第6講內(nèi)部存儲器

第6講內(nèi)部存儲器回顧舊知導(dǎo)入課題預(yù)習(xí)與檢測教學(xué)展示以提出問題的方試來解決學(xué)生對上一節(jié)課中遇到的問題，進(jìn)行討論與分析。創(chuàng)設(shè)情境，導(dǎo)入課題，選擇我們身邊的、感興趣的事物，提出問題，充分調(diào)動學(xué)習(xí)積極性。學(xué)生以小組為單位，根據(jù)預(yù)習(xí)提綱解讀教材內(nèi)容，以問題的形式引入預(yù)習(xí)，提煉總結(jié)知識點。教師進(jìn)行檢測、收集及評分。帶著學(xué)生進(jìn)行討論與分析的結(jié)果，然后進(jìn)行引出下文，對新課內(nèi)容重點解析。教學(xué)過程設(shè)計回顧舊知與引入課題衡量CPU主要性能指標(biāo)的是哪三個參數(shù)2第一塊微處理器的名稱及誕生時間是哪年？1什么是CPU的地址總線寬度3舉例說明Intel與AMD低、中、高端CPU型號4詳細(xì)說明安裝CPU及散熱風(fēng)扇的過程5分組討論預(yù)習(xí)檢測2詳細(xì)說明存儲器的分類有哪些1內(nèi)存的性能指標(biāo)中tAC和CAS各是什么意思3常見的內(nèi)存品牌有哪些？如何選購內(nèi)存4如何辨別常見的劣質(zhì)內(nèi)存5主流內(nèi)存為哪種類型？DDR1、2與3的區(qū)別了解內(nèi)存的存儲原理掌握內(nèi)存的類型理解內(nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)學(xué)會識別內(nèi)存內(nèi)存的選購與安裝學(xué)習(xí)目標(biāo)內(nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)（難點、重點）內(nèi)存的識別（難點）內(nèi)存的選購與安裝（重點）重點與難點內(nèi)存概述內(nèi)存一般指的是隨機存取存儲器，簡稱RAM。是電腦中使用的臨時存儲區(qū)，它能暫時存儲程序運行時需要使用的數(shù)據(jù)或信息等。泛指內(nèi)存條，作用如下:存儲器的分類MEMORYRAM：隨機存儲器ROM：只讀存儲器EPROM：可擦可編程只讀存儲器內(nèi)存的分類RAM（隨機存儲器）SRAM（靜態(tài)內(nèi)存）：結(jié)構(gòu)復(fù)雜，造價高，速度快DRAM（動態(tài)內(nèi)存）：集成度高，結(jié)構(gòu)簡單，成本低VRAM（顯存）CMOSRAM存儲數(shù)據(jù)原理動態(tài)內(nèi)存的“動態(tài)”指：我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個內(nèi)存刷新（MemoryRefresh）操作，額外設(shè)計一個電路。一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長,代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認(rèn)為其代表0,并把電容放電，籍此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。有了刷新操作，動態(tài)內(nèi)存的存取速度比靜態(tài)內(nèi)存要慢很多。內(nèi)存的分類按引腳數(shù)不同可分為:72線、168線和184線內(nèi)存168-Pin、184-Pin(Pin指的是內(nèi)存條的引腳，又稱“線”，又稱為“金手指”)按內(nèi)存模塊封裝形式可分為:30線/72線單面內(nèi)存模塊SIMM單列直插式168線雙面內(nèi)存模塊DIMM雙列直插式184線雙面內(nèi)存模塊DDRSDRAM184線Rambus內(nèi)存模塊DRAM的類型

EDORAM(擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存）數(shù)據(jù)寬度32位30線/72線

SDRAM(同步數(shù)據(jù)傳輸隨機存儲器）64位168線

DDRSDRAM（雙數(shù)據(jù)傳輸SDRAM）64位184線主流

DDR200：運行頻率為100MHz，帶寬為1.6GB/SDDR266：運行頻率為133MHz，帶寬為2.1GB/SDDR333：運行頻率為166MHz，帶寬為2.7GB/SDDR400：運行頻率為200MHz，帶寬為3.2GB/S

除此以外還有DDR2533、DDR2667、DDR2800、DDR3-1066、1333、1600、1800、1866、2000、2133、2200、2400等

RDRAM（RambusDRAM)16位184線RAMBUS內(nèi)存是一種高性能、芯片對芯片接口技術(shù)的新一代存儲產(chǎn)品，創(chuàng)立于1990年，致力于高端存儲產(chǎn)品的研究與開發(fā)，于2003年左右徹底退出市場。SDRAM、DDRSDRAM、RDRAM內(nèi)存條DDR1、DDR2與DDR3的區(qū)別DDR1：184針DDR2：240針DDR3：240針DDR1：2.5VDDR2：1.8VDDR3：1.5V引腳數(shù)工作電壓OCZ2GBDDR3-1333內(nèi)存“OCZ”為內(nèi)存品牌名稱，“3”表示DDR3接口，“1333”則表示頻率為DDR3-1333，“V”表示普通版，“2G”表示容量為2GB內(nèi)存雙通道一般要求按主板上內(nèi)存插槽的顏色成對使用，兩條1GB的內(nèi)存構(gòu)成雙通道效果會比一條2GB的內(nèi)存效果好。內(nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)數(shù)據(jù)寬度：一次輸入/輸出的數(shù)據(jù)量（32位，64位）數(shù)據(jù)帶寬：內(nèi)存每秒鐘可傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量?？偩€頻率×2×64/8，如：

DDR200運行頻率為100MHz,帶寬為100×2×64/8=1600MB/s=1.6GB/s

時鐘頻率:內(nèi)存穩(wěn)定運行的最大頻率。如PC2100（每秒數(shù)據(jù)傳輸量為2100MB，即2.1GB/s）、PC2700、PC3000、PC3200等。

tAC：存取一次數(shù)據(jù)的時間（稱“存取時間”，單位ns)CASLatency:簡稱CL，指內(nèi)存經(jīng)過多長的時間周期后才開始讀取數(shù)據(jù)容量：能夠存儲的信息量（1GB、2GB、4GB、8GB……)工作電壓：5V、3V、2.5V奇偶校驗：檢測某段數(shù)據(jù)是否發(fā)生讀寫錯誤。錯誤自動檢查與更正：與奇偶校驗類似，檢測更正錯誤。SPD串行存在探測：記錄內(nèi)存速度、容量、電壓、行列地址帶寬等參數(shù)信息。SPD串行存在探測學(xué)會識別內(nèi)存常見內(nèi)存廠商代號：HY（HYUNDAI）HYB（SIEMENS）KM或MMCM（Motorola）TC或TD（Toshiba）HM(Hitachi)BM（IBM）M2（MITSUBISHI）MDS（Fujitsu）金士頓、威剛、海盜船、宇瞻、金邦、OCZ、芝奇、黑金剛、金泰克、勝創(chuàng)、金士泰、博帝、邁威、超勝、PNY、金士剛、晶芯、富豪、IBM、三星、藍(lán)魔等現(xiàn)代內(nèi)存編碼

HY5XXXXXXXXXXXXX-XX

廠家型號電壓容量速度注：5X中57表示為SDRAM；5D表示DDR

第二個X表示電壓，V表示3.3VU表示2.5V，空白表示5V

第3,4,5個X表示容量,表示64MB,128表示128MB,256表示256MB最后兩個X表示速度,10P表示100MHz(CL為2),10S表示100MHz(CL為3)

第6、7個X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬第8個X代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成第9個X代表內(nèi)存接口第10個X代表代表內(nèi)存版本號:空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代,第11個X代表功耗:其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示為正常功耗芯片第12、13個X代表封裝類型內(nèi)存選購與安裝根據(jù)主板選擇內(nèi)存的類型：DDR3

有足夠的容量：2GB、4GB、6GB、8GB芯片品牌芯片品質(zhì)注意PCB

常見的劣質(zhì)內(nèi)存內(nèi)存選購與安裝思考與練習(xí)

說說存儲器的分類有哪些？內(nèi)存又分為哪些？