標準解讀
《GB/T 41853-2022 半導體器件 微機電器件 晶圓間鍵合強度測量》這一標準主要針對半導體微機電器件中晶圓與晶圓之間鍵合強度的測試方法進行了詳細規(guī)定。它適用于需要評估通過各種技術(如直接鍵合、金屬鍵合等)實現(xiàn)的不同材料晶圓之間的結合牢固度。
標準首先界定了適用范圍,明確了其適用于多種類型的晶圓鍵合情況,并列舉了包括但不限于硅對硅、玻璃對硅等在內的具體應用場景。此外,還定義了一些關鍵術語和定義,確保行業(yè)內對于相關概念的理解一致。
在試驗方法部分,《GB/T 41853-2022》提供了詳細的指導,包括樣品準備、測試設備要求、環(huán)境條件控制等方面的具體步驟。例如,在進行拉伸或剪切力測試時,該標準建議使用適當?shù)膴A具固定試樣,并且強調了在整個過程中保持恒定速度的重要性以獲得準確的結果。
對于數(shù)據(jù)處理及結果表示,本標準也給出了明確指示。它推薦采用統(tǒng)計學方法來分析多次重復實驗所得的數(shù)據(jù)集,從而計算出平均值、標準偏差等指標,并據(jù)此評價鍵合質量的好壞。同時,還提出了如何根據(jù)不同的應用需求設定合格標準的指南。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2022-10-12 頒布
- 2022-10-12 實施
文檔簡介
ICS3108099
CCSL5.5.
中華人民共和國國家標準
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
半導體器件微機電器件
晶圓間鍵合強度測量
Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—
Wafertowaferbondingstrengthmeasurement
IEC62047-92011Semiconductordevices—
(:,
Micro-electromechanicaldevices—Part9Wafer
:
towaferbondinstrenthmeasurementforMEMSIDT
gg,)
2022-10-12發(fā)布2022-10-12實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
測量方法
4…………………1
總則
4.1…………………1
目測法
4.2………………1
拉力測試法
4.3…………………………2
雙懸臂梁測試法
4.4……………………4
靜電測試法
4.5…………………………6
氣泡測試法
4.6…………………………7
三點彎曲測試法
4.7……………………9
芯片剪切測試法
4.8……………………12
附錄資料性鍵合強度示例
A()…………15
附錄資料性三點彎曲測試法試樣的制作工藝示例
B()………………16
參考文獻
……………………17
Ⅰ
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件等同采用半導體器件微機電器件第部分的晶圓間鍵合
IEC62047-9:2011《9:MEMS
強度測量
》。
本文件增加了術語和定義一章
“”。
本文件做了下列最小限度的編輯性改動
:
為與現(xiàn)有標準協(xié)調將標準名稱改為半導體器件微機電器件晶圓間鍵合強度測量
a),《》;
納入的修改內容所涉及的條款的外側頁邊空白位置用垂直
b)IEC62047-9:2011/COR1:2012,
雙線進行了標示
(‖);
糾正了原文的錯誤第章中和
c)IEC62047-9:2011:2ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:
在文中是資料性提及刪除和在參考文獻中
2008,ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:2008;
增加和
ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:2008;
糾正了原文的錯誤圖和圖中的二維圖不能明確標識出試樣的寬度
d)IEC62047-9:2011:56,
更正為三維圖圖增加單位標注單位為毫米
,6“”。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口
(SAC/TC336)。
本文件起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所河北美泰電子科技有限公司中機生產力
:、、
促進中心有限公司華東光電集成器件研究所杭州左藍微電子技術有限公司深圳市美思先端電子有
、、、
限公司明石創(chuàng)新煙臺微納傳感技術研究院有限公司紹興中芯集成電路制造股份有限公司
、()、。
本文件主要起草人李倩王偉強顧楓李根梓翟曉飛何凱旋田松杰劉建生崔波武斌汪蔚
:、、、、、、、、、、、
高峰王沖
、。
Ⅲ
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
半導體器件微機電器件
晶圓間鍵合強度測量
1范圍
本文件規(guī)定了晶圓鍵合后鍵合強度的測量方法適用于硅硅共熔鍵合硅玻璃陽極鍵合等多種晶
,-、-
圓鍵合方式以及工藝組裝流程中相關結構尺寸的鍵合強度的評估
,MEMS、。
本文件適用于從十微米到幾毫米厚的晶圓間的鍵合強度測量
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分芯片剪切強度
IEC60749-1919:(Semiconductor
devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)
3術語和定義
本文件沒有需要界定的術語和定義
。
4測量方法
41總則
.
鍵合強度測量方法有目測法拉力測試法雙懸臂梁測試法靜電測試法氣泡氣密性測試法三
:、、、、()、
點彎曲形變測試法以及芯片剪切測試法
(),。
42目測法
.
421目測法類型
..
通過觀察硅基片和玻璃表面顏色變化只能判別兩種材料是否鍵合在一起的基本信息應采用目
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