較好好的進(jìn)展展。而智智能電網(wǎng)網(wǎng)、高鐵鐵建設(shè)、、新能源源汽車以以及家電電節(jié)能等等本土市市場，更更為這些些企業(yè)的的技術(shù)突突破，實(shí)實(shí)現(xiàn)IGBT的“進(jìn)口口替代””創(chuàng)造了了堅實(shí)的的市場基基礎(chǔ)。四、IGBT投資理念念I(lǐng)GBT目前主要要應(yīng)用在在電機(jī)、、變換器器(逆變器)、變頻器器、UPS、EPS電源、風(fēng)風(fēng)力發(fā)電電設(shè)備、、數(shù)碼相相機(jī)閃光光燈充電電器、電電磁爐、、變頻家家電等工工業(yè)控制制和消費(fèi)費(fèi)電子產(chǎn)產(chǎn)品中，，其中消消費(fèi)電子子產(chǎn)品所所占的比比重較大大。投資標(biāo)的的：根據(jù)據(jù)這三大大標(biāo)準(zhǔn)，，我們推推薦華微微電子、、中環(huán)股股份與長長電經(jīng)濟(jì)濟(jì)，關(guān)注注科達(dá)股股份。Contents三新材料行行業(yè)的簡簡述1新材料行行業(yè)的發(fā)發(fā)展現(xiàn)狀狀23新材料行行業(yè)發(fā)展展預(yù)測IGBT重點(diǎn)關(guān)注注公司——吉林華微微電子股股份有限限公司一、公司司概要股票代碼碼：600360公司名稱稱(中)：吉林華華微電子子股份有有限公司司公司名稱稱(英)：JilinSino-MicroelectronicsCo.,Ltd.行業(yè)分類類：電電子元器器件制造造業(yè)公司經(jīng)營營范圍：：半導(dǎo)體體分立器器件、集集成電路路、電力力電子產(chǎn)產(chǎn)品、汽汽車電子子產(chǎn)品、、自動化化儀表、、電子元元件、應(yīng)應(yīng)用軟件件的設(shè)計計、開發(fā)發(fā)、制造造與銷售售：經(jīng)營營本企業(yè)業(yè)自產(chǎn)產(chǎn)產(chǎn)品及相相關(guān)技術(shù)術(shù)的出口口業(yè)務(wù)(國家限定定公司經(jīng)經(jīng)營或禁禁止出口口的商品品除外)、經(jīng)營本本企業(yè)生生產(chǎn)、科科研所需需的原輔輔材料、、機(jī)械設(shè)設(shè)備、儀儀器儀表表、零配配件及相相關(guān)技術(shù)術(shù)的進(jìn)口口業(yè)務(wù)(國家限定定公司經(jīng)經(jīng)營或禁禁止進(jìn)口口的商品品除外)；經(jīng)營本本企業(yè)的的進(jìn)料加加工和““三來一一補(bǔ)”業(yè)業(yè)務(wù)。法人代表表：夏夏增文公司成立立時間：：1999-10-21㈣公司產(chǎn)業(yè)業(yè)布局2006年我國半半導(dǎo)體分分立器件件（含光光電子器器件）市市場需求求額為1088億元，比比2005年增長16.1%,占全球半半導(dǎo)體分分立器件件（含光光電子器器件）市市場規(guī)模模的35.7％從2006年中國半半導(dǎo)體分分立器件件市場區(qū)區(qū)結(jié)構(gòu)來來看，珠珠三角地地區(qū)是最最大的區(qū)區(qū)域市場場，該地地區(qū)的分分立器件件市場占占國內(nèi)市市場總規(guī)規(guī)模的45.8％。隨著著國內(nèi)外外IT制造業(yè)向向長江三三角洲地地區(qū)的轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移，該該地區(qū)對對分立器器件在內(nèi)內(nèi)的各類類元器件件的需求求高于全全國平均均增長速速度，長長三角地地區(qū)銷售售占40％，京津津渤海地地區(qū)占10.3％，其他他占3.9％。和市場結(jié)結(jié)構(gòu)相符符，在產(chǎn)產(chǎn)業(yè)布局局方面，，公司制制定了““積極拓拓展上下下游產(chǎn)業(yè)業(yè)、積極極尋求擴(kuò)擴(kuò)大產(chǎn)能能、積極極開拓珠珠三角、、長三角角市場””的投資資擴(kuò)張戰(zhàn)戰(zhàn)略，公公司利用用吉林總總廠成熟熟的制造造能力和和成本優(yōu)優(yōu)勢將其其定位為為制造基基地，而而根據(jù)公公司主要要客戶分分布，在在無錫和和廣州設(shè)設(shè)立封測測廠，拉拉近和客客戶的關(guān)關(guān)系，產(chǎn)產(chǎn)業(yè)布局局合理。。這樣可可以減少少封測的的外包，，進(jìn)一步步降低公公司運(yùn)營營成本、、增加邊邊際貢獻(xiàn)獻(xiàn)利潤，，而且能能夠發(fā)揮揮規(guī)模優(yōu)優(yōu)勢。㈤公司司競爭能能力swot分析相對國際際對手有有成本優(yōu)優(yōu)勢，相相對國內(nèi)內(nèi)企業(yè)有有技術(shù)和和規(guī)模的的領(lǐng)先優(yōu)優(yōu)勢。市市場和技技術(shù)的結(jié)結(jié)合，貼貼近市場場，為客客戶量身身定做產(chǎn)產(chǎn)品。實(shí)實(shí)在可靠靠的品質(zhì)質(zhì)，加上上有競爭爭力的價價格，加加上龐大大的銷量量，構(gòu)成成公司持持續(xù)的競競爭力。。公司的的銷售售以直直銷為為主，，這可可以降降低渠渠道成成本；；同時時，由由研發(fā)發(fā)、推推廣和和技術(shù)術(shù)支持持組成成統(tǒng)一一團(tuán)隊隊，使使得公公司開開發(fā)的的產(chǎn)品品更貼貼近市市場，，響應(yīng)應(yīng)速度度更快快，有有利于于實(shí)現(xiàn)現(xiàn)差異異化優(yōu)優(yōu)勢。。在價價格定定位方方面追追求長長遠(yuǎn)發(fā)發(fā)展，，產(chǎn)品品品質(zhì)質(zhì)、性性能向向國際際先進(jìn)進(jìn)公司司看齊齊，而而價格格卻低低于國國際大大公司司的進(jìn)進(jìn)口產(chǎn)產(chǎn)品價價格。。此外外，公公司在在產(chǎn)品品推廣廣方式式上打打破常常規(guī)，，在研研發(fā)階階段就就讓客客戶介介入，，從而而縮短短產(chǎn)品品進(jìn)入入市場場的時時間，，滿足足客戶戶的差差異化化需求求，并并與客客戶建建立深深入、、長遠(yuǎn)遠(yuǎn)的合合作關(guān)關(guān)系。。1.成本優(yōu)優(yōu)勢（1）國內(nèi)內(nèi)生產(chǎn)產(chǎn)、管管理、、運(yùn)營營成本本低廉廉公司在在勞動動力成成本方方面具具有明明顯的的優(yōu)勢勢。在在中低低端產(chǎn)產(chǎn)品領(lǐng)領(lǐng)域，，由于于沒有有成本本優(yōu)勢勢，國國外企企業(yè)已已很難難跟內(nèi)內(nèi)資企企業(yè)競競爭，，目前前跨國國公司司在一一些常常規(guī)產(chǎn)產(chǎn)品市市場中中已經(jīng)經(jīng)逐漸漸退出出；在在中高高端產(chǎn)產(chǎn)品領(lǐng)領(lǐng)域，，隨著著資金金、技技術(shù)、、人力力資源源的積積累，，目前前國內(nèi)內(nèi)企業(yè)業(yè)也開開始加加強(qiáng)對對中高高端產(chǎn)產(chǎn)品市市場的的開發(fā)發(fā)，個個別產(chǎn)產(chǎn)品也也開始始擠占占跨國國公司司的市市場份份額。。公司司作為為國內(nèi)內(nèi)最大大的功功率半半導(dǎo)體體器件件廠商商，憑憑借著著多年年研發(fā)發(fā)能力力的積積累和和低成成本優(yōu)優(yōu)勢，，在彩彩電用用晶體體管、、機(jī)箱箱電源源用晶晶體管管、節(jié)節(jié)能燈燈用晶晶體管管等產(chǎn)產(chǎn)品市市場已已逐漸漸取代代跨國國廠商商，成成為國國內(nèi)市市場的的主要要供應(yīng)應(yīng)商。。半導(dǎo)體體對動動力和和水的的要求求較高高，公公司地地處吉吉林省省吉林林市，，成本本優(yōu)勢勢明顯顯，當(dāng)當(dāng)?shù)氐牡乃?、電資資源豐豐富、、價格格低廉廉，人人工成成本也也較低低，與與國內(nèi)內(nèi)同行行相比比，具具有一一定的的成本本優(yōu)勢勢。（2）產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈一一體化化優(yōu)勢勢全球主主要半半導(dǎo)體體功率率器件件廠商商的經(jīng)經(jīng)營模模式基基本可可以分分為兩兩類，，即垂垂直整整合模模式（（IDM，即業(yè)業(yè)務(wù)涵涵蓋從從設(shè)計計、制制造、、封裝裝測試試到對對外銷銷售整整個流流程的的經(jīng)營營模式式）和和專業(yè)業(yè)化分分工經(jīng)經(jīng)營模模式（（如專專門從從事專專業(yè)設(shè)設(shè)計的的Fabless模式和和專門門從事事芯片片代工工的Foundry模式）），其其中產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈鏈一體體化模模式是是大型型國際際廠商商的傳傳統(tǒng)經(jīng)經(jīng)營模模式。。公司采采用的的是垂垂直整整合模模式，，即產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈鏈上下下游一一體化化，公公司控控制市市場和和芯片片的生生產(chǎn)。。公司司擁有有自己己的研研發(fā)力力量和和核心心技術(shù)術(shù)，能能夠根根據(jù)市市場需需求進(jìn)進(jìn)行新新技術(shù)術(shù)和新新工藝藝的研研發(fā)，，按照照客戶戶要求求進(jìn)行行產(chǎn)品品設(shè)計計；擁擁有芯芯片生生產(chǎn)線線和測測試封封裝生生產(chǎn)線線，具具有芯芯片生生產(chǎn)和和測試試封裝裝能力力；擁擁有自自己的的品牌牌，直直接面面向市市場進(jìn)進(jìn)行銷銷售；；能夠夠保持持對銷銷售渠渠道較較強(qiáng)的的控制制能力力，獨(dú)獨(dú)立經(jīng)經(jīng)營能能力強(qiáng)強(qiáng)，資資源使使用效效率也也較高高。2.技術(shù)優(yōu)優(yōu)勢公司的的自主主研發(fā)發(fā)能力力始終終處于于國內(nèi)內(nèi)同行行前列列，一一直把把轉(zhuǎn)化化和推推廣高高水平平的科科研成成果作作為公公司的的經(jīng)營營發(fā)展展方向向。多多年來來一直直重視視產(chǎn)品品開發(fā)發(fā)和技技術(shù)創(chuàng)創(chuàng)新工工作，，公司司業(yè)務(wù)務(wù)的拓拓展也也是以以產(chǎn)品品和技技術(shù)創(chuàng)創(chuàng)新為為先導(dǎo)導(dǎo)。公公司秉秉承““企業(yè)業(yè)的生生命在在于產(chǎn)產(chǎn)品，，產(chǎn)品品的生生命在在于創(chuàng)創(chuàng)新””的產(chǎn)產(chǎn)品研研發(fā)理理念，，不斷斷進(jìn)行行技術(shù)術(shù)創(chuàng)新新促進(jìn)進(jìn)企業(yè)業(yè)發(fā)展展動力力。公公司建建立研研發(fā)機(jī)機(jī)構(gòu)——省級技技術(shù)中中心，，公司司主要要通過過技術(shù)術(shù)中心心開展展各項(xiàng)項(xiàng)研究究開發(fā)發(fā)和技技術(shù)創(chuàng)創(chuàng)新工工作。。此外，，通過過與飛飛利浦浦、仙仙童半半導(dǎo)體體等國國際大大公司司的合合作，，公司司的技技術(shù)水水平和和管理理能力力也得得到很很大提提高，，逐漸漸拉大大了與與國內(nèi)內(nèi)同行行的技技術(shù)差差距。。公司司是2006年科學(xué)學(xué)技術(shù)術(shù)部、、國務(wù)務(wù)院國國資委委和中中華全全國總總工會會確定定的首首批103家創(chuàng)新新型試試點(diǎn)企企業(yè)之之一，，是半半導(dǎo)體體行業(yè)業(yè)唯一一入選選的企企業(yè)。。3.規(guī)模優(yōu)優(yōu)勢半導(dǎo)體體行業(yè)業(yè)在設(shè)設(shè)備、、產(chǎn)品品研發(fā)發(fā)等方方面投投入較較大，，而且且產(chǎn)品品在技技術(shù)成成熟后后價格格下跌跌的趨趨勢較較為明明顯，，因此此規(guī)模模效益益對于于半導(dǎo)導(dǎo)體企企業(yè)維維系生生存、、保持持可持持續(xù)發(fā)發(fā)展非非常重重要。。發(fā)行行人是是國內(nèi)內(nèi)最大大的功功率半半導(dǎo)體體器件件生產(chǎn)產(chǎn)廠家家，與與其他他國內(nèi)內(nèi)同行行相比比，在在規(guī)模模效益益上具具有明明顯優(yōu)優(yōu)勢。。這種優(yōu)優(yōu)勢不不僅體體現(xiàn)在在對前前期設(shè)設(shè)備投投入、、產(chǎn)品品研發(fā)發(fā)投入入等沉沉積成成本的的消化化上，，而且且在原原材料料供應(yīng)應(yīng)方面面也能能夠獲獲得比比國內(nèi)內(nèi)同行行更優(yōu)優(yōu)惠的的供貨貨價格格、供供貨條條件和和供應(yīng)應(yīng)保障障。如如果公公司有有行業(yè)業(yè)整合合的打打算，，則有有利于于行業(yè)業(yè)競爭爭秩序序的改改善。。4．行業(yè)威脅脅半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)在中國市市場中屬于于新興行業(yè)業(yè)，有較大大的發(fā)展前前景，行業(yè)業(yè)還是較有有吸引力的的，但存在在較高的壁壁壘，包括括：(1)成為合格供供應(yīng)商的資資質(zhì)壁壘公司要想成成為下游企企業(yè)的合格格供應(yīng)商，，除要達(dá)到到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)，更要通通過嚴(yán)格的的供應(yīng)商資資質(zhì)認(rèn)定。。對供應(yīng)商商的資質(zhì)認(rèn)認(rèn)定至少在在半年，一一般需要多多次試用后后方能通過過資質(zhì)認(rèn)定定，再通過過相當(dāng)一段段時間的小小批量供貨貨測試后才才能正式成成為其供應(yīng)應(yīng)商。企業(yè)業(yè)一旦通過過供應(yīng)商資資質(zhì)的最終終審定，將將被納入到到企業(yè)的全全球供應(yīng)鏈鏈，可以接接受其全球球生產(chǎn)基地地的采購。。而且一旦旦確定合作作關(guān)系，為為保證產(chǎn)品品品質(zhì)及維維護(hù)供貨的的穩(wěn)定性，，這些企業(yè)業(yè)通常不會會輕易改變變分立器件件供應(yīng)商。。這種嚴(yán)格格的供應(yīng)商商資質(zhì)認(rèn)定定，以及基基于長期合合作而形成成的穩(wěn)定客客戶關(guān)系，，形成了極極強(qiáng)的資質(zhì)質(zhì)壁壘。(2)資金和生產(chǎn)產(chǎn)規(guī)模壁壘壘半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)屬于資金金密集型的的行業(yè)，行行業(yè)的進(jìn)入入需要在凈凈化廠房、、設(shè)備、技技術(shù)、人力力資源等方方面有較高高的資金投投入。從事事生產(chǎn)所需需的大部分分生產(chǎn)和檢檢測設(shè)備需需要進(jìn)口；；同時由于于產(chǎn)品配套套化及生產(chǎn)產(chǎn)規(guī)?；牡囊?，新新進(jìn)入本行行業(yè)的企業(yè)業(yè)需要一次次性投入大大量的設(shè)備備資金。除需要投資資較為昂貴貴的制造設(shè)設(shè)備及檢測測設(shè)備外，，由于客戶戶的帳期從從一個月到到三個月，，廠商還需需要較大的的流動資金金投入，服服務(wù)對象也也要求廠商商又較大的的生產(chǎn)規(guī)模模，有足夠夠的產(chǎn)能保保證供貨的的及時。此外，近年年隨著單晶晶硅片供應(yīng)應(yīng)的日益緊緊張和引線線框架、鍵鍵合金絲價價格的持續(xù)續(xù)上漲，企企業(yè)運(yùn)營對對流動資金金的需求量量也越來越越大，對企企業(yè)資金實(shí)實(shí)力提出了了更高的要要求，從而而進(jìn)一步增增加了行業(yè)業(yè)新進(jìn)入者者的市場風(fēng)風(fēng)險。(3)技術(shù)壁壘半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)同時也是是技術(shù)密集集型的行業(yè)業(yè)，需要有有較強(qiáng)的整整體技術(shù)實(shí)實(shí)力，工藝藝技術(shù)、品品質(zhì)控制水水平和生產(chǎn)產(chǎn)管理技術(shù)術(shù)都非常重重要，需要要長時間的的實(shí)踐和積積累。同時時，由于下下游電子產(chǎn)產(chǎn)品更新?lián)Q換代較快，，企業(yè)需要要長期不斷斷進(jìn)行工藝藝技術(shù)、品品質(zhì)控制及及生產(chǎn)管理理等多方面面的更新和和提高。半導(dǎo)體分立立器件制造造對工藝設(shè)設(shè)計和工藝藝過程控制制的要求非非常高，很很多關(guān)鍵技技術(shù)都需要要通過工藝藝過程來實(shí)實(shí)現(xiàn)，半導(dǎo)導(dǎo)體分立器器件行業(yè)的的創(chuàng)新在很很大程度上上主要體現(xiàn)現(xiàn)為產(chǎn)品生生產(chǎn)工藝上上的創(chuàng)新，，技術(shù)水平平也主要體體現(xiàn)為產(chǎn)品品加工的工工藝水平。。生產(chǎn)工藝藝的創(chuàng)新和和技術(shù)水平平主要來源源于企業(yè)長長時間、大大規(guī)模的生生產(chǎn)實(shí)踐，，需要持續(xù)續(xù)的生產(chǎn)經(jīng)經(jīng)驗(yàn)的積累累，行業(yè)新新進(jìn)入者很很難在短期期內(nèi)獲得。。此外，功功率半導(dǎo)體體器件企業(yè)業(yè)和下游企企業(yè)在技術(shù)術(shù)和產(chǎn)品開開發(fā)上具有有非常緊密密的互動關(guān)關(guān)系，下游游企業(yè)開發(fā)發(fā)新產(chǎn)品往往往需要所所使用功率率器件在工工藝上進(jìn)行行改進(jìn)或創(chuàng)創(chuàng)新，甚至至共同開發(fā)發(fā)出新的工工藝和技術(shù)術(shù)。由于半導(dǎo)體體器件產(chǎn)品品單位制造造成本高，，產(chǎn)品合格格率極為重重要，新產(chǎn)產(chǎn)品上線后后需要通過過工藝磨合合、調(diào)整和和改進(jìn)逐漸漸提高合格格率，而成成熟產(chǎn)品也也需要制造造過程控制制技術(shù)保持持合格率。。雖然功率器器件與其他他半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)品相比，，產(chǎn)品的生生命周期相相對較長，，但產(chǎn)品在在進(jìn)入技術(shù)術(shù)成熟期后后價格仍有有一個自然然下跌的過過程，如果果原材料成成本持續(xù)大大幅上漲，，小企業(yè)就就將面臨嚴(yán)嚴(yán)峻的考驗(yàn)驗(yàn)，而大企企業(yè)往往能能夠通過不不斷的工藝藝改進(jìn)降低低生產(chǎn)成本本，從而取取得競爭優(yōu)優(yōu)勢。研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)和管理等等方面的專專業(yè)人才稀稀缺。通過過自我開發(fā)發(fā)需經(jīng)過多多年的努力力和積累，，要在短時時間內(nèi)掌握握成熟、穩(wěn)穩(wěn)定的核心心技術(shù)是非非常困難的的，技術(shù)壁壁壘比較強(qiáng)強(qiáng)。㈥公司募投項(xiàng)項(xiàng)目的前景景公司募投項(xiàng)項(xiàng)目的前景景可以從市市場渠道、、市場容量量、技術(shù)三三個方面予予以說明。。1.市場渠道利用現(xiàn)有客客戶渠道，，以優(yōu)惠的的價格給客客戶試用。。以國內(nèi)現(xiàn)現(xiàn)有的雙極極型功率晶晶體管升級級換代的需需求為契機(jī)機(jī)，充分利利用公司現(xiàn)現(xiàn)有市場資資源和市場場網(wǎng)絡(luò)，借借助雙極型型功率晶體體管的品牌牌優(yōu)勢，以以平板電視視、白色家家電、開關(guān)關(guān)電源、計計算機(jī)、節(jié)節(jié)能照明等等公司已成成熟市場為為切入點(diǎn)，，以較快的的速度搶先先成為國內(nèi)內(nèi)VDMOS等新型功率率半導(dǎo)體器器件的主供供應(yīng)商，然然后進(jìn)一步步拓展產(chǎn)品品應(yīng)用領(lǐng)域域進(jìn)入數(shù)碼碼產(chǎn)品、通通訊等行業(yè)業(yè)。公司現(xiàn)有的的產(chǎn)品有晶晶體管、二二極管、軟軟快恢復(fù)二二極管、阻阻尼二極管管、可控硅硅、半導(dǎo)體體放電管、、MOSFET等，產(chǎn)品應(yīng)應(yīng)用于家電電、綠色照照明、計算算機(jī)及通訊訊、汽車電電子等四大大領(lǐng)域，主主要產(chǎn)品包包括：應(yīng)用用于彩色電電視機(jī)和綠綠色照明的的大功率晶晶體管；應(yīng)應(yīng)用于機(jī)箱箱電源的高高頻大功率率晶體管等等；應(yīng)用于于彩顯、PC機(jī)的高頻大大功率晶體體管；應(yīng)用用于汽車、、摩托車自自動點(diǎn)火裝裝置的達(dá)林林頓晶體管管和可控硅硅系列產(chǎn)品品；應(yīng)用于于計算機(jī)及及外設(shè)、移移動通訊以以及便攜式式電子產(chǎn)品品的肖特基基二極管；；廣泛應(yīng)用用于程控交交換機(jī)、電電話機(jī)、ISDN、FAX、MODEM和無線電遙遙控設(shè)備等等領(lǐng)域的保保護(hù)器件放放電管；應(yīng)應(yīng)用于家電電音響裝置置的功率放放大和功率率輸出的NPN、PNP對管等等。。2.市場容量方方面雙極型和MOSFET的市場需求求在1：4左右，MOSFET的市場容量量更大。新新型功率半半導(dǎo)體器件件領(lǐng)域，國國內(nèi)當(dāng)前的的發(fā)展水平平與國際相相比，大約約落后十幾幾年，其發(fā)發(fā)展與國內(nèi)內(nèi)市場的需需求相比存存在巨大落落差，所需需新型功率率半導(dǎo)體器器件90%以上仍需依依賴進(jìn)口，，國內(nèi)生產(chǎn)產(chǎn)廠家也以以合資企業(yè)業(yè)為主。因因此，即使使僅僅從替替代進(jìn)口的的角度看，，對于國內(nèi)內(nèi)功率器件件企業(yè)而言言，新型功功率半導(dǎo)體體器件是一一個巨大的的市場。況況且，如前前所述，與與傳統(tǒng)功率率半導(dǎo)體器器件相比，，VDMOS、IGBT和PIC等新型功率率半導(dǎo)體器器件的增長長速度要快快得多，市市場增長空空間極為可可觀。募集資金項(xiàng)項(xiàng)目計劃產(chǎn)產(chǎn)量為4萬片/月，其中VDMOS2.8萬片/月、IGBT0.6萬片/月、PIC0.6萬片/月。六英寸寸VDMOS每片按2,300粒、片內(nèi)合合格率按95%計算，則每每片6英寸硅片可可產(chǎn)出2,200粒產(chǎn)品，封封裝成成品品后最多為為2,200只/片，據(jù)此計計算，本項(xiàng)項(xiàng)目建成后后，VDMOS的計劃產(chǎn)量量為6,160萬只/月，年產(chǎn)量量近7.4億只，只占占2005年國內(nèi)市場場需求量的的6.1%；IGBT按每片合格格芯粒為320粒計算，則則項(xiàng)目建成成后，IGBT的年產(chǎn)量為為2,300萬只/年，只占2005年國內(nèi)市場場需求量的的10%左右；同樣樣，項(xiàng)目PIC的計劃產(chǎn)量量也僅占國國內(nèi)市場需需求量的極極少份額。。綜上分析析可見，項(xiàng)項(xiàng)目建成投投產(chǎn)后，公公司的產(chǎn)能能對市場的的影響較小小，還不能能滿足中國國MOS產(chǎn)品的自然然增長，產(chǎn)產(chǎn)品供過于于求的風(fēng)險險較小。3.技術(shù)方面公司經(jīng)過多多年MOSFET的研究，已已取得突破破性進(jìn)展。。公司目前前主要是在在其麥吉柯柯的5寸線、6寸線小批量量生產(chǎn)這類類產(chǎn)品，公公司已經(jīng)解解決了MOS生產(chǎn)產(chǎn)中中的的關(guān)關(guān)鍵鍵技技術(shù)術(shù)，，如如VDMOS、IGBT和PIC設(shè)計計技技術(shù)術(shù)、、高高壓壓功功率率器器件件結(jié)結(jié)終終端端處處理理技技術(shù)術(shù)、、大大面面積積高高質(zhì)質(zhì)量量均均勻勻柵柵氧氧化化層層制制造造技技術(shù)術(shù)等等，，并并在在這這些些設(shè)設(shè)計計和和制制造造技技術(shù)術(shù)中中形形成成了了自自己己的的知知識識產(chǎn)產(chǎn)權(quán)權(quán)。。公公司司已已經(jīng)經(jīng)在在生生產(chǎn)產(chǎn)工工藝藝和和產(chǎn)產(chǎn)品品儲儲備備上上做做好好了了大大規(guī)規(guī)模模進(jìn)進(jìn)軍軍6代線線的的準(zhǔn)準(zhǔn)備備，，技技術(shù)術(shù)風(fēng)風(fēng)險險不不大大。。新產(chǎn)產(chǎn)品品技技術(shù)術(shù)發(fā)發(fā)展展方方向向：：MOSFET：功功率率MOSFET的工工藝藝水水平平已已進(jìn)進(jìn)入入亞亞微微米米甚甚至至向向深深亞亞微微米米發(fā)發(fā)展展。。此此外外，，采采用用自自對對準(zhǔn)準(zhǔn)工工藝藝減減少少掩掩膜膜版版次次數(shù)數(shù)、、采采用用非非均均勻勻漂漂移移區(qū)區(qū)降降低低導(dǎo)導(dǎo)通通電電阻阻等等新新結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)、、新新工工藝藝也也正正在在不不斷斷涌涌現(xiàn)現(xiàn)。。IGBT：由由于于既既有有功功率率MOSFET高輸輸入入阻阻抗抗、、驅(qū)驅(qū)動動電電路路簡簡單單等等優(yōu)優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，，又又具具有有功功率率晶晶體體管管漂漂移移區(qū)區(qū)電電導(dǎo)導(dǎo)調(diào)調(diào)制制、、導(dǎo)導(dǎo)通通損損耗耗低低的的特特點(diǎn)點(diǎn)，，IGBT在600V以上上中中等等電電壓壓范范圍圍內(nèi)內(nèi)成成為為主主流流的的功功率率器器件件，，且且正正逐逐漸漸向向高高壓壓大大電電流流領(lǐng)領(lǐng)域域發(fā)發(fā)展展。。PIC：技技術(shù)術(shù)發(fā)發(fā)展展趨趨勢勢是是工工作作頻頻率率更更高高、、功功率率更更大大、、功功耗耗更更低低和和功功能能更更全全，，包包括括：：開開發(fā)發(fā)出出高高成成品品率率、、低低成成本本工工藝藝且且兼兼容容于于CMOS和BiCMOS；針針對對包包括括多多個個大大功功率率器器件件的的單單片片SPIC的研研究究；；能能在在高高溫溫下下工工作作并并具具有有較較好好堅堅固固性性的的SPIC的研研究究；；大大電電流流高高速速M(fèi)OS控制制并并有有自自保保護(hù)護(hù)功功能能的的橫橫向向功功率率器器件件的的研研究究。。在在大大功功率率集集成成領(lǐng)領(lǐng)域域，，以以智智能能功功率率模模塊塊（（IPM）與與IPEM為代代表表的的混混合合集集成成技技術(shù)術(shù)將將得得到到迅迅速速發(fā)發(fā)展展。。公司司針針對對新新技技術(shù)術(shù)的的特特點(diǎn)點(diǎn)，，有有針針對對性性的的進(jìn)進(jìn)行行了了技技術(shù)術(shù)研研發(fā)發(fā)和和儲儲備備。。新新型型功功率率半半導(dǎo)導(dǎo)體體器器件件的的制制造造對對廠廠房房、、凈凈化化、、超超純純材材料料、、精精細(xì)細(xì)線線條條加加工工、、精精確確摻摻雜雜等等多多方方面面與與VLSI有相相似似的的技技術(shù)術(shù)要要求求，，只只是是線線條條寬寬度度可可稍稍寬寬松松一一些些。。同同時時，，新新型型功功率率半半導(dǎo)導(dǎo)體體器器件件又又有有自自己己特特殊殊