GB/T 26071-2018太陽(yáng)能電池用硅單晶片

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26071—2018

代替

GB/T26071—2010

太陽(yáng)能電池用硅單晶片

Monocrystallinesiliconwafersforsolarcells

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26071—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片與相比主要

GB/T26071—2010《》。GB/T26071—2010,

技術(shù)變化如下

:

將標(biāo)準(zhǔn)名稱太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片修改為太陽(yáng)能電池用硅單晶片見(jiàn)封面年

———《》《》(,2010

版的封面

);

修改了范圍中本標(biāo)準(zhǔn)適用性的描述見(jiàn)第章年版的第章

———(1,20101);

修改了電阻率測(cè)定引用標(biāo)準(zhǔn)替代了見(jiàn)第章年版的第章

———,GB/T1551GB/T1552(2,20102);

增加引用標(biāo)準(zhǔn)和

———GB/T6619、GB/T14844、GB/T30859、GB/T30860、GB/T30869YS/T28

見(jiàn)第章年版的第章

(2,20102);

刪除了線痕的定義見(jiàn)年版

———(20103.1);

增加了產(chǎn)品牌號(hào)的表示方法見(jiàn)

———(4.1);

將產(chǎn)品分類中按外形可分為準(zhǔn)方形和圓形兩種修改為按外形可分為準(zhǔn)方形和方形兩種

———“”“”,

標(biāo)準(zhǔn)中刪除了圓形分類及其要求增加了方形見(jiàn)年版的

,(4.2.2,20104.1);

產(chǎn)品尺寸由準(zhǔn)方形硅片按其邊長(zhǎng)分為修改為準(zhǔn)方形

———“125mm×125mm、156mm×156mm”“

硅片按其邊長(zhǎng)分為見(jiàn)

100.75mm、125.75mm、156Ⅰ、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、210.75mm”(

年版的

4.2.2,20104.2);

刪除了圓形硅片的尺寸增加了方形硅片按其尺寸可分為

———,“100.75mm、125.75mm、

的要求見(jiàn)年版的

156.75mm、210.75mm”(4.2.2,20104.2);

增加了理化性能即硅片的晶體完整性氧含量和碳含量應(yīng)符合的規(guī)定如有

———,“、GB/T25076。

需要由供方提供各項(xiàng)檢驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)

,”(5.1);

增加了硅片厚度相對(duì)應(yīng)的要求刪除了硅片厚度

———“130±15、140±15、150±15、170±20”;“220±

相對(duì)應(yīng)的要求修改了翹曲度指標(biāo)要求見(jiàn)年版的

20、240±20”;(5.2.1,20104.3.1);

修改了準(zhǔn)方形硅片尺寸的要求見(jiàn)年版的

———(5.2.2,20104.3.2);

增加了方形硅片尺寸的要求見(jiàn)

———(5.2.3);

刪除了硅片的導(dǎo)電類型摻雜劑少數(shù)載流子壽命和晶體完整性應(yīng)符合的規(guī)定

———“、、GB/T25076”

見(jiàn)年版的

(20104.3.3.1);

電學(xué)性能參數(shù)中的電阻率范圍下限由改為型型見(jiàn)

———0.5Ω·cmP0.2Ω·cm,N0.1Ω·cm(

年版的

5.3.2,20104.3.3.2);

修改了晶向偏離度的要求見(jiàn)年版的

———(5.4,20104.3.4);

修改了硅片線痕深度崩邊缺口的要求見(jiàn)年版的

———、、(5.5,20104.3.5);

修改了導(dǎo)電類型和晶向的檢查水平見(jiàn)表年版的表

———(6,20106)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心有研半導(dǎo)體材料有限公司泰州隆基樂(lè)葉光伏科技

:、、

有限公司蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司隆基綠能科技股份有限公司內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司宜

、、、、

昌南玻硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人樓春蘭毛衛(wèi)中鄒劍秋汪新華孫燕楊素心劉培東宮龍飛鄧浩李建弘

:、、、、、、、、、、

徐博許國(guó)華張軍

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T26071—2010。

Ⅰ

GB/T26071—2018

太陽(yáng)能電池用硅單晶片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅單晶片簡(jiǎn)稱硅片的牌號(hào)及分類要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志

()、、、、、

包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單或合同內(nèi)容等

、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶加工成的準(zhǔn)方形或方形硅片產(chǎn)品用于制作太陽(yáng)能電池的襯

,

底片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6