第1章半導(dǎo)體器件

電子技術(shù)基礎(chǔ)第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1.2半導(dǎo)體二極管1.3半導(dǎo)體三極管1.4絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

電子技術(shù)基礎(chǔ)課程是一門技術(shù)基礎(chǔ)課，其任務(wù)是學(xué)習(xí)電子技術(shù)的基本理論、基本知識(shí)和基本技能，培養(yǎng)學(xué)生分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力，是學(xué)習(xí)后續(xù)課程的基礎(chǔ)。電子技術(shù)應(yīng)用非常廣泛，在電力行業(yè)，電力系統(tǒng)自動(dòng)化是系統(tǒng)安全、穩(wěn)定運(yùn)行的保證，它包括兩方面內(nèi)容：電力系統(tǒng)自動(dòng)裝置和電力系統(tǒng)調(diào)度自動(dòng)化。電力系統(tǒng)自動(dòng)裝置包括備用電源和備用設(shè)備自動(dòng)投入、輸電線路自動(dòng)重合閘、同步發(fā)電機(jī)自動(dòng)并列、同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁自動(dòng)調(diào)節(jié)及強(qiáng)行勵(lì)磁、自動(dòng)低頻減負(fù)荷、電力系統(tǒng)頻率和有功功率自動(dòng)調(diào)節(jié)、故障錄波裝置、自動(dòng)解列等。電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)等學(xué)科的發(fā)展成就了電力系統(tǒng)自動(dòng)化水平的提高。緒論變電站的控制室控制室內(nèi)的自動(dòng)控制和自動(dòng)保護(hù)設(shè)備需要電子技術(shù)！變電站綜合自動(dòng)化系統(tǒng)電力系統(tǒng)的保護(hù)設(shè)備電子技術(shù)的應(yīng)用舉例：電力系統(tǒng)自動(dòng)裝置中的同步發(fā)電機(jī)自動(dòng)并列裝置，用以保證同步發(fā)電機(jī)并列操作的正確性和安全性，圖1-1是ZZQ-5型自動(dòng)準(zhǔn)同步裝置框圖，其中的方框由電子電路組成。圖1-2ZZQ-5中鑒別頻差方向的邏輯電路框圖圖1-3ZZQ-5中的合閘部分邏輯電路框圖A/D式模擬量輸入通道框圖模擬輸入中的采樣保持器的基本電路變電站綜合自動(dòng)化系統(tǒng)中各子系統(tǒng)的典型硬件結(jié)構(gòu)圖開關(guān)量采集電路中的中斷申請(qǐng)電路電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速自動(dòng)檢測(cè)裝置原理框圖總之：電子技術(shù)在電力系統(tǒng)自動(dòng)化中有著廣泛的用途。（1）抓住重點(diǎn)。電子器件和電子電路種類繁多，而且新器件、新電路不斷地涌現(xiàn)，學(xué)習(xí)過(guò)程中必須抓住共性，把重點(diǎn)放在掌握基本概念、基本的分析方法上面，對(duì)器件和電路，以功能特性和正確的使用方法為重點(diǎn)。各章中有很多電子系統(tǒng)應(yīng)用實(shí)例，目的是介紹該章知識(shí)在電力行業(yè)的應(yīng)用，讓學(xué)生明確學(xué)習(xí)的必要性，不一定弄懂整個(gè)系統(tǒng)工作情況。（2）重視實(shí)踐。電子技術(shù)是實(shí)踐性很強(qiáng)的課程，注意通過(guò)對(duì)實(shí)用電路的組裝、測(cè)試和調(diào)整，培養(yǎng)理論聯(lián)系實(shí)際，解決工程實(shí)際問(wèn)題的能力，提高職業(yè)技能。（3）主動(dòng)學(xué)習(xí)，培養(yǎng)自學(xué)能力。電子產(chǎn)品更新?lián)Q代很快，需要自己不斷地學(xué)習(xí)，所以注意培養(yǎng)自己的自學(xué)能力。（4）歸納總結(jié)。把已學(xué)的知識(shí)及時(shí)進(jìn)行歸納總結(jié)，理清思路。電子技術(shù)課程學(xué)習(xí)過(guò)程中請(qǐng)注意以下幾點(diǎn)：第一章半導(dǎo)體器件1.1概述1.2半導(dǎo)體二極管進(jìn)入1.3晶體三極管進(jìn)入1.4絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1.1.1本征半導(dǎo)體進(jìn)入1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體進(jìn)入1.1.3PN結(jié)及其導(dǎo)電性能進(jìn)入自然界中的各種物質(zhì),按導(dǎo)電能力可分為導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體是純凈的半導(dǎo)體，典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

半導(dǎo)體之所以得到廣泛的應(yīng)用，是因?yàn)樗厥獾膶?dǎo)電性能：熱敏性、光敏性和雜敏性。1.1.1本征半導(dǎo)體1．熱敏性

當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)導(dǎo)體、絕緣體電阻率的變化很小，而半導(dǎo)體的電阻率會(huì)隨溫度的變化而顯著地變化。利用熱敏性可制成各種熱敏電阻，常用于自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)控制電路中。3.雜敏性在半導(dǎo)體材料中摻入微量的某種雜質(zhì)元素，可以顯著地改變其導(dǎo)電性能，這是半導(dǎo)體最突出的特性。利用雜敏性可制成各種不同性能、不同用途的半導(dǎo)體器件，例如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等。

2．光敏性

光照的強(qiáng)弱會(huì)使半導(dǎo)體導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的變化。利用光敏性可制成光電二極管、光電三極管及光敏電阻等，用于自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)控制。

半導(dǎo)體具有特殊的導(dǎo)電特性是由其原子結(jié)構(gòu)決定的。超鏈接：半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵*

1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)或五價(jià)元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。

1.N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體硅（或鍺）中摻入微量的3價(jià)元素（如硼、銦等），形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。在本征半導(dǎo)體硅（或鍺）中摻入微量的5價(jià)元素（如磷、砷、鎵等），形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。

2.P型半導(dǎo)體超鏈接：半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)1.1.3PN結(jié)及其導(dǎo)電性能一、PN結(jié)進(jìn)入二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦赃M(jìn)入一、PN結(jié)在P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合的交界面會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層，稱其為PN結(jié)。PN結(jié)是構(gòu)成多種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。PN結(jié)內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)決定了它特定的性質(zhì)。動(dòng)畫PN結(jié)的形成

二、

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

當(dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡(jiǎn)稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡(jiǎn)稱反偏。1.PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況較低的正向電阻較大的正向電流動(dòng)畫：PN結(jié)正向?qū)?.PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況動(dòng)畫：PN結(jié)反向截止很高的反向電阻很小的反向電流

反偏時(shí)的電流，稱為反向飽和電流，反向電流幾乎與所加反向電壓的大小無(wú)關(guān)，而受溫度影響很大。

總之：PN結(jié)加正向電壓時(shí)，正向電流較大且隨外加電壓的變化而變化，即正向?qū)ǎ籔N結(jié)加反向電壓時(shí)，電流很小（約等于0），且?guī)缀醪浑S外加電壓變化，即反向截止。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娞匦?。三、PN結(jié)兩端有等效電容PN結(jié)表面有電荷積累，所以PN結(jié)有電容。PN結(jié)是組成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)！二極管組成的與門電路uouAR0D2D1+VCCFuB二極管、三極管是最基本的半導(dǎo)體器件，下圖是二極管組成的與門電路，與門是各種自動(dòng)化系統(tǒng)中常用的一種邏輯電路。1.2半導(dǎo)體二極管

1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和特點(diǎn)進(jìn)入

1.2.2二極管的伏安特性進(jìn)入實(shí)物圖片1.2.3二極管的主要參數(shù)進(jìn)入

1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和特點(diǎn)

在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。點(diǎn)接觸型

二極管的結(jié)構(gòu)示意圖半導(dǎo)體二極管圖片安裝電子仿真軟件，可運(yùn)行仿真程序后，照?qǐng)D連接電路，然后運(yùn)行仿真，通過(guò)測(cè)試中看到的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，知道二極管性能特點(diǎn)。仿真1.2.2二極管的伏安特性1.2.2二極管的伏安特性一、二極管的伏安特性曲線硅二極管2CP10的V-I特性鍺二極管2AP15的V-I特性正向特性反向特性反向擊穿特性（1）正向特性

外加正向電壓較小時(shí)，PN結(jié)仍處于截止?fàn)顟B(tài)---死區(qū)。鍺二極管2AP15的V-I特性正向?qū)ㄌ匦?/p>

正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流隨著正向電壓增大迅速上升---正向?qū)ā?/p>

通常正向?qū)妷鹤兓秶苄?，常取硅?.7V，鍺管0.3V。外加反向電壓不超過(guò)擊穿電壓UBR時(shí)，反向電流

很小（約等于0）----反向截止（2）反向特性反向電壓大于擊穿電壓UBR時(shí)，反向電流急劇增加---反向擊穿反向擊穿時(shí)電流在一定范圍內(nèi)變化，電壓卻變化很小---穩(wěn)壓。鍺二極管2AP15的V-I特性反向截止特性反向擊穿特性總之：整體來(lái)看，二極管是非線性的，其分析方法常用圖解法或近似計(jì)算法。近似計(jì)算法是工程中常用的一種方法，分析二極管電路的關(guān)鍵是先確定其工作狀態(tài)。[例1-1]電路如圖1-6所示，設(shè)圖中二極管為2AP8A，試求各電路中二極管VD端壓UVD、電阻的電壓UR和電流I。解：（1）通過(guò)半導(dǎo)體器件手冊(cè)查得，2AP8A是鍺管，允許的最大正向電流平均值為35mA，反向擊穿電壓20V（反向擊穿時(shí)穩(wěn)定電流范圍200μA至800μA），截止時(shí)反向電流約為0。圖1-6例題1-1圖圖(c)中，二極管是反向擊穿狀態(tài)，所以UVD=-20V，UR=-（30+UVD）=-（30-20）=-10V，I未超過(guò)正向最大允許電流，管子能正常工作。（2）設(shè)電壓極性和電流方向如圖所示，則：圖(a)中，二極管正向?qū)?，所以取UVD=0.3V，則UR=3-0.3UR=2.7V，圖(b)中，二極管是反向截止?fàn)顟B(tài)，所以：電流I≈0，UR≈0，UVD≈-3V。I在穩(wěn)定范圍內(nèi)，管子能正常工作。

1.2.3二極管的主要參數(shù)(1)最大整流電流IFM(2)反向擊穿電壓U(BR)和最大反向工作電壓URM(3)反向電流IR半導(dǎo)體器件命名方法(4)正向壓降UF(5)極間電容CB(6)最高工作頻率fM圖1-10萬(wàn)用表簡(jiǎn)易測(cè)試二極管示意圖1.2.4二極管的簡(jiǎn)易測(cè)試1.2.5二極管的用途二極管常用作開關(guān)、檢波、整流、限幅、穩(wěn)壓等等。圖1-4自鎖控制中的開關(guān)控制電路VD1起限幅作用，使AB間電壓不超過(guò)0.7V。VD2當(dāng)開關(guān)，為續(xù)流二極管。VD3是穩(wěn)壓二極管。應(yīng)用舉例：二極管組成的單相橋式整流電路應(yīng)用舉例：把交流電變成直流電特殊二極管（1）穩(wěn)壓二極管（2）光電二極管和發(fā)光二極管光電二極管的ＰＮ結(jié)在反向偏置狀態(tài)下運(yùn)行，其反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。發(fā)光二極管在正向?qū)〞r(shí)能發(fā)光。穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)，起穩(wěn)壓作用。在電路中應(yīng)給穩(wěn)壓管串聯(lián)一個(gè)阻值適當(dāng)?shù)南蘖麟娮琛?VCCRcRaT+-+-uIuOAF三極管非門電路Rb三極管常作放大器件或開關(guān)，如下圖是三極管組成的非門電路，非門是各種自動(dòng)化系統(tǒng)中常用的一種邏輯電路。三極管在其中當(dāng)開關(guān)使用。1.3晶體三極管1.3.1三極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和特點(diǎn)1.3晶體三極管1.3.2三極管的電流分配與放大進(jìn)入1.3.3三極管共射極伏安特性曲線進(jìn)入1.3.4三極管的主要參數(shù)進(jìn)入三極管外形幾種常見三極管實(shí)物圖大功率三極管功率三極管普通塑封三極管—基區(qū)—發(fā)射區(qū)—集電區(qū)NPN型ecbPPNebcecbPNP型1.3.1三極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和特點(diǎn)NNP發(fā)射極e基極b集電極c發(fā)射結(jié)集電結(jié)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：三個(gè)電極對(duì)應(yīng)的區(qū)結(jié)構(gòu)不同，所以三個(gè)電極不能調(diào)換使用。?基區(qū)很薄，且摻雜濃度很低；發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；集電區(qū)面積最大。三極管的分類：三極管的種類很多,按其結(jié)構(gòu)類型分為NPN管和PNP管;按其制作材料分為硅管和鍺管;按工作頻率分為高頻管和低頻管;按功率大小分為大功率管和小功率管;按封裝形式分為塑封和金屬封。

三極管內(nèi)有兩種載流子(自由電子和空穴)參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管。半導(dǎo)體器件命名方法1.3.2三極管的電流分配與放大三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過(guò)內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)體現(xiàn)出來(lái)的。（1）內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。（2）外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。實(shí)現(xiàn)放大的兩個(gè)條件是：一、三種基本連接方式

二.三極管共射極放大電路的電流分配IE=IB+ICNPN和PNP三極管共射放大電路的直流電源接法

由實(shí)驗(yàn)測(cè)得△IE=△IC+△IB

三極管的電流分配關(guān)系符合節(jié)點(diǎn)電流定律三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)輸入回路輸出回路RCVCCiBIERB+uBE+uCEVBBCEBiC+++仿真三、三極管的電流放大實(shí)驗(yàn)證明：IC>>IB，即較小的輸入回路電流（IB）使電路獲得了較大的輸出回路電流（IC），說(shuō)明三極管有直流電流放大作用。而△IE=△IC+△IB，其中△IC>>△IB，即基極電流較小的變化能引起集電極電流較大的變化，說(shuō)明三極管有交流電流放大作用。內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)決定了三極管的放大特性。1.3.3三極管共射極伏安特性

iB=f(uBE)UCE=常數(shù)1.輸入特性曲線iC共射極放大電路輸入特性VVmAμA輸入回路VCCRCiBIERB+uBE+uCEVBBCEB++-仿真①死區(qū) ②正向?qū)▍^(qū)1.輸入特性曲線1.3.3三極管共射極電路的特性曲線

三極管的輸入特性曲線是非線性的，可分為死區(qū)和正向?qū)▍^(qū)，當(dāng)管子正向?qū)〞r(shí)，發(fā)射結(jié)壓降變化不大，對(duì)于硅管約為0.6~0.8V，對(duì)于鍺管約為0.2~0.3V。工程上發(fā)射結(jié)導(dǎo)通時(shí)常取UBE為常數(shù)：硅管UBE≈0.7V，鍺管UBE≈0.2V。iC=f(uCE)

IB=常數(shù)2.輸出特性曲線輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域:

放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū)。1.3.3三極管共射極電路的特性曲線三極管輸出特性測(cè)試動(dòng)畫輸出回路RCIEiCVCCiBRB+uBE+uCEVBBCEB+++仿真截止區(qū)：條件：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。三極管輸出特性測(cè)試RCIEiCVCCiBRB+uBE+uCEVBBCEB++++-uI＜0.5VRbRcVccuO+-截止?fàn)顟B(tài)等效電路cbe特點(diǎn)：各極電流約等于0，相當(dāng)于開關(guān)“關(guān)斷”。由圖知截止區(qū)：IB=0即發(fā)射結(jié)反偏，所以UBE≤0，而UCE約幾伏，UCE>UBE，即VC>VB集電結(jié)反偏。飽和區(qū)：條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。RCIEiCVCCiBRB+uBE+uCEVBBCEB+++特點(diǎn)：uCE很小，用飽和壓降UCES表示，小功率硅管UCES≈0.3V≈0，此時(shí)三極管相當(dāng)于開關(guān)”閉合”由圖知飽和區(qū)：UCE很小約0.3V，而基極電流說(shuō)明發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，即UBE=0.7V，所以UCE<UBE，即VC<VB集電結(jié)正偏。放大區(qū)：RCIEiCVCCiBRB+uBE+uCEVBBCEB+++（2）且iB一定時(shí)，iC與uCE幾乎無(wú)關(guān)，具有恒流特性。條件:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。NPN管，VC>VB>VE。特點(diǎn)：（1）iC=βiB，具有電流放大作用；由圖知放大區(qū)：UCE約為幾伏，發(fā)射結(jié)導(dǎo)通（正偏）UBE=0.7V，所以UCE>UBE即VC>VB集電結(jié)反偏。

三種狀態(tài)的集電極電流比較：截止時(shí)電流最?。ù蠹s為0）；飽和時(shí)電流最大。

三種狀態(tài)的集射間電壓比較：截止時(shí)UCE最大（UCE約等于電源電壓）；飽和時(shí)，UCE最?。ù蠹s為0）?？傊喝龢O管有截止、放大、飽和三種工作狀態(tài)，工作在放大區(qū)時(shí)作放大器件，工作于截止和飽和區(qū)則作開關(guān)。

三極管的用途：三極管通常作為放大器件和電子開關(guān)，在自動(dòng)化設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。[例1-2]如圖1-18所示，電路中的三極管VT1工作在放大狀態(tài)，現(xiàn)不知其性質(zhì)，用萬(wàn)用表測(cè)得電路中三個(gè)電極的電位分別是V1=3.6V，V2=3V，V3=8V試判斷三極管的電極和類型。第三步，因③是集電極且電位最高，可知這是NPN管（NPN管放大條件：VC>VB>VE）；0.7V或0.3V，由此可判斷出①、②分別是基極或發(fā)射極，則③一定是集電極；解：第一步，由于放大電路中的三極管=0.6V，說(shuō)明第二步，此電路該管是硅材料管；第四步，根據(jù)NPN管放大條件可知，①是基極，②是發(fā)射極。總之：①、②、③三端分別對(duì)應(yīng)基極、發(fā)射極和集電極，三極管是NPN硅管。(1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)b1.3.4三極管的主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)

如圖中b點(diǎn)的約等于b點(diǎn)對(duì)應(yīng)的IC與Ib之比值bUCE一定(2)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)

約為20---200UCE一定1.3.4三極管的主要參數(shù)ICEO

(2)集電極發(fā)射極間的穿透電流ICEO愈小愈好

ICEO=（1+）ICBO

b(1)集電極基極間反向飽和電流ICBO

愈小愈好2.極間反向電流1.3.4三極管的主要參數(shù)集電極最大允許電流ICM

Ic超過(guò)允許值后首先是β值急速下降(2)集電極最大允許功率損耗PCM

PC=ICUCE

功耗太大會(huì)燒壞管子

3.極限參數(shù)1.3.4三極管的主要參數(shù)

U(BR)CEO——基極開路時(shí)集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。

反向電壓太大會(huì)擊穿PN結(jié)(3)反向擊穿電壓4.溫度對(duì)三極管參數(shù)的影響

溫度升高，發(fā)射結(jié)導(dǎo)通所需電壓UBE（th）減小。溫度比室溫升高10C則UBE（th）約下降2～2.5mV。

（1）溫度對(duì)反向電流的影響溫度升高，反向電流增大。硅管溫度比室溫升高約80C反向電流增大一倍，鍺管溫度比室溫升高約120C反向電流增大一倍。（2）溫度對(duì)β值的影響（3）溫度對(duì)UBE（th）的影響溫度升高，β值減小。溫度比室溫升高10C則β約增加0.5％～1.0％。1.4絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）場(chǎng)效應(yīng)管是單極型三極管，它只有一種載流子（多子）導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。（耗盡型）N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)分類：1.4.1N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與符號(hào)：漏極DG柵極S源極符號(hào)N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)SiO2絕緣層金屬鋁P型襯底（摻雜濃度低）N+N+SDGB耗盡層特點(diǎn)：1.單極性器件(一種載流子導(dǎo)電)3.工藝簡(jiǎn)單、易集成、功耗小、體積小、成本低2.輸入電阻高(1071015，IGFET可高達(dá)1015)

MOS有晶體三極管一樣的功能，可以作放大器件，還可以做開關(guān)。動(dòng)畫：增強(qiáng)型NMOS管工作原理MOS管符號(hào)柵極漏極DGS源極N溝道增強(qiáng)型DGSP溝道增強(qiáng)型DGSN溝道