GB/T 15450-1995硅雙柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 15450-1995 是一項(xiàng)中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《硅雙柵場效應(yīng)晶體管 空白詳細(xì)規(guī)范》。該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了硅雙柵場效應(yīng)晶體管（Silicon Double Gate Field Effect Transistor）的技術(shù)要求、測試方法以及質(zhì)量評定規(guī)則，旨在為該類器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)及應(yīng)用提供統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽

1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的硅雙柵場效應(yīng)晶體管類型，包括其基本結(jié)構(gòu)、工作原理及預(yù)期使用環(huán)境。

2. 引用標(biāo)準(zhǔn)：列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)需要參考的其他相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)或國際標(biāo)準(zhǔn)，確保各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)和測試方法的一致性和準(zhǔn)確性。

3. 術(shù)語和定義：對標(biāo)準(zhǔn)中涉及的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了解釋和定義，幫助讀者準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

4. 分類與命名：根據(jù)硅雙柵場效應(yīng)晶體管的不同特性（如溝道類型、極性、封裝形式等）進(jìn)行分類，并規(guī)定了相應(yīng)的命名規(guī)則。

5. 技術(shù)要求：

   • 電氣參數(shù)：規(guī)定了諸如開啟電壓、漏源飽和電流、跨導(dǎo)、輸入輸出特性曲線等關(guān)鍵電氣性能指標(biāo)及其允許的偏差范圍。
   • 機(jī)械與物理特性：包括封裝尺寸、引腳排列、耐壓強(qiáng)度、溫度特性等要求。
   • 可靠性要求：設(shè)定了器件在特定條件下的壽命、穩(wěn)定性及抗干擾能力等標(biāo)準(zhǔn)。

6. 試驗(yàn)方法：詳細(xì)描述了如何進(jìn)行各項(xiàng)性能測試，確保測試結(jié)果的可重復(fù)性和準(zhǔn)確性。包括測試環(huán)境、測試儀器、測試步驟等。

7. 檢驗(yàn)規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品檢驗(yàn)的程序、抽樣方案、合格判定準(zhǔn)則等，確保出廠產(chǎn)品的質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

8. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存：對產(chǎn)品的標(biāo)識信息、包裝要求、在運(yùn)輸和貯存過程中的保護(hù)措施進(jìn)行了規(guī)定，以防止損壞并便于追溯。

實(shí)施意義

該標(biāo)準(zhǔn)的制定和實(shí)施有助于提升硅雙柵場效應(yīng)晶體管的產(chǎn)品質(zhì)量，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，方便國內(nèi)外貿(mào)易交流，同時(shí)為用戶提供可靠的質(zhì)量評估依據(jù)，保障電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和長期可靠性。

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