SiC功率器件行業(yè)市場(chǎng)深度分析及發(fā)展規(guī)劃咨詢(xún)

SiC功率器件行業(yè)市場(chǎng)深度分析及發(fā)展規(guī)劃咨詢(xún)功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈剖析：產(chǎn)業(yè)鏈中游工藝復(fù)雜，全球生態(tài)分工明確功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游主要是原材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)，包括晶圓、光刻機(jī)、引線框架、寬禁帶材料及其他輔助材料的供應(yīng);功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游主要是芯片制造設(shè)計(jì)封裝的生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，包括功率半導(dǎo)體分立器件和功率模塊;功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈下游的應(yīng)用市場(chǎng)涵蓋不同領(lǐng)域的電子電器應(yīng)用環(huán)節(jié)，包括消費(fèi)電子家用電器領(lǐng)域、工業(yè)控制網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域、航空軌道交通領(lǐng)域以及從發(fā)電、輸電到用電的整個(gè)流程。功率半導(dǎo)體行業(yè)前景功率半導(dǎo)體是下游消費(fèi)電子、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的剛需產(chǎn)品。在下游需求的持續(xù)帶動(dòng)以及相關(guān)政策的支持下，我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2027年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)238億美元。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的分類(lèi)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可細(xì)分為四大領(lǐng)域：集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器。其中分立器件主要分為兩類(lèi)，一類(lèi)是功率器件（包括模塊），另一類(lèi)是集成電路的功率IC。IHS數(shù)據(jù)顯示，2019年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到403億美元。從單個(gè)產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模占比數(shù)據(jù)來(lái)看，功率IC與功率器件的總體市場(chǎng)規(guī)模占比基本持平，分別占比54%和46%。中國(guó)是全球最主要的功率器件消費(fèi)國(guó)，功率器件細(xì)分的主要產(chǎn)品在中國(guó)的市場(chǎng)份額均處于第一位。雖然國(guó)際大廠目前占據(jù)主要市場(chǎng)，但其高端產(chǎn)品價(jià)格高昂，無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)迅速爆發(fā)的市場(chǎng)需求，空間十分廣闊。功率半導(dǎo)體行業(yè)概述根據(jù)《功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)及標(biāo)準(zhǔn)化白皮書(shū)（2019版）》，功率半導(dǎo)體按器件集成度可以分為功率器件和功率IC兩大類(lèi)。功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類(lèi)，其中晶體管市場(chǎng)份額最大，常見(jiàn)的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率IC是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及各種保護(hù)電路等集成于同一芯片的集成電路，是系統(tǒng)信號(hào)處理部分和執(zhí)行部分的橋梁。（一）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣闊，涉及電路控制和電能轉(zhuǎn)換的產(chǎn)品均離不開(kāi)功率半導(dǎo)體的使用。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)及預(yù)測(cè)，2021年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為462億美元（主要包括功率器件、功率IC和功率模組），預(yù)計(jì)2024年將達(dá)到522億美元。中國(guó)的功率半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)家相關(guān)政策支持、加速及資本推動(dòng)等因素合力下，取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步與發(fā)展。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)及預(yù)測(cè)，2021年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為182億美元，預(yù)計(jì)2024年將達(dá)206億美元，中國(guó)作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，發(fā)展前景十分廣闊。（二）功率器件市場(chǎng)功率半導(dǎo)體主要可分為功率器件和功率IC兩大類(lèi)。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為149．82億美元。隨著各個(gè)領(lǐng)域?qū)β势骷碾妷汉凸ぷ黝l率要求逐漸提升，能較好滿足該需求的MOSFET等功率器件產(chǎn)品成為了功率器件的主流產(chǎn)品。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球MOSFET器件市場(chǎng)規(guī)模為80．8億美元，在所有功率器件類(lèi)別中占比最高，占比達(dá)53．90%，且增速與功率器件總體增速接近，需求保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。（三）MOSFET細(xì)分市場(chǎng)的情況MOSFET全稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)和信號(hào)放大等功能，與雙極型晶體管（BipolarJunctionTransistor，也稱(chēng)BJT、三極管）和絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor，也稱(chēng)IGBT）同屬于晶體管領(lǐng)域。MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好等特性，應(yīng)用于包括通信、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)控制在內(nèi)的眾多領(lǐng)域。根據(jù)芯謀研究（ICwise）數(shù)據(jù)，2021年全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模為113．2億美元，預(yù)計(jì)2025年將增長(zhǎng)至150．5億美元，年化復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)7．4%。全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將保持穩(wěn)定擴(kuò)張，市場(chǎng)前景廣闊。2021年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模約為46．6億美元，占全球市場(chǎng)的41%。預(yù)計(jì)2025年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至64．7億美元，年化復(fù)合增長(zhǎng)率為8．5%，增速高于全球市場(chǎng)增速。MOSFET和IGBT同屬于功率器件大類(lèi)下的晶體管產(chǎn)品。與BJT相比，MOSFET可在低電流和低電壓條件下工作，也可用于大電流開(kāi)關(guān)電路和高頻高速電路，應(yīng)用場(chǎng)景更為廣泛；MOSFET具有易于驅(qū)動(dòng)、輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通內(nèi)阻小等特點(diǎn)，結(jié)構(gòu)較BJT更為復(fù)雜；部分MOSFET可將源極和漏極互換運(yùn)用，柵極可正可負(fù)，靈活性較BJT更優(yōu)。IGBT兼具BJT的高耐壓和MOSFET輸入阻抗高的特性，適用于高電壓、大電流場(chǎng)合。根據(jù)工作電壓劃分，以400V為分界，MOSFET可分為高壓MOSFET和中低壓MOSFET；根據(jù)器件結(jié)構(gòu)劃分，MOSFET可分為平面MOSFET、溝槽型MOSFET、超結(jié)MOSFET等。根據(jù)芯謀研究，2021年全球平面MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模約為20．8億美元，預(yù)計(jì)2025年可增長(zhǎng)至30．2億美元；2021年全球溝槽型MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模約為19．0億美元，預(yù)計(jì)2025年可增長(zhǎng)至23．9億美元；2021年全球超結(jié)MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模約為6．8億美元，預(yù)計(jì)2025年可增長(zhǎng)至10．7億美元。整體來(lái)看，未來(lái)三類(lèi)MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模均將繼續(xù)增長(zhǎng)，三類(lèi)MOSFET共存于市場(chǎng)。國(guó)產(chǎn)化率方面，整體來(lái)看高壓MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率低于中低壓產(chǎn)品。根據(jù)芯謀研究，2021年中低壓平面（400V以下）MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為42．2%，高壓平面MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為29．9%，超高壓平面MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為18．2%。MOSFET的主要技術(shù)發(fā)展維度包括器件結(jié)構(gòu)、制程、工藝、材料等多個(gè)方面，MOSFET的發(fā)展不高度依賴(lài)于先進(jìn)制程工藝，更側(cè)重于打造特色平臺(tái)，在結(jié)構(gòu)、工藝及材料方面不斷優(yōu)化?；贛OSFET不追求極致線寬、不必遵循摩爾定律的技術(shù)發(fā)展特點(diǎn)，MOSFET產(chǎn)品的整體研發(fā)方向?yàn)椋涸诳紤]成本因素的前提下，進(jìn)一步優(yōu)化工藝以提升良率、改進(jìn)優(yōu)化器件參數(shù)，達(dá)到性能、成本、可靠性的最優(yōu)解。具體來(lái)看，三類(lèi)MOSFET的研發(fā)難度各有側(cè)重；平面MOSFET偏重于設(shè)計(jì)和工藝的結(jié)合，溝槽型MOSFET和超結(jié)MOSFET偏重于實(shí)現(xiàn)工藝，對(duì)設(shè)備精度的依賴(lài)性更高。三類(lèi)MOSFET均可應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域，以消費(fèi)電子代表性品類(lèi)智能家居產(chǎn)品為例，根據(jù)StrategyAnalytics數(shù)據(jù)，擁有一件以上智能家居產(chǎn)品的家庭比例將由2021年的15%上升至2025年的接近20%，智能家居市場(chǎng)規(guī)模將從2021年的1，230億美元增長(zhǎng)至2025年的1，730億美元，亞太地區(qū)將成為最大的智能家居市場(chǎng)，市場(chǎng)前景廣闊。以工業(yè)控制領(lǐng)域代表性應(yīng)用產(chǎn)品逆變器為例，根據(jù)GlobalMarketInsight數(shù)據(jù)，全球光伏逆變器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2021年的191．8億美元增長(zhǎng)至2028年的270億美元以上，根據(jù)當(dāng)前6%的功率器件成本占比計(jì)算，光伏逆變器中使用的功率器件市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)100億元人民幣，市場(chǎng)前景廣闊。超結(jié)MOSFET的下游應(yīng)用市場(chǎng)主要受新能源汽車(chē)帶動(dòng)，以其代表性應(yīng)用場(chǎng)景新能源充電樁為例，根據(jù)中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施促進(jìn)聯(lián)盟數(shù)據(jù)，2021年中國(guó)新能源充電樁市場(chǎng)規(guī)模達(dá)418．7億元，預(yù)計(jì)2026年可增長(zhǎng)至2，870．2億元，巨大增長(zhǎng)空間中將產(chǎn)生大量超結(jié)MOSFET需求，具有廣闊的市場(chǎng)前景。未來(lái)三類(lèi)MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)保持增長(zhǎng)，體現(xiàn)出三類(lèi)MOSFET之間主要為互補(bǔ)關(guān)系；三類(lèi)MOSFET的下游應(yīng)用領(lǐng)域均包含消費(fèi)電子、工業(yè)控制等，具有廣闊的市場(chǎng)前景。長(zhǎng)期以來(lái)，以英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、東芝、瑞薩為代表的國(guó)外品牌憑借先進(jìn)制造優(yōu)勢(shì)、人才集聚優(yōu)勢(shì)、大規(guī)模研發(fā)投入和技術(shù)積累，目前占據(jù)全球MOSFET市場(chǎng)的主要份額。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，以銷(xiāo)售額計(jì)，2020年MOSFET市場(chǎng)前七大品牌的市場(chǎng)占有率合計(jì)達(dá)到68．09%。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)穩(wěn)定。我國(guó)知名功率半導(dǎo)體企業(yè)華潤(rùn)微、士蘭微分別位列第八位和第十位，安世半導(dǎo)體（已被聞泰科技收購(gòu)）位列第九位，三家合計(jì)市場(chǎng)份額占比10．26%。這表明國(guó)產(chǎn)品牌經(jīng)過(guò)多年發(fā)展已在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中嶄露頭角，但整體市場(chǎng)份額較國(guó)外品牌仍存差距。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年英飛凌和安森美分別占據(jù)了中國(guó)MOSFET市場(chǎng)產(chǎn)品銷(xiāo)售額的24．87%和16．53%，中國(guó)本土最大的MOSFET品牌華潤(rùn)微市場(chǎng)占有率約為9%，排名第三。近年來(lái)，在政府的政策引導(dǎo)及資金扶持下，國(guó)內(nèi)MOSFET市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，MOSFET廠商資本支出和研發(fā)投入持續(xù)提升，涌現(xiàn)出華潤(rùn)微、士蘭微、華微電子、新潔能、東微半導(dǎo)等一批國(guó)內(nèi)廠商，與國(guó)外品牌進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)MOSFET品牌與國(guó)外品牌的技術(shù)差距正在縮小。（四）功率IC行業(yè)概況1、功率IC市場(chǎng)規(guī)模根據(jù)QYResearch測(cè)算，2021年全球PWM控制IC的市場(chǎng)規(guī)模為46．23億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到67．70億美元，年化增長(zhǎng)率為4．92%。2021年中國(guó)PWM控制IC的市場(chǎng)規(guī)模約為17．86億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到30．12億美元，年化增長(zhǎng)率達(dá)7．28%；其中中國(guó)高可靠領(lǐng)域PWM控制IC市場(chǎng)規(guī)模為4．55億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到7．61億美元，年化增長(zhǎng)率達(dá)7．63%。2021年全球柵極驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)規(guī)模為22．9億美元，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到37．5億美元，年化增長(zhǎng)率達(dá)13．12%。國(guó)內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)IC的市場(chǎng)規(guī)模以及應(yīng)用于高可靠領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模數(shù)據(jù)暫無(wú)公開(kāi)資料，按照中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模約占據(jù)全球約40%市場(chǎng)份額估算，2021年國(guó)內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)規(guī)模為9．2億美元，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到15．0億美元，中國(guó)高可靠領(lǐng)域柵極驅(qū)動(dòng)IC的市場(chǎng)規(guī)模尚無(wú)公開(kāi)數(shù)據(jù)。2、功率IC競(jìng)爭(zhēng)格局高可靠領(lǐng)域電子元器件市場(chǎng)相對(duì)特殊，對(duì)供應(yīng)商的各項(xiàng)資質(zhì)、研發(fā)實(shí)力和質(zhì)量管理體系有相當(dāng)嚴(yán)格的要求，對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量、可靠性和長(zhǎng)期持續(xù)穩(wěn)定供貨能力更為關(guān)注。高可靠領(lǐng)域客戶(hù)一般首先考慮向現(xiàn)有合格供應(yīng)商采購(gòu)，在現(xiàn)有合格供應(yīng)商提供的產(chǎn)品無(wú)法滿足需求時(shí)，才會(huì)委托新的供應(yīng)商開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，且新產(chǎn)品認(rèn)證周期較長(zhǎng)，因此國(guó)內(nèi)高可靠領(lǐng)域功率IC產(chǎn)品的市場(chǎng)參與者均具有各自相對(duì)擅長(zhǎng)的產(chǎn)品領(lǐng)域和較為穩(wěn)定的下游訂單需求，行業(yè)內(nèi)市場(chǎng)化競(jìng)爭(zhēng)程度較為溫和。3、功率IC產(chǎn)品的技術(shù)門(mén)檻功率IC產(chǎn)品屬于模擬IC的一種，在產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)時(shí)需要在速度、功耗、增益、精度、電源電壓、工藝、工作溫度、噪聲、面積等多種因素間進(jìn)行考量。功率IC產(chǎn)品內(nèi)部由多種功能模塊電路構(gòu)成，內(nèi)部集成的功能模塊有高精度低溫漂的電壓基準(zhǔn)源、電流基準(zhǔn)源、線性穩(wěn)壓器、高頻振蕩器、輸出驅(qū)動(dòng)模塊及各種保護(hù)模塊，需要充分考慮噪聲、串?dāng)_等在各功能模塊間的影響，每個(gè)功能模塊電路均會(huì)影響到功率IC的性能指標(biāo)，影響功率IC產(chǎn)品的研發(fā)速度和成功率，版圖的布局布線的復(fù)雜度較高。因此對(duì)于功率IC設(shè)計(jì)企業(yè)來(lái)講，需要相對(duì)專(zhuān)業(yè)資深的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，不斷進(jìn)行功能模塊IP電路的驗(yàn)證和儲(chǔ)備，才能打磨出高性能的功率IC產(chǎn)品。功率IC產(chǎn)品集成了低壓CMOS、中壓CMOS、高壓CMOS、LDMOS、雙極器件、各種阻容等多種器件，需采用高壓BCD工藝來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)研發(fā)。由于功率IC產(chǎn)品的市場(chǎng)需求多樣，晶圓代工廠提供的BCD工藝平臺(tái)往往無(wú)法完全滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)的要求，因此IC設(shè)計(jì)企業(yè)需同時(shí)具備工藝和器件的研發(fā)能力，能夠針對(duì)線路設(shè)計(jì)過(guò)程中的需求開(kāi)發(fā)功率IC產(chǎn)品所需要的工藝平臺(tái)。高壓BCD工藝層次多，器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對(duì)功率IC產(chǎn)品研發(fā)提出較高的要求。PWM控制IC可用于AC-DC或隔離式DC-DC開(kāi)關(guān)電源模塊。為滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的性能指標(biāo)要求，開(kāi)關(guān)電源模塊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較多，可以分為反激、正激、推挽、半橋、全橋、移相全橋等，針對(duì)不同功率的應(yīng)用場(chǎng)景需采用不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的研發(fā)難度亦有所不同。面對(duì)多樣化的下游需求，設(shè)計(jì)企業(yè)需具備較多PWM控制IC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)研發(fā)能力和對(duì)應(yīng)的工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)能力。開(kāi)關(guān)頻率的高低影響到開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的功率密度。開(kāi)關(guān)頻率高，則可以減小磁性元件、容性元件等無(wú)源器件的尺寸和體積，從而降低電源系統(tǒng)的重量和體積，但系統(tǒng)體積減小，則帶來(lái)熱管理問(wèn)題。因此在提高開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)，還要確保系統(tǒng)高的工作效率，降低熱損耗。柵極驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)部電路工作在100~600V的高壓下，產(chǎn)品損耗和傳輸延時(shí)之間呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)關(guān)系，即傳輸延遲越小，損耗越大，限制了產(chǎn)品的工作頻率。因此，柵極驅(qū)動(dòng)IC需解決如何在高工作頻率、低損耗的前提下，實(shí)現(xiàn)低傳輸延遲。電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)需在極強(qiáng)扭矩的場(chǎng)合下工作，因此柵極驅(qū)動(dòng)IC需保證在短時(shí)間內(nèi)能夠工作在100%占空比下，使高邊功率器件持續(xù)導(dǎo)通，輸出強(qiáng)功率，對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)IC的線路設(shè)計(jì)提出較高的要求。柵極驅(qū)動(dòng)IC的高邊電路的地電平為浮地，該電平會(huì)在負(fù)電平、零電壓電平和高壓驅(qū)動(dòng)母線電平之間來(lái)回跳變，在浮地電平跳變過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)IC的電平位移電路和驅(qū)動(dòng)輸出電路需具有高的抗dv/dt和負(fù)壓能力，保證輸出信號(hào)的正確性，這就要求研發(fā)團(tuán)隊(duì)兼具版圖設(shè)計(jì)和工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的能力。功率半導(dǎo)體上游功率半導(dǎo)體上游為原材料，包括硅片（研磨片、拋光片和外延片）、鉬片、引線框架、管殼及散熱器等，涉及材料工業(yè)、裝備制造業(yè)、化學(xué)工業(yè)等行業(yè)，原材料價(jià)格直接影響到下游企業(yè)整體成本。功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用廣泛，幾乎涵蓋所有電子制造業(yè)，包括為消費(fèi)電子、工業(yè)控制、電力傳輸和新能源等領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體行業(yè)概況功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要是通過(guò)利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，具體用途包括變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開(kāi)關(guān)等。功率半導(dǎo)體按照封裝形式和集成化程度可分為功率分立器件、功率模組及功率IC。①功率半導(dǎo)體分立器件：指二極管、晶閘管等用于處理電能的器件，其本身在功能上不能再進(jìn)行細(xì)分。②功率模塊：由兩個(gè)或兩個(gè)以上半導(dǎo)體分立器件芯片按一定電路連接并進(jìn)行模塊化封裝，主要應(yīng)用于高壓大電流場(chǎng)合，如新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變、高鐵/動(dòng)車(chē)組等。③功率IC：指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及保護(hù)電路等集成在同一芯片的集成電路。在功率器件中，晶體管份額最大，常見(jiàn)的晶體管主要有BJT、MOSFET和IGBT。①M(fèi)OSFET：是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管，更適用于高頻場(chǎng)景。②IGBT：是絕緣柵雙極晶體管，是同時(shí)具備MOSFET的柵電極電壓控制特性和BJT的低導(dǎo)通電阻特性的全控型功率半導(dǎo)體器件，更適用于高壓場(chǎng)景。功率半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)（一）功率半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機(jī)遇1、國(guó)家政策有力支持功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，也是國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)?；诎雽?dǎo)體產(chǎn)品下游應(yīng)用的廣泛性和其在電子轉(zhuǎn)換中起到的基礎(chǔ)性作用，半導(dǎo)體在實(shí)現(xiàn)我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)等方面均起到重要作用。近年來(lái)，國(guó)家出臺(tái)了一系列鼓勵(lì)政策以推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，增強(qiáng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。2018年，國(guó)家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布了《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)分類(lèi)（2018）》，將半導(dǎo)體分立器件制造集成電路設(shè)計(jì)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）等列為戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。此外國(guó)家還持續(xù)推出了各項(xiàng)支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的政策，包括《制造業(yè)設(shè)計(jì)能力提升專(zhuān)項(xiàng)行動(dòng)計(jì)劃（2019-2022年）》《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》（十四五規(guī)劃）等，為半導(dǎo)體發(fā)展提供了有力的政策支持。2、功率半導(dǎo)體行業(yè)下游應(yīng)用市場(chǎng)廣闊我國(guó)是全球功率半導(dǎo)體的第一大市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)需求有力帶動(dòng)了