半導體制造技術進步原子層沉積（ALD）技術是關鍵

1、ALD技術進行薄膜沉積工藝優(yōu)勢明顯、薄膜沉積：半工藝制程三大步驟之一半導體產(chǎn)品制造需要經(jīng)過數(shù)百道工藝，整個制造過程可以分為晶圓加工、氧化光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試、封裝八大步驟。其中，薄膜沉積與光刻刻蝕是半導體制造的三大核心步驟。薄膜沉積的作用在于制造半導體器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導電膜和介（絕緣膜之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分以形成維結構此處“薄膜是指厚度小于1微米無法通過普通機械加工方法制造出來“膜而將包含所需分子或原子單元的薄膜附著在晶圓表面的過程就是“沉積目前可用于沉積過程的技術包括物理氣相沉（VD化學氣相積（CVD）以及原子層沉積（LD）。隨著半導體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，器件的小型化作為一種趨勢致使C線寬的特征尺更加細微然而傳統(tǒng)的沉積技（VDCVD可能已經(jīng)無法完全適應這一發(fā)展趨勢。LD技術由于自身沉積參數(shù)的高度可控性（厚度、成份和結構）、優(yōu)異的均勻性和保形性，在半導體領域尤其是先進制程中具有廣泛的應用潛力。、ALD技術原理：次反應只沉積原子原子層沉（tmicLayerDepsiion,LD是一種可以將物質以單原子膜的形式一層一層鍍在基底表面的方法在原子層沉積過程中新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。LD是建立在連續(xù)的表面反應基礎上的一門新興技術，其本質是一種化學氣相沉積（CVD技術但是與傳統(tǒng)CV（化學蒸氣不斷地通入真空室內(nèi)因此沉積過是連續(xù)的）不同，LD是交替脈沖式地將氣相反應前驅體通入到生長室中，使其交替在襯底表面被吸附并發(fā)生反應。一個完整的LD周期可分為4個步驟：a）將氣相反應前驅體A以脈沖形式入反應腔在襯底表面發(fā)生化學吸附b待表面吸附飽和后通入惰性氣體將剩余的反應前驅體和副產(chǎn)物帶出反應腔c將氣相反應前驅體B也以脈沖形式通入反應室并與第一次化學吸附在襯底表面上的反應前驅體A反應待反應完成后再次通入惰性氣體將多余的反應前驅體和副產(chǎn)物帶出反應腔通常個周期需要0.5秒到幾秒生長的薄膜厚度大約為0.01~0.3nm不斷重復循環(huán)這4個步驟即可完成整個LD沉積過程。圖1：AD技術原理圖（1周期）資料來源：中國兵器工業(yè)第五九研究所《表面技術》，圖2：典型的AD系統(tǒng)示意圖中國物理學會，中國科學院物理研究所《物理學報》，典型的原子層沉積系統(tǒng)通常由前驅體源氣路系統(tǒng)電子控制系統(tǒng)和真空系統(tǒng)構成。一種傳統(tǒng)的、被廣泛使用的LD方法是熱處理原子層沉積（TermalALD,TLD），即利用加熱法來實現(xiàn)原子層沉積的技術。不過由于常規(guī)TLD技術在沉積速率較低對某些沉積薄膜的沉積溫度要求較高等缺點其在工業(yè)應用受到限制。隨著原子層沉積在實驗中不斷優(yōu)化，研究人員將ALD技術與其他術或物質結合，一系列新的LD技術得以產(chǎn)生和發(fā)展，例如等離子體增強原層沉積（lasmaEnancedALD,EALD）、空間原子層沉積（SatialLD,SLD）、電化學原子層沉積（ElecrocemicalLD,ECLD）等等。、ALD反應特征使成為一種優(yōu)異膜技術原子層沉積的表面反應具有自限制（Self-limiting特征這是LD技術的基礎不斷重復這種自限制的反應就形成所需要的薄膜根據(jù)沉積前驅體和基體料的不同，原子層沉積的自限制特征分為兩種不同的機制，即化學吸附自限制（CS）和順次反應自限制（RS）。化學吸附自限制沉積（CS-ALD）過程中，第一種反應前驅體輸入到基體材料表面并通過化學吸附保持在表面當?shù)诙N前驅體通入反應器就會與已吸附于體材料表面的第一前驅體發(fā)生反應兩個前驅體之間發(fā)生置換反應并產(chǎn)生相的副產(chǎn)物直到表面的第一前驅體完全消耗反應會自動停止并形成需要的子層。而順次反應自限制原子層沉積（RS-LD）是通過活性前驅體物質與活性基體材料表面發(fā)生化學反應來驅動的即得到的沉積薄膜是由前驅體與基體材間的化學反應形成的。LD就是這兩種自限制過程不斷重復形成薄膜的技術。圖3：CSAD過程示意圖 圖4：RSAD過程示意圖中國兵器工業(yè)第五九研究所《表面技術》， 中國兵器工業(yè)第五九研究所《表面技術》，原子層沉積的另一特征是其溫度窗口較寬化學吸附作為一個熱力學過程會受應溫度的影響而原子層沉積速率存在溫“窗口即低于窗口溫度時前驅會產(chǎn)生物理冷凝吸附溫度過高時前驅體會受熱分解甚至已經(jīng)沉積好的薄膜會解除吸附因此薄膜沉積的過程中需要控制整個基板不同區(qū)域的溫度保證于LD溫度窗口使沉積速率接近恒定值而LD的溫度窗口較寬這意味LD過程反應對生長溫度并不敏感，可以適應不同溫度環(huán)境下的薄膜制備。ALD技術的自限制性、溫度窗口寬的特點使其在實際應用中頗具優(yōu)勢。相比其他薄膜沉積技術，例如傳統(tǒng)CVD、VD、溶膠凝膠（Sl-gel）等，ALD技術具有優(yōu)異的三維貼合（保形性大面積成膜的均勻性且薄膜致密無孔洞薄膜厚度等沉積參數(shù)可精確控制，特別適合復雜表面形貌及高深寬結構的填隙生長，隨著芯片結構復雜度不斷提升，LD技術優(yōu)勢更加明顯。表1：AD的特征、對薄膜沉積的內(nèi)在影響及其實際應用中的優(yōu)勢LD特征對薄沉的內(nèi)影響實際用的優(yōu)勢自限的面應薄膜度取于環(huán)數(shù)精確制膜度形達原厚度度薄膜前驅是替入應室精確制膜分避有物污染前驅是和學附很好臺覆率大積度性連續(xù)應薄膜針、度高窗口度寬不同料沉條穩(wěn)匹配可以積組納薄和合物；薄膜長以低（到40）下行可以泛用各形的底。資料來源：中國真空學會《真空科學與技術學報》，圖5：沉積溫度對ALD鍍膜率的影響及ALD窗口 圖6：AD與其他技術的鍍膜效果比較資料來源：中國物理學會，中國科學院物理研究所《物理學報》 資料來源：中國物理學會，中國科學院物理研究所《物理學報》、ALD技術在半導制造關鍵工藝主要應用晶體管柵極介電層（高介電常數(shù)/ig-K）介電常數(shù)/K（希臘文Kappa）這一術語用以描述一種材料保有電荷的能力，有些材料比其他材料能夠更好地存儲電荷，因此擁有更高的K值。在晶圓制造進入65nm制程及之前集成電路主要通過沉積SiO2薄膜形成柵極介質減少漏電但進入45nm制程特別是28nm之后傳統(tǒng)的SiO2-MOSFE（金屬氧化物半導體場效應晶體管）規(guī)?？s小到薄膜材料厚度需在1nm及以下時，將產(chǎn)生明顯的量子隧穿效應和多晶硅耗盡效應導致漏電流急劇增加器件性能急劇惡化已不能滿足技術發(fā)展的要求相應地如果使用ig-K材料那么在所要求的電容密度下柵電介質的物理厚度就可以制作得更高從而可以在降低等效氧化物厚度（EOT）的同時大幅減少漏電流。ig-K柵介電層厚度往往小于10nm所需的膜層很（通常在數(shù)納米量級內(nèi)，因此ALD是一種較好的可以制備ig-K電介質材料的技術，目前其沉積的ig-K材料主要包括l2O3fO2TiO2ZO2Ta2O5稀土元素氧化物以及一些硅酸鹽混合的納米層狀結構材料。圖7：MOSET結構及SiO2與HihK柵介電層比較中國電子科技集團公司第四十九研究所《傳感器與微系統(tǒng)》，金屬柵極ig-K電介質材料中的f原子會與傳統(tǒng)多晶硅柵極中的Si原子發(fā)生化學反應形成f-Si鍵從而形成缺陷中心導致無法通過離子摻雜來改變多晶硅的功數(shù)，造成費米能級的釘扎現(xiàn)象。也就是說，ig-K電介質與多晶硅柵極的兼性不是很好對此半導體業(yè)界利用金屬代替多晶硅作為器件柵極材料這可避免f原子和多晶硅界面上缺陷中心的產(chǎn)生，同時金屬柵極具有極高的電子度可以把偶極性分子的振動屏蔽掉提高器件通道內(nèi)的遷移率有效地解決多晶硅柵極耗盡問題1。因為金屬替代柵極工藝中金屬柵極是沉積在多晶硅溝槽里面要求沉積工藝具有很好的臺階覆蓋率，另外，LD（尤其是ELD）是一種非常適合生長金屬納米薄膜的技術，所以通常選擇LD技術沉積金屬柵極。圖8：具有金屬柵電極的ET中國電子科技集團公司第四十九研究所《傳感器與微系統(tǒng)》，銅互連擴散阻擋層目前應用于互連技術的常見工藝主要有鋁工藝和銅工藝與鋁相比銅的導電性更加優(yōu)良同時銅本身具有抗電遷移的能力且能夠在低溫下進行沉積由于金屬銅具有這些優(yōu)勢所以在250nm及以下半導體制程中更傾向于采用銅互連技術但銅也存在許多缺點其中最大的一個不足就是銅的擴散速度很快容易在電介質內(nèi)部移動使器“中毒因此在鍍銅之前必須首先沉積一層防擴散的阻擋層通過LD技術沉積銅擴散阻擋層在器件內(nèi)部溝槽深寬比超過1時薄膜仍具有良好的保形性、均勻性以及防擴散阻擋特性。圖9：采用AD技術在高深寬比基底上沉積的銅擴散阻擋層薄膜中國兵器工業(yè)第五九研究所《表面技術》，1多晶柵耗問題當柵襯之間存壓差，他之間在場，使晶硅近氧層界面附近的帶發(fā)彎曲電荷盡從而形多晶柵耗區(qū)。微型電容器LD在電容器中應用主要包括100nm以下DRA（動態(tài)隨機存儲器嵌入式DR（EmededDRM,eDRAM等隨著DRM存儲器容量不斷增大其內(nèi)部的電容器數(shù)量隨之劇增而單個電容器的尺寸將進一步減小電容器內(nèi)部溝槽的深寬比也越來越大。深溝槽將需要更高的薄膜表面積，例如在45nm制中，溝槽結構深寬比達到100：，所沉積薄膜的有效面積大約是器件本身表面積的3倍這些給沉積技術提出了更高的要求同樣地得益于薄膜以單原子層為量級生長所帶來的大面積均勻性高臺階覆蓋率和對膜厚的精確控制LD技術能夠很好地滿足這些要求。圖10：采用AD技術制備微型電容器高深寬比三維復合電極結構中國兵器工業(yè)第五九研究所《表面技術》，2、ALD設備市場規(guī)模增速可觀、半導體設備行持增長國內(nèi)市場展勢頭強勁3年以來，半導體設備市場呈增長趨勢。根據(jù)SEI統(tǒng)計，全球半導體設備銷售額從2013年的8億美元增長至1年的1,026億美元年均復合增長率約15.8根據(jù)SEMI在2年7月的預測原始設備制造商的半導體制造設備全球總銷售額將在2022年達到創(chuàng)紀錄的5億美元，較2021年同比增長約15，并將在2023年增至1,208億美元。從國內(nèi)需求端分析根據(jù)SEI數(shù)據(jù)3年至1年半導體設備在中國大陸銷售額的年均復合增長率約達31.1，遠高于全球同期水平。2021年，中國陸半導體設備銷售額達到296.2億美元較2021年同比大幅增長58.2占全球半導體設備銷售額的28.9。2020年和2021年，中國大陸地區(qū)連續(xù)兩年為全球第一大半導體設備市場，領先于韓國和中國臺灣，發(fā)展勢頭強勁。圖11：213221年全球半體設備銷售額 圖12：213221年中國大半導體設備銷售額EMI EMI圖13：220221年全球半體設備分地區(qū)銷售額（億美元）及占比EMI、晶圓廠建設加進薄膜沉積設備求持續(xù)旺盛受益于全球晶圓廠積極擴產(chǎn)以及中國大陸地區(qū)晶圓廠建設加速推進半導體設備市場需求快速增長。根據(jù)SEMI統(tǒng)計及預測，繼1年增長7之后，全球晶圓產(chǎn)能2022年將增長8%0年至4年期間全球芯片行業(yè)至少將新增8家300mmFab廠，其中中國大陸與中國臺灣地區(qū)分別將增加8家和1家，合計約占新建廠總數(shù)的一半。到2024年，全球芯片行業(yè)將擁有1家300mmFab廠月產(chǎn)能將達到0萬片根據(jù)Cinsigs截至1年Q，我國投產(chǎn)在建和規(guī)劃的56條2英（300mm晶圓制造線中已經(jīng)投產(chǎn)的有7條在建未完工開工建設或簽約項目有29條宣布投產(chǎn)的項目合計裝機月產(chǎn)能約達118萬片，在建未完工、開工建設或簽約項目的規(guī)劃月產(chǎn)能總計132萬片新增的產(chǎn)能布局尤其是中國晶圓廠的產(chǎn)能擴張?zhí)幱谧灾骺煽匕踩l(fā)展的考慮新增產(chǎn)線將以國產(chǎn)設備為主這將推動國內(nèi)半導體設備的國產(chǎn)化加速圖14：224年全球00mab廠數(shù)量及產(chǎn)能（千片月）預測EMI，；預測機構：EMI半導體設備主要包括前道工藝設備和后道工藝設備前道工藝設備為晶圓制造關設備，具體包括氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕設備、清洗設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、化學機械拋光（CMP）設備、量測檢測設備等；后道工藝設備包括封裝設備和測試設備其他類型設備主要包括硅片生長設備等而膜沉積設備作為晶圓制造的三大主設備之（另外兩類為光刻設備和刻蝕設備未來市場需求將保持旺盛從新建晶圓廠的設備投資構成來看根據(jù)SEMI統(tǒng)計0年晶圓制造設備投資額占總體設備投資的比重高達%而薄膜沉積設備的投資規(guī)模約占晶圓制造設備投資額的25。根據(jù)aximiearketResearch統(tǒng)計，全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模從7年的125億美元擴大至2020年的172億美元年均復合增長率為11.2。據(jù)aximiearketResearh預測，到5年，薄膜沉積設備市場規(guī)模可達0億美元。圖15：220年晶圓廠半導設備投資額占比情況 圖16：217225年全球半體薄膜沉積設備市場規(guī)模及增速EMI MximizeMrketeerh預測機構MximizeMarketeerh、先進制程產(chǎn)線推動ALD設備需攀升從半導體薄膜沉積設備細分市場結構上來看，根據(jù)Gartner統(tǒng)計，0年濺射VD和電鍍ECD設備的銷售額分別占整體薄膜沉積設備市場的19%和4；ECVD設備是薄膜沉積設備中銷售額占比最高的類型占比為33%管式CVD非管式LCVD和OCVD設備的銷售額占比分別為1211%和4而ALD設備銷售額占薄膜沉積設備市場規(guī)模的比重約為11。在半導體制程進入28nm后由于器件結構不斷縮小且更為D立體化生產(chǎn)過程中需要實現(xiàn)厚度更薄的膜層并在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下LD憑借優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點，顯示出較大技術優(yōu)勢ALD設備在ig-K材料金柵極等工藝中的優(yōu)勢使其被廣泛應用于邏輯芯片、DRM、3DNND器件等半導體制造領域，未來其在薄膜沉積環(huán)節(jié)的市場占有率將持續(xù)提高。近年來全球LD設備市場規(guī)模快速增長根據(jù)SEMI統(tǒng)計2020年至5年，LD設備市場規(guī)模（以銷售額計）的年均復合增長率將達到%，遠高于ECVD、VD設備的8.5%和8.9。根據(jù)cmenResearchandCnsulting預測受益于半導體先進制程產(chǎn)線數(shù)量增加全球ALD設備市場規(guī)模將在2026年達到約32億美元。圖17：220年全球薄膜沉設備細分市場規(guī)模占比（以銷售計）

圖18205223年全球薄沉積設備市場結構變（以銷售額計）Grner .KeselAD2019微導納米IPO路演預測機構E.KeelAD20193、ALD設備被AMI高度壟斷，國產(chǎn)率低、ASM：并購拓展持續(xù)研發(fā)成就全球ALD設備頭SMnternaina（SI于8年成立總部位于荷蘭是全球LD設備的龍頭企業(yè)，也是全球十大半導體設備供應商之一。目前公司主要業(yè)務包括TLD、ELD、低壓化學氣相沉積（LCVD）、等離子體增強化學氣相沉積（ECVD）以及擴散、外延等半導體工藝設備。表2：ASMI發(fā)展歷程時間時間點 重要項198年 公司立以圓工備家。19195年 在中香立SMaccecloy（SP）拓后裝和裝業(yè)。191年 在美納達交所市。19194年 和飛浦資立SM，因問于188年出。196年 在阿斯丹EX交所市。19199年 收購蘭Mcoety司展LD務。204年 收購國eech集，一固了LD領地，由于LD研發(fā)本高市場應尚鋪，SMI在利上直面較壓。209年 英特資MI的HK/D術同在進藝點下LD術優(yōu)也到，公司來折。203年 公司復利隨憑在LD領域技積，LD設市份持續(xù)升逐成為LD設龍企。200年 公司LD備場額到55。AMI，立鼎產(chǎn)業(yè)研究網(wǎng)，ASI堅持深耕LD工藝技術研發(fā)投入占比高根據(jù)Bmerg數(shù)據(jù)自1990年至2020年，SMI研發(fā)支出營收占比基本保持在10以上，面臨盈利壓力時也始終堅持研發(fā)投入根據(jù)公司年報2021年公司研發(fā)支出規(guī)模達6億歐元；截至2021年2月1日，公司研發(fā)人員達649人，專利累計達2250項，在LD領域積累了深厚的技術優(yōu)勢。目前SI在LD領域獨占鰲頭，成為全球最大、市占率最高的LD設備供商。VLSIResearh數(shù)據(jù)顯示，2019年SI的單晶圓LD設備銷售額在全球市場中占據(jù)53的份額ASI年報顯示0年公司LD設備所占市場份額（以銷售額計）達到了55。在營收方面，2021年ASI實現(xiàn)營收17.30億歐元，較2020年同比增長30.27%。圖19：217221年ASMI業(yè)收入及增速AMI、薄膜沉積設備是ALD設備國產(chǎn)率較低我國半導體設備經(jīng)過近些年的快速發(fā)展已在部分領域取得一定進步但是整國產(chǎn)化率尤其是關鍵工藝步驟設備的國產(chǎn)化率較低就薄膜沉積設備而言根數(shù)據(jù)，2016年和0年半導體薄膜沉積設備的國產(chǎn)化率分為和%，雖然略有提升，但總體占比尤其是中高端產(chǎn)品占比仍然較低。從全球市場來看，半導體ALD設備基本由國際巨頭壟斷，目前，國際半導體設備領軍廠商先晶半導（SI東京電（TEL泛林半導（Lam應用材（AT等的產(chǎn)品線均涵蓋LD設備從國內(nèi)市場來看擁有半導體薄膜沉積設備業(yè)務的上市公司主要有拓荊科技、微導納米、北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海其中拓荊科技主要經(jīng)營VDECVD產(chǎn)品ALD設備已實現(xiàn)出貨，在部分客戶端處于工藝驗證階段；微導納米主營LD設備，其應用于邏輯芯片ig-K柵介質層的TLD產(chǎn)品目前已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用另有多個LD產(chǎn)品系列處于驗證階段中微公司主要為半導體客戶提供刻蝕OCVD設備ALD設備仍在籌劃開發(fā)中盛美上海已于2年下半年推出立式LD和ECVD新產(chǎn)品。表3：產(chǎn)品線涵蓋ALD設備國際半導體設備制造商企業(yè)企業(yè)稱 總部在地 成立間 產(chǎn)品況SMI 荷蘭 198

產(chǎn)品蓋圓工術重方包括膜積、離子入單圓年司將LD和ELD技術入進造的流產(chǎn)。TEL 日本 193年 日本大半體膜積刻備公品包LD備。Lam 美國 190年 產(chǎn)品蓋導薄沉蝕離和洗多設類型。產(chǎn)品橫跨LD、、PV、離子注入、刻蝕、MP、EMI

MT 美國 197

RT（速處量測除刻機的乎有半導體備。目前國內(nèi)擁有半導體LD技術產(chǎn)業(yè)化能力的企業(yè)數(shù)量較少，且國內(nèi)企業(yè)的業(yè)規(guī)模與海外頭部公司相比還很小在國產(chǎn)化進程加速的背景下隨著核心技術不斷突破、不同環(huán)節(jié)工藝水平的提升、量產(chǎn)的持續(xù)推進，國內(nèi)LD設備企業(yè)有廣闊的發(fā)展空間。4、重點公司分析、拓荊科技：ECVD設備成熟，EALD設備現(xiàn)已現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用拓荊科技股份有限公司成立于0年4月為國家級高新技術企業(yè)主要從事高端半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與技術服務，多次承擔國家重大專項/課題。拓荊科技總部位于沈陽市，在北京、上海、海寧、美國成立四家子公司公司股票于2年4月在科創(chuàng)板上市。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉（ECVD設備原子層沉設備和次常壓化學氣相沉積（SCVD設備三個產(chǎn)品系列擁有自主知識產(chǎn)權，技術指標達到國際同類產(chǎn)品先進水平，現(xiàn)已廣泛應用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。除集成電路晶圓制造以外，公司產(chǎn)品還應用于TSV封裝、光波導、ic-LED、OLED顯示等高端技術領域。受益于產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢下游晶圓廠的產(chǎn)能擴充以及國家政策對國產(chǎn)設備的大力支持公司營業(yè)收入實現(xiàn)大幅增長2022年前三季度營業(yè)收入為2億元同比增長165.22022年前三季度歸母凈利潤為2.37億元同比增長309.7%，公司業(yè)績進入快速放量階段根據(jù)公司披露的業(yè)績預告公司預計2022年年度實現(xiàn)營業(yè)收入16.5~17.2億元同比增長117.69%~126.92%實現(xiàn)歸母凈利潤0億元，同比增長381.85~484.06%。圖20：拓荊科技208222年前三季度營業(yè)收入（億元） 圖21：拓荊科技208222年前三季度歸母凈利潤（億元）資料來源：公司公告 資料來源：公司公告，公司主營業(yè)務收入占比最高的是ECVD設備近年來公司營業(yè)收入的快速增主要是由于ECVD產(chǎn)品收入的高速增長2年H1公司LD設備銷售收入為8萬元，約占主營業(yè)務收入的1.64，占比相對較低。圖22：拓荊科技202年1主營業(yè)務收入分產(chǎn)品占比資料來源：公司公告，拓荊科技的LD系列產(chǎn)品涵蓋ELD設備和TLD設備截至2年6月底，公司PELD系列產(chǎn)品已在邏輯芯片領域實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用可以沉積高溫低溫高質量等多種指標要求的SiO2介質材料薄膜此外ELD系列產(chǎn)品在3DNNDFLASH、DRAM存儲芯片制造領域的驗證進展順利，LD反應腔通過現(xiàn)有客戶驗收。圖23：拓荊科技AD產(chǎn)品列資料來源：公司公告，在TLD方面，截至2年6月底，公司TLD【F-T（雙站式）】設備已完成產(chǎn)品開發(fā)并取得客戶訂單將根據(jù)客戶指標要求進行持續(xù)優(yōu)化改進年1公司基于上述設備開發(fā)了TAL【TS-30（多邊形高產(chǎn)能平臺設備，在提高產(chǎn)能的同時實現(xiàn)多種薄膜工藝的集成組合，可以沉積l2O3、lN等多種金屬化合物薄膜材料，目前已取得客戶訂單。風險提示產(chǎn)品驗收周期較長的風險無法持續(xù)引入高端技術人才的風險市競爭風險。、微導納米專注AD技術Hgh-KAD設備成功填補國內(nèi)空白江蘇微導納米科技股份有限公司成立于2015年12月，是一家面向全球的高設備制造商公司以原子層沉（ALD技術為核心專注于先進微米級納級薄膜沉積設備的研發(fā)生產(chǎn)與應用業(yè)務涵蓋集成電路光伏、LED、等半導體相關領域，以及新能源和柔性電子領域。公司主要產(chǎn)品為應用于邏輯芯片存儲芯片硅基微顯示和D封裝等半導體及泛半導體LD設備和技術，以及應用于柔性電子、新一代高效太陽能電池的薄膜設備和量產(chǎn)解決方案公司創(chuàng)立初期率先孵化光伏業(yè)務隨后開發(fā)對技術水平和工藝要求更高的半導體薄膜沉積設備是國內(nèi)首家成功將量產(chǎn)型ig-K原子層沉積設備應用于28nm節(jié)點集成電路制造前道生產(chǎn)線的國產(chǎn)設備公司，設備總體表現(xiàn)和工藝關鍵性能參數(shù)達到國際同類水平，并已獲得客戶重復訂單認可近年來公司營業(yè)收入持續(xù)增長，2021年營收為8億元，同比增長36.91。0年起，公司加大人才引入力度和產(chǎn)品應用領域拓展，使得營業(yè)收入呈增長態(tài)勢，但期間費用金額的上升也導致公司凈利潤水平有所波動。2年前三度公司出現(xiàn)虧損主要是由于客戶現(xiàn)場工作受到新冠疫情影響公司營業(yè)收入而有所下降加以期間費用大幅增長最終導致了利潤承壓根據(jù)公司披露的業(yè)績預告，公司預計2022年年度實現(xiàn)營業(yè)收入6.48~7.6億元，同比增長5