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  • 2016-10-13 頒布
  • 2017-09-01 實(shí)施
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GB/T 32999-2016表面化學(xué)分析深度剖析用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測(cè)量濺射速率_第1頁(yè)
GB/T 32999-2016表面化學(xué)分析深度剖析用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測(cè)量濺射速率_第2頁(yè)
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GB/T 32999-2016表面化學(xué)分析深度剖析用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測(cè)量濺射速率_第4頁(yè)
GB/T 32999-2016表面化學(xué)分析深度剖析用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測(cè)量濺射速率_第5頁(yè)
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ICS7104040

G04..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32999—2016/ISO/TR223352007

:

表面化學(xué)分析深度剖析用機(jī)械輪

廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測(cè)量濺射速率

Surfacechemicalanalsis—Dethrofilin—Measurementofsutterinrate

yppgpg:

mesh-replicamethodusingamechanicalstylusprofilometer

(ISO/TR22335:2007,IDT)

2016-10-13發(fā)布2017-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32999—2016/ISO/TR223352007

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

術(shù)語和定義

2………………1

符號(hào)和縮略語

3……………1

原理

4………………………2

方法

5………………………2

獲取柵網(wǎng)復(fù)型圖形

5.1…………………2

用輪廓儀測(cè)量濺射坑深度

5.2…………7

計(jì)算濺射速率

5.3………………………9

實(shí)驗(yàn)室間聯(lián)合比對(duì)結(jié)果總結(jié)

6……………9

附錄資料性附錄試樣表面和離子槍的幾何結(jié)構(gòu)配置

A()……………10

附錄資料性附錄柵網(wǎng)復(fù)型圖形與網(wǎng)孔尺寸的關(guān)系

B()………………13

參考文獻(xiàn)

……………………16

GB/T32999—2016/ISO/TR223352007

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析深度剖析用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)

ISO/TR22335:2007《

復(fù)型法測(cè)量濺射速率

》。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位北京師范大學(xué)分析測(cè)試中心清華大學(xué)分析中心

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人吳正龍姚文清

:、。

GB/T32999—2016/ISO/TR223352007

:

引言

本標(biāo)準(zhǔn)給出了利用俄歇電子能譜和射線光電子能譜測(cè)定深度剖析離子濺射速率的

(AES)X(XPS)

方法試樣的離子濺射面積范圍為22首先在試樣上放置一個(gè)合適大小并和試樣表

,0.4mm~3.0mm。

面接觸的柵網(wǎng)通過離子濺射在試樣表面上復(fù)制一個(gè)柵網(wǎng)圖形然后通過機(jī)械輪廓儀測(cè)量出濺射深度

,。,

假設(shè)離子濺射速率恒定則濺射速率等于濺射深度除以濺射時(shí)間本標(biāo)準(zhǔn)提供了一種將深度剖析中離

,。

子濺射時(shí)間轉(zhuǎn)換為濺射深度的方法

。

GB/T32999—2016/ISO/TR223352007

:

表面化學(xué)分析深度剖析用機(jī)械輪

廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測(cè)量濺射速率

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用俄歇電子能譜和射線光電子能譜測(cè)定深度剖析離子濺射速率的

(AES)X(XPS)

方法試樣的離子濺射面積范圍為22本標(biāo)準(zhǔn)只適用于橫向均勻的體相材料或單層

,0.4mm~3.0mm。

材料其離子濺射速率由濺射深度與濺射時(shí)間確定濺射深度通過機(jī)械探針輪廓儀測(cè)得

,,。

本標(biāo)準(zhǔn)提供了一種將深度剖析中的離子濺射時(shí)間轉(zhuǎn)換為濺射深度的方法并假設(shè)濺射速率恒定

,。

本方法不是為掃描探針顯微系統(tǒng)設(shè)計(jì)的因此不能用掃描探針顯微系統(tǒng)評(píng)價(jià)該方法本方法不適用于

,。

濺射面積小于2的情況也不適用于濺射誘導(dǎo)的表面粗糙度與被測(cè)區(qū)域的濺射深度相比較明顯

0.4mm,

的情況

。

2術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

21

.

濺射時(shí)間sputteringtime

離子轟擊試樣表面的時(shí)間

。

22

.

濺射深度sputtereddepth

被分析試樣原始表面與經(jīng)深度剖析剝離一定量物質(zhì)后的表面之間的垂直距離[1]

。

23

.

濺射速率sputteringrate

濺射深度與濺射時(shí)間的比值

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