PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管認(rèn)識

PN結(jié)一.PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上采用不同的摻雜工藝分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，由于濃度的不同，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。PN

結(jié)具有單向?qū)щ娦杂捎跐舛炔疃a(chǎn)生的運動稱為擴散運動。在電場力的作用下，載流子的運動稱為漂移運動。隨著擴散運動的進(jìn)行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強，阻止擴散運動的進(jìn)行，但有利于少子的漂移，當(dāng)擴散的多子和漂移的少子數(shù)目相等時，達(dá)到動態(tài)平衡，形成PN結(jié)?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層?？臻g電荷區(qū)中沒有載流子。1、PN結(jié)加正向電壓（正向偏置）內(nèi)電場外電場變?。?+++REPN+_外電場使耗盡層變窄，內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強，能夠形成較大的擴散電流。即為很大的正向電流，P區(qū)→N區(qū)，稱為正向?qū)ǘ?PN結(jié)的單向?qū)щ娦?、PN結(jié)反向偏置P負(fù)N正，截止內(nèi)電場外電場變厚外電場使耗盡層變寬，內(nèi)電場被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，形成漂移電流，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。N區(qū)→P區(qū)－－－－++++NP+_RE反向飽和電流3、PN結(jié)的反向擊穿PN結(jié)處于反向偏置時，反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱反向擊穿。齊納擊穿：外加反向電壓很大，形成很強的電場，直接破壞共價鍵，把電子拉出來，產(chǎn)生電子空穴對，使反向電流急劇增加。雪崩擊穿：反向電壓逐漸增加，電場加強，少子受到加速，高速運動可能將價電子碰撞出共價鍵，產(chǎn)生電子空穴對，產(chǎn)生的電子繼續(xù)碰撞，像雪崩一樣。齊納擊穿：6V以下，可恢復(fù)雪崩擊穿：6V以下，不可恢復(fù)，短路報廢三、PN結(jié)的伏安特性UI正向特性（u>0）反向特性（u<0）反向擊穿部分四、PN結(jié)的電容效應(yīng)（了解）在一定條件下，PN結(jié)具有電容效應(yīng)：勢壘電容，擴散電容半導(dǎo)體二極管的認(rèn)識學(xué)習(xí)任務(wù)1、認(rèn)識二極管2、了解二極管的特性3、掌握二極管的應(yīng)用電路一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型1、結(jié)構(gòu)及符號PN結(jié)加上引線之后，進(jìn)行封裝，P區(qū)為正極，N區(qū)為負(fù)極點接觸型：高頻、小功率整流面接觸型：整流平面型：大功率整流、開關(guān)符號2、類型①按材料分：硅二極管，鍺二極管，砷化鎵二極管等②按結(jié)構(gòu)分：點接觸型、面接觸型等③按封裝分：塑料、玻璃、金屬④按用途分：開關(guān)、整流、穩(wěn)壓、發(fā)光、光電、變?nèi)莸娶莅垂β史郑捍蠊β?、小功率?、命名方法一般分為5個部分2AP2D數(shù)字表示電極數(shù)目字母表示材料A：N型鍺材料B：P型鍺材料C：N型硅材料D：P型硅材料字母表示類型或用途P普通管V微波管W穩(wěn)壓管