特斯拉新動態(tài)促進(jìn)行業(yè)發(fā)展

特斯拉事件：碳化硅何去何從？特斯拉下一代汽車平臺或?qū)p少75碳化硅。美國時間3月1日，特斯拉舉辦投資者會，特斯拉表示2022年odel3成已經(jīng)降低30%，下一代汽車產(chǎn)成本將下調(diào)超50%，降低動單元造價是特斯拉控制生產(chǎn)成本重要一環(huán)。特斯拉提出下一代動力總成將在不損害汽車性能和效率的情況下，碳化硅器件將下降75%（75%redctoninslioncrbide），總成本將減少00美元。然而，我們認(rèn)為特斯拉可能不會大幅減少器件數(shù)量（75%，而是得益于SiCSFET供應(yīng)商的進(jìn)步，將芯片面積和iC總大幅降低。圖1：特斯拉新一代汽車將減少75%碳化硅用量23年特斯拉投資者活動日、碳化硅性能優(yōu)異，是制作高壓高頻高溫器件的理想材料。碳化硅是由硅元素和碳元素組合而成的一種化合半導(dǎo)體材料。在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。1）耐高壓：碳化硅阻抗更低，禁帶寬度更大，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更好效率；2）耐高頻：碳化硅不存在電流拖現(xiàn)象，能夠提高元件的開關(guān)速度，是硅開關(guān)速度的3-10倍從而適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度；3）耐高溫：碳化硅擁有高導(dǎo)熱率，相較硅來講，能在更高的溫度下工作。因此，碳化硅能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，有望成為被廣泛使用的半導(dǎo)體芯片基礎(chǔ)材料。圖2：半導(dǎo)體材料各項性能指標(biāo)比較半導(dǎo)體材料asaN4-SiC6-SiC3-SiCLN禁帶寬度e）1.120.671.433.373.2632.26.2能帶類型間接間接直接直接間接間接間接間接擊穿場強(qiáng)（V/cm）0.30.10.0653531.4電子遷移率cm2/s）1350390085001250800＜400＜800300空穴遷移率cm2/s）4801900400＜2001159032014熱導(dǎo)率Wcm）1.30.580.5524.94.93.62.85今日半導(dǎo)體、2018年特斯拉將碳化硅導(dǎo)入odel，新能源車企競相布局碳化硅器件。特斯拉odel3首次采用意法半導(dǎo)體和英飛凌的SiC逆變器。相較于i-IB，碳化硅模塊開關(guān)損耗降低75%系統(tǒng)效率提升5%、尺寸更小。在斯拉導(dǎo)入碳化硅器件后，多家新能源汽車廠商紛紛跟進(jìn)。220年比亞迪將自主研發(fā)制造的SiCSFET功率器件搭載在漢EV四驅(qū)高性能版上，實現(xiàn)了20W的輸出功率，功率密度提升一倍。圖3：SiC器件發(fā)展路線圖 圖4：特斯拉odel3逆變搭載iCSFET模塊 le、 半導(dǎo)體行業(yè)觀察、成本昂貴疊加供應(yīng)緊張倒逼特斯拉加大研發(fā)力度。碳化硅技術(shù)可以大幅提升電池續(xù)航能力、降低電池生產(chǎn)成本。在800V充架構(gòu)下，碳化硅相較于硅基IBT能耗低、效率高；碳化硅器件節(jié)無源元器件、冷卻系統(tǒng)等成本，整體主驅(qū)逆變器系統(tǒng)綜合成本比硅基方案系統(tǒng)成本更低；碳化硅方案有助于壓縮驅(qū)動電機(jī)重量，與硅基IBT方案相比，其制造的高速電機(jī)重量下降三分之一。特斯拉動力總成副總裁柯林·坎貝爾表示：碳化硅晶體管是關(guān)鍵但昂貴的部件。由于碳化硅價格昂貴、晶圓尺寸較難擴(kuò)展，存在碳化硅器件產(chǎn)能無法供應(yīng)汽車出貨量風(fēng)險，因而特斯拉優(yōu)化碳化硅部件、降低碳化硅成本勢在必行。圖5：IGT與碳化硅器件性能對比行家說三代半、圖6：碳化硅方案與硅基方案系統(tǒng)成本比較 圖7：日產(chǎn)LEAF80W機(jī)同功率感應(yīng)電機(jī)對比行家說三代半、 行家說三代半、對于特斯拉來說，只有碳化硅器件成本降低，供應(yīng)商供給能力增強(qiáng)，才能憑借成本和規(guī)模優(yōu)勢滲透到更大的市場。因此，我們認(rèn)為特斯拉未來的技術(shù)路線并非是直接減少75%的碳化硅用，而是通過芯片尺寸縮小、封裝技術(shù)增強(qiáng)、母線電壓提升等一系列手段，將芯片面積和SiC總成本大幅降低。具體來看，特斯拉及供應(yīng)商在中短期可能通過模塊封裝技術(shù)優(yōu)化、縮小芯片面積來降低碳化硅成本，中長期可以通過提升器件電壓、提升襯底和外延制造效率來降低碳化硅器件成本。受益于SiCMSFET供應(yīng)商技術(shù)進(jìn)步，碳化硅用量壓縮、成本下降。特斯拉減少碳硅器用量可能得益于SiCSFET供應(yīng)商技術(shù)進(jìn)步。近年來，特斯拉供應(yīng)商意法半導(dǎo)體的SiCSFET芯片尺寸一直在縮小，如果按照第3代OSFET面積是第2代的1/4來算，片面剛剛好縮小了75%。SFET發(fā)展途徑是：持續(xù)降低比電阻，功率不變情況縮小芯片面積。目iCSFET已發(fā)展到第三代，英飛凌和羅姆技術(shù)路線是從平面柵向溝槽柵過渡；安森美是改元胞形狀和溝槽柵。圖8：各代iCSFET性能對比行家說三代半、圖9：英飛凌、羅姆、安森美iCSFET技術(shù)路線圖行家說三代半、模塊散熱能力提升將減少碳化硅器件用量。碳化硅芯片縮小導(dǎo)致發(fā)熱密度急劇增加，因而要求同等功率下，其單位面積導(dǎo)熱能力要求提高3-7倍。碳化硅導(dǎo)熱系數(shù)和熔點(diǎn)較高，其耐受結(jié)超500℃。目前大多碳化硅器件標(biāo)稱最高結(jié)溫在200℃左右，并未發(fā)揮碳化硅器件良好性能。根據(jù)業(yè)界研究，通過采用綁定緩沖層、雙面散熱等技術(shù)，碳化硅功率模塊導(dǎo)熱能力可提高10倍，流能力可提高15倍。特斯拉能通過-pak等模塊封裝技術(shù)優(yōu)化來壓縮碳化硅器件尺寸和用量已開發(fā)定制化模塊封裝技術(shù)，使得模塊總體熱阻最小化、導(dǎo)熱率最大化，相較于市面上碳化硅功率模塊產(chǎn)品，該封裝散熱能力提升至兩倍左右，這意味著模塊封裝中的碳化硅晶片用量將有所下降。特斯拉的封裝技術(shù)讓單管可經(jīng)受住長達(dá)5年的可靠性驗。圖10：特斯拉封裝技術(shù)路線圖行家說三代半、3）00V母線電壓的提升將減少碳化硅器件用量。特拉odel3采用400V電壓架構(gòu)和650VSiCSFE，共使用48顆碳化硅器件。假設(shè)未來升級至800V電壓架構(gòu)，則需要配套1200VSiCSFE，碳化硅器件用量可減少一半。圖11：特斯拉00V電壓架構(gòu)行家說三代半、4）碳化硅器件成本逐步下調(diào)，滲透增加。碳化硅制備難度大、長晶速度慢、損失率高，導(dǎo)致碳化器件價格高昂、滲透率較低。根據(jù)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）數(shù)據(jù)顯示，SiC功率器件最主要的原材料成本——SiC襯底、外延片的價格近年來持續(xù)下降，原因有：一，伴隨大直徑襯底占比不斷提高，襯底單位面積生長成本下降；第二，單晶的平均可用厚度仍會持續(xù)增加，這將不斷降低單位面積襯底成本；第三，襯底質(zhì)量和晶片供貨量的提高，以及外延晶片成品率的提高，推動SiC器件成本逐步降低。未來SiC各環(huán)節(jié)成本有望持續(xù)下降，并迎來對于下游產(chǎn)業(yè)的加速滲透。圖12：SiCSFET前道成本拆解 圖13：SiC襯底外延片價走勢（元/平方厘米）裸晶片（SiCm晶面晶背成品率損

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襯底價格 外延片價格082230322808233032380824303248SstmP、 ASA、碳化硅大勢所趨，發(fā)展空間廣闊歐美廠高度斷，國化加速Wolfsped壟斷SiC襯底與外延片市場，歐美企業(yè)主導(dǎo)SiC器件市場。從襯底到器件環(huán)節(jié)，目前Wfpeed、T及羅姆等海外頭部企業(yè)占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈主要份額。其中，因布局較早，良率與產(chǎn)能規(guī)模全球領(lǐng)先Wlfpeed在C襯底及外延片市場一家獨(dú)大。下游器件領(lǐng)域，歐美日企業(yè)領(lǐng)先，整體市占率達(dá)到95%，意法導(dǎo)作為特斯拉SiC功率器主要供應(yīng)商，市場占有率排名第一，達(dá)到41%。圖14：全球SC產(chǎn)業(yè)競爭格（200年）TeBak、芯八哥、leWlfsd、華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、國際主流廠商大幅擴(kuò)產(chǎn)，釋放搶占SiC市場信號。國際企大力完善第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，劃大幅擴(kuò)產(chǎn)來強(qiáng)化競爭優(yōu)勢，以搶奪日漸增長的市場份額。安森美表示22年將SiC產(chǎn)能擴(kuò)充倍；意法半導(dǎo)體計劃到2024年將SiC晶圓產(chǎn)能提高到207年的10倍，SiC營收將達(dá)到10億美元。在國際大廠加速擴(kuò)產(chǎn)的背景下，SiC產(chǎn)業(yè)格局逐漸迎空前重構(gòu)和變化。表1：國際部分主流廠商擴(kuò)產(chǎn)計劃國際廠商擴(kuò)產(chǎn)計劃安森美22年將iC產(chǎn)能擴(kuò)充4倍意法半導(dǎo)體繼續(xù)投資供應(yīng)鏈的垂直整合，計劃204年將SC晶圓產(chǎn)提高到207年的0倍，SC營收將達(dá)到10億美元羅姆201年5月提出搶占全球3％SiC市場的目標(biāo)。日本阿羅筑后和宮崎新工廠于202年投入運(yùn)營，計劃器件產(chǎn)能提高5倍以上；計將馬來西亞的半導(dǎo)體工廠產(chǎn)能擴(kuò)大到1.5倍電子工程網(wǎng)、各公司官網(wǎng)、國內(nèi)廠商加速布局，發(fā)展空間巨大。國內(nèi)企業(yè)也在積極研和探索SiC器件的產(chǎn)業(yè)化，經(jīng)形相對完整的SiC產(chǎn)業(yè)鏈體系部分產(chǎn)業(yè)節(jié)點(diǎn)已有所突破。iC襯底方面，天岳先進(jìn)在半絕緣襯底的市場占有率連續(xù)三年保持全球前三；天科合達(dá)在國內(nèi)率先成功研制6英寸SiC襯，并實現(xiàn)2-6英寸SiC晶片的規(guī)?；a(chǎn)和器件銷售。SiC外延片方面，廈門瀚天天成與東莞天域生產(chǎn)2-6英寸SiC外延片。SiC器件方面，國內(nèi)廠商主要有泰科天潤、瀚薪、揚(yáng)杰科技、中電55所、中電13所、科能芯、時電氣等。模組領(lǐng)域，目前SiC市場斯達(dá)半導(dǎo)、河南森源、常州武科華、時代電氣處于起步階段。中國廠商在圍繞SiC襯底生產(chǎn)上正在縮短與國外差距，未來若在6英寸和8英寸的SC晶良率和成本上進(jìn)一步實現(xiàn)突破是競爭的關(guān)鍵。圖15：國內(nèi)外企業(yè)C產(chǎn)業(yè)布局?jǐn)?shù)據(jù)來源：第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心、半導(dǎo)體工藝與設(shè)備、新能源驅(qū)動SC器規(guī)模擴(kuò)張全球iC器件市場發(fā)展迅猛，2027年有望增長至63億美元。受益于5G通信、國防和軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，SiC器件市場規(guī)模增速可觀。ole數(shù)據(jù)顯示，2021年全球SiC功率器件市場規(guī)模為11億美元，預(yù)計2027年將增長至63億美元，AR約34%。整體電動車相關(guān)領(lǐng)域（包括主逆變器、BC、D/DC轉(zhuǎn)換器等）SiC市場規(guī)模有望在207年到50億美元，21-7年AR為3。圖16：全球SC功率器件市規(guī)模高速增長、全球新能源汽車終端需求火熱，車用iC晶圓需求攀升。據(jù)EVank數(shù)據(jù)，新能源汽車206年銷量將達(dá)到3157萬輛，126年CAR為37%。隨著能車滲透率不斷升高，以及整車架構(gòu)朝800V高壓方向邁進(jìn)，C器件在車載逆變器等領(lǐng)域有望迎來規(guī)?；l(fā)展。據(jù)rendorce數(shù)據(jù)，205年全球電動車市對6英寸iC晶圓需求可達(dá)9萬片，2125年AR為9%。圖17：全球新能源車銷預(yù)萬輛） 圖18：全球電動車市場對6寸SiC晶圓需求（萬片）

全球新能源汽車銷量（輛）

全球電動車市場對英寸i晶需求 同比0 012EEE

0 0EEEEEVTk、 Tedoce、國內(nèi)新能源車市場規(guī)?？焖僭鲩L，iC功率器件有望進(jìn)一步突破。根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，022年中新能源汽車銷量將達(dá)到689輛預(yù)計2026年中國新能汽車銷售量將達(dá)到汽車銷售總量的近50%。根據(jù)DIIIESReserch預(yù)測，2025年電動汽車用SiC功率半導(dǎo)體將占整車用功率半導(dǎo)體的37%以上，高于021的25%。國內(nèi)新能源車市場備領(lǐng)先優(yōu)勢，隨著滲透率的進(jìn)一步提升以及汽車電子化程度的持續(xù)推進(jìn)，國內(nèi)車用SiC器件規(guī)有望快速突破。圖19：國內(nèi)新能源銷量及測（萬輛） 圖20：電動車用SC功率半體比重0

中國新能源汽車銷量（輛） 012EEE

1 中汽協(xié)， DGTIESRsech，多維度優(yōu)勢賦能車用SiC器件。SiC功率器件在新能源汽展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢，其應(yīng)用場景包括電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)逆變器、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載／）、車載充電系統(tǒng)（B）及非車載充電樁等。從材料來看，SiC相對于硅材料擁有更高的擊穿場強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率以及更高的電子飽和漂移速度；從電路損耗來看，在同等條件下，SiC功率器件能大幅減小電路開關(guān)的能量損耗（下降85%）；從設(shè)備空間來看，用SiC功率器件的D/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機(jī)以及電機(jī)控制器分別能加減小設(shè)備20%、40%6%的系統(tǒng)空間；從電池轉(zhuǎn)化效率來看，集成了iC器件的模塊能幫助系統(tǒng)提升6%的電力轉(zhuǎn)換率。圖21：iC器件在新能源車的應(yīng)用 圖22：車用C器件表現(xiàn)出異性能 汽車產(chǎn)業(yè)信息、 nfien、新能源車高電壓平臺大勢所趨，SiC器件彰顯優(yōu)勢。近年來各車企紛紛通過提升功率來緩解新能源汽車的續(xù)駛焦慮和充電焦慮，而功率的增加一般有兩種路徑，即提高電流或電壓。然而，大電流可能會導(dǎo)致較大的核心部件熱損耗，因此高電壓電氣平臺成為了首選。高電壓平臺要求電驅(qū)動系統(tǒng)的耐壓性也要隨之提升，而硅基器件無法承載電壓的大幅升高，故SiC應(yīng)用將逐步替代硅IBT成為關(guān)鍵。相比之IGT，SiC體積小、功率密度高、耐高壓和高溫能力強(qiáng)，可助力新能車實現(xiàn)更長的續(xù)航里程、更短的充電時間和更強(qiáng)的動力性能。國內(nèi)外車企紛紛布局80V高壓平臺，SiC大規(guī)模車載應(yīng)用可期。在相同功率下，00V壓平臺較400V電壓的電流減半，池充電熱量降低，且低成本、輕量化、EC干擾的降低，以及效率和續(xù)航的提升，讓充電補(bǔ)能體驗大幅增強(qiáng)。2019年保時捷acan推出全球首款80V電壓電氣架構(gòu)，支持350kw大功率充15分鐘內(nèi)電量可充到％。近年來比亞迪、奧迪、吉利、小鵬等一眾車企也紛紛開始布局800V高電壓平臺，預(yù)計各大企基于800V高壓平臺方案在2022年之后陸續(xù)上市，SiC作為80V平臺架構(gòu)的最佳拍檔有望放異彩。圖23：iC是實現(xiàn)電驅(qū)動系高壓化的關(guān)鍵 圖24：新能源車00V高電平臺蓋世汽車研究院、 全球數(shù)據(jù)中心觀察、表2：全球部分80V高壓平車型統(tǒng)計公司產(chǎn)品時間電壓續(xù)航km)充電表現(xiàn)保時捷acan208年800V50015mn@80%現(xiàn)代Ioniq5200年800V5005min10km起亞200年800V52818mn@80%比亞迪E平臺3.0201年800V-5min15km奧迪RSe-tronGT201年800V47020mn@80%廣汽埃安480W樁Vls車201年800V-5min20km小鵬9車48W樁201年800V-5min20km長城汽車沙龍機(jī)甲龍201年800V80210mn@80km極狐αS華為I版202年800V-10mn@20km保時捷acan預(yù)計203年800V--路特斯路特斯pe123預(yù)計203年800V-20mn@80%悍馬悍馬預(yù)計203年800V-10mn@30km奔馳某預(yù)計205年800V--大眾rinity預(yù)計206年800V--蓋世汽車、第一電動網(wǎng)、懂車帝、各車企官網(wǎng)、800V高壓平臺需要電源產(chǎn)品配套升級，充電樁等迎來發(fā)展良機(jī)。當(dāng)動力電池電壓平臺升級到800V，當(dāng)前的B、D/DC及充電樁等電源產(chǎn)品都需要從400V等級提升至符合800V壓平臺的應(yīng)用，SiC器件由于其優(yōu)異的特性也將開始大規(guī)模的應(yīng)用。以充電樁為例，800V高壓充電樁在設(shè)計架構(gòu)上區(qū)別于400V的要特點(diǎn)是需要配置SiCSFE，以達(dá)到更快的充電速度和更好器件耐壓性。22年Wfsed宣布參與搭載iC技術(shù)的直流快速充電樁項目，總功率可達(dá)350W成本可降低0-3%。內(nèi)車企也開始發(fā)力，廣汽埃安于2021年8月發(fā)布48W級充電樁，小鵬也宣布224起部署480W壓超充樁，實現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航00公里。圖25Wfped參與的SC直流快速充電樁 圖26：小鵬80W壓超充電樁 Wlsd、 小鵬官網(wǎng)、投資建議由于下游需求旺盛，SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)將因此受益。建議關(guān)注國內(nèi)領(lǐng)先的SiC芯片和模塊廠商斯達(dá)半導(dǎo)(6329，買入)、IDM廠商中瓷電子(0331，未評級)、華潤微68896，買入)、聞泰科技(60745，買入)，SiCCVD設(shè)備企業(yè)中微公司(6012，買入)、化合物半導(dǎo)體材料與器件全產(chǎn)業(yè)鏈布局的三安光電(60703，買入)，SC襯底企業(yè)岳先(68824，未評級等。斯達(dá)半導(dǎo)積布局碳硅市長期成動能足公司獲多個主控制器用車規(guī)級SiCMSFET模塊項目定點(diǎn)。2021年公司在機(jī)車牽引輔助電系統(tǒng)、新能源汽車行業(yè)控制器、光伏行業(yè)推出的各類SiC模塊得到進(jìn)一步的推廣應(yīng)用。2022年上年公司應(yīng)用于乘用車主控制器的車規(guī)級SiCSFET模塊開始大批量裝車應(yīng)用，同時公司新增個使用車規(guī)級SiCSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項目定點(diǎn)，將對公司未來車規(guī)級SiCSFET模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。圖27：斯達(dá)半導(dǎo)部分SC模產(chǎn)品公司官網(wǎng)、定增項目保障SiC芯片自主可控，產(chǎn)品供應(yīng)能力和競爭力有望進(jìn)一步提高。公司車規(guī)級SC模塊雖已獲得多個項目定點(diǎn)并拿到批量訂單，但車規(guī)級SiC模塊中所使用的SiCSFET芯片仍為進(jìn)口芯片。公司預(yù)計投入5億元新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、鋁刻蝕機(jī)高溫注入機(jī)等設(shè)備，開展SiC芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。項目建設(shè)周期3年，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計將成年產(chǎn)6萬片6英寸SiC芯片生產(chǎn)，對應(yīng)6.6億元營收和1.8億元凈利潤。本次募投項目量產(chǎn)后，司將擁有自主的車規(guī)級SiCSFET芯片，利用目前公司在新能源汽車客戶和項目資源，進(jìn)一提高公司車規(guī)級SiC模塊的貨保障能力以及產(chǎn)品競爭力。圖28：221年司SiC芯定增項目項目名稱投資總額建設(shè)周期達(dá)產(chǎn)時間產(chǎn)能滿產(chǎn)收入滿產(chǎn)凈利潤滿產(chǎn)毛利率滿產(chǎn)凈利率C芯片發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目5億3年第5年6片年666億1.6億1.%266%公司公告、中瓷電子資碳化硅IM企業(yè)中瓷電子擬購買北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司94602股權(quán)，布局第三代半導(dǎo)體C模塊。國聯(lián)公司是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體IDM平臺，依托多年技術(shù)積累研發(fā)生產(chǎn)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅電力電子芯片及器件。公司正在進(jìn)行芯片制造及封裝測試專業(yè)化生產(chǎn)線建設(shè)，建成后將具備碳化硅功率模塊設(shè)計、制造和封裝測試整體能力，年測試封裝iC功率模塊2.4萬塊。公司SC功率模塊包括650、120V和100V等系列，其產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域。主要客戶包括比亞迪、智旋等。表3：中瓷電子擬向多家購買國聯(lián)萬眾94.%股份對應(yīng)標(biāo)的公司序號交易對方本次轉(zhuǎn)讓所持標(biāo)的資產(chǎn)股權(quán)/權(quán)益比例國聯(lián)萬眾1中國電十三所.%2數(shù)字之光.%3智芯互聯(lián).%4電科投資.%5首都科發(fā).%6順義科創(chuàng).%7國投天津.%合計.%數(shù)據(jù)來源：公司公告、該項交易進(jìn)一步引領(lǐng)碳化硅功率模塊在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。國聯(lián)萬眾將成為中瓷電子旗下的碳化硅功率模塊設(shè)計生產(chǎn)平臺，其研發(fā)生產(chǎn)的碳化硅二極管產(chǎn)品已投入市場，為格力等公司提供產(chǎn)品試用，并將基于順義科技園區(qū)的協(xié)同作用利用國內(nèi)和國際資源打造第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，形成產(chǎn)學(xué)研用完整鏈條及跨界應(yīng)用。表4：國聯(lián)萬眾主要建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模分批期次產(chǎn)品名稱規(guī)格年產(chǎn)量（萬件年）建成最終產(chǎn)能第一階段第三代圓6寸S、aN電路圓1.212第二階段4.（增）第三階段第三代圓6寸SI、aN路晶圓6（加）aN4、G訊用率模塊120120C功率塊1200-10V功模塊2.42.4SC單管SDM12001200數(shù)據(jù)來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、華潤微：發(fā)碳化硅務(wù)，產(chǎn)品持突破碳化硅業(yè)務(wù)前景向好，公司相應(yīng)產(chǎn)品銷量倍增。華潤微作國內(nèi)半導(dǎo)體IM龍頭企業(yè)，功率器件產(chǎn)品研發(fā)與銷售具備先發(fā)優(yōu)勢。其功率器件事業(yè)群在第三代化合物半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得技術(shù)和業(yè)化的顯著突破，自主研發(fā)的新一代SiCJBS器件綜合性達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，產(chǎn)品在充電樁太陽能逆變器、通信電源等工控領(lǐng)域獲得客戶端的廣泛認(rèn)可，公司前三季度SiC銷售額約有3增長，預(yù)計203年碳化硅OS的銷售占比會有較大提升。表5：華潤微電子SiCSBD品列表（1200）電流/封裝OOOO2OAIAIAIIQ10IIQ20B20S20Q30B30Q40數(shù)據(jù)來源：公司公眾號、一二代產(chǎn)品銷售量產(chǎn)，后續(xù)產(chǎn)品正繼續(xù)快速推進(jìn)。公司自主研發(fā)的第一代650V、1200VSiCJBS產(chǎn)品已取得銷售，21年公司正式對外發(fā)布SiCSFET產(chǎn)品，目前第二代碳化硅二極管1200V650V平臺已系列化三十余顆產(chǎn)品，在充電樁、光伏逆變、工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量供貨。公司第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化和平臺化戰(zhàn)略繼續(xù)高歌前進(jìn)。圖29：華潤微SC產(chǎn)品核心術(shù)核心技術(shù)技術(shù)產(chǎn)品特點(diǎn)SCS系列產(chǎn)品設(shè)計和制技術(shù)采用公自主發(fā)的SC藝和裝技術(shù)優(yōu)異的通降f、c漏電系統(tǒng)性達(dá)到際一品牌準(zhǔn)抗浪涌力強(qiáng)工業(yè)級靠性SCOS列產(chǎn)計和制技術(shù)采用自研的SC工藝封裝術(shù)比導(dǎo)通阻到mm產(chǎn)電參數(shù)到國標(biāo)桿平雪崩耐高公司公告、中微公：發(fā)C專用VD設(shè)備中微公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司基于在半導(dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、ES制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域。1）等離子體刻蝕設(shè)備：已應(yīng)用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生線。2）MCVD設(shè)備：在行領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列氮化鎵基LED設(shè)備制造商。至202年6月底，公司設(shè)累計付運(yùn)臺數(shù)達(dá)264個反臺，在客戶73條生產(chǎn)線全面量產(chǎn)。表6：中微公司主要產(chǎn)品示意圖產(chǎn)品類別圖示應(yīng)用領(lǐng)域刻蝕設(shè)備電容性能等體刻蝕備主要應(yīng)于集電路造中化、氮硅，低電常模和種模層介質(zhì)料的刻蝕電感性能等體刻蝕備、刻蝕設(shè)備主要應(yīng)于在成電制造單硅、晶硅以多種質(zhì)等料的蝕主要應(yīng)于OS圖像感器、ES芯片、.D片、D片等孔溝槽的蝕OVD設(shè)備藍(lán)綠光紫外ED延和SiC材料功器件的產(chǎn)中微公司22年半年報、中微公司積極布局iC材料功率器件外延生長設(shè)備和技術(shù)研發(fā)，牽頭人具有5年以上相關(guān)經(jīng)驗。根據(jù)公司公告，公司將總投資37.56億元用于中微臨港總部和研發(fā)中心項目，其中部分資金用于公司7類新產(chǎn)品的研發(fā)項，中一種就是寬禁帶功率器件外延生長設(shè)備，主要包括SiC材料功率器件的外延生長設(shè)備和技術(shù)的研發(fā)。該項目牽頭人具有25年以上化合物半導(dǎo)體材料外延工藝開發(fā)設(shè)備研發(fā)及營運(yùn)的經(jīng)驗。目前項目處于研究階段，已擁有0余項專利技術(shù)儲備，預(yù)計將持續(xù)至205年底。表7：中微公司布局SiC材功率器件外延生長設(shè)備和技術(shù)研發(fā)項目名稱寬禁帶率器外延長設(shè)的發(fā)研發(fā)內(nèi)容致力于發(fā)適寬禁功率件延生產(chǎn)量型VD備，足產(chǎn)業(yè)需求。時間安排..2階段進(jìn)展研究階段研發(fā)成果研發(fā)滿寬禁功率件外生的外延備，出的度均性摻雜均性達(dá)國際進(jìn)水，且開發(fā)套與相配套的禁帶料外生長藝。研發(fā)人員項目由司副裁級管人牽主持在VD備上著豐經(jīng)驗。目牽人有5年化合物導(dǎo)體料外延工開發(fā)設(shè)備發(fā)及運(yùn)經(jīng)驗。目預(yù)配備藝工師產(chǎn)品工師、械工師、器程師、件工師等，輔人員括現(xiàn)服務(wù)程、現(xiàn)場藝工師、造工師采購人、裝人員。專利及技術(shù)儲備已擁有一種于熱學(xué)氣沉的基片盤和應(yīng)與N同案”“控化學(xué)相沉室內(nèi)的底加的裝置及法”“一帶有溫置的氣噴淋置以真空理置”等利在的0項專。中微公司公告、天岳先：內(nèi)領(lǐng)先的C企業(yè)天岳先進(jìn)主要從事SiC襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域憑借卓越的研發(fā)及創(chuàng)新能力，天岳先進(jìn)已成為全球為數(shù)不多的掌握半絕緣型和導(dǎo)電型SiC襯底、產(chǎn)品尺寸較全的SiC襯底生產(chǎn)商。1）半絕緣型：在發(fā)達(dá)國對我國實行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn)的背景下，公司自主研發(fā)出半絕緣型SiC襯底產(chǎn)品，實現(xiàn)了我國核心戰(zhàn)略材料的自主可控。2）導(dǎo)電型：公司已成功掌握導(dǎo)型SC襯底材料制備的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化能力。在優(yōu)先保障半絕緣型SiC襯底材料戰(zhàn)略供應(yīng)之余，進(jìn)行導(dǎo)電型SiC襯底材料的研發(fā)和小批量銷售，目前正在電力電子領(lǐng)域戶中進(jìn)行驗證。表8：天岳先進(jìn)SiC襯底主產(chǎn)品產(chǎn)品種類圖示產(chǎn)品用途半絕緣型通過在絕緣型SiC襯上生化鎵外層，得SiC氮化延片，可進(jìn)一步制成ET等微波射頻器件，應(yīng)用于信息通訊、無線探測等域。導(dǎo)電型通過在電型SiC底上長SiC外延層制得SiC質(zhì)外片，進(jìn)一步制成肖特基二極管、OSFE、IGBT等功率器件，應(yīng)用在新源汽車，道交以及功率電電等領(lǐng)。天岳先進(jìn)招股書、天岳先進(jìn)半絕緣型產(chǎn)品已實現(xiàn)對國內(nèi)下游核心客戶的批量供貨，并獲得國外知名半導(dǎo)體公司認(rèn)可。公司通過持續(xù)的技術(shù)研究和產(chǎn)品開發(fā)，于2015年實現(xiàn)了4英寸半絕緣型SiC襯底的量產(chǎn)能力。2018年，公司通過下游行業(yè)要的領(lǐng)先客戶A的驗證并開始批量供貨。隨后，公司又獲得下游行業(yè)主要客戶B的認(rèn)證，并獲得大批量訂單，國內(nèi)市場份額進(jìn)一步提升。根據(jù)ole報告統(tǒng)2021年公司在半絕緣SiC襯底領(lǐng)，市場占有率連續(xù)三年保持全球前三。表9：天岳先進(jìn)產(chǎn)品在國內(nèi)客戶使用情況舉例客戶名稱客戶在產(chǎn)品的下游行業(yè)中領(lǐng)先地位國內(nèi)客戶使用情況客戶A公司的絕型SiC襯底品可用于無線電探行業(yè)可服于航航、定位導(dǎo)航等場。司主客戶A些市的主力，占行業(yè)術(shù)主地。8年，戶A開始進(jìn)口轉(zhuǎn)向批公司采半絕型iC襯。0年，客戶A對司半緣型SiC襯底采購額從近7元上至0元?？蛻鬊公司的絕型SiC襯底品可成信通信射器件0年，客戶B公司半緣型SiC襯底采額從8萬元升至.