標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17473.3-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 方阻測(cè)定》與《GB/T 17473.3-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 方阻測(cè)定》相比，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整：

  1. 適用范圍擴(kuò)展：2008版標(biāo)準(zhǔn)不僅涵蓋了厚膜微電子技術(shù)領(lǐng)域，還更廣泛地適用于整個(gè)微電子技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的貴金屬漿料，反映出技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展。

  2. 測(cè)試方法優(yōu)化：新版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)手段、設(shè)備或具體測(cè)試步驟進(jìn)行了細(xì)化或改進(jìn)，以提高測(cè)試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。例如，可能引入了更先進(jìn)的測(cè)量?jī)x器，或?qū)Ψ阶栌?jì)算公式進(jìn)行了修訂，以適應(yīng)技術(shù)發(fā)展的需求。

  3. 術(shù)語(yǔ)定義更新：隨著技術(shù)發(fā)展，相關(guān)術(shù)語(yǔ)和定義可能有所變化。2008版標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)方阻、貴金屬漿料等關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)給出更精確或符合當(dāng)前行業(yè)共識(shí)的定義，確保測(cè)試過(guò)程中的溝通無(wú)誤。

  4. 精度和誤差要求調(diào)整：為了適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量更高要求，新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)方阻測(cè)試的精度要求進(jìn)行了調(diào)整，包括但不限于測(cè)試結(jié)果的允許誤差范圍、樣品制備的一致性要求等。

  5. 樣品處理和環(huán)境條件規(guī)定：考慮到實(shí)驗(yàn)環(huán)境對(duì)方阻測(cè)試結(jié)果的影響，2008版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)樣品的預(yù)處理流程、測(cè)試環(huán)境的溫濕度控制、以及測(cè)試前的穩(wěn)定時(shí)間等提出了更嚴(yán)格或具體的要求，以減少外界因素的干擾。

  6. 質(zhì)量控制和驗(yàn)證程序：為了保證測(cè)試結(jié)果的可靠性，新標(biāo)準(zhǔn)可能增加了關(guān)于實(shí)驗(yàn)室內(nèi)部質(zhì)量控制、數(shù)據(jù)處理方法、以及測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證的具體指導(dǎo)，幫助實(shí)驗(yàn)室建立更加規(guī)范的操作流程。


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  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實(shí)施
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GB/T 17473.3-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定_第1頁(yè)
GB/T 17473.3-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定_第2頁(yè)
GB/T 17473.3-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定_第3頁(yè)
GB/T 17473.3-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定_第4頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛７７．１２０．９９

犎６８

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

方阻測(cè)定

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊狅犳狆狉犲犮犻狅狌狊犿犲狋犪犾狊狆犪狊狋犲狊狌狊犲犱犳狅狉犿犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊—

犇犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲

２００８０３３１發(fā)布２００８０９０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

方阻測(cè)定

ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門(mén)外三里河北街１６號(hào)

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書(shū)店經(jīng)銷

開(kāi)本８８０×１２３０１／１６印張０．５字?jǐn)?shù)９千字

２００８年６月第一版２００８年６月第一次印刷

書(shū)號(hào)：１５５０６６·１３１５２２

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書(shū)

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》（所有部分）的整合修

訂，分為７個(gè)部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法粘度測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法分辨率測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法可焊性、耐焊性測(cè)定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動(dòng)：

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定；

———增加低溫固化型漿料方阻的測(cè)定方法；

———原標(biāo)準(zhǔn)的原理中，“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片，經(jīng)過(guò)燒結(jié)后，膜層在一定溫度及其厚度、寬

度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片或有機(jī)樹(shù)脂基片上，經(jīng)過(guò)燒結(jié)或

固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；

———測(cè)厚儀修改為：光切顯微測(cè)厚儀用于燒結(jié)型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

本部分的附錄Ａ為規(guī)范性附錄。

本部分由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本部分主要起草人：金勿毀、劉繼松、李文琳、陳伏生、朱武勛、李晉。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

方阻測(cè)定

１范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測(cè)試方法。

本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測(cè)定。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本

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