第11章 存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件

電路與電子技術(shù)(電工學(xué)I)第11章大規(guī)模集成電路

教學(xué)目標(biāo)基本器件

應(yīng)用存儲(chǔ)器容量可編程邏輯器件分類與特點(diǎn)存儲(chǔ)系統(tǒng)數(shù)字系統(tǒng)組合邏輯《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材第11章大規(guī)模集成電路第一節(jié)存儲(chǔ)器第二節(jié)可編程邏輯器件本章目錄半導(dǎo)體存儲(chǔ)器功能只讀存儲(chǔ)器ROM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）元件雙極型存儲(chǔ)器速度較慢，功耗小，集成度高11.1存儲(chǔ)器能存放大量二值信息的器件,可以用來實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路磁性材料和半導(dǎo)體材料第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材存貯器用于存儲(chǔ)器的材料（在微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器）速度快，功耗大MOS型存儲(chǔ)器下一頁上一頁章目錄地址存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)容量大——存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量大存取速度快——存儲(chǔ)時(shí)間短第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材

由許多存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存放1位二進(jìn)制信息（0或1）。存儲(chǔ)器的組成

將若干個(gè)存儲(chǔ)單元編為一組稱為字單元，每個(gè)字所含存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)就是所存二進(jìn)制數(shù)字信息的位數(shù)。字單元內(nèi)容與地址給每個(gè)字單元編上號(hào)，以指示該單元在存儲(chǔ)器中所處的位置。每個(gè)字單元中存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息。內(nèi)容下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄

每次寫入或讀出信息都只能與某一個(gè)指定地址的字單元打交道。存儲(chǔ)器的操作讀出寫入

如：一片容量為1024字×4位的存儲(chǔ)器，表示其有1024個(gè)地址，而每個(gè)地址能寫入或讀出一個(gè)4位二進(jìn)制數(shù)，亦即該存儲(chǔ)器共有4096個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)器的規(guī)模存儲(chǔ)二值信息的總量，稱容量，容量=字?jǐn)?shù)×位數(shù)。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材信息的取出信息的存入下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄特點(diǎn)一、只讀存儲(chǔ)器（1）存儲(chǔ)的信息是固定不變的。（2）工作時(shí)，只能讀出信息，不能隨時(shí)寫入信息。（3）電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。1.固定ROM①電路結(jié)構(gòu)第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材（ROM）下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄存儲(chǔ)矩陣

由存儲(chǔ)單元構(gòu)成，一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)一位二進(jìn)制數(shù)碼“1”或“0”。根據(jù)輸入的代碼譯出對(duì)應(yīng)的地址，選中要進(jìn)行讀/寫操作的字單元。ROM主要結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)矩陣地址譯碼器

存儲(chǔ)矩陣是存儲(chǔ)器的核心，由基本存儲(chǔ)單元按陣列形式排列形成?？捎啥O管構(gòu)成，也可由雙極晶體管或MOS管構(gòu)成。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材地址譯碼器下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄（以MOS管構(gòu)成的4行×4列陣列為例）地址線位線（數(shù)據(jù)線）第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材②工作原理選擇線基本存儲(chǔ)單元交叉點(diǎn)處接有MOS管時(shí)相當(dāng)于存1沒有接MOS管時(shí)相當(dāng)于存0實(shí)質(zhì)上，ROM是用電路結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)固定的邏輯關(guān)系下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄

而字線與位線交叉點(diǎn)未接MOS管的位線因連到高電平，經(jīng)輸出緩沖器反向后，輸出為0。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材

在讀取數(shù)據(jù)時(shí)，W0～W3中某一根字線為高電平，使接在該字線上的MOS管導(dǎo)通，與這些管相連的位線變?yōu)榈碗娖?，?jīng)輸出緩沖器反向后，在數(shù)據(jù)輸出端得到高電平1；下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄存儲(chǔ)矩陣的存儲(chǔ)內(nèi)容地址A0A100011011字線內(nèi)容(數(shù)據(jù))W0W1W2W3D0D1D2D3

000

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10001110第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄四個(gè)地址的邏輯式地址譯碼器是一個(gè)“與”邏輯陣列③ROM的邏輯關(guān)系及簡(jiǎn)化畫法第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材存儲(chǔ)矩陣是一個(gè)“或”邏輯陣列輸出端的邏輯式下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄2.可編程只讀存儲(chǔ)器PROMPROM的結(jié)構(gòu)由地址譯碼器、存儲(chǔ)單元矩陣、輸出緩沖器組成

它有讀寫控制電路，在出廠時(shí)在所有存儲(chǔ)元件中都存入了“1”（或“0”），使用時(shí)用戶根據(jù)自己的需要可自行確定存儲(chǔ)單元的內(nèi)容。與固定ROM不同處PROM的內(nèi)容只能寫入一次。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄3.可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器——可多次改寫內(nèi)容的只讀存儲(chǔ)器用紫外線擦除原來存儲(chǔ)的信息，再用專用的裝置寫入新內(nèi)容。對(duì)紫外線照射時(shí)間和照度均有一定要求，擦除的速度也比較慢。E2PROMFlashMemory用電信號(hào)可擦除的可編程ROM。

也是一種用電信號(hào)擦除的可編程ROM，已成為較廣泛使用的較大容量的存儲(chǔ)器。EPROM第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄4.EPROM芯片常用EPROM芯片地址輸入端數(shù)據(jù)輸出端片選信號(hào)，低電平有效第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材EPROM2716（2k×8）EPROM2732（4k×8）EPROM2764（8k×8）EPROM27128（16k×8）數(shù)據(jù)輸出端地址輸入端地址輸入端下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄編程時(shí)，UPP接25V，片選信號(hào)端接高電平，在PD/PGM端加脈寬為50ms的正脈沖；即可將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)寫入指定的地址單元。

工作時(shí)，UPP與UCC一起接5V電源，PD/PGM與連接在一起作為片選信號(hào)，當(dāng)出現(xiàn)低電平0時(shí)便可從該片中讀取數(shù)據(jù)。EPROM2716共有六種工作方式

第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄

查表功能

——查某個(gè)角度的三角函數(shù)

把變量值（角度）作為地址碼，其對(duì)應(yīng)的函數(shù)值作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù)，這稱為“造表”。使用時(shí)，根據(jù)輸入的地址(角度)，就可在輸出端得到所需的函數(shù)值，這稱為“查表”。

碼制變換

——把欲變換的編碼作為地址，把最終的目的編碼作為相應(yīng)存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容即可。5.ROM的應(yīng)用

在數(shù)字系統(tǒng)中ROM的應(yīng)用十分廣泛，如組合邏輯、波形變換、字符產(chǎn)生以及計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)等。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題][例題]CI3I2

I1

I0二進(jìn)制碼O3O2O1O0格雷碼CI3

I2

I1

I0格雷碼O3O2O1O0二進(jìn)制碼000000000100000000000010001100010001000100011100100011000110010100110010001000110101000111001010111101010110001100101101100100001110100101110101010001100110001111010011101110011110010101111110101100010111110110111101011001010111001000011011011111011001011101001111101011011111000111111010第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材二進(jìn)制碼與格雷碼相互轉(zhuǎn)換的關(guān)系下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄C(A4)I3

I2

I1

I0(A3A2A1A0)二進(jìn)制碼O3O2O1O0(D3D2D1D0)格雷碼C(A4)I3

I2

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I0(A3A2A1A0)格雷碼O3O2O1O0(D3D2D1D0)二進(jìn)制碼000000000100000000000010001100010001000100011100100011000110010100110010001000110101000111001010111101010110001100101101100100001110100101110101010001100110001111010011101110011110010101111110101100010111110110111101011001010111001000011011011111011001011101001111101011011111000111111010第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄用ROM實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制碼與格雷碼相互轉(zhuǎn)換的電路第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄試用ROM實(shí)現(xiàn)如下組合邏輯函數(shù)。采用有3位地址碼、2位數(shù)據(jù)輸出的8字×2位ROM。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題][解]用ROM構(gòu)成“T”字符發(fā)生器。當(dāng)A2A1A0由000～110周期地循環(huán)變化時(shí)（即可逐行掃描字線），把字線W0～W6對(duì)應(yīng)的各字單元的“T”字型信息從位線D0～D4逐行輸出，使顯示設(shè)備一行行地顯示出來。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材×處表示存入光點(diǎn)，“1”下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題][解]二、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM也稱為讀/寫存儲(chǔ)器。優(yōu)點(diǎn)第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材（RAM）

所存數(shù)據(jù)不能長(zhǎng)期保存，一旦斷電，所存信息會(huì)隨之消失。

它可隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定地址的存儲(chǔ)單元或從中讀出數(shù)據(jù)。特點(diǎn)缺點(diǎn)讀/寫方便靈活下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄（1）RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理存儲(chǔ)矩陣第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材

由存儲(chǔ)單元構(gòu)成，是RAM的核心。執(zhí)行讀操作執(zhí)行寫操作該片RAM正常工作該片RAM不工作下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄（2）RAM的分類

一般情況下，大容量的存儲(chǔ)器使用動(dòng)態(tài)DRAM；小容量的存儲(chǔ)器使用靜態(tài)SRAM。速度快，功耗大、集成度低、制造工藝復(fù)雜、成本高，主要用于高速場(chǎng)合。SRAM速度相對(duì)低，功耗小、集成度高、制造工藝簡(jiǎn)單、成本低，主要用于大容量場(chǎng)合。管子數(shù)目多，功耗大，但只要不斷電，信息就永久保存。成集度高，功耗小，但必須定期給電容補(bǔ)充電荷，以防存儲(chǔ)信息的丟失。RAM第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材靜態(tài)SRAM動(dòng)態(tài)DRAM雙極型MOS型下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄1024字4位（3）RAM芯片及RAM容量的擴(kuò)展RAM2114芯片第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材容量地址線數(shù)據(jù)線地址線片選線讀寫控制端RAM正常工作狀態(tài)輸出端均為高阻態(tài)下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄①RAM位擴(kuò)展RAM2114（1K×4位）位數(shù)擴(kuò)展（1k×8位）

第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材高四位低四位地址線下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄②RAM字?jǐn)U展A10~A0十一根地址線，組成2048字8位的RAM第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄000000110110000～20472048～40954096～61436144～8191RAM（1）RAM（2）RAM（3）RAM（4）選中芯片A12A11對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元地址第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材選中下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄

可編程邏輯器件（PLD）是由用戶自行定義功能（編程）的一類邏輯器件的總稱。11.2可編程邏輯器件第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材PLD結(jié)構(gòu)框圖下一頁上一頁章目錄PLD—ProgrammableLogicDevices

大規(guī)模集成電路，集成了大量的門電路和觸發(fā)器，用戶可編程構(gòu)成所需電路。清華大學(xué)電機(jī)系唐慶玉2003年11月15日編①節(jié)省集成芯片的數(shù)量節(jié)省電路板面積，節(jié)省電，減少產(chǎn)品體積，降低成本。②電路保密，不易被他人仿造。PLD的邏輯表示方法及圖形符號(hào)固定連接編程連接不連接第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材優(yōu)點(diǎn)下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄緩沖門AAA相當(dāng)于&1AAAABCY與門AY&BCABCY或門AY≥1BCABCY可編程連接或不連接第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材AY&B下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄與或門A

B

C

DY多輸入端或門畫法多輸入端與門畫法第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄PLD類型最復(fù)雜簡(jiǎn)單較復(fù)雜FPGA型CPLD型ISP-PLD型第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材PROM型（ProgrammableROM）PLA型（ProgrammableLogicArray

可編程邏輯陣列

）PAL型（ProgrammableArrayLogic可編程陣列邏輯）GAL型（GenericArrayLogic通用陣列邏輯）（ComplexPLD）（FieldProgrammableGateArray）（In—SystemProgrammablePLD）下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄清華大學(xué)電機(jī)系唐慶玉2003年11月15日編輸出比PAL增加“可編程輸出邏輯宏單元”使編程更靈活。一、可編程邏輯陣列（PLA）結(jié)構(gòu):與邏輯陣列+或邏輯陣列第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材類型AND陣列OR陣列D觸發(fā)器PROM連接固定可編程（一次性）PLA可編程（一次性）可編程（一次性）PAL可編程（可多次電擦除）連接固定8個(gè)GAL可編程（可多次電擦除）連接固定8個(gè)下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄PROM的陣列圖"或"陣列"與"陣列1.PROM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及編程第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材（可編程）（固定）下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄或用下圖表示O2

O1O0I2I1I0第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材輸入OR陣列可編程AND陣列固定輸出下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄用PROM實(shí)現(xiàn)半加器。半加器邏輯式F=AB+AB=A

BC=AB如何用PROM實(shí)現(xiàn)全加器？第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材F

CA

B

下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題]思考用PROM實(shí)現(xiàn)三變量奇數(shù)校驗(yàn)電路。真值表第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材A

B

CYABCY00000101001110010111011101101001下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題]

用PROM構(gòu)成的階梯波信號(hào)發(fā)生器，今需產(chǎn)生下圖所示階梯波信號(hào)，試列出PROM的編碼表并畫出PROM的編程陣列。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材uO102345678910111213141516C4UR8UR

階梯波下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題]①根據(jù)反相加法運(yùn)算電路可得出階梯波電壓u0

電子開關(guān)由PROM位線電平控制，當(dāng)D=1時(shí)，開關(guān)接基準(zhǔn)電壓-UR；當(dāng)D=0時(shí)，開關(guān)接地。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[解]用PROM構(gòu)成階梯波發(fā)生器第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材電子開關(guān)下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄②由電壓u0的關(guān)系式及其波形列出PROM的編程表第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材uoC01234567A091011128A1A2A3D0D1D2D3000001004UR5UR6UR7UR8UR7UR6UR5UR4UR2UR1UR03UR000101010010011000110111010010000101011101100110011101011000010010010011101000101011000111000000下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄m15m14m13m12m11m10m9m8m7m6m5m4m3m2m1m0A3A2A1A0D3D2

D1

D0

PROM陣列圖③由PROM編程表畫出PROM的編程陣列圖第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄試用PROM產(chǎn)生一組邏輯函數(shù)。①由于PROM的地址譯碼器是固定的最小項(xiàng)“與”陣列，所以需將Y0~Y2各式化為最小項(xiàng)形式。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材76320)()()(mmmmDCBACDBADBCABCDADDCBADDBCABBCAY+++=+++=+++=+=下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題][解]②由Y0~

Y2最小項(xiàng)畫出PROM的編程陣列圖。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材1410762)(mmmmDBCADABCBCDADCBAAADBCBCDADCBAY+++=+++=+++=13121)(mmDCBADCBADDCABY+=+=+=下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄

用PROM產(chǎn)生一組邏輯函數(shù)A11B1C1DY0Y1Y2m2m3m6m7m10m12m13m14第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材固定“與”陣列可編程“或”陣列下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄PLA陣列圖2.PLA的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及編程第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材可編程“或”陣列可編程“與”陣列下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄試用PLA產(chǎn)生例4的一組邏輯函數(shù)。①因PLA的“與”陣列和“或”陣列均可編程，化簡(jiǎn)Y0~Y2:第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題][解]

用PLA產(chǎn)生一組邏輯函數(shù)1A1B1C1DY0Y1Y2與PROM陣列的編程相比PLA的編程簡(jiǎn)捷得多第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材②由Y0~

Y2畫出PLA的編程陣列圖可編程“或”陣列可編程“與”陣列下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄用PLA實(shí)現(xiàn)三八譯碼器A2A1A0000

只

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只

=0Y7輸出三八譯碼器真值表……第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材A2A1A0Y0Y1Y7A2A1A0A2A1A0下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄[例題][解]二、可編程陣列邏輯（PAL）可編程的與邏輯陣列、固定的或邏輯陣列和輸出電路三部分組成結(jié)構(gòu)：PAL的輸出結(jié)構(gòu)：有不同的輸出電路和反饋電路第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材專用輸出結(jié)構(gòu)下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材可編程I/O結(jié)構(gòu)帶反饋的寄存器輸出結(jié)構(gòu)下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄三、通用陣列邏輯（GAL）GAL器件的結(jié)構(gòu)和PAL基本相同。①存儲(chǔ)單元，具備了可重復(fù)擦除和改寫的功能。②輸出端設(shè)置了多個(gè)可編程的宏單元OLMC。通過軟件編程可改變輸出方式，無需變動(dòng)硬件，使編程更靈活。

一種GAL器件可以替代相同管腳數(shù)的所有PAL器件。一個(gè)GAL器件還可替代4～12片TTL等系列的中小規(guī)模組件。第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材主要區(qū)別體現(xiàn)在：下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄GAL

的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可編程“與”陣列64行32列可編程輸出宏單元第11章大規(guī)模集成電路《電路與電子技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)》普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材下一頁上一頁節(jié)首頁章目錄GAL16V8I0/CLKI1I2I3I4I5I6I7I8GNDVCCF7F6F5F4F3F2F1F0I9/OE20111