單晶硅片的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

準(zhǔn)等2性引用文件ASTMF42-02型測試方法ASTMF26向測試方法ASTMF84電阻率試驗方法ASTMF1391-93體碳含量測試方法ASTMF121-83體氧含量測試方法ASTMF1535載流子復(fù)合壽命實驗方法語和義TV：中心點厚度，是指一批厚度布情況；量是取56mm4）；陷；面位面積上位錯蝕坑數(shù)目來表示；1cm5條4AB)、。TV200±20um,測試點點；Vmm處41；TTV一變化應(yīng)小于其；鄰C90o3；（mm）他1。1（mm）m）ABC

DMax.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.125′125Ⅰ124.5150.5149.583.981.921.920.2125′125Ⅱ124.5165.5164.5108.8106.69.47.9156′156 155.5200.5199.5126.2124.115.914.91：ABCD1。1材料性質(zhì)導(dǎo)電類型：序號1硅片類型N摻雜劑磷(Phosphorous)2P硼(Boron)硅片電阻率：見下表；2mm4；m2；碳含量≤1.0ppma6。m表m量測試儀、光學(xué)顯微鏡、角度尺等。檢測項目導(dǎo)電類型、氧碳含量、單、單位錯密度、電阻率、6.4外觀和尺寸進(jìn)行全批次檢測報告。6.5判定驗規(guī)照。、和每40062400。提供明單，有，單和，每個有，能明分開。00檢驗要求抽樣硅片等級檢測工計劃檢驗項目具驗收A品檢驗要求抽樣硅片等級檢測工計劃檢驗項目具驗收A品B品標(biāo)準(zhǔn)崩邊長寬≦1mm*1mm崩邊硅落長寬≦不穿透。硅落長寬厚崩邊/0.3mm*0.2mm≦硅落透。1.5mm*1.5mm*100um。目測數(shù)量≤2數(shù)量≤4粗糙測切割線線痕深≦15um外 線痕深≦30um。試儀全痕 無密集線痕。觀日光燈檢缺口長寬≦ 長寬≦1mm*0.5mm，缺角/(≥0.2mm*0.1mmV缺角，缺口1000Lux)型缺口缺角 數(shù)量≤2。長≦10mm,深不毛邊/不能延伸能延伸到硅片表面亮點0.3mm。0.1mm。

2

slip

slip

度 尺寸125′125Ⅰ125′125Ⅱ

Max Min Max Min125.5124.5150.5149.5125.5124.5165.5164.5

11

O） 90±寸0.36′156.5155.5200.5199.5156200±20μm（中心TV點）≤30μm（1

抽200±30μm檢測厚儀/TTV

6mm點）

≤50μm

千分表翹曲度 ≤70μm ≤100μm度號

截取≤3000/cm2 ≤3000/cm2 顯微鏡N型/P型 N型/P型 型號儀部電阻率測2mm電阻率0.5Ω.cm—3.5Ω.cm/1.0Ω.cm—3.0Ω.cm試儀 性氧含量 ≤20ppma FTIR氧進(jìn)行能碳含量 ≤1.0ppma

碳含量測測試儀 試.。退火少子壽命

后測壽命測試≥100μs/15μs 電阻儀后測后測試少子壽命。1等2性引用文件2.1ASTMF42-02型測試方法2.2ASTMF84電阻率試驗方法ASTMF1391-93體碳含量測試方法ASTMF121-83體氧含量測試方法ASTMF1535載流子復(fù)合壽命實驗方法語和義TV：中心點厚度，是指一批厚度布情況；量是取54）；邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；1cm5條4AB。5TV200±20um,測試點點；Vmm處41；TTV一變化應(yīng)小于其；鄰C0o3。（mm）D（弧長投A（邊長） B（對）（mm）D（弧長投A（邊長） B（對）C（直段長）（mm） 影Max. Min. Max. Min.Max.Min.Max. Min.6 55776 9 0.351ABCD1。1PB)；；；。6檢測設(shè)備和檢測方法檢測環(huán)境室溫有良好照明（光照度≥1000Lux）。檢測設(shè)備游標(biāo)卡（0.01mm）厚度測試儀/千表量測試儀光學(xué)顯微鏡角度等。檢測方案：考并提供每個批次的檢測報告。檢驗結(jié)果的判定包裝儲存和運輸要求40062400需提供明細(xì)裝箱單包裝上要有體編號清單和實物一一對應(yīng)每個小包裝要有體編號，不同體編號放在同一包裝要能明確區(qū)開。00施。檢驗要求抽硅片等級樣計檢測工劃檢驗項目具驗A品B品收標(biāo)準(zhǔn)崩邊長寬≦1mm*1mm檢驗要求抽硅片等級樣計檢測工劃檢驗項目具驗A品B品收標(biāo)準(zhǔn)崩邊長寬≦1mm*1mm崩邊硅落長寬≦目測不穿透。硅落長寬/0.3mm*0.2mm粗糙測全厚≦觀硅落透。試儀檢1.5mm*1.5mm*100um日光燈數(shù)量≤2數(shù)量≤4， (≥

。1000Lux)

m≤2毛邊/亮點

能延伸到硅片表面0.1mm。

伸到硅片表面0.3mm。油污殘膠明顯水跡輕微表面清

清洗污跡

成片油污殘行如硅片之間的潔度摩擦產(chǎn)生印跡以2凹凸印跡

膠水跡。肉眼劃傷感劃傷。

日光燈下明顯感劃傷。其他

應(yīng)力裂紋孔及明顯凹坑傷微晶目傷微晶目≦10pcs/cm 10pcs/cm(mm)

全差 度

Max Min Max

㎜(O)90±

晶錠尺

156.5155.5

0.5-2

0.3 寸TVTTV

00m≤0m1

200±30μm≤50μm

抽檢測厚儀/千分表和6mm4）翹曲≤7