GB/T 29851-2013光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29851—2013

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質(zhì)

、

含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法

Testmethodformeasuringboronandaluminiuminsiliconmaterialsusedfor

photovoltaicapplicationsbysecondaryionmassspectrometry

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質(zhì)

、

含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法

GB/T29851—2013

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

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16(100045)

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:

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年月第一版

20141

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-48021

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29851—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院國(guó)家電子功

:、、

能與輔助材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何友琴馬農(nóng)農(nóng)王東雪何秀坤裴會(huì)川馮亞彬張雪囡

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29851—2013

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質(zhì)

、

含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜儀測(cè)定光伏電池用硅材料中硼和鋁含量的方法

(SIMS)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于光伏電池用硅材料中受主雜質(zhì)硼和鋁含量的定量分析其中硼和鋁的濃度均大于

,

133其他受主雜質(zhì)的測(cè)量也可參照本標(biāo)準(zhǔn)

1×10atoms/cm。。

2方法原理

在高真空條件下氧離子源產(chǎn)生的一次離子經(jīng)過(guò)加速純化聚焦后轟擊樣品表面濺射出多種粒

,,、、,,

子將其中的離子即二次離子引出通過(guò)質(zhì)譜儀將不同荷質(zhì)比的離子分開(kāi)記錄并計(jì)算樣品中硼鋁分

,(),,、

別與硅的二次離子強(qiáng)度比++++然后利用其相對(duì)靈敏度因子進(jìn)行定量

(B)/(Si)、(Al)/(Si),。

3干擾因素

31樣品表面吸附的硼和鋁會(huì)干擾樣品中硼和鋁的測(cè)量

.。

32從儀器樣品室吸附到樣品表面的硼和鋁會(huì)干擾樣品中硼和鋁的測(cè)量

.SIMS。

33在樣品架窗口范圍內(nèi)的樣品表面應(yīng)平整以保證每個(gè)樣品移動(dòng)到分析位置時(shí)其表面與離子收集

.,,

光學(xué)系統(tǒng)的傾斜度不變否則測(cè)量的準(zhǔn)確度和精度會(huì)降低

,。

34測(cè)量的準(zhǔn)確度和精度隨著樣品表面粗糙度的增大而顯著降低可通過(guò)對(duì)樣品表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋

.,

光予以消除

。

35標(biāo)準(zhǔn)樣品中硼和鋁分布不均勻會(huì)影響測(cè)量精度

.。

36標(biāo)準(zhǔn)樣品中硼和鋁標(biāo)稱濃度的偏差會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果的偏差

.。

37因儀器不同或者同一儀器的狀態(tài)不同檢測(cè)限可能不同

.,。

38因?yàn)槎坞x子質(zhì)譜分析是破壞性的試驗(yàn)所以應(yīng)進(jìn)行取樣且所取樣品應(yīng)能代表該批硅料的性質(zhì)

.,,。

本標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定統(tǒng)一的取樣方法因?yàn)榇蠖鄶?shù)合適的取樣計(jì)劃根據(jù)樣品情況不同而有區(qū)別為了達(dá)到仲

,。

裁目的取樣計(jì)劃應(yīng)在測(cè)試之前得到測(cè)試雙方的認(rèn)可

,。

4儀器及設(shè)備

41扇形磁場(chǎng)二次離子質(zhì)譜儀

.

儀器需要裝備氧一次離子源能檢測(cè)正二次離子的電子倍增器和法拉第杯檢測(cè)器質(zhì)量分辨率應(yīng)優(yōu)

,,

于

1500。

42液氮或者液氦冷卻低溫板

.

如果分析室的真空度大于-6應(yīng)用液氮或者液氦冷卻的低溫板環(huán)繞分析室中的樣品架