1+X集成電路理論知識試題+答案

1+X集成電路理論知識試題+答案1、晶圓越大，晶圓的制造成本越高。A、正確B、錯誤答案：B晶圓越大，晶圓的制造成本越低，但對材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的要求更高。2、輸入引線一定要盡量短，而且盡量用最上層的金屬設(shè)計，且輸入輸出引線盡量遠離，盡量不要交叉。A、正確B、錯誤答案：A3、防靜電點檢在刷員工上崗證時，需要站在地上保持接，身份證通過后，開始檢測靜電。A、正確B、錯誤答案：B防靜電點檢時，雙腳站在防靜電測試儀指定位置，在刷卡位置刷員工上崗證，此時系統(tǒng)會對人員身份進行自動識別。刷員工上崗證時，雙腳需要站在防靜電測試儀的指定位置，不能直接站在地上。4、測試夾具的日常維護時，測試夾具若長時間不使用，請及時從設(shè)備上取下，用防靜電袋包裹好，歸類存放于干燥、陰涼處，以免發(fā)生氧化、受潮。（）A、正確B、錯誤答案：A5、晶圓研磨和晶圓切割前都需要在晶圓背面進行覆膜。A、正確B、錯誤答案：B晶圓藍膜專為晶圓研磨、切割而設(shè)計，它具有高黏著力，使晶圓在研磨、切割過程中不脫落、不飛散，從而能被確實地研磨或切割。其中晶圓研磨是對晶圓背面進行研磨，故需要在晶圓的正面覆上藍膜；而晶圓切割是在其正面進行切割，所以需要在晶圓的背面覆上藍膜。6、芯片檢測工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標(biāo)簽。A、正確B、錯誤答案：B7、轉(zhuǎn)塔式分選機進行測前光檢時，會在光檢顯示區(qū)顯示光檢結(jié)果，其中進行方向判斷時，會在界面上顯示的角度360度。A、正確B、錯誤答案：B轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備進行測前光檢時，光檢顯示區(qū)的角度說明有：0°、90°、180°、270°，沒有360°。8、金屬鎢常常采用CVD法來制備。A、正確B、錯誤答案：A金屬鎢常常采用化學(xué)氣相沉積CVD法來制備。9、晶圓具有各向異性特點，切片時要按照一定的方向進行。A、正確B、錯誤答案：A10、作為與加工線之間的接口文件，制版文件主要內(nèi)容包括芯片的基本信息和工藝層次等。A、正確B、錯誤答案：A11、在寫方波發(fā)生器程序時PWM0->TBPRD=200;PWM0->CMPA=400;決定了PWM的占空比為200/400=50%。A、正確B、錯誤答案：B12、離子注入的過程中，摻雜物的濃度是有離子電流與注入時間相乘所決定的。A、正確B、錯誤答案：A13、轉(zhuǎn)塔式分選機在測前光檢和測后光檢時發(fā)現(xiàn)芯片方向不正確時，都會在下一個旋轉(zhuǎn)糾姿位進行糾正。A、正確B、錯誤答案：A14、輔助運放測試法的注意事項如下：測量時被測運放應(yīng)在指定條件（依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊要求）下工作；如果待測器件的失調(diào)電壓可能超過幾mV，則輔助運放的供電應(yīng)當(dāng)用±5V。（）A、正確B、錯誤答案：B15、使用平移式分選機進行芯片測試時，料盤輸送到待測區(qū)的指定位置后，吸嘴從料盤上真空吸取芯片，然后轉(zhuǎn)移至“中轉(zhuǎn)站”，等待芯片傳輸裝置移動到“中轉(zhuǎn)站”接收芯片并將芯片轉(zhuǎn)移至測試區(qū)。（）A、正確B、錯誤答案：A16、封裝工藝中要先進行晶圓切割，放置晶圓時晶圓需正面朝上放入切割機承載臺的吸盤上，調(diào)整晶圓貼片環(huán)位置，使定位缺口與定位釘位置一致，保證晶圓能夠平整、穩(wěn)固的吸附在吸盤上。A、正確B、錯誤答案：A17、編帶完成后，將編帶機上的卷盤取下并放入對應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱即可。A、正確B、錯誤答案：B詳解:一盤編帶完成后，需要在卷盤上貼標(biāo)簽,便于后期識別，整批芯片全部完成編帶后,還需要核對芯片數(shù)量，核對一致后放入中轉(zhuǎn)箱中。18、有加溫測試要求的晶圓不需要再進行烘烤。A、正確B、錯誤答案：A略19、如果發(fā)現(xiàn)編帶抽真空質(zhì)量不合格，可以將原標(biāo)簽撕下，貼在新的防靜電鋁箔袋上。A、正確B、錯誤答案：B如果發(fā)現(xiàn)編帶抽真空質(zhì)量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前，需要重新貼標(biāo)簽，新的標(biāo)簽需要重新打印。20、單晶硅生長結(jié)束后，用四探針技術(shù)測量單晶硅錠的電阻率。A、正確B、錯誤答案：A電阻率的測量可采用四探針技術(shù)進行測量。21、整批芯片編帶完成后，由于編帶是4000顆芯片為一盤，所以不需要再核對芯片的數(shù)量。A、正確B、錯誤答案：B整批芯片全部編帶完成后，需要核對編帶的數(shù)量是否與顯示屏上的數(shù)量一致。核對一致后，在隨件單上記錄相關(guān)信息。22、熱擴散摻雜工藝可以一步實現(xiàn)。A、正確B、錯誤答案：B擴散不能一步實現(xiàn)，步驟為進行質(zhì)量檢測→下載工藝清單→開啟擴散爐→清洗硅片→預(yù)淀積→升高爐溫，推進并激活雜質(zhì)→撤出硅片，測量擴散層的電阻和結(jié)深。23、編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有：載帶是否有破裂、沾污、破損；蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠；編帶中有無不良品或放反芯片等不合格情況。（）A、正確B、錯誤答案：A24、對晶圓的背面也需要進行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。A、正確B、錯誤答案：A略25、完成二氧化硅薄膜的制備后，需要對薄膜厚度進行檢測，如果氧化前清洗不當(dāng)，或沒有洗凈，或沒有甩干殘留水跡，在氧化后會產(chǎn)生斑點、白霧、針孔。A、正確B、錯誤答案：A26、轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備通常是測編一體的設(shè)備。A、正確B、錯誤答案：A27、集成電路測試包括邏輯功能測試和交/直流參數(shù)測試。A、正確B、錯誤答案：A28、等寬線常用于金屬連線。A、正確B、錯誤答案：A29、使用編帶機進行編帶操作前，需要進行上料，上料時，取下包裹在料管一端的塑料氣泡膜后，需要檢查有無芯片落在氣泡膜內(nèi)。A、正確B、錯誤答案：A30、需要加溫的晶圓是在扎針調(diào)試完后，再對晶圓進行加溫。A、正確B、錯誤答案：B需要加溫的晶圓要在加溫結(jié)束后再進行扎針調(diào)試。31、在外檢過程中，使用油墨筆進行剔除時，直接用桌上的油墨筆在晶圓臟污的位置進行標(biāo)記。A、正確B、錯誤答案：B使用油墨筆進行剔除時，需要在白紙上劃幾筆，去除筆尖上的油墨，防止沾污。32、鍍錫之后的框架條表面會更有光澤，且具有良好的抗氧化性、抗蝕性和可焊性。A、正確B、錯誤答案：A略33、芯片檢測工藝中，對料盤進行外觀檢查是采用全檢的方式。A、正確B、錯誤答案：A34、為避免熱載流子效應(yīng)，需要利用離子注入工藝形成NMOS晶體管的輕摻雜漏結(jié)構(gòu)。A、正確B、錯誤答案：A35、Linux系統(tǒng)中terminal中所輸入的命令都是小寫。A、正確B、錯誤答案：A36、晶圓研磨（減?。┖途A切割（劃片）前都需要在晶圓背面進行覆膜。A、正確B、錯誤答案：B37、墨管需要冷藏存放。A、正確B、錯誤答案：A38、領(lǐng)取完待真空包裝的芯片后就可以直接進行包裝了。A、正確B、錯誤答案：B要放置于工作區(qū)指定位置，并核對隨件單信息39、若晶圓貼膜后產(chǎn)生了氣泡，則需要將晶圓剔除，否則存在劃片時脫膜的風(fēng)險。A、正確B、錯誤答案：B40、編帶盤真空包裝時會放干燥劑。A、正確B、錯誤答案：A41、編帶外觀檢查采用抽檢的方式。A、正確B、錯誤答案：A略42、利用平移式分選設(shè)備進行芯片測試時，該設(shè)備是采用壓測的方式進行的。A、正確B、錯誤答案：A43、和待測芯片并行測試一樣，串行測試也是由測試夾具（金手指）夾持固定后再進行測試，不同點在于串行測試區(qū)有A/B/C三個測試軌道，每個測試軌道各連接一塊測試卡，測試卡之間互不干擾，模塊電路依次進行不同電特性參數(shù)的測試。（）A、正確B、錯誤答案：A44、氮化硅薄膜作為集成電路芯片的鈍化保護層，可以保護芯片避免劃傷，降低芯片對外界環(huán)境的敏感性。A、正確B、錯誤答案：A45、晶圓切割時砂輪刀通過直線移動和高速旋轉(zhuǎn)來實現(xiàn)沿晶圓的切割道進行切割。A、正確B、錯誤答案：B將貼膜完成的晶圓放置在承載臺上，承載臺以一定速度沿切割道方向呈直線運動，砂輪刀原地高速旋轉(zhuǎn)，隨承載臺的移動沿晶圓的切割道進行切割，晶粒之間就被切割開來了。46、12英寸的晶圓進行單面研磨。A、正確B、錯誤答案：B對300mm的硅片來說，一般進行雙面拋光，以保證大直徑硅片的平整度。47、濕度卡的變化是可逆的,當(dāng)環(huán)境的濕度達到濕度指示卡上指示點標(biāo)注數(shù)值的時候,指標(biāo)點會從干燥色變成吸濕色;濕度降低時,指示卡的點的顏色會從吸濕色重新變回干燥色。A、正確B、錯誤答案：A略48、穿無塵衣時，發(fā)罩、連帽和口罩穿戴的順序是：先戴好發(fā)罩再將無塵衣的連帽套上，然后戴上口罩。A、正確B、錯誤答案：A穿無塵衣時，先將衣服套上，然后戴上發(fā)罩，再將無塵衣的連帽套在發(fā)罩的外面，最后戴上口罩，口罩固定繩套在連帽的外面。49、切筋和成型是屬于兩道工序，但一般都是在一個設(shè)備上一起完成。A、正確B、錯誤答案：A略50、解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進行輕摻雜。A、正確B、錯誤答案：B采用高摻雜來形成歐姆接觸，從而消除鋁硅接觸中的肖特基現(xiàn)象。51、轉(zhuǎn)塔式分選機的旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是順時針。A、正確B、錯誤答案：B轉(zhuǎn)塔式分選機的旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向為逆時針。52、料盤真空包裝時會放干燥劑。A、正確B、錯誤答案：A略53、SOP封裝的芯片只能進行編帶包裝。A、正確B、錯誤答案：B根據(jù)客戶的不同要求，可以采用不同方式包裝，SOP可以進行料管包裝。54、料盤外觀檢查采用全檢的方式。A、正確B、錯誤答案：A略55、每款單片機的內(nèi)部資源都不盡相同，因此不同型號單片機都有自己對應(yīng)的程序包。在利用建立開發(fā)工程之前，必須先安裝所用單片機的pack文件。A、正確B、錯誤答案：A56、重力式分選機上料方式有手動裝料和自動裝料兩種方式。A、正確B、錯誤答案：A略57、在設(shè)計帶隙基準(zhǔn)源版圖時，必須采用CMOS工藝實現(xiàn)PNP雙極型晶體管。A、正確B、錯誤答案：A58、重力式分選機自動上料時，放入自動篩選機入料區(qū)的料管方向沒有特殊要求。A、正確B、錯誤答案：B重力式分選機自動上料時，放入自動篩選機入料區(qū)的料管的方向需要保持一致，且藍色塞釘一端朝向上料夾具的一側(cè)。59、把原理圖信息導(dǎo)入到目標(biāo)PCB文件步驟：。①打開原理圖文件.PcbDoc②在原理圖編輯器選擇.SchDoc命令，工程變更命令對話框出現(xiàn)③單擊ValidateChanges按鈕，驗證一下有無不妥之處④沒有錯誤，則單擊ExecuteChanges按鈕，將信息發(fā)送到PCB。⑤單擊Close按鈕，目標(biāo)PCB文件打開，并且元件也放在PCB板邊框的外面以準(zhǔn)備放置。⑥PCB文檔顯示了一個默認尺寸的白色圖紙，要關(guān)閉圖紙。A、正確B、錯誤答案：B60、若遇到需要高溫加熱的晶圓，需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進行加溫后再調(diào)整打點器墨點的位置。A、正確B、錯誤答案：A略61、使用J-link燒入程序時，在魔法棒按鈕的output的選項設(shè)置地址范圍，選擇的地址范圍應(yīng)與所使用單片機的地址范圍對應(yīng)。A、正確B、錯誤答案：B62、戴發(fā)罩時，短發(fā)的人員需要把頭發(fā)全部包住，長發(fā)的人員發(fā)尾可露出部分。A、正確B、錯誤答案：B戴發(fā)罩時要將頭發(fā)全部塞入發(fā)罩內(nèi)。63、如果發(fā)現(xiàn)料盤抽真空質(zhì)量不合格，可以將原標(biāo)簽撕下，貼在新的防靜電鋁箔袋上。A、正確B、錯誤答案：B如果發(fā)現(xiàn)料盤抽真空質(zhì)量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前,需要重新貼標(biāo)簽,新的標(biāo)簽需要重新打印。64、一塊集成電路常常就是具有一定功能的單元電路，它的性能、體積、成本、安裝調(diào)試和維修等方面一般都優(yōu)于由分立元件構(gòu)成的單元電路。A、正確B、錯誤答案：A65、列語句的含義是啟動定時器，等待中斷“TIM6->CTC0_b.COUNTEN=1;”。A、正確B、錯誤答案：A66、帶隙基準(zhǔn)源中，PNP晶體管的比例一般是1：4或是1:8。A、正確B、錯誤答案：A67、晶圓貼膜過程中，若晶圓背面存在顆粒物會使藍膜和晶圓之間產(chǎn)生氣泡。A、正確B、錯誤答案：A68、進行晶圓盒包裝時，在最后一層tyvek紙上方需放入海綿、干燥劑、晶圓測試隨件單等輔材。A、正確B、錯誤答案：A略69、AltiumDesigner的PCB編輯器是一個規(guī)則驅(qū)動環(huán)境。這意味著，在設(shè)計者改變設(shè)計的過程中，如放置導(dǎo)線、移動元件或者自動布線，AltiumDesigner都會監(jiān)測每個動作，并檢查設(shè)計是否仍然完全符合設(shè)計規(guī)則。如果不符合，則會立即警告，強調(diào)出現(xiàn)錯誤。A、正確B、錯誤答案：A70、平移式分選機是在斜背面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測試與分選。轉(zhuǎn)移方式是真空吸嘴吸取，測試方式是測壓手臂進行壓測，最后將芯片根據(jù)測試結(jié)果轉(zhuǎn)移到分選機。（）A、正確B、錯誤答案：B71、電子CAD文檔一般指原始PCB設(shè)計文件，文件后綴一般為.PcbDoc、.SchDoc。A、正確B、錯誤答案：A72、編帶外觀檢查時，若發(fā)現(xiàn)該批次的不良品率超標(biāo)，則將該批次的芯片全部報廢。A、正確B、錯誤答案：B編帶外觀檢查采用抽檢的方式，若本次不良品率超標(biāo)，則需要對整批芯片進行外觀檢查。73、塑封工藝中塑封料的顏色必須是黑色的。A、正確B、錯誤答案：B根據(jù)用戶需要，環(huán)氧塑封料可制成各種不同顏色，一般使用黑、紅、綠三種顏色，其中黑色最為常見。74、根據(jù)產(chǎn)品參數(shù)特性，重力式分選機可分為并行測試和串行測試。并行測試一般是進行單項測試，適用于DIP24/DIP27的芯片；串行測試一般是進行多項測試，適用于普通DIP/SOP封裝等模塊電路。（）A、正確B、錯誤答案：B75、CadenceSE主要用于集成電路版圖自動布局布線。A、正確B、錯誤答案：A76、根據(jù)切割工具的形式，晶圓切割的方式只有機械切割，一般采用砂輪劃片的方法。A、正確B、錯誤答案：B晶圓切割通常使用機械切割和激光切割兩種方式，其中機械切割一般采用砂輪劃片的方法。77、<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對稱的棱線。A、正確B、錯誤答案：A<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對稱的棱線。78、從反向設(shè)計和版圖識別考慮，還需要清楚實際的版圖。A、正確B、錯誤答案：A79、平移式分選機的分選區(qū)的合格料盤和不合格料盤的區(qū)分方式只有標(biāo)簽。A、正確B、錯誤答案：B平移式分選機的分選區(qū)的合格料盤和不合格料盤的區(qū)分除了標(biāo)簽以外，不合格料盤的外觀為紅色，合格料盤的外觀為黑色。80、選擇什么樣的元器件時，首先應(yīng)考慮價格、貨源和元器件體積等方面的考慮，其次是考慮滿足單元電路對元器件性能指標(biāo)的要求。A、正確B、錯誤答案：B81、使用重力式分選機進行芯片測試過程中，測試完成后，測試的結(jié)果會從測試機傳到分選機內(nèi)，分選機依據(jù)測試結(jié)果控制分選梭將芯片放入相應(yīng)的位置。合格芯片由紅色透明料管進行收料，而不合格芯片則由白色透明料管進行收料。（）A、正確B、錯誤答案：B82、調(diào)整扎針位置時，需利用要搖桿的“粗調(diào)”檔位進行位置的確定。A、正確B、錯誤答案：B調(diào)整扎針位置時，需利用要搖桿的“微調(diào)”檔位進行位置的確定。83、完成規(guī)范的著裝后，不可以直接進入車間。A、正確B、錯誤答案：A穿戴無塵服或防靜電服是第一步，可以避免操作員身上的灰塵散落或靜電的產(chǎn)生，但此時還不能直接進入車間，需要進行防靜電點檢，若有需要還需要進行風(fēng)淋操作。84、為了正確地使用某個集成電路制造工藝，在第一次使用該工藝時，必須建立一個與該工藝對應(yīng)的技術(shù)庫。A、正確B、錯誤答案：A85、不同尺寸的硅片在切片過程中設(shè)置的厚度是一樣的。A、正確B、錯誤答案：B86、選擇仿真類型為tran表示瞬態(tài)分析。A、正確B、錯誤答案：A87、硅屬于單質(zhì)半導(dǎo)體，砷化鎵屬于化合物半導(dǎo)體。A、正確B、錯誤答案：A半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。88、風(fēng)淋時到達設(shè)定時間后風(fēng)淋結(jié)束，風(fēng)淋室自動解鎖,此時可打開風(fēng)淋室內(nèi)門，進入車間。A、正確B、錯誤答案：A風(fēng)淋到達設(shè)定值后,風(fēng)淋室的門]自動由關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)殚_啟，此時可打開風(fēng)淋室的門進入車間。89、扎針測試即WAT測試。A、正確B、錯誤答案：AWAT是英文waferacceptancetest的縮寫，意思是晶圓接受測試，業(yè)界也稱WAT為工藝檢測檢測。WAT是在晶圓產(chǎn)品流片之后和品質(zhì)檢驗之前，測量特定測試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)。WAT的目的是通過晶圓上特定測試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評估半導(dǎo)體制造過程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，