標準解讀
YS/T 719-2009《平面磁控濺射靶材 光學薄膜用硅靶》是中國有色金屬工業(yè)協(xié)會發(fā)布的一項行業(yè)標準,旨在規(guī)范用于光學薄膜制造的硅靶材料的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和貯存等方面。該標準適用于通過平面磁控濺射技術(shù)沉積薄膜時使用的高純度硅靶。
在技術(shù)要求部分,標準詳細規(guī)定了硅靶的化學成分、物理性能等關(guān)鍵指標。例如,對于硅靶的純度有明確的要求,以確保所制備的光學薄膜具有良好的透光性或其他所需特性;同時,也對靶材的密度、電阻率等參數(shù)設(shè)定了具體數(shù)值范圍,這些參數(shù)直接影響到濺射過程中的效率及最終薄膜的質(zhì)量。
試驗方法章節(jié)則涵蓋了如何檢測硅靶是否符合上述技術(shù)規(guī)格的具體步驟與條件,包括但不限于采用ICP-AES(電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法)來測定元素組成,使用阿基米德原理測量密度等。
關(guān)于檢驗規(guī)則,標準明確了出廠前需要進行的檢查項目及其合格判定準則,并指出當供需雙方對產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生爭議時應采取的解決措施。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-12-04 頒布
- 2010-06-01 實施
文檔簡介
犐犆犛77.150.99
犎63
中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準
犢犛/犜719—2009
平面磁控濺射靶材
光學薄膜用硅靶
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20091204發(fā)布20100601實施
中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布
書
犢犛/犜719—2009
前言
本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會提出并歸口。
本標準負責起草單位:利達光電股份有限公司。
本標準主要起草人:李智超、楊太禮、付勇、段玉玲、張向東、趙倫。
Ⅰ
書
犢犛/犜719—2009
平面磁控濺射靶材
光學薄膜用硅靶
1范圍
本標準規(guī)定了平面磁控濺射光學薄膜用硅靶材的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存
及訂貨單(或合同)內(nèi)容。
本標準適用于平面磁控濺射光學薄膜用硅靶材。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準。
GB/T1551硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法
GB/T2040銅及銅合金板材
GB/T5121(所有部分)銅及銅合金化學分析方法
GB/T5231加工銅及銅合金化學成分和產(chǎn)品形狀
GB/T12963硅多晶
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本標準。
搭接率犫狅狀犱犻狀犵狆犲狉犮犲狀狋犪犵犲
硅板與背板之間的實際接合面積占應接合面積的百分比。
4要求
4.1材質(zhì)
銅板(背板)和硅板。
4.2化學成分
硅板的化學成分應由供需雙方商定;銅板的牌號及化學成分符合GB/T5231的規(guī)定。
4.3靶材的尺寸及其允許偏差
靶材尺寸及其允許偏差由供需雙方協(xié)商,應符合雙方簽訂的技術(shù)圖樣。
4.4表面狀況
靶材表面粗糙度及平面度由供需雙方協(xié)商。
4.5外觀質(zhì)量
硅板和銅板的外觀質(zhì)量應分別符合GB/T12963和GB/T2040的規(guī)定。
4.6
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