標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 19501-2004是一項中國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《電子背散射衍射分析方法通則》。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)進行材料微結(jié)構(gòu)分析的方法原理、實驗條件選擇、數(shù)據(jù)采集與處理以及結(jié)果表述的一系列要求和指導(dǎo)原則。下面是對該標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的展開說明：

1. 范圍

該標(biāo)準(zhǔn)適用于利用掃描電子顯微鏡（SEM）配備的電子背散射衍射系統(tǒng)進行的材料晶體取向、晶粒尺寸、相鑒定、織構(gòu)分析及缺陷觀察等檢測項目。它覆蓋了從樣品制備到數(shù)據(jù)分析的全過程。

2. 規(guī)范性引用文件

列出了實施本標(biāo)準(zhǔn)時所直接引用或參考的其他標(biāo)準(zhǔn)文檔，這些文檔包含了必要的基礎(chǔ)定義、測試設(shè)備要求和相關(guān)測試方法等信息。

3. 術(shù)語和定義

明確了電子背散射衍射分析中的專業(yè)術(shù)語，如晶粒、取向圖、Kikuchi花樣、織構(gòu)系數(shù)等，確保了標(biāo)準(zhǔn)使用者對概念有統(tǒng)一的理解。

4. 原理

解釋了電子背散射衍射的基本物理原理，即入射電子與樣品相互作用后產(chǎn)生的背散射電子攜帶了樣品晶體結(jié)構(gòu)的信息，通過捕獲并分析這些電子的衍射圖案，可以推斷出樣品的晶體學(xué)特性。

5. 儀器與設(shè)備

詳細描述了進行EBSD分析所需的儀器配置和技術(shù)參數(shù)，包括掃描電子顯微鏡的性能要求、EBSD探測器的類型及其工作原理，以及必要的附件裝置，如樣品臺、減震裝置等。

6. 樣品制備

闡述了樣品制備的具體步驟和要求，包括切割、磨拋、電解拋光或離子減薄等，以確保樣品表面滿足高分辨率EBSD分析的條件，如平整度、清潔度和導(dǎo)電性。

7. 實驗條件與參數(shù)設(shè)置

提供了實驗參數(shù)選擇的指南，如電子束加速電壓、束流強度、工作距離、探測效率調(diào)整等，以適應(yīng)不同材料特性和分析目的的需求。

8. 數(shù)據(jù)采集

介紹了數(shù)據(jù)采集的策略，包括掃描模式、步進大小、曝光時間和數(shù)據(jù)質(zhì)量控制措施，強調(diào)了獲取高質(zhì)量EBSD圖譜的關(guān)鍵要素。

9. 數(shù)據(jù)處理與分析

講解了數(shù)據(jù)后期處理流程，包括花樣識別、晶格定向確定、晶粒分割、織構(gòu)參數(shù)計算等步驟，并提及了常用的軟件工具和算法。

10. 結(jié)果表述與解釋

規(guī)范了如何呈現(xiàn)和解釋EBSD分析結(jié)果，包括圖形展示（如取向圖、極圖、反空間圖）、數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析及結(jié)論撰寫要求，確保分析結(jié)果的準(zhǔn)確傳達。

11. 精度和準(zhǔn)確度

討論了影響EBSD分析精度的因素，如儀器穩(wěn)定性、樣品制備質(zhì)量、數(shù)據(jù)采集參數(shù)等，并提出評估和改善措施。

12. 安全

簡要提到了在操作高能電子設(shè)備時應(yīng)遵循的安全規(guī)程，以保障操作人員和設(shè)備安全。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 19501-2013
  • 2004-04-30 頒布
  • 2004-12-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 19501-2004電子背散射衍射分析方法通則_第1頁
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文檔簡介

ICS71.040.50G04中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T：19501-一2004電子背散射衍射分析方法通則Generalguideforelectronbackscatterdiffractionanalysis2004-04-30發(fā)布2004-12-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T19501-2004三次前言范圍2規(guī)范性引用文件3術(shù)語和定義4試驗方法5分析結(jié)果發(fā)布參考文獻……

GB/T19501一2004前本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由寶鋼股份公司技術(shù)中心起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳家光、范朝暉、田青超、李忠.

GB/T19501一2004電子背散射衍射分析方法通則1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子背散射衍射分析方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于安裝了電子背散射衍射附件的電子束顯微分析儀進行物相的鑒定、品體取向、顯微織構(gòu)以及品界特性等方面的分析。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件.其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T15074電子探針定量分析方法通則GB/T15481檢測和校準(zhǔn)實驗室能力的通用要求(GB/T15481-2000.idtISO/IEC17025:1999)3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)電子背散射衍射lelectronbackscatterdiffraction（EBSD人射電子束進入試樣,由于非彈性散射,在入射點附近發(fā)散.在表層幾十納米范圍內(nèi)成為一點源由于其能量損失很少，電子的波長可以認為基本不變。這些電子在反向出射時與品體產(chǎn)生布拉格銜射、稱之為電子背散射行射32電子背散射衍射譜（花樣）electronbackscatterdiffractionpattern（EBSP)在電子背散射衍射中產(chǎn)生的線狀花樣，稱之為電子背散射衍射菊池線。每一線對即菊池線對,對應(yīng)品體中的一組品面，所有不同品面產(chǎn)生的背散射衍射菊池線組成的圖形稱為電子背散射衍射譜(花樣)3.3晶體取向Crystallographicorientations晶體點陣相對于試樣外部坐標(biāo)軸的位向關(guān)系.及取向分布。3晶粒夾角晶界面兩側(cè)位向差(相鄰兩晶粒間夾角0)可用品粒繞某一晶向軸相對另一品粒旋轉(zhuǎn)·角來表示分為小角度晶界(0<15°)和大角度晶界(0>15°)。3.5重位點陣coincidencesitelattice（CSL)兩個互相穿插的平移點陣(點陣1和點陣2)相對作平移、旋轉(zhuǎn)等操作.當(dāng)?shù)竭_某一位置時（如旋轉(zhuǎn)到某些特殊角度時)。這兩部分點陣中的一些陣點會重合起來（即點陣2中的某一陣點與點陣1中的某一陣點重合）這些重合的陣點稱為點陣重合位置。這些重合位置的陣點本身將構(gòu)成三維空間格子的超點陣,稱為重合位置點陣，簡稱重位點陣"Lattice

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