標(biāo)準(zhǔn)解讀

YS/T 719-2009《平面磁控濺射靶材 光學(xué)薄膜用硅靶》是中國有色金屬工業(yè)協(xié)會發(fā)布的一項行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范用于光學(xué)薄膜制造的硅靶材料的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸和貯存等方面。該標(biāo)準(zhǔn)適用于通過平面磁控濺射技術(shù)沉積薄膜時使用的高純度硅靶。

在技術(shù)要求部分，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了硅靶的化學(xué)成分、物理性能等關(guān)鍵指標(biāo)。例如，對于硅靶的純度有明確的要求，以確保所制備的光學(xué)薄膜具有良好的透光性或其他所需特性；同時，也對靶材的密度、電阻率等參數(shù)設(shè)定了具體數(shù)值范圍，這些參數(shù)直接影響到濺射過程中的效率及最終薄膜的質(zhì)量。

試驗方法章節(jié)則涵蓋了如何檢測硅靶是否符合上述技術(shù)規(guī)格的具體步驟與條件，包括但不限于采用ICP-AES（電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法）來測定元素組成，使用阿基米德原理測量密度等。

關(guān)于檢驗規(guī)則，標(biāo)準(zhǔn)明確了出廠前需要進(jìn)行的檢查項目及其合格判定準(zhǔn)則，并指出當(dāng)供需雙方對產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生爭議時應(yīng)采取的解決措施。


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  • 2009-12-04 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛７７．１５０．９９

犎６３

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

犢犛／犜７１９—２００９

平面磁控濺射靶材

光學(xué)薄膜用硅靶

犉犾犪狋犿犪犵狀犲狋犻狀犵狊狆狌狋狋犲狉犻狀犵狋犪狉犵犲狋—

犛犻犾犻犮狅狀狋犪狉犵犲狋犳狅狉狅狆狋犻犮犪犾犮狅犪狋犻狀犵

２００９１２０４發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

書

犢犛／犜７１９—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：利達(dá)光電股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李智超、楊太禮、付勇、段玉玲、張向東、趙倫。

Ⅰ

書

犢犛／犜７１９—２００９

平面磁控濺射靶材

光學(xué)薄膜用硅靶

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸、貯存

及訂貨單（或合同）內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ２０４０銅及銅合金板材

ＧＢ／Ｔ５１２１（所有部分）銅及銅合金化學(xué)分析方法

ＧＢ／Ｔ５２３１加工銅及銅合金化學(xué)成分和產(chǎn)品形狀

ＧＢ／Ｔ１２９６３硅多晶

３術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

搭接率犫狅狀犱犻狀犵狆犲狉犮犲狀狋犪犵犲

硅板與背板之間的實際接合面積占應(yīng)接合面積的百分比。

４要求

４．１材質(zhì)

銅板（背板）和硅板。

４．２化學(xué)成分

硅板的化學(xué)成分應(yīng)由供需雙方商定；銅板的牌號及化學(xué)成分符合ＧＢ／Ｔ５２３１的規(guī)定。

４．３靶材的尺寸及其允許偏差

靶材尺寸及其允許偏差由供需雙方協(xié)商，應(yīng)符合雙方簽訂的技術(shù)圖樣。

４．４表面狀況

靶材表面粗糙度及平面度由供需雙方協(xié)商。

４．５外觀質(zhì)量

硅板和銅板的外觀質(zhì)量應(yīng)分別符合ＧＢ／Ｔ１２９６３和ＧＢ／Ｔ２０４０的規(guī)定。

４．６

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