微機(jī)硬件系統(tǒng)內(nèi)存詳解

微機(jī)硬件系統(tǒng)內(nèi)存詳解演示文(Wen)稿第一頁(yè)，共三十四頁(yè)。（優(yōu)選）微機(jī)硬(Ying)件系統(tǒng)內(nèi)存第二頁(yè)，共三十四頁(yè)。

內(nèi)存是用來(lái)臨時(shí)存放數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，它泛指電(Dian)腦中用來(lái)存放數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元。它的容量和性能將直接影響電(Dian)腦的運(yùn)行速度。第三頁(yè)，共三十四頁(yè)。內(nèi)存的(De)作用內(nèi)存（Memory）也稱內(nèi)存儲(chǔ)器或主存，就像人體大腦的記憶系統(tǒng)，用于存放電腦的運(yùn)行程序和處理的數(shù)據(jù)。只要打開(kāi)電源啟動(dòng)電腦，內(nèi)存中就會(huì)有各種各樣的數(shù)據(jù)信息存在，可以說(shuō)它永遠(yuǎn)也不會(huì)空閑著。當(dāng)運(yùn)行電腦程序時(shí)，程序?qū)⑹紫缺蛔x入內(nèi)存中，然后在特定的內(nèi)存中開(kāi)始執(zhí)行，并且處理的結(jié)果也將保存在該內(nèi)存中，也就是說(shuō)內(nèi)存會(huì)和CPU之間頻繁地交換數(shù)據(jù)，沒(méi)有內(nèi)存，CPU的工作將難以開(kāi)展，電腦也無(wú)法啟動(dòng)。第四頁(yè)，共三十四頁(yè)。內(nèi)存的(De)外觀內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。內(nèi)存的幾個(gè)重要組成部分的作用如下所述。內(nèi)存芯片：是內(nèi)存中最重要的元件，用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電路板：用于承載和焊接內(nèi)存芯片的PCB板。金手指：是內(nèi)存與主板進(jìn)行連接的“通道”。內(nèi)存卡槽：用于將內(nèi)存固定在內(nèi)存插槽中。內(nèi)存缺口：與內(nèi)存插槽中的防凸起設(shè)計(jì)配對(duì)，防止內(nèi)存錯(cuò)誤插入。第五頁(yè)，共三十四頁(yè)。內(nèi)存(Cun)的種類

按照工作原理分按照內(nèi)存的性能分第六頁(yè)，共三十四頁(yè)。按照工作原理(Li)分按照內(nèi)存的工作原理主要分為兩類。一類是RAM（RandomAccessMemory），即隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過(guò)指令隨機(jī)讀寫(xiě)訪問(wèn)。RAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電時(shí)會(huì)丟失，因而只能在開(kāi)機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是DynamicRAM（DRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），另一種是StaticRAM（SRAM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。由于DRAM具有集成度高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗低、生產(chǎn)成本低等特點(diǎn)，主要應(yīng)用在電腦的主存儲(chǔ)器中，如內(nèi)存條；而SRAM結(jié)構(gòu)相對(duì)較復(fù)雜、造價(jià)高、速度快，所以一般SRAM多應(yīng)用于高速小容量存儲(chǔ)器中，如Cache。第七頁(yè)，共三十四頁(yè)。另一類是ROM（ReadOnlyMemory），即只讀存儲(chǔ)器，只能從中讀取信息而不能任意寫(xiě)入信息。ROM雖然價(jià)格高、容量小，但由于其具有掉電后數(shù)據(jù)可保(Bao)持不變的優(yōu)點(diǎn)，因此多用于存放一次性寫(xiě)入的程序或數(shù)據(jù)。第八頁(yè)，共三十四頁(yè)。按照內(nèi)存的性(Xing)能分SDRAM（SynchronousDynamicRAM）DDRSDRAM（DualDateRateSDRAM）RDRAM（RambusDRAM）第九頁(yè)，共三十四頁(yè)。SDRAM

SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）內(nèi)存工作速度與系統(tǒng)總線速度同步，一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，SDRAM曾被廣泛應(yīng)用，采(Cai)用的是64位數(shù)據(jù)讀寫(xiě)形式，內(nèi)存條的引腳為168線，采用雙列直插式的DIMM內(nèi)存條，讀寫(xiě)速度最高達(dá)到了10ns。

SDRAM內(nèi)存的命名規(guī)則是基于工作頻率的，規(guī)格有PC100和PC133兩種。

SDRAM內(nèi)存如圖4-1所示。第十頁(yè)，共三十四頁(yè)。圖(Tu)4-1第十一頁(yè)，共三十四頁(yè)。DDRSDRAM

DDRSDRAM是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，是目前最流行的內(nèi)存。它允許(Xu)在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能成倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬。DDRSDRAM內(nèi)存如圖4-2所示。第十二頁(yè)，共三十四頁(yè)。圖(Tu)4-2第十三頁(yè)，共三十四頁(yè)。同SDRAM一樣，DDRSDRAM也是采用64位的并行數(shù)據(jù)總線，使用2.5V電(Dian)壓。從外觀上來(lái)看，DDRSDRAM與SDRAM相比差別并不大，它們具有相同的長(zhǎng)度與同樣的管腳距離。然而DDRSDRAM內(nèi)存具有184針和一個(gè)小缺口，管腳數(shù)比SDRAM多出16針。第十四頁(yè)，共三十四頁(yè)。DDR2內(nèi)(Nei)存DDR2內(nèi)存是在DDRSDRAM的換代產(chǎn)品，它的預(yù)讀取能力是DDR的兩倍，DDR2內(nèi)存插槽為240針DDR2DIMM結(jié)構(gòu)，內(nèi)存條金手指每面有120針，也只有一個(gè)卡口，但卡口位置與DDR稍有不同，因此DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存不能互插，目前DDR2內(nèi)存已成為市場(chǎng)主流產(chǎn)品。第十五頁(yè)，共三十四頁(yè)。RDRAM

RDRAM是美國(guó)的RAMBUS公司開(kāi)發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式，具有相當(dāng)高的數(shù)據(jù)傳輸率。在推出時(shí)，因?yàn)槠鋸氐赘淖兞藘?nèi)存的傳輸模式，無(wú)法保證與原有的制(Zhi)造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM還必須要加納一定專利費(fèi)用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了RDRAM從一問(wèn)世就高昂的價(jià)格讓普通用戶無(wú)法接收。該內(nèi)存插槽為184針RIMM結(jié)構(gòu)，內(nèi)存條中間有兩個(gè)靠的很近的卡口。因價(jià)格較高市場(chǎng)上產(chǎn)品很少。第十六頁(yè)，共三十四頁(yè)。圖(Tu)4-3第十七頁(yè)，共三十四頁(yè)。內(nèi)存的(De)性能指標(biāo)容量?jī)?nèi)存主頻第十八頁(yè)，共三十四頁(yè)。容(Rong)量?jī)?nèi)存容量表示內(nèi)存可以存放數(shù)據(jù)的空間大小，其單位有B，KB，MB和GB等，在286、386和486時(shí)代的內(nèi)存都以KB為單位，通常只有幾KB或者幾十KB。目前內(nèi)存大多以MB為單位，市面上常見(jiàn)的內(nèi)存容量規(guī)格為單條256MB、512MB和1GB的內(nèi)存，也有2GB或4GB的內(nèi)存。第十九頁(yè)，共三十四頁(yè)。內(nèi)存(Cun)主頻內(nèi)存主頻表示內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率，以MHz為單位。內(nèi)存主頻越高，一定程度上表示內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。目前市場(chǎng)主流DDR2內(nèi)存主頻有533MHz、667MHz、800MHz、1066MHz。第二十頁(yè)，共三十四頁(yè)。選購(gòu)內(nèi)存應(yīng)注意的問(wèn)(Wen)題符合主板上的內(nèi)存插槽要求速度要匹配注意內(nèi)存的做工注意內(nèi)存的品牌第二十一頁(yè)，共三十四頁(yè)。符合主板上的(De)內(nèi)存插槽要求不同的主板提供有不同線數(shù)的內(nèi)存插槽，它們分別要求使用相應(yīng)線數(shù)的內(nèi)存條。目前的主板大多數(shù)都提供240線（DDR2）的內(nèi)存插槽，配置時(shí)應(yīng)仔細(xì)閱讀主板說(shuō)明書(shū)，看是否符合要求。第二十二頁(yè)，共三十四頁(yè)。速度(Du)要匹配內(nèi)存芯片的速度應(yīng)與主板的速度匹配，不能低于主板運(yùn)行的速度，否則會(huì)影響整個(gè)電腦系統(tǒng)的性能。第二十三頁(yè)，共三十四頁(yè)。注意內(nèi)存的做(Zuo)工內(nèi)存的做工影響著內(nèi)存的性能，一般來(lái)說(shuō)，要使內(nèi)存能穩(wěn)定的工作，要求使用的PCB板層數(shù)應(yīng)在6層以上，否則內(nèi)存在工作時(shí)容易出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況。第二十四頁(yè)，共三十四頁(yè)。注意內(nèi)存的(De)品牌由于內(nèi)存的生產(chǎn)相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，只是將內(nèi)存顆粒封裝在電路板上即可，因此不少小的廠家將低端的內(nèi)存顆粒通過(guò)涂改編號(hào)或其他造假方法，將低檔內(nèi)存打磨成高檔內(nèi)存出售，以獲取暴利。而這些內(nèi)存往往不能穩(wěn)定、正常地工作，因此最好選購(gòu)品牌內(nèi)存。第二十五頁(yè)，共三十四頁(yè)。目前市場(chǎng)上內(nèi)存品牌較多，不過(guò)真正生產(chǎn)內(nèi)存芯片的廠商只有幾家，其他很多內(nèi)存制造商都是采用別人的內(nèi)存顆粒，如Kingmax（勝創(chuàng)）生產(chǎn)的內(nèi)存就是采用好幾家內(nèi)存芯片廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒。全球的內(nèi)存芯片廠商有Samsung（三星）、Hyundai（現(xiàn)代(Dai)）、KingSton（金士頓）等幾家。第二十六頁(yè)，共三十四頁(yè)。Samsung

Samsung是世界上最大的內(nèi)存芯片制造商，目前(Qian)市場(chǎng)上銷售的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存大都采用Samsung的內(nèi)存芯片。第二十七頁(yè)，共三十四頁(yè)。Hyundai

Hyundai是韓國(guó)較大的內(nèi)存顆粒制(Zhi)造商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒除了供應(yīng)自己的品牌內(nèi)存外，還供給其他內(nèi)存廠家?，F(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利地使用它。第二十八頁(yè)，共三十四頁(yè)。Kingston金士頓(Dun)科技——全球內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)廠商，成立于1987年。從開(kāi)始的單一產(chǎn)品的生產(chǎn)者，金士頓發(fā)展到現(xiàn)在擁有2000多種儲(chǔ)存產(chǎn)品，支持計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和打印機(jī)到MP3播放器、數(shù)字相機(jī)和手機(jī)等幾乎所有的使用儲(chǔ)存產(chǎn)品的設(shè)備。第二十九頁(yè)，共三十四頁(yè)。安(An)裝內(nèi)存

（1）將內(nèi)存插槽兩邊的鎖扣拉起來(lái)，如圖4-13所示。下面以安裝SDRAM內(nèi)存為例，安裝內(nèi)存的具體操作如下。第三十頁(yè)，共三十四頁(yè)。圖(Tu)4-13第三十一頁(yè)，共三十四頁(yè)。

（2）在內(nèi)存下邊緣左右有不對(duì)稱的缺口，安裝時(shí)應(yīng)將它們對(duì)準(zhǔn)內(nèi)存槽上