GB/T 36479-2018集成電路焊柱陣列試驗(yàn)方法

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36479—2018

集成電路焊柱陣列試驗(yàn)方法

Integratedcircuits—Testmethodsforcolumngridarray

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T36479—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般要求

4…………………2

通則

4.1…………………2

樣品的處理

4.2…………………………2

器件的取向

4.3…………………………2

試驗(yàn)環(huán)境

4.4……………3

試驗(yàn)結(jié)果

4.5……………3

詳細(xì)要求

5…………………3

焊柱陣列共面度

5.1……………………3

焊柱陣列位置度

5.2……………………4

焊柱可焊性

5.3…………………………6

焊柱拉脫

5.4……………8

焊柱剪切

5.5……………14

焊柱疲勞

5.6……………18

GB/T36479—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人呂棟丁榮崢陳波陸堅(jiān)章慧彬李錕尹航

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36479—2018

集成電路焊柱陣列試驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了焊柱陣列的試驗(yàn)方法

(CGA)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用焊柱陣列封裝形式的集成電路以下簡稱器件焊柱包括高鉛焊柱微

(CGA)(),、

線圈焊柱銅帶纏繞型焊柱基板增強(qiáng)型焊柱鍍銅焊柱等

、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

集成電路術(shù)語

GB/T9178

半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語

GB/T14113

微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB548B—2005

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T9178、GB/T14113。

31

.

焊柱陣列columngridarrayCGA

;

一種用細(xì)長型焊柱作為外引腳按照一定節(jié)距縱向橫向焊接到基板陶瓷焊盤上實(shí)現(xiàn)器件下一級(jí)

,、/,

組裝時(shí)與印刷線路板的物理連接包括電連接的封裝形式

(PCB)()。

32

.

基準(zhǔn)平面datumplane

由三個(gè)焊柱頂點(diǎn)形成的平面三個(gè)焊柱具有到植柱頂面最大的垂直距離并且這三個(gè)頂點(diǎn)形成的三

,,

角形的投影包含器件的重心

。

33

.

共面度deviationfromcoplanarity

最高焊柱頂點(diǎn)和最低焊柱頂點(diǎn)之間的差值

。

34

.

位置度geometricdimensioning

在器件焊柱理論位置中心對(duì)稱的區(qū)域內(nèi)焊柱中心點(diǎn)允許不同于理論位置中心的變動(dòng)量指標(biāo)

,。

35

.

拉脫力pull-offforce

施加于焊柱軸向上垂直于器件植柱平面