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文檔簡介
第六章非金屬元素與無機非金屬材料如第3周期氯化物熔點依次:高——低正離子元素NaMgAlSiPS電荷+1+2+3+4+5+6離子的半徑—————依次變小離子的極化力—————依次增強Cl-被極化程度
—————依次增大氯化物鍵型離子鍵—————共價鍵晶型離子晶體————分子晶體熔點高————————低10⑶解釋:
包括兩種情況:
①熱分解,如:2HgO→2Hg+O2
②置換,如:2Al+Fe2O3→Al2O3+2Fe
前者可用ΔfH判斷;后者可用ΔG-T
圖判斷。大多數(shù)氧化物穩(wěn)定,不分解。少數(shù)不活潑金屬氧化物受熱會分解:
2Ag2O→4Ag+O2
鹵素氧化物最不穩(wěn)定,低溫下即分解。16OF2是氟化物3氧化物的穩(wěn)定性
CO2水溶液中,含有大量CO2·H2O,少量H2CO3。
⑴H2CO3的解離:
H2CO3HCO3-H++HCO3-
KΘ1=4.3×10-7H++CO32-
KΘ2=5.2×10-11⑵鹽的溶解度:
①
ⅠA(除Li+),NH4+外皆難溶。18假定溶于水中的CO2
全部轉化為H2CO31碳酸及其鹽②易溶鹽的酸式鹽NaHCO3難溶;難溶鹽的酸式鹽Ca(HCO3)2易溶。⑶熱穩(wěn)定性:
正鹽>酸式鹽>酸
如:CaCO3Ca(HCO3)2H2CO3可用熱分解溫度衡量碳酸鹽的穩(wěn)定性。如:ⅡA碳酸鹽BaCO3SrCO3CaCO3MgCO3熱分解溫度/℃1292109884155819
熱分解溫度—碳酸鹽分解出的p(CO2)達到101325Pa時的溫度。此溫度可用熱力學數(shù)據(jù)計算。①無論濃稀都有氧化性,還原產(chǎn)物很多:N2O、NO、NO2、N2、NH4+等,決定于酸的濃度和還原劑。202硝酸(亞硝酸)及其鹽
⑴HNO3
酸性介質(zhì)中,氧化性為主;
遇強氧化劑,表現(xiàn)還原性。3硫的含氧酸及其鹽
⑴H2SO4
①
濃酸具有氧化性。還原產(chǎn)物多種;
②有鈍化作用,如:TiAlCrFeCoNi
③
沸點(338℃)高,做熱浴,制揮發(fā)酸。⑵硫酸鹽
溶液無氧化性,熱穩(wěn)定性強。22⑶HNO2兼具氧化還原性:
①有氧化性(因含-O-O-)EΘ=2.01V5(NH4)2S2O8+2MnSO4+8H2O—Ag+→2HMnO4+5(NH4)2SO4+7H2O
②穩(wěn)定性差,加熱分解:
(NH4)2S2O8→(NH4)2SO4+SO2+O2(4)亞硫酸鹽
兼具氧化、還原性。主要在堿性介質(zhì)中做還原劑。23⑶過硫酸銨(NH4)2S2O8Na2SO3+Cl2+H2O→Na2SO4+2HClNa2SO3+2KMnO4+2KOH→Na2SO4+2K2MnO4+H2O(5)Na2S2O3
常用的還原劑,用于吸氯:
S2O32-+4Cl2+5H2O→2SO42-+10H++8Cl-用于測I2:
2S2O32-+I2→S4O62-+2I-
EΘ=0.08V242KClO3→2KCl+3O2NH4ClO4→N2+6H2O+4HCl+5O25含氧酸鹽熱穩(wěn)定性的規(guī)律:
酸不穩(wěn)定,對應的鹽亦不穩(wěn)定;正鹽>酸式鹽>酸(同一種酸)堿金屬鹽>堿土金屬>過渡金屬>銨
(同一酸根)高氧化值鹽>低氧化值鹽(同一成酸元素)(NaNO3<NaNO2例外)26如:第三節(jié)新型無機非金屬材料簡介一半導體材料
1半導體導電機理——金屬的能帶理論
根據(jù)分子軌道理論(MO法),二相鄰原子的相應原子軌道可以組成總數(shù)目相同的分子軌道。金屬晶體中,原子緊密堆積,原子數(shù)目很大,可以組合成很多分子軌道。這些分子軌道間能量差很小,形成了能帶。27如,Na的3s1形成3s能帶:(σ*3s)(σ3s)能量較低的σ3s能帶充滿電子,稱滿帶;σ*3s能帶沒有電子,為空帶,又稱導帶,在滿帶和導帶之間有禁帶。28③禁帶寬度較窄(96-290kJmol-1)電子可在小能量下激發(fā)到導帶,通常不導電。此即半導體。在半導體中,滿帶中一個電子被激發(fā)到導帶,則導帶中有一個負電荷(電子)滿帶中有一個正電荷(空穴)。30電子→正極;
空穴→負極這就是半導體導電。其電導是電子和空穴的電導之和。2半導體種類
⑴單質(zhì)半導體①本征半導體:無雜質(zhì)單晶。需高能量激發(fā)電子,電子和空穴數(shù)目相等。31在電場中:②雜質(zhì)半導體:選擇性地摻入雜質(zhì)(單質(zhì),不化合)如:32n型—Si、Ge中摻入As、P(多一個價電子)
稱施主雜質(zhì),電子導電;p型—Si、Ge中摻入B、In(少一個價電子)
稱受主雜質(zhì),空穴導電。雜質(zhì)的軌道能級應處于本征半導體禁帶寬度之中。
⑵以半導體的電導-溫度關系做熱敏電阻,用于測溫;p-n結中,半導體受光照,電子進入導帶。此時,電子進入n區(qū),空穴進入p區(qū),35⑶太陽能電池:以半導體的電導-光照關系做光敏電阻,用于光電控制、靜電復?。恍纬呻妱莶?,同時產(chǎn)生電子和空穴——光生伏特效應。二超導材料1超導現(xiàn)象及臨界條件①1911年發(fā)現(xiàn),Hg在4.2K附近,電阻突然消失.金屬的這種特殊狀態(tài)稱超導態(tài)。向超導態(tài)轉變的溫度叫超導臨界溫度Tc。36超導態(tài)時,磁感應強度也為零,即具有完全的抗磁性。當磁場超過Hc時,超導態(tài)被破壞。Hc叫臨界磁場;通過超導體的電流超過Ic后,超導態(tài)也被破壞。Ic叫臨界電流。T>Tc,H>Hc,I>Ic超導態(tài)都被破壞,稱超導體的三大鄰界條件。37三激光材料1激光的特點:
①光源亮度高;②方向性極強;③單色性極好.
2激光的產(chǎn)生:⑴
通常,物質(zhì)的粒子大多處于基態(tài),極少處于激發(fā)態(tài)。激發(fā)態(tài)粒子躍遷回基態(tài)放出熱(非輻射躍遷)和光(輻射躍遷)——自發(fā)輻射;39⑵
若人為地使多數(shù)粒子處于激發(fā)態(tài)——粒子數(shù)反轉。
⑶此時,以hν入射此工作物質(zhì),激發(fā)態(tài)粒子受到激發(fā)而躍遷,輻射出的光子與入射光完全相同——受激發(fā)射。40
由于激發(fā)態(tài)粒子多而起到放大作用。受激發(fā)射所發(fā)出的光——激光。把上述過程持續(xù)下去的裝置——激光器。3激光器種類⑴固體激光器:
激活離子(產(chǎn)生激光的離子):Cr3+Mn2+Co3+Ni2+Ln3+(Nd3+);基質(zhì)材料(傳播激光的介質(zhì)):48
⑴加工:打孔、切割、焊接;四光導材料皮料—低折射率的玻璃;吸收料。43
⑵通訊:方向性、發(fā)散性好,可遠距離傳輸。1光纖的組成:芯料—高折射率,高透光度,不析晶的玻璃;4應用:
多組分玻璃光纖;復合材料光纖;石英光纖(高純度或摻雜)。
光在芯料和皮料界面上全反射,入射光封閉在芯料內(nèi),經(jīng)過無數(shù)次全反射,鋸齒狀傳播。443.通信原理:2光纖材料:光纜結構圖
⑴
HClO4、H2SO3、H2SO4的酸性;
⑵
Sr(OH)2、Sc(OH)3、Y(OH)3的堿性;
⑶
FeCl3、PCl3、CaCl2的水解性;
⑷
MgCO3、CaCO3、ZnCO3、(NH4)2CO3的熱穩(wěn)定性。45例題:比較并簡單說明下列物質(zhì)的有關性質(zhì):⑴酸性:HClO4>H2SO4>H2SO3
成酸元素氧化值高者酸性強。
⑵堿性:Sr(OH)2>Y(OH)3>Sc(OH)3元素R的極化力弱,其ROH堿性強
⑶水解性:PCl3
>FeCl3>CaCl2元素R的極化力弱,鹵化物水解性差
⑷穩(wěn)定性:
CaCO3
>MgCO3>ZnCO3>(NH4)2CO3
元素R的極化力弱,其碳酸鹽穩(wěn)定46
解:完成下列各反應方程式:
⑴NaNO2+NaI+H2SO4→
⑵KMnO4+NaNO2+NaOH→
⑶K2Cr2O7+K2SO3+HCl→
⑷Na2S2O3+I2→解:
⑴2NaNO2+2NaI+2H2SO4→2NO
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