GB/T 41458-2022空間環(huán)境產(chǎn)生航天器表面最惡劣電位差的等離子體環(huán)境

ICS49140

CCSV.06

中華人民共和國國家標準

GB/T41458—2022

空間環(huán)境產(chǎn)生航天器表面最惡劣

電位差的等離子體環(huán)境

Spaceenvironment—Plasmaenvironmentsforgenerationofworstcase

surfaceelectricalpotentialdifferencesforspacecraft

ISO199232017Saceenvironmentnaturalandartificial—Plasma

[:,p()

environmentsforgenerationofworstcaseelectricalpotentialdifferencesfor

sacecraftMOD

p,]

2022-04-15發(fā)布2022-11-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T41458—2022

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號和縮略語

4……………2

最惡劣環(huán)境認定原則

5……………………2

應(yīng)用于航天器設(shè)計的原則

6………………2

模擬中采用的最惡劣空間環(huán)境

7…………3

附錄資料性航天器充電模擬程序

A()…………………4

附錄規(guī)范性材料老化處理后的模擬

B()………………5

附錄資料性充電模擬

C()………………8

參考文獻

……………………14

GB/T41458—2022

前言

本文件按照標準化工作導(dǎo)則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件修改采用空間環(huán)境自然和人工產(chǎn)生航天器最惡劣電位差的等離子體

ISO19923:2017《()

環(huán)境

》。

本文件與相比做了下述結(jié)構(gòu)調(diào)整

ISO19923:2017:

將的附錄調(diào)整為附錄

———ISO19923:2017CB;

將的附錄調(diào)整為附錄

———ISO19923:2017BC;

刪除了的附錄

———ISO19923:2017D;

第章范圍中刪除第三段內(nèi)容

———1“”,。

本文件與的技術(shù)差異如下

ISO19923:2017:

第章范圍第二段刪除最后一句低地球軌道航天器發(fā)生的嚴重表面充電可能是由于航天

———1“”“

器設(shè)備的高壓電源造成的因此本文件不涉及這部分內(nèi)容刪除第三段本文件僅涉及航天器

,”;“

的外表面充電

”;

第章將下列術(shù)語和定義適用于本文件改為界定的以及下列術(shù)語和

———3“”“GB/T32452—2015

定義適用于本文件

”;

在雙麥克斯韋分布中增加v粒子速度單位為米每秒以及其他物理參量的

———3.1“”“———,(m/s)”

單位

;

第章刪除本文件是航天器充電模擬的一部分

———5,“”;

第一段中用表給出地球同步軌道最惡劣等離子體環(huán)境的雙麥克斯韋分布參數(shù)代替對

———7.1“1”“

最惡劣情況進行模擬時應(yīng)采用表給出的雙麥克斯韋分布表標題中用地球同步軌道最

,1”,1“

惡劣等離子體環(huán)境代替模擬使用的空間環(huán)境

”“”;

刪除了隨著更多的環(huán)境測量數(shù)據(jù)發(fā)表本文件將更新極地軌道和中地球軌道最惡劣等離

———7.2“,

子體環(huán)境參數(shù)

”。

本文件做了下列編輯性改動

:

標準名稱更改為空間環(huán)境產(chǎn)生航天器表面最惡劣電位差的等離子體環(huán)境

———《》;

中刪除該程序僅在美國開放使用添加了采用混合模擬方法模擬

———A.2“NASCAP-2k”“”,“PIC

航天器表面與等離子體環(huán)境的相互作用過程以描述該程序的功能中刪

”;A.3“COULOMB-2”

除該程序僅在俄羅斯開放使用

“”;

附錄標題以及各條小標題中用充電模擬代替循環(huán)模擬

———C“”“”;

充電模擬第二段增加其中δ為最大二次電子發(fā)生率E為二次電子

———C.1“NASCAP-2k”“max,max

發(fā)生率最大時的入射電子能量

”;

充電模擬表表頭第一列用材料代替蓋玻璃材料表第六行第

———C.1“NASCAP-2k”C.1“”“”;C.2

一列對加腳注此處使用的環(huán)境與表中的環(huán)境不

,ATS-6“NASCAP-2kATS-6C.5ATS-6

同

”;

充電模擬表模擬結(jié)果第四行第六列

———C.1“NASCAP-2k”C.3“NASCAP-2k”,NASAWorst

環(huán)境日照下充電后反向電位梯度最大電位差計算結(jié)果用代替

Case2000s,“897”“3940”;

充電模擬表日照情況下的模擬結(jié)果第七行第八列

———C.2“MUSCAT”C.6“MUSCAT”,LANL-

環(huán)境正向電位梯度最大電位差計算結(jié)果用代替第三行刪除

KIT,“-23800”“-23700”;C.2,

Ⅰ

GB/T41458—2022

了康普頓的腳注

“?”;

第二句模擬結(jié)果后添加腳注由于模擬使用的材料特性與實際工程中使用的不完全相

———C.4“”“

同所以模擬結(jié)果僅供參考

,”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國科學(xué)院提出

。

本文件由全國宇航技術(shù)及其應(yīng)用標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC425)。

本文件起草單位中國科學(xué)院國家空間科學(xué)中心

:。

本文件主要起草人孟雪潔鐘秋珍陳東陳善強苗娟林瑞淋周振奇

:、、、、、、。

Ⅱ

GB/T41458—2022

空間環(huán)境產(chǎn)生航天器表面最惡劣

電位差的等離子體環(huán)境

1范圍

本文件描述了產(chǎn)生航天器表面最惡劣電位差的空間等離子體環(huán)境以及如何使用模擬程序估算航

,

天器表面最惡劣電位差

。

本文件包含地球同步軌道地球極軌道中地球軌道的等離子體的溫度和密

(GEO)、(PEO)、(MEO)

度不包含低地球軌道的等離子體的溫度和密度

,(LEO)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

航天器空間環(huán)境術(shù)語

GB/T32452—2015

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T32452—2015。

和在以下地址維護用于標準化的術(shù)語數(shù)據(jù)庫

ISOIEC:

———IEC:/

———ISO:/obp

31

.

雙麥克斯韋分布doubleMaxwelliandistribution

地球同步軌道電子和質(zhì)子的分布函數(shù)分別具有兩個溫度成分

。

麥克斯韋分布函數(shù)如下[1]

:

??

3/2nmv2nmv2

??

m??

fv=?1-+2-?

()3exkT3exkT…