標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 6620-1995 硅片翹曲度非接觸式測試方法》相對于《GB 6620-1986》，主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整：

首先，在標(biāo)準(zhǔn)編號上，從GB變更為GB/T，這一變化意味著該標(biāo)準(zhǔn)由強制性國家標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)。這種轉(zhuǎn)變通常反映了行業(yè)或技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)對于標(biāo)準(zhǔn)化要求的更加靈活的態(tài)度。

其次，新版本對術(shù)語定義進行了細(xì)化和完善，確保了與國際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的一致性和準(zhǔn)確性。這有助于提高測試結(jié)果的可比性，并促進國際貿(mào)易和技術(shù)交流。

再者，《GB/T 6620-1995》增加了關(guān)于測試設(shè)備的要求，包括但不限于光源、探測器等關(guān)鍵組件的技術(shù)參數(shù)規(guī)定。這些新增內(nèi)容旨在規(guī)范測試條件，減少因設(shè)備差異導(dǎo)致的數(shù)據(jù)偏差，從而保證測量結(jié)果的一致性和可靠性。

此外，新版標(biāo)準(zhǔn)還明確了具體的測試步驟及數(shù)據(jù)處理方法，提供了更詳細(xì)的指導(dǎo)信息，幫助使用者正確執(zhí)行實驗操作并準(zhǔn)確計算出硅片的翹曲度值。


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  • 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 6620-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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UDC.669.782-415：620：173：26H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6620－1995硅片翹曲度非接觸式測試方法Testmethodformeasuringwarponsiliconslicesbynoncontactscanning1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅片翹曲度非接觸式測試方法CB/T6620-1995Testmethodrormeasuringwarponsilicon代替6620-86sltcesbynoncontactscanning主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品切割片、研磨片、拋光片(以下筒稱硅片)翹曲度的非接觸式測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于50mm,厚度為150～1000m的圓形硅片的翹曲度。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測量其他半導(dǎo)體圓片的翹曲度方法原理硅片置于基準(zhǔn)環(huán)的3個支點上，3支點形成一基準(zhǔn)平面。硅片上、下表面相對于測量儀的一對探頭沿規(guī)定路徑同時進行掃描，成對地給出上、下探頭與硅片最近表面之間的距離，求其一系列差值。差值中最大值與最小值相減除以2,所得數(shù)值表示硅片翹曲度。掃描路徑如圖1所示。翹曲度的示意圖如圖2所示。一掃描制形圖1測量掃描路徑圖國家技

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