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聚焦離子束系統(tǒng)虛擬仿真實驗報告姓名余丹洋 學(xué)號 專業(yè)班級應(yīng)物一班一、實驗?zāi)康牧私饩劢闺x子束系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)和工作原理;掌握掃描電鏡參數(shù)設(shè)置和操作流程;品的相互作用以及其產(chǎn)生的信號在測試分析中的作用;體驗?zāi)M方法在聚焦離子束系統(tǒng)實驗中的應(yīng)用。二、實驗原理3D聚焦離子束系統(tǒng)是介于透射電鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種微觀觀測手段1所示。背反射電子是指被固體樣品原子反射回來的一部分入射電子。背反射電子的產(chǎn)生范圍在100nm-1mm深度,如圖2所示。背反射電子束成像分辨率一般為50-200nm(與電子束斑直徑相當(dāng))。背反5-10nm的區(qū)域,能0-50eVX500nm-5mm圖1電子束和樣品表面作用的現(xiàn)象 圖2電子束在樣品中的散射現(xiàn)象1x入射電子束斑的大小,成像信號(二次電子、背散射電子等)。表1各種信號成像分辨率(單位:nm)信號信號二次電子背散射電子吸收電子x俄歇電子分辨率5~1050~200100~1000100~10005~10和As的放大倍數(shù)。聚焦離子束刻蝕是指當(dāng)定向高能離子向固體靶撞擊時100nm以下,最少的達到10nm小,并能以較快的速度進行小于50nm的刻蝕,故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想三、實驗儀器和材料MicroscopeControlbuild2898HeliosNexTGenVacuumcontrol四、實驗內(nèi)容樣品的制備和裝載。樣品室抽真空。電鏡掃描參數(shù)設(shè)置,觀測樣品、調(diào)節(jié)并獲取掃描圖像。離子束刻蝕和離子束沉積。五、實驗步驟和操作流程1開始實驗2樣品制備3裝載樣品充入氮氣。點擊場景中的樣品腔,打開樣品腔。(4)(5)點擊樣品腔艙門,關(guān)閉樣品腔。(6)樣品室抽真空。4觀察樣品軟件系統(tǒng)開機MicroscopeControl4(窗口,離子束觀察窗口,樣品導(dǎo)航窗口和樣品室觀察窗口)和1低倍下先初步將樣品聚焦,調(diào)好亮度,對比度。根據(jù)樣品性質(zhì)在菜單欄中選擇合適的電流、電壓。用蒙太奇掃描方法找到要觀察的部位。5調(diào)試圖像及照相低倍率下調(diào)節(jié)電子像的亮度、對比度。將樣品放大至所需倍數(shù),聚焦,調(diào)亮度、對比度,使圖像完好。保存電子束掃描照片。點擊beam6刻蝕和沉積操作(2)調(diào)整樣品臺角度T至52°,此時點擊“”按鈕,暫停掃描窗口(當(dāng)前選擇的活動窗口還是離子束窗口)。(1)On”焦距值,使得樣品臺Z(2)調(diào)整樣品臺角度T至52°,此時點擊“”按鈕,暫停掃描窗口(當(dāng)前選擇的活動窗口還是離子束窗口)。(此處以Circle為例畫出需要刻蝕形狀。調(diào)節(jié)需要刻蝕的參數(shù)。Application參數(shù)選擇Cdep。CdepGasInjection中,對應(yīng)GIS就變成灰色。點擊“BeamOnUp加熱前務(wù)必關(guān)閉離子束。氣體變?yōu)榧訜釥顟B(tài)。右擊Flow”打開氣體,釋放GIS針管內(nèi)可能存有的未釋放氣體(離子束為關(guān)閉狀態(tài))。點擊“Beam(7)點擊“ ”按鈕,開始沉積。(8)點擊“”啟動離子掃描觀察窗口,可以看見沉積后的圖案。沉積完成以后,其他變?yōu)?7)點擊“ ”按鈕,開始沉積。(8)點擊“”啟動離子掃描觀察窗口,可以看見沉積后的圖案。沉積現(xiàn)象如圖39“Delete”鍵,刪除被選中的形狀。(11)點擊beamon,關(guān)閉離子束,結(jié)束實驗。六、實驗數(shù)據(jù)(插入實驗結(jié)果圖像)掃描圖像1掃描圖像1(100倍)選擇合適掃描圖像2(5,0000倍)1.掃描電鏡觀測樣品掃描圖像(200000倍)樣品臺圖像T傾角 0電壓10KV選擇合適電流pA100樣品臺Z軸4.0592mm表2離子束刻蝕和沉積的實驗數(shù)據(jù)和實驗現(xiàn)象記錄表選擇合適選擇合適刻蝕前圖像刻蝕后圖像電壓30KV2.離子束電pA流800刻蝕樣品臺Z軸 4.0592 mmTT傾角51.9000 ?選用物質(zhì)選擇合適sio沉積前圖像沉積后圖像電壓 30KV電流pA8003.離子束沉積樣品臺Z軸 4.0592mmT傾51.90000角?選用物質(zhì)

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