標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 29852-2013 光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范光伏電池用硅材料中磷（P）、砷（As）和銻（Sb）這三種施主雜質(zhì)元素含量的測定過程。該標(biāo)準(zhǔn)采用二次離子質(zhì)譜技術(shù)作為主要分析手段，適用于單晶硅或多晶硅等光伏級硅材料的質(zhì)量控制與評估。

標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了樣品準(zhǔn)備、儀器條件設(shè)定、數(shù)據(jù)采集及處理的具體步驟。首先，在樣品制備階段，要求選取代表性樣本，并按照指定程序進(jìn)行表面清潔或拋光處理，以確保測試結(jié)果準(zhǔn)確反映材料的真實(shí)狀況。接著，對實(shí)驗(yàn)所使用的二次離子質(zhì)譜儀提出了一系列參數(shù)設(shè)置建議，包括但不限于初級離子束種類、能量范圍以及檢測器工作模式等，這些都是為了優(yōu)化信號強(qiáng)度并減少背景噪聲干擾，從而提高測量精度。

此外，該文件還強(qiáng)調(diào)了如何正確校準(zhǔn)儀器以及選擇合適的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)來進(jìn)行定量分析的重要性。通過比較已知濃度的標(biāo)準(zhǔn)樣品與待測樣品之間的響應(yīng)值差異，可以計(jì)算出目標(biāo)雜質(zhì)的實(shí)際濃度水平。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)也指出了可能影響最終結(jié)果的各種因素，如樣品表面狀態(tài)、測試環(huán)境條件變化等，并給出了相應(yīng)的解決策略或注意事項(xiàng)。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-11-12 頒布
  • 2014-04-15 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 29852-2013光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法_第1頁
GB/T 29852-2013光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法_第2頁
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29852—2013

光伏電池用硅材料中PAsSb施主雜質(zhì)

、、

含量的二次離子質(zhì)譜測量方法

Testmethodformeasurinhoshorusarsenicandantimoninsiliconmaterials

gpp,y

usedforphotovoltaicapplicationsbysecondaryionmassspectrometry

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

光伏電池用硅材料中PAsSb施主雜質(zhì)

、、

含量的二次離子質(zhì)譜測量方法

GB/T29852—2013

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書號

:155066·1-48020

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29852—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院國家電子功

:、、

能與輔助材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬農(nóng)農(nóng)何友琴王東雪何秀坤馮亞彬裴會川張雪囡

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29852—2013

光伏電池用硅材料中PAsSb施主雜質(zhì)

、、

含量的二次離子質(zhì)譜測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜儀測定光伏電池用硅材料中磷砷和銻含量的方法

(SIMS)、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于光伏電池用硅材料中施主雜質(zhì)磷砷和銻含量的定量分析其中磷砷和銻的濃度均

、,、

大于143

1×10atoms/cm。

2方法原理

在高真空條件下銫離子源產(chǎn)生的一次離子經(jīng)過加速純化聚焦后轟擊樣品表面濺射出多種粒

,,、、,,

子將其中的離子即二次離子引出通過質(zhì)譜儀將不同荷質(zhì)比的離子分開記錄并計(jì)算樣品中磷砷

,(),,、、

銻與硅的二次離子強(qiáng)度比31-30-75-30-121-30-然后利用相對靈敏度因

(P)/(Si)、(As)/(Si)、(Sb)/(Si),

子進(jìn)行定量

。

3干擾因素

31樣品表面吸附的磷砷銻會干擾樣品中磷砷銻的測量

.、、、、。

32從儀器樣品室吸附到樣品表面的硼和鋁會干擾樣品中磷砷銻的測量

.SIMS、、。

33在樣品架窗口范圍內(nèi)的樣品表面應(yīng)平整以保證每個(gè)樣品移動(dòng)到分析位置時(shí)其表面與離子收集

.,,

光學(xué)系統(tǒng)的傾斜度不變否則測量的準(zhǔn)確度和精度會降低

,。

34測量的準(zhǔn)確度和精度隨著樣品表面粗糙度的增大而顯著降低可通過對樣品表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋

.,

光予以消除

。

35標(biāo)準(zhǔn)樣品中磷砷銻分布不均勻會影響測量精度

.、、。

36標(biāo)準(zhǔn)樣品中磷砷銻標(biāo)稱濃度的偏差會導(dǎo)致測量結(jié)果的偏差

.、、。

37因儀器不同或者同一儀器的狀態(tài)不同檢測限可能不同

.,。

38因?yàn)槎坞x子質(zhì)譜分析是破壞性的試驗(yàn)所以應(yīng)進(jìn)行取樣且所取樣品應(yīng)能代表該批硅料的性質(zhì)

.,,。

本標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定統(tǒng)一的取樣方法因?yàn)榇蠖鄶?shù)合適的取樣計(jì)劃根據(jù)樣品情況不同而有區(qū)別為了達(dá)到仲

,。

裁目的取樣計(jì)劃應(yīng)在測試之前得到測試雙方的認(rèn)可

,。

4儀器及設(shè)備

41扇形磁場二次離子質(zhì)譜儀

.

儀器需要裝備銫一次離子源能檢測負(fù)二次離子的電子倍增器和法拉第杯檢測器質(zhì)量分辨率優(yōu)于

,,4000。

42液氮或者液氦冷卻低溫板

.

如果分析室的真空度大于-6應(yīng)用液氮或者液氦冷卻的低溫板環(huán)繞分析室中的樣品架

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