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文檔簡介

講義螺線管磁場霍爾效應法測定螺線管軸向磁感覺強度散布置于磁場中的載流體,假如電流方向與磁場垂直,則在垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附帶的橫向電場,這個現(xiàn)象是霍普斯金大學研究生霍爾于1879年發(fā)現(xiàn)的,后被稱為霍爾效應。跟著半導體物理學的快速發(fā)展,霍爾系數(shù)和電導率的丈量已成為研究半導體資料的主要方法之一。通過實驗丈量半導體資料的霍爾系數(shù)和電導率能夠判斷資料的導電種類、載流子濃度、載流子遷徙率等主要參數(shù)。若能丈量霍爾系數(shù)和電導率隨溫度變化的關系,還能夠求出半導體資料的雜質(zhì)電離能和資料的禁帶寬度?,F(xiàn)在,霍爾效應不不過測定半導體資料電學參數(shù)的主要手段,并且隨著電子技術的發(fā)展,利用該效應制成的霍爾器件,因為結(jié)構(gòu)簡單、頻次響應寬(高達10GHz)、壽命長、靠譜性高等長處,已寬泛用于非電量丈量、自動控制和信息辦理等方面。在工業(yè)生產(chǎn)要求自動檢測和控制的今日,作為敏感元件之一的霍爾器件,將有更廣闊的應用遠景。認識這一富有適用性的實驗,對往后的工作將有好處。一、實驗目的1.掌握測試霍爾元件的工作特征。2.學慣用霍爾效應法丈量磁場的原理和方法。3.學慣用霍爾元件測繪長直螺線管的軸向磁場散布。二、實驗原理1.霍爾效應法丈量磁場原理霍爾效應從實質(zhì)上講是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而惹起的偏轉(zhuǎn)。當帶電粒子(電子或空穴)被拘束在固體資猜中,這類偏轉(zhuǎn)就致使在垂直電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負電荷的積聚,進而形成附帶的橫向電場,即霍爾電場。關于圖(1)(a)所示的N型半導體試樣,若在X方向的電極D、E上通以電流Is,在Z方向加磁場B,試樣中載流子(電子)將受洛侖茲力FgevB(1)此中e為載流子(電子)電量,為載流子在電流方向上的均勻定向漂移速率,B為磁感覺強度。不論載流子是正電荷仍是負電荷,洛侖茲力Fg的方向均2沿Y方向,在此力的作用下,載流子發(fā)生便移,則在Y方向即試樣A、A′電極雙側(cè)就開始積聚異號電荷而在試樣A、′雙側(cè)產(chǎn)生一個電位差VH,形成相應的附帶電場EH—霍A爾電場,相應的電壓VH稱為霍爾電壓,電極A、A′稱為霍爾電極。電場的指向取決于試樣的導電種類。N型半導體的多半載流子為電子,P型半導體的多半載流子為空穴。對N型試樣,霍爾電場逆Y方向,P型試樣則沿Y方向,有EH0(N型)Is(X),B(Z)(型)EH0P明顯,該電場是阻擋載流子持續(xù)向側(cè)面偏移,試樣中載流子將受一個與Fg方向相反的橫向電場力

a)b)圖(1)樣品表示圖FEeEH(2)此中EH為霍爾電場強度。FE隨電荷累積增加而增大,當達到穩(wěn)恒狀態(tài)時,兩個力均衡,即載流子所受的橫向電場力eEH與洛侖茲力eVB相等,樣品雙側(cè)電荷的累積就達到均衡,故有eEHeVB(3)設試樣的寬度為b,厚度為d,載流子濃度為n,則電流強度Is與的V關系為IsneVbd(4)由(3)、(4)兩式可得VHEHb1IsBRHIsBnedd(5)即霍爾電壓VH(A、A′電極之間的電壓)與IsB乘積成正比與試樣厚度d成反比。比率系數(shù)RH1稱為霍爾系ne3數(shù),它是反應資料霍爾效應強弱的重要參數(shù)。依據(jù)霍爾效應制作的元件稱為霍爾元件。由式(5)可見,只需測出VH(伏)以及知道Is(安)、B(高斯)和d(厘米)可按下式計算RH(厘米3/庫侖)。RHVHd108IsB(6)上式中的108是因為磁感覺強度B用電磁單位(高斯)而其余各量均采納C、G、S適用單位而引入?;魻栐褪抢蒙鲜龌魻栃瞥傻碾姶抛儞Q元件,關于成品的霍爾元件,其RH和d已知,所以在實質(zhì)應用中式(5)常以以下形式出現(xiàn):(7)VHKHISB此中比率系數(shù)KHRH1稱為霍爾元件敏捷度(其值由dned制造廠家給出),它表示該器件在單位工作電流和單位磁感覺強度下輸出的霍爾電壓。Is稱為控制電流。(7)式中的單位取Is為mA、B為KGS、VH為mV,則KH的單位為mV/mA·KGS)。KH越大,霍爾電壓VH越大,霍爾效應越明顯。從應用上講,KH愈大愈好。KH與載流子濃度n成反比,半導體的載流子濃度遠比金屬的載流子濃度小,所以用半導體資料制成的霍爾元件,霍爾效應明顯,敏捷度較高,這也是一般霍爾元件不用金屬導體而用半導體系成的原由。此外,KH還與d成反比,,所以霍爾元件一般都很薄。本實驗所用的霍爾元件就是用N型半導體硅單晶切薄片制成的。因為霍爾效應的成立所需時間很短(約10-12—10-14s),所以使用霍爾元件時用直流電或溝通電均可。不過使用交流電時,所得的霍爾電壓也是交變的,此時,式(7)中的Is和VH應理解為有效值。依據(jù)(7)式,因KH已知,而Is由實驗給出,所以只4要測出VH就能夠求得未知磁感覺強度B。B

VHKHIS(8)2.霍爾電壓VH的丈量方法應當說明,在產(chǎn)生霍爾效應的同時,因陪伴著多種副效應,致使實驗測得的A、A'兩電極之間的電壓其實不等于真切的VH值,而是包括著各樣副效應惹起的附帶電壓,所以一定想法除去。依據(jù)副效應產(chǎn)生的機理(參閱附錄)可知,采納電流和磁場換向的對稱丈量法,基本上能夠把副效應的影響從丈量的結(jié)果中除去,詳細的做法是保持Is和B(即IM)的大小不變,并在設定電流和磁場的正、反方向后,挨次丈量由以下四組不一樣方向的Is和B組合的A、A'兩點之間的電壓V1、V2、V3和V4,即+IS+BV1+IS-BV2-IS-BV3-IS+BV4而后求上述四組數(shù)據(jù)V1、V2、V3和V4的代數(shù)均勻值,可得VH1(9)(V1V2V3V4)4經(jīng)過對稱丈量法求得的VH,固然還存在個別沒法除去的副效應,但其引入的偏差甚小,能夠略而不計。(8)、(9)兩式就是本實驗用來丈量磁感覺強度的依照。3.載流長直螺線管內(nèi)的磁感覺強度螺線管是由繞在圓柱體上的導線構(gòu)成的,關于密繞的螺線管,能夠當作是一列有共同軸線的圓形線圈的并排組合,所以一個載流長直螺線管軸線上某點的磁感覺強度,能夠從對各圓形電流在軸線上該點所產(chǎn)生的磁感覺強度進行積分乞降獲得。依據(jù)畢奧—薩伐爾定律,當線圈通以電流IM時,管內(nèi)軸線上P點的磁感覺強度為BP120NIM(cos1cos2)(10)5圖(2)此中μO為真空磁導率,μO=4π×10-7亨利/米,N為螺線管單位長度的線圈匝數(shù),IM為線圈的勵磁電流,β1、β2分別為點P到螺線管兩頭徑失與軸線夾角,如圖(2)所示。依據(jù)式(10),關于一個有限長的螺線管,在距離兩頭口等遠的中心處軸上O點,cosL2cosL2(L2)2(D2)2,(L2)2(D2)212式中D為長直螺線管直徑,L為螺線管長度。此時,磁感覺強度為最大,且等于11L1L0NIM(22)B0(1D)2(1L)22(1L)2(1D)22222L0NIMDL22(11)因為本實驗儀所用的長直螺線管知足L>>D,則近似認為B00NIM(12)在兩頭口處,cos1L,cos20(1L2D)22磁感覺強度為最小,且等于B11L20NIM(1D)2L22(13)同理,因為本實驗儀所用的長直螺線管知足L>>D,則近似以為B110NIM26(14)由(13)、(14)式可知,B112B0由圖(3)所示的長直螺線管的磁力線散布可知,其內(nèi)腔中部磁力線是平行于軸線的直線系,漸近兩頭口時,這些直線變成從兩頭口失散的曲線,說明其內(nèi)部的磁場在很大一個范圍內(nèi)是近似均勻的,僅在湊近兩頭口處磁感覺強度才明顯下圖(3)降,體現(xiàn)明顯的不均勻性。依據(jù)上面理論計算,長直螺線管一端的磁感覺強度為內(nèi)腔中部磁感覺強度的1/2。三、實驗內(nèi)容1.霍爾元件輸出特征丈量A.認真閱讀本實驗儀使用說明書后,按圖(4)連結(jié)測試儀和實驗儀之間相對應的Is、VH和IM各組連線,Is及IM換向開關投向上方,表示Is及IM均為正當(即Is沿X方向,B沿Z方向),反之為負值。VH、Vσ切換開關投向上方測VH,投向下圖(4)方測Vσ。經(jīng)教師檢查后方可開啟測試儀的電源。注意:圖3中虛線所示的部分線路即樣品各電極及線包引線與對應的雙刀開關之間連線已由制造廠家連結(jié)好。一定重申指出:決不一樣意將測試儀的勵磁電源“IM輸出”誤接到實驗儀的“Is輸入”或“VH輸出”處,不然一旦通7電,霍爾元件即遭破壞!為了正確丈量,應先對測試儀進行調(diào)零,馬上測試儀的“Is調(diào)理”和“IM調(diào)理”旋鈕均置零位,待開機數(shù)分鐘后若VH顯示不為零,可經(jīng)過面板左下方小孔的“調(diào)零”電位器實現(xiàn)調(diào)零,即“0.00”。B.轉(zhuǎn)動霍爾元件探桿支架的旋鈕X1、X2、Y,慢慢將霍爾器件移到螺線管的中心地點。C.測繪VH—Is曲線將實驗儀的“VH、Vσ”切換開關投向VH側(cè),測試儀的“功能切換”置VH。取IM=0.800A,并在測試過程中保持不變。挨次按表1所列數(shù)據(jù)調(diào)理Is,用對稱丈量法(詳見附錄)測出相應的V1、V2、V3和V4值,記入表1中,繪制VH—Is曲線,并對該曲線進行簡單的剖析。表1IM=0.800AV3(mV4(mVHVVVV(mV)IsV1(V2(m(、、、、1234mA+ImV)+IV)-IV)-IV)4+B-B-B+B5.006.007.008.009.0010.00D.測繪VH—IM曲線實驗儀及測試儀各開關地點同上。取IS=8.00mA,并在測試過程中保持不變。挨次按表2所列數(shù)據(jù)調(diào)理IM,用對稱丈量法測出相應的V1、V2、V3和V4值,記入表2中,繪制VH—IM曲線,并對該曲線進行簡單的剖析。注意:在改變IM值時,要求快捷,每測好一組數(shù)據(jù)后,應立刻切斷IM。表2IS=8.00mAIMV1(V2(V3(V4(V1V2V3V4mVVH4(mV)(AmV)mV)mV))+IS、+IS、-IS、-IS、+B-B-B+B80.3000.4000.5000.6000.7000.8000.9001.0002.測繪螺線管軸線上磁感覺強度的散布曲線取IS=8.00mA,IM=0.800A,并在測試過程中保持不變。A.以螺線管軸線為X軸,相距螺線管兩頭口等遠的中心地點為坐標原點,探頭離中心地點X=14-X12,調(diào)理霍爾元件探桿支架的旋鈕X1、X2,使測距尺讀數(shù)X1=X2=0.0cm。,使1逗留在0.0、先調(diào)理X1旋鈕,保持X2X=0.0cm0.5、1.0、1.5、2.0、5.0、8.0、11.0、14.0cm等讀數(shù)處,再調(diào)理X2旋鈕,保持X1=14.0cm,使X2逗留在3.0、6.0、9.0、12.0、12.5、13.0、13.5、14.0cm等讀數(shù)處,按對稱丈量法測出各相應地點的V1、V2、V3、V4值,并依據(jù)(8)、(9)兩式計算相對應的VH及B值,記入表3中。依據(jù)(10)式計算相對應的理論B值,記入表3中,此中LXLX12,22cos(1D)2cos(1D)2(LX)2(LX)22222B.繪制B—X曲線,對該曲線進行簡單的剖析,并考證螺線管端口的磁感覺強度為中心地點磁感覺強度的1/2(可不考慮溫度對VH的影響)。C.將實驗獲得的螺線管軸向磁感覺強度B值與計算得9到的理論B值進行比較,求出相對偏差(需考慮溫度對VH值的影響),并寫出計算理論值B與實驗值B時所需要的公式。假如偏差太大有可能是實驗儀器中所供給的霍爾元件敏捷度KH值有較大偏差所致,可依據(jù)理論值對KH值進行簡單修正。,M表3IS=0.800A=8.00mAIX1X2XV1(mV2(V3(V4(V)mV)mV)mV)(c(c(c+Is、+Is、-Is、-Is、m)m)m)+B-B-B+B0.000.050.000.050.000.000.000.000.0.03.0.06.0.09.0.012..0012..0513..0013..0514..00

VHB(KGS)(m實理相對V)驗論偏差值值注:①測繪B—X曲線時,螺線管兩頭口鄰近磁強變化大,應多測幾點。②霍爾元件敏捷度KH值和螺線管單位長度線圈匝10數(shù)N均標在實驗儀上。四、預習思考題1.在什么樣的條件下會產(chǎn)生霍爾電壓,它的方向與哪些要素相關?2.實驗中在產(chǎn)生霍爾效應的同時,還會產(chǎn)生那些副效應,它們與磁感覺強度B和電流Is有什么關系,怎樣除去副效應的影響?3.采納霍爾元件來丈量磁場時詳細要丈量哪些物理量?4.用霍爾元件測磁場時,假如磁場方向與霍爾元件片的法線不一致,對丈量結(jié)果有什么影響?怎樣用實驗方法判斷B與元件法線能否一致?5.可否用霍爾元件丈量交變磁場?11附錄實驗中霍爾元件的副效應及其除去方法(1)不等勢電壓降Vo如圖(5)所示,因為元件的丈量霍爾電壓的A、A′兩電極不可能絕對對稱地焊在霍爾片的兩圖(5)側(cè),地點不在一個理想的等勢面Is經(jīng)過,就有電壓上,所以,即便不加磁場,只需有電流Vo=Isr產(chǎn)生,此中r為A、A′所在的兩個等勢面之間的電阻,結(jié)果在丈量VH時,就疊加了Vo,使得VH值偏大,(當Vo與VH同號)或偏?。ó擵o與VH異號)。因為目前生產(chǎn)工藝水平較高,不等勢電壓很小,像本實驗用的霍爾元件試樣N型半導體硅單晶切薄片只有幾百微伏左右,故一般能夠忽視不計,也能夠用一支電位器加以均衡。在本實驗中,VH的符號取決于Is和B二者的方向,而Vo只與Is的方向相關,而與磁感覺強度B的方向沒關,所以Vo能夠經(jīng)過改變Is的方向予以除去。(2)熱電效應惹起的附帶電壓VE聽從統(tǒng)計如圖(6)所示,因為實質(zhì)V上載流子遷徙速率散布規(guī)律,構(gòu)成電流的載流子速度不一樣,若速度為v的載流子所受的洛侖茲力與霍爾電場的作使勁恰好抵消,則速度小于v的載流子遇到的洛侖磁力小于霍爾電場的作使勁,將向霍爾電場作使勁方向偏轉(zhuǎn),速度大于v的載流子遇到的洛侖磁力大于霍爾電場的作使勁,將向洛侖磁力力方向偏轉(zhuǎn)。這樣使得一側(cè)高速載流子許多,相當于溫度較高,另一側(cè)低速載流子許多,相當于溫度較低,進而在Y方向惹起溫差TA-TA′,由此產(chǎn)生的熱電效應,在A、A′電極上引入附帶溫圖(6)差VE,這類現(xiàn)象稱為愛延好森效應。這類效應的成立需要必定的時間,假如采納直流電則因為愛延好森效應的存在而給霍爾電壓的丈量帶來偏差,假如采納溝通電,則因為溝通變化快使得愛延好森效應來不及成立,能夠減小丈量偏差,所以在實質(zhì)應用霍爾元件片時,一般都采納溝通電。因為VE∝IsB,其符號與Is和B12圖(8)圖(7)的方向的關系跟VH是同樣的,所以不可以用改變Is和B方向的方法予以除去,但其引入的偏差很小,能夠忽視。熱磁效應直接惹起的附帶電壓VN如圖(7)所示因器件兩頭電流引線的接觸電阻不等,通電后在接點兩處將產(chǎn)生不一樣的焦爾熱,致使在X方向有溫度梯度,惹起載流子沿梯度方向擴散而產(chǎn)生熱擴散電流,熱流Q在z方向磁場作用下,近似于霍爾效應在Y方向上產(chǎn)生一附帶電場εN,相應的電壓VN∝QB,而VN的符號只與B的方向相關,與Is的方向沒關,所以可經(jīng)過改變B的方向予以除去。4)熱磁效應產(chǎn)生的溫差惹起的附帶電壓VRL如圖(8)所示,(3)中所述的X方向熱擴散電流,因載流子的速度統(tǒng)計散布,在Z的方向的磁場B作用下,和(2)中所述的同一道理將在Y方向產(chǎn)生溫度梯度TA-TA′,由此引入的附帶電壓VRL∝QB,VRL的符號只與B的方向相關,亦能除去。綜上所述,實驗中測得的A、A′之間的電壓除VH外還包括VO、VN、VRL和VE各電壓的代數(shù)和,此中VO、VN和VRH均經(jīng)過Is和B換向?qū)ΨQ丈量法予以除去。詳細方法是在規(guī)定了電流和磁場正、反方向后,分別丈量由以下四組不一樣方向的IS和B的組合的A、A′之間的電壓。設Is和B的方向均為正向時,測得A、A′之間電壓記為V1,即V1=VH+VO+VN+VRL+VE當+IS、+B時將B換向,而IS的方向不變,測得的電壓記為V2,此時VH、VN、VRL、VE均改號而VO符號不變,即當+IS、-B時V2=-VH+VO-VN-VRL-VE同理,依照上述剖析V3=VH-VO-VN-VRL+VE當-IS、-B時當-IS、+B時V4=-VH-VO+VN+VRL-VE求以上四組數(shù)據(jù)V1、V2、V3和V4的代數(shù)均勻值,可得V1V2V3V4VVHE因為VE符號與4IS和B二者方向關系和VH是同樣的,故沒法除去,但在非大電流,非強磁場下,VH>>VE,因13此VE可略而不計,所以霍爾電壓為VH

V1V2V3V44TH-S型螺線管磁場測定實驗組合儀使用說明書一、實驗裝置簡介TH-S型螺線管磁場測定實驗組合儀全套設施由實驗儀和測試儀兩大多半構(gòu)成。A、實驗儀1.長直螺線管長度L=28cm,單位長度的線圈匝數(shù)N(匝/米)和霍爾元件敏捷度KH均標明在實驗儀上。2.霍爾元件和調(diào)理機構(gòu)霍爾元件如圖(1)所示,它有兩對電極,A、A′電極用來丈量霍爾電壓VH,D、D′電極為工作電流電極,兩對電極用四線扁平線經(jīng)探桿引出,分別接到實驗儀的IS換向開關和VH輸出開關處?;魻栐拿艚荻菿H與載流子濃度n成反比,因半導體資料的載流子濃度n隨溫度變化而變化,故KH與溫度相關。實驗儀上給出了該霍爾元件在15℃時的KH值。實驗儀如圖(2)所示,探桿固定在二維(X、Y方向)圖(1)樣品表示圖調(diào)理支架上。此中Y方向調(diào)節(jié)支架經(jīng)過旋鈕Y調(diào)理探桿中心軸線與螺線管內(nèi)孔軸線位置,應使之重合。X方向調(diào)理支架經(jīng)過旋鈕X1、X2調(diào)理探桿的軸向地點。二維支架上設有X1、X2及Y測距尺,用來指示探桿的軸向及縱向地點。目前利用二維調(diào)理機構(gòu)的同類產(chǎn)品中,只好測試螺線管半邊軸向磁場散布曲線,沒法知足實驗要求。為此,本實驗儀特意設置了X1、X2兩個互補的軸向調(diào)理支架,實現(xiàn)了從螺線管一端到另一端的整個軸向磁場散布曲線的測試,且調(diào)理均衡,靠譜,讀數(shù)正確。同時也戰(zhàn)勝了目前另一些同類產(chǎn)品如探桿直接推拉法,滑輪拉線法等構(gòu)造粗拙、讀數(shù)禁止,易出故障的弊端。14儀器出廠前探桿中心軸線與螺線管內(nèi)孔軸線已按要求進行了調(diào)整,所以,實驗中,Y旋鈕無需調(diào)理。如操作者想使霍爾探頭從螺線管的右端移至左端,為調(diào)節(jié)順手,應先調(diào)理X1旋鈕,圖(2)實驗儀表示圖使調(diào)節(jié)支架X1的測距尺讀數(shù)X1從0.0→14.0cm,再調(diào)理X2旋鈕,使調(diào)理支架X2測距尺讀數(shù)X2從0.0→14.0cm,反之,要使探頭從螺線管左端移至右端,應先調(diào)理X2,讀數(shù)從14.0cm→0.0,再調(diào)理X1,讀數(shù)從14.0cm→0.0。霍爾探頭位于螺線管的右端,中心及左端,測距尺指示為:位置右端中心左端測距尺X101414讀數(shù)X20014(cm)3.工作電流IS及勵磁電流IM換向開關;霍爾電壓VH輸出開關。三組開關與對應的霍爾器件及螺線管線包間連線出廠前均已接好。B、測試儀(如圖(3)所示)1.“IS輸出”霍爾器件工作電流源,輸出電流0~10mA,經(jīng)過IS調(diào)理15圖(3)測試儀面板圖旋鈕連續(xù)調(diào)理。2.“IM輸出”0~1A。經(jīng)過IM調(diào)理旋螺線管勵磁電流源,輸出電流鈕連續(xù)調(diào)理。上述兩組恒流源讀數(shù)可經(jīng)過“丈量選擇”按鍵共用一只31/2位LED數(shù)字電流表顯示,按鍵測IM,放鍵測IS。3.直流數(shù)字電壓表312位數(shù)字直流毫伏表,供丈量霍爾電壓用。電壓表零位可經(jīng)過面板左下方調(diào)零電位器旋鈕進行校訂。二、技術指標1.勵磁恒流源IM0~1A,連續(xù)可調(diào),調(diào)理精度可達輸出電流1mA。12V。-3最大輸出負載電壓(溝通輸入電壓變化±電流穩(wěn)固度優(yōu)于1010%)。-3電流溫度系數(shù)<10℃。-3(負載由額定值變成負載穩(wěn)固度優(yōu)于10零)。電流指示31位發(fā)光管數(shù)字顯示,精度不低于20.5%。2.樣品工作恒流源IS輸出電流0~10mA,連續(xù)可調(diào),調(diào)理精度可在10μA。12V。-3最大輸出負載電壓(溝通輸入電壓變化±電流穩(wěn)固度優(yōu)于1010%)。-3電流溫度系數(shù)<10℃。3(負載由額定值變成負載穩(wěn)固度優(yōu)于10零)。電流指示31位發(fā)光管數(shù)字顯示,精度不低于2160.5%。3.直流數(shù)字毫伏表丈量范圍±20mV。312位發(fā)光管數(shù)字顯示,精度不低于0.5%。注:IS和IM兩組恒流源也可用于需要直流恒流供電的其余場合,用戶只需將“VH”短接,可按需要選用一組或兩組恒流源使用均可。三、使用說明1.測試儀的供電電源為~220V,50Hz。電源進線為單相三線。2.電源插座和電源開關均安裝在機箱反面,保險絲為0.5A,置于電源插座內(nèi)。3.霍爾器件各電極及線包引線與對應的雙刀開關之間連線出廠前均已接好。4.測試儀面板上的“IS輸出”、“IM輸出”和“VH輸入”三對接線柱應分別與實驗儀上的三對相應的接線柱正確連結(jié)。5.儀器開機前應將IS、IM調(diào)理旋鈕逆時針方向旋究竟,使其輸出電流趨于最小狀態(tài),而后再開機。6.調(diào)理實驗儀上X1及X2旋鈕,使測距尺X1及X2讀數(shù)均為零,此時霍爾探頭位于螺線管右端。實驗時,如要使探頭移至左端應先調(diào)理X1旋鈕,使X1由0→14cm,再調(diào)理X2旋鈕,使X2由0→14cm,如要使探頭右移,應先調(diào)理X2,再調(diào)理X1。注意:禁止莽撞操作,免得破壞設施。7.儀器接通電源后,預熱數(shù)分鐘即可進行實驗。8.“IS調(diào)理”和“IM調(diào)理”分別用來控制樣品工作電流IS和勵磁電流IM的大小。其電流隨旋鈕順時針方向轉(zhuǎn)動而增添,仔細操作,調(diào)理的精度分別可達10μA和lmA。IS和IM讀數(shù)可經(jīng)過“丈量選擇”按鍵來實

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