半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評(píng)價(jià) 第1部分：高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法（ZDD）

ICS77.040CCSH1中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)XXXXXX分：高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法(ZDD)Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—Part1:Measuredheightdataarrayusingacurvaturemetric(ZDD)(征求意見(jiàn)稿)TXXXXXXXXXI前言本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。位：BTXXXXXXXXX1了近邊緣曲率高度z的徑向二階導(dǎo)數(shù)(ZDD)法。體材料晶片近邊緣幾何形態(tài)的評(píng)價(jià)方法之一：近邊緣曲率。規(guī)范性引用文件，GBT14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)GBT25915.1-2010潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：氣潔凈度等級(jí)語(yǔ)和定義GBT用于本文件。curvatureZDDradialdoublederivativeofzheightZ描述的參數(shù)。edgeexclusionnominal；EE邊界到晶片物理周邊的距離。方法原理徑方向的二階導(dǎo)數(shù)，從而定量評(píng)價(jià)半導(dǎo)體晶片的近邊緣形態(tài)。5干擾因素位或噪聲等數(shù)據(jù)缺陷，會(huì)導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果偏差。5.3高度數(shù)據(jù)陣列的間距、曲率上扇形分區(qū)的個(gè)數(shù)和曲率微分方法會(huì)影響ZDD計(jì)算的噪聲。TXXXXXXXXX24晶片邊緣的卷曲特性(Edge-Roll-Off)導(dǎo)致ZDD隨著半徑增加而快速變化，如果邊緣去除設(shè)置D5.5晶片直徑、切口尺寸等形狀誤差會(huì)影響測(cè)試采樣點(diǎn)的空間位置，從而導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果偏差。試驗(yàn)條件環(huán)境中進(jìn)行：c低于GB/T25915.1中6級(jí)。設(shè)備設(shè)備要求如下：數(shù)據(jù)(超范圍信號(hào))。b)高度的分辨率不大于1nm。c兩個(gè)直角方向的高度數(shù)據(jù)陣列間距不大于0.5mm。d。DD息。試驗(yàn)步驟校準(zhǔn)測(cè)試設(shè)備。8.2對(duì)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行邊緣去除、掃描半徑、掃描陣列間距、數(shù)據(jù)輸出存盤(pán)名稱(chēng)等設(shè)置。掃描半徑的設(shè)NQsQsNNQs。計(jì)算每個(gè)扇形各半徑的ZDD。計(jì)算晶片ZDD的統(tǒng)計(jì)量。9試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理BTXXXXXXXXX39.1將晶片等分出S1至SN個(gè)扇形，如圖1所示。mm(邊緣去除3mm).1.1扇形外邊界的半徑為rn。QsQssQsQscci為：逆時(shí)針側(cè)邊界角度，單位為度(°)；Qsci為：順時(shí)針側(cè)邊界角度，單位為度(°)；Qs扇形的圓心角，單位為度(°)。 BTXXXXXXXXX49.2在每個(gè)扇形極坐標(biāo)網(wǎng)格上插入高度數(shù)據(jù)陣列，數(shù)據(jù)點(diǎn)間距同掃描陣列間距一致，包含扇形區(qū)域的9.3統(tǒng)計(jì)每個(gè)扇形各半徑高度數(shù)據(jù)的算術(shù)平均值，從而獲得沿半徑方向的高度數(shù)據(jù)分布。如在半徑ri位置，落入圓心角[Qscci,Qsci]范圍的高度數(shù)據(jù)有n個(gè)，則高度數(shù)據(jù)的局部算數(shù)平均值由公式(3)表示：ZriQscciQsciZ+Z2+……+Zn)/n(3)ZDDri,Qscci,Qci=d2Zri,Qscci,Qsci/d2Ti(4)9.5重復(fù)上述步驟，獲得每個(gè)扇形各半徑ZDD。9.6在多次重復(fù)測(cè)試時(shí)，除需要統(tǒng)計(jì)單次的ZDD以外，還需要依據(jù)每次測(cè)試時(shí)每個(gè)扇形的ZDD結(jié)果分別Da期、時(shí)間；b操作者；c)測(cè)試位置(實(shí)驗(yàn)室)；d(廠家、型號(hào)、軟件版本等)；e據(jù)點(diǎn)間距；f晶片編號(hào)；j每個(gè)晶片各部分對(duì)應(yīng)多次測(cè)試評(píng)價(jià)后的標(biāo)準(zhǔn)差等其他統(tǒng)計(jì)參數(shù)。TXXXXXXXXX1shingaWaferCoordinateSystemchnology[3]SEMIM67TestMethodforDeterminingWaferNear-EdgeGeometryfromaMeasuredThicknessDataArrayUsingtheESFQR,ESFQD,andESBIRMetrics[4]SEMIM68TestMethodforDeterminingWaferNear-EdgeGeometryfromaMeasuredHeightDataArrayUsingaCurvatureMetric,ZDDlatness[6]SEMIM77TestMethodforDeterminingWaferNear-edgeGeometryUsingRoll-offAmount,ROA[7]SEMIMF1530TestMethodforMeasuringFlatness,Thickness,and