GB/T 11498-2018半導(dǎo)體器件集成電路第21部分：膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用鑒定批準(zhǔn)程序)

ICS31200

L57.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

代替:

GB/T11498—1989

半導(dǎo)體器件集成電路第21部分

:

膜集成電路和混合膜集成

電路分規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()

Semiconductordevices—Interatedcircuits—Part21

g:

Sectionalspecificationforfilmintegratedcircuitsandhybridfilm

integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures

(IEC60748-21:1997,IDT)

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

前言

半導(dǎo)體器件集成電路已經(jīng)或計劃發(fā)布以下部分

《》:

半導(dǎo)體器件集成電路第部分總則

———GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

———GB/T17574—19982:(idtIEC60748-2:

1985)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分模擬集成電路

———GB/T17940—20003:(idtIEC60748-3:

1986)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分接口集成電路第一篇線性數(shù)

———GB/T18500.1—20014::

字模擬轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范

/(DAC)(idtIEC60748-4-1:1993)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分接口集成電路第二篇線性模

———GB/T18500.2—20014::

擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范

/(ADC)(idtIEC60748-4-2:1993)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半定制集成電路

———GB/T20515—20065:(idtIEC60748-5)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范不包括混

———GB/T12750—200611:(

合電路

)(idtIEC60748-11:1990)

膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()(IEC60748-21:1997,IDT)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路

———GB/T13062—201821-1:

空白詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()(IEC60748-21-1:1997,IDT)

膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范采用能力批準(zhǔn)程序

———GB/T16465—1996()(idt

IEC60748-22)

膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范采用能力批準(zhǔn)程序

———GB/T16466—1996()(idt

IEC60748-22-1)

本部分為半導(dǎo)體器件集成電路的第部分

《》21。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序與

GB/T11498—1989《()》,

相比主要技術(shù)變化如下

GB/T11498—1989:

試驗(yàn)程序由一個鑒定程序擴(kuò)展為程序和程序兩個鑒定程序

———AB。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路

IEC60748-21:1997《21:

和混合膜集成電路分規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()》。

本部分做了下列編輯性修改

:

原文為以逐批和周期試驗(yàn)為基礎(chǔ)的鑒定批準(zhǔn)程序見表和表或表和表有誤現(xiàn)改

———IEC“2367”,

為以逐批和周期試驗(yàn)為基礎(chǔ)的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)程序見表和表或表和表見

“2367”(3.2);

原文為評定水平應(yīng)從表或表和表或表中選取有誤改為評定水平應(yīng)從表或

———IEC“2632”,“2

表和表或表中選取見

637”(3.3);

表的分組試驗(yàn)后增加腳注建議試驗(yàn)后進(jìn)行終點(diǎn)電測試見表

———3bC2、C3、C4、D1,,(3b)。

表中分組可焊性試驗(yàn)原文為即非破壞性有誤該項(xiàng)試驗(yàn)性質(zhì)為破壞性因此改為

———51.2“ND”,,

見表

“D”(5)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

,。

Ⅰ

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本部分主要起草人馮玲玲陳裕焜雷劍王琪王婷婷管松林

:、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11498—1989。

Ⅱ

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

半導(dǎo)體器件集成電路第21部分

:

膜集成電路和混合膜集成

電路分規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()

1范圍和目的

半導(dǎo)體器件集成電路的本部分適用于作為目錄內(nèi)電路或定制電路而制造的其質(zhì)量是以鑒定

《》、

批準(zhǔn)為基礎(chǔ)評定的膜集成電路和混合膜集成電路

。

本部分的目的是為額定值和特性提供優(yōu)先值從總規(guī)范中選擇合適的試驗(yàn)和測量方法并且給出根

,,

據(jù)本部分制定的膜集成電路和混合膜集成電路詳細(xì)規(guī)范使用的通用性能要求

。

優(yōu)先值的概念直接應(yīng)用于目錄內(nèi)電路但是不必應(yīng)用于定制電路

,。

參照本部分制定的詳細(xì)規(guī)范所規(guī)定的試驗(yàn)嚴(yán)酷等級和要求可等于或高于分規(guī)范的性能水平不準(zhǔn)

,

許有更低的性能水平

。

同本部分相聯(lián)系的有一個或多個空白詳細(xì)規(guī)范每個空白詳細(xì)規(guī)范均給以編號按照規(guī)定填

,。2.3

寫空白詳細(xì)規(guī)范即構(gòu)成一個詳細(xì)規(guī)范按體系的規(guī)定該類詳細(xì)規(guī)范可用于膜集成電路和混合

,。IECQ,

膜集成電路鑒定批準(zhǔn)的授與和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)

。

注對于試驗(yàn)程序有兩個選擇程序和程序但是不準(zhǔn)許在程序和程序之間進(jìn)行個別試驗(yàn)項(xiàng)目的調(diào)換

::AB。AB。

通常程序更適用于基于無源元件的膜集成電路程序更適用于基于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的膜集成電路

,A,B。

2總則優(yōu)先特性額定值和環(huán)境試驗(yàn)嚴(yán)酷等級

、、

21規(guī)范性引用文件

.

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電阻器和電容器優(yōu)先數(shù)系

GB/T2471—1995(idtIEC60063:1963)

膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電