模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題課件

第一章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路一、填空：1．半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于_______和_______之間的物質(zhì)。2．利用半導(dǎo)體的_______特性，制成雜質(zhì)半導(dǎo)體；利用半導(dǎo)體的_______特性,制成光敏電阻，利用半導(dǎo)體的_______特性,制成熱敏電阻。3．PN結(jié)加正向電壓時_______，加反向電壓時_______，這種特性稱為PN結(jié)的_______特性。

4．PN結(jié)正向偏置時P區(qū)的電位_______N區(qū)的電位。導(dǎo)體絕緣體摻雜光敏熱敏單向?qū)щ娊刂垢哂趯?dǎo)通模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875．二極管正向?qū)ǖ淖钚‰妷悍Q為______電壓，使二極管反向電流急劇增大所對應(yīng)的電壓稱為_______電壓.

6．二極管最主要的特性是

，使用時應(yīng)考慮的兩個主要參數(shù)是

和

_。

7．在常溫下，硅二極管的死區(qū)電壓約_______V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約_______V。

死區(qū)單向?qū)щ姄舸┳畲笳麟娏?/p>

最大反向工作電壓0.50.7模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878．在常溫下，鍺二極管的死區(qū)電壓約為_______V，導(dǎo)通后在較大電流的正向壓降約為_______V。9．半導(dǎo)體二極管加反向偏置電壓時，反向峰值電流越小，說明二極管的__

_____性能越好。

10．穩(wěn)壓管工作在伏安特性的________區(qū)，在該區(qū)內(nèi)的反向電流有較大變化，但它兩端的電壓

_______。0.1V0.3單向?qū)щ姺聪驌舸┗静蛔兡M電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438711．理想二極管正向電阻為________，反向電阻為_______，這兩種狀態(tài)相當(dāng)于一個_______。

12．當(dāng)溫度升高時，二極管的正向特性曲線將________，反向特性曲線將_______。13．當(dāng)溫度升高時，二極管的正向電壓降_______，反向擊穿電壓________，反向電流________。

0無窮大開關(guān)左移下移減小減小增大模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

14.整流電路的作用是

________，核心元器件是_______。15.濾波電路的作用是_

______

_，濾波電路包含有_______元件。16.單相半波整流，單相橋式整流相比，脈動比較大的是_______，整流效果好的是_______。17.在單相橋式整流電路中，如果任意一個二極管反接，則________，如果任意一只二極管脫焊，則

_______。將交流電變成脈動的直流電二極管降低輸出直流電中的脈動成分儲能單相半波單相橋式電源短路成為半波整流模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387二、選擇題：1.二極管的導(dǎo)通條件是()。

A.B.死區(qū)電壓C.擊穿電壓。2.硅二極管的正向電壓在0.7V的基礎(chǔ)上增加10％，它的電流()。

A.基本不變B.增加10％C.增加10％以上3.硅二極管的正向電壓在0.3V的基礎(chǔ)上增大10％，它的電流()。A.基本不變B.增加10％C.增加10％以上4.用萬用表的檔和檔分別測量一個正常二極管的正向電阻，兩次測量值分別為和，則與的關(guān)系為()。A.B.C.

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.當(dāng)溫度為時，二極管的導(dǎo)通電壓為0.7V，若其他參數(shù)不變，當(dāng)溫度升高到時，二極管的導(dǎo)通電壓將()。A.等于0.7VB.小于0.7VC.大于0.7V6.如圖所示，二極管均為理想元件，則VD1、VD2、VD3的工作狀態(tài)為()。A.VD1導(dǎo)通，VD2、VD3截止B.VD2導(dǎo)通，VD1、VD3截止C.VD3導(dǎo)通，VD1、VD2截止

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878.電路如圖所示,VD1～VD3為理想二極管,A、B、C白熾燈泡額定功率相同，其中最亮的燈是_______。A.BB.CC.A

7.在圖示電路中穩(wěn)壓管VDZ1的穩(wěn)定電壓為9V，VDZ2的穩(wěn)定電壓為15V，輸出電壓等于()。A．15VB．9VC．24V模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843879．理想二極管橋式整流和電阻性負(fù)載電路中，二極管承受的最大反向電壓為_______。A．小于B.等于C.大于，小于D.等于10．單相橋式整流電容濾波電路，當(dāng)滿足（3～5）時，負(fù)載電阻上的平均電壓為_______。A.1.1U2B.0.9U2C.1.2U2D.0.45U2模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438711．所示電路圖中，（忽略導(dǎo)通壓降）用示波器觀察的波形正確的是_______。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438712.有三個整流電路A、B、C，變壓器副邊電壓，負(fù)載電壓的波形如圖所示，符合該波形的電路是_______。

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387三、判斷題1.在二極管的反向截至區(qū)，反向電流隨反向電壓增大而增大。（）2.如果穩(wěn)壓管工作電流則管子可能被損壞。（）3.指針式萬用表的紅表筆（正端）接二極管的正極，黑表筆（負(fù)端）接二極管的負(fù)極，測得的是二極管的正向電阻。（）4.橋式整流電路中，流過每個二極管的平均電流相同，都只有負(fù)載電流的一半。（）5.當(dāng)變壓器中心抽頭式全波整流電路和橋式整流電路的輸入電壓相同時，它們的輸出電壓波形相同，每個二級管承受的反向電壓相同。（）×××√×模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387四、分析計算：1.判斷下列電路中二極管的工作狀態(tài)。

VD1導(dǎo)通，VD2截止VD截止模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843872.圖所示，設(shè)二極管導(dǎo)通壓降為0.7V，判斷二極管是否導(dǎo)通，并求輸出電壓。

截止0V

導(dǎo)通+11.3V

截止+6V

導(dǎo)通+0.7V

導(dǎo)通-12.7V

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843873.圖所示，設(shè)二極管導(dǎo)通壓降為0.7V，判斷二極管是否導(dǎo)通，并求輸出電壓。

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843874.圖所示，設(shè)二極管導(dǎo)通壓降為0.7V，判斷二極管是否導(dǎo)通，并求輸出電壓。

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.電路如圖所示，設(shè)，，二極管的正向壓降忽略不計，試在圖中分別畫出的波形。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.電路如圖所示，設(shè)，，二極管的正向壓降忽略不計，試在圖中分別畫出的波形。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.電路如圖所示，設(shè)，，二極管的正向壓降忽略不計，試在圖中分別畫出的波形。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843876．圖示電路中，已知2CW5的參數(shù)如下：穩(wěn)定電壓，最大穩(wěn)定電流，若流經(jīng)電壓表V的電流可忽略不計。求：1)開關(guān)S合上時，電壓表V、電流表A1和電流表A2的讀數(shù)為多少？2)開關(guān)S打開時，流過穩(wěn)壓管的電流為多少？3)開關(guān)S合上，且輸入電壓由原來30V上升到33V時，此時電壓表V、電流表A1和電流表A2的讀數(shù)為多少？

V：12VA1：12mAA2：6mAIZ：12mAV：12VA1：14mAA2：6mA模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843877.電路如圖所示，試估算輸出電壓和，并標(biāo)出輸出電壓對地極性。-+-45V+9V模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878．電容濾波橋式整流電路及輸出電壓極性如圖所示(V)試求：（1）畫出圖中4只二極管和濾波電容（標(biāo)出極性）；（2）正常工作時，Uo=？（3）若電容脫焊，Uo=？（4）若RL開路，Uo=？（5）若其中一個二極管開路，Uo=？12V9V14V10V模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843879.電容濾波橋式整流電路及輸出電壓極性如圖所示，(V)試求：（1）畫出圖中4只二極管和濾波電容（標(biāo)出極性）；（2）正常工作時，Uo=？（3）若電容脫焊，Uo=？（4）若RL開路，Uo=？（5）若其中一個二極管開路，Uo=？28V18V24V20V模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710.試分析圖示電路的工作原理，標(biāo)出電容電壓的極性和數(shù)值，并標(biāo)出電路能輸出約多少大的輸出電壓和極性。約＋＋＋＋模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387第二章半導(dǎo)體三極管一、填充題1.三極管從結(jié)構(gòu)上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿兩種類型。2.晶體三極管工作時有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿兩種載流子參與導(dǎo)電，因此三極管又稱為＿＿＿＿＿＿晶體管。3.設(shè)晶體管的壓降不變，基極電流為20μA時，集電極電流等于2mA，則=____。若基極電流增大至25μA，集電極電流相應(yīng)地增大至2.6mA，則=____。100120NPNPNP自由電子空穴雙極型模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843874.三極管的電流放大作用是指三極管的＿＿＿＿＿電流約是＿＿＿＿＿電流的倍，即利用＿＿＿＿＿電流，就可實現(xiàn)對＿＿＿＿＿電流的控制。5.某三極管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20μA，穿透電流Iceo=0則其集電極電流等于____

，電流放大系數(shù)β等于____。6.當(dāng)三極管工作在＿＿＿＿區(qū)時，關(guān)系式IC≈βIB才成立，發(fā)射極＿＿＿＿偏置，集電極＿＿＿＿偏置。7.當(dāng)三極管工作在＿＿＿＿區(qū)時，IC≈0；發(fā)射極＿＿＿

＿偏置，集電極＿＿＿偏置。集電極基極基極集電極0.98mA49放大正向反向截止零或反向反向模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878.當(dāng)三極管工作在＿＿＿＿區(qū)時，UCE≈0。發(fā)射極＿＿＿＿偏置，集電極＿＿＿＿偏置。9.當(dāng)NPN硅管處在放大狀態(tài)時，在三個電極電位中，以＿＿＿＿極的電位最高，＿＿＿＿極電位最低，＿＿＿＿極和＿＿＿＿極電位差等于＿＿＿＿。10.當(dāng)PNP鍺管處在放大狀態(tài)時，在三個電極電位中，以＿＿＿＿極的電位最高，＿＿＿＿極電位最低，UBE等于＿＿＿＿。11.晶體三極管放大電路中三個電極的電位分別為,試判斷三極管的類型是＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。集電飽和正向發(fā)射基0.7V正向發(fā)射發(fā)射集電-0.3VPNP鍺模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438712.晶體三極管放大電路中三個電極的電位分別為，,三個電極分別1為＿＿＿＿＿＿，2為＿＿＿＿＿＿，3為＿＿＿＿＿＿。13.溫度升高時，三極管的電流放大倍數(shù)β將＿＿＿＿；穿透電流ICEO將＿＿＿＿；發(fā)射極電壓UBE將＿＿＿＿。14.溫度升高時，三極管的共射輸入特性曲線將____移，輸出特性曲線將____移，而且輸出特性曲線之間隔將變____。

CEB增大增大減小左上寬模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438715.查閱電子器件手冊，了解下列常用三極管的極限參數(shù)，并記錄填寫在下表中16.某放大電路，當(dāng)輸入電壓為10mV時，輸出電壓為7V，當(dāng)輸入電壓為15mV時，輸出電壓為6.5V。則該電路的電壓增益為＿＿＿＿＿＿。17.直流放大器能放大＿＿＿＿＿＿，交流放大器能放大＿＿＿＿＿＿。

－100交直流信號交流信號模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438718.當(dāng)靜態(tài)工作點設(shè)置偏低時，會引起＿＿＿＿失真，單級共射放大電路輸出電流波形的＿＿＿半周產(chǎn)生削波，需將基極上偏置電阻的值調(diào)＿＿＿。19.當(dāng)靜態(tài)工作點設(shè)置偏高時，會引起＿＿＿＿失真，單級共射放大電路輸出電壓波形的＿＿＿半周產(chǎn)生削波，需將基極上偏置電阻的值調(diào)＿＿＿。20.造成放大電路靜態(tài)工作點不穩(wěn)定的因素很多，其中影響最大的是＿＿＿＿＿＿

。21.三種基本組態(tài)的放大電路中，與相位相反的是

電路，與相位相同是

電路。截止負(fù)小飽和負(fù)大溫度引起的參數(shù)變化共發(fā)放大共基和共集放大模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438722.三種基本組態(tài)的放大電路中，有電壓放大無電流放大的是＿＿＿＿＿＿電路，有電流放大無電壓放大的是＿＿＿＿＿＿電路，既有電壓放大又有電流放大的是＿＿＿＿＿電路。23.分壓偏置的共射極放大電路中的作用是＿＿＿＿＿

＿。24.多級放大電路常見的耦合方式有＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿。共基極共集電極共射極穩(wěn)定靜態(tài)工作點直接阻容變壓器模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438725.直接耦合放大電路既能放大＿＿＿＿＿＿信號，又能放大＿＿＿＿＿信號，但它存在零漂的問題，常采用＿＿＿＿放大電路來抑制零漂。26.多級放大電路與單級放大電路相比，電壓增益變＿＿＿＿，通頻帶變＿＿＿＿。交直流交流差動大窄模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387二、選擇題1．當(dāng)三極管的兩個PN結(jié)都反偏時，則三極管處于()。

A.截止?fàn)顟B(tài)B.飽和狀態(tài)C.放大狀態(tài)D.擊穿2．當(dāng)三極管的兩個PN結(jié)都正偏時，則三極管處于()。

A.截止?fàn)顟B(tài)B.飽和狀態(tài)C.放大狀態(tài)D.擊穿3.測得放大電路中某晶體管三個電極對地的電位分別為6V、5.3V和-6V，則該三極管的類型為（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.鍺PNP型D.鍺NPN型

4.測得放大電路中某晶體管三個電極對地的電位分別為8V、2.3V和2V，則該三極管的類型為（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.鍺PNP型D.鍺NPN型

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.測得放大電路中某晶體管三個電極對地的電位分別為6V、5.3V和12V，則該三極管的類型為（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.鍺PNP型D.鍺NPN型

6.測得放大電路中某晶體管三個電極對地的電位分別為6V、5.7V和-6V，則該三極管的類型為（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.鍺PNP型D.鍺NPN型

7、檢查放大器中晶體管在靜態(tài)時是否進入截止區(qū)，最簡便的方法是測量（）。

A.IBQB.UBEQC.

ICQ

D.UCEQ8.放大器中晶體管在靜態(tài)時進入飽和區(qū)的條件（）。

A.IB>IBSB.IB<IBSC.UBEQ>死區(qū)電壓D.UBEQ=導(dǎo)通壓降模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843879、工作在放大狀態(tài)的雙極型晶體管是（）。

A.電流控制元件B.電壓控制元件C.不可控元件10、用直流電壓表測得三極管電極1、2、3的電位分別為V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，則三個電極為（）。

A.1為e；2為b；3為cB.1為e；2為c；3為bC.1為b；2為e；3為cD.1為b；2為c；3為e11．用直流電壓表測得三極管電極1、2、3的電位分別為V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，則三個電極為（）。

A.1為e；2為b；3為cB.1為e；2為c；3為bC.1為b；2為e；3為cD.1為b；2為c；3為e模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438712.處于放大狀態(tài)的NPN型晶體管，各電極的電位關(guān)系是_______。

A.VB＞VC＞VEB.VE＞VB＞VC

C.VC＞VB＞VED.VC＞VE＞VB13.處于放大狀態(tài)的PNP型晶體管，各電極的電位關(guān)系是_______。

A.VB＞VC＞VEB.VE＞VB＞VC

C.VC＞VB＞VED.VC＞VE＞VB14.三極管共發(fā)射極輸出特性常用一組曲線來表示，其中每一條曲線對應(yīng)一個特定的____。

A．icB．uCE；C．iB；D．iE模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438715．放大電路的三種組態(tài)，都有()放大作用。

A.電壓B.電流C.功率

16．固定偏置放大電路中，晶體管的β＝50，若將該管調(diào)換為β=80的另外一個晶體管，則該電路中晶體管集電極電流將()。A.增加B.減少C.基本不變17．測得某放大電路負(fù)載開路時的輸出電壓為4V，接入的負(fù)載2KΩ后，測得輸出電壓為2.5V，則該放大電路的輸出電阻為()。

A.1.2kΩB.1.6kΩC.3.2kΩD.10kΩ

18．單級共射極放大電路，輸入正弦信號，現(xiàn)用示波器觀察輸入電壓ui和晶體管集電極電壓uc的波形，二者相位()。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438719．共基極放大電路，輸入正弦信號，現(xiàn)用示波器觀察輸入電壓ui和晶體管集電極電壓uc的波形，二者相位()。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700

20．固定偏置共射極放大電路，已知VCC＝12V，RC=3KΩ，β＝40,忽略UBE,若要使靜態(tài)時UCE＝9V，則RB應(yīng)取()。

A.600KΩB.240KΩ

C.480KΩD.360KΩ

21．固定偏置共射極放大電路,VCC＝10V，硅晶體管的β＝100,RB=100KΩ，RC=5KΩ，則該電路中三極管工作在()。

A.放大區(qū)B.飽和區(qū)C.截止區(qū)D.無法確定模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438722.固定偏置共射極放大電路,VCC＝10V，硅晶體管的β＝100,RB=680KΩ，RC=5KΩ，則該電路中三極管工作在()。

A.放大區(qū)B.飽和區(qū)C.截止區(qū)D.無法確定23．圖所示交流通路中三極管的Rbe=3KΩ，β＝100,則該電路的輸入電阻Ri為()。

A.100ΩB.3KΩC.3.1KΩD.13.1KΩ模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438724.分壓式偏置放大電路，為使穩(wěn)定靜態(tài)工作點的效果更好一些，而且對放大電路其它性能不產(chǎn)生影響，哪種設(shè)置更合理（）。

A.I1=4IBVB=4VB.I1=8IBVB=8VC.I1=8IBVB=4VD.I1=4IBVB=8V

25．有兩個電壓放大倍數(shù)Au=100的放大電路A和B，分別對同一具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大，在相同的負(fù)載電阻RL的情況下，測得uoa=4.5V，uob=4.6V,則知B放大電路的（）。

A.輸入電阻小B.輸入電阻大C.輸出電阻小B.輸出電阻大26.直接耦合放大電路能放大＿＿＿＿。A.直流信號B.交流信號C.交直流信號。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438727.阻容耦合放大電路能放大＿＿＿＿。A.直流信號B.交流信號C.交直流信號。28.阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于（）的存在。A．耦合電容與旁路電容B．極間電容和分布電容C．晶體管的非線性29.阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號，高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于（）存在。A．耦合電容與旁路電容B．極間電容和分布電容C．晶體管的非線性30.已知多級放大電路Au1=20dB,Au2=40dB,則電路總的電壓放大倍數(shù)Au為（）dB。A．80B．800C．60D.20模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438731.已知多級放大電路Au1=100、Au2=10,則電路總的電壓放大倍數(shù)Au為（）。

A．100B．1000C．110D.110032.兩個相同的單級共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為30，現(xiàn)將它們級連后組成一個兩級放大電路，則總的電壓放大倍數(shù)（）。

A．等于60B.等于900C.小于900D.大于900模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387三、判斷題：1.晶體三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，二極管包含有一個PN結(jié)，因此可以用兩個二極管反向串接來構(gòu)成三極管。（）2.晶體三極管只有測得UBE>UCE才工作在放大區(qū)。（）3.晶體三極管三個電極上的電流總能滿足IE=IC+IB的關(guān)系。（）4.晶體三極管集電極和基極上的電流總能滿足IE=βIC的關(guān)系。（）5.只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用。（）6.晶體三極管放大電路都有功率放大作用。（）√√××××模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843877.電路中各電量的交流成分是交流信號源提供的。（）8.放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。（）9.由于放大的對象是變化量，所以當(dāng)輸入信號為直流信號時，任何放大電路的輸出都毫無變化。（）10.只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（）√×××模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438711.現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為-100，將它們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數(shù)應(yīng)為10000。（）12.阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立，它只能放大交流信號。（）13.直接耦合多級放大電路各級的Q點相互影響，它只能發(fā)放大直流信號。（）14.只有直接耦合放大電路中晶體管的參數(shù)才隨溫度而變化。（）√×××模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387四、分析計算題1.固定偏置三極管放大電路如圖所示，輸入正弦交流電時，輸出波形如圖所示，試判斷電路有無失真？是什么失真？產(chǎn)生該失真的原因是什么？如何改善這種失真？

RB↑模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843872.電路如圖所示，測得圖a)所示放大電路的輸出電壓波形如圖b)所示。（1）是什么失真？（2）分析產(chǎn)生該失真的原因；（3）說明消除該失真的方法。RB↓模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843873.放大電路如圖所示，判斷下列電路能否正常放大交流信號，請寫出為什么不能放大的理由？模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843873.放大電路如圖所示，判斷下列電路能否正常放大交流信號，請寫出為什么不能放大的理由？模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843874.電路如圖所示，晶體管β=100，UBE=0.7V。1)求靜態(tài)工作點；2)畫出微變等效電路；3)求電壓放大倍數(shù)Au，輸入電阻Ri和輸出電阻Ro；4)若改為β=120，則Au變?yōu)槎啻?？模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843876.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843876.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843876.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843877.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843877.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843877.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843879.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843879.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843879.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438711.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438711.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387第三章場效應(yīng)晶體管及其放大電路一、填充題1、M0S管的結(jié)構(gòu)由

、

和

組成。2、絕緣柵型場效應(yīng)管按導(dǎo)電溝道的分有

和

兩類，其每一類又可

和

兩種。3、場效應(yīng)管與雙極晶體管比較，______為電壓控制器件，______為電流控制器件，______的輸入電阻高。4、場效應(yīng)管有______種載流子參與導(dǎo)電，故場效應(yīng)管又稱______型元件。金屬氧化物半導(dǎo)體

N溝道P溝道增強型耗盡型

1單極場效應(yīng)管雙極型晶體管場效應(yīng)管

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875、______MOS管開啟電壓＞0，______MOS管開啟電壓＜0。6、______MOS管的夾斷電壓＞0，______MOS管的夾斷電壓＜0。7、使用場效應(yīng)管時應(yīng)特別注意對______極的保護，尤其是絕緣柵管，在不用時應(yīng)將三個電極___________。N溝道P溝道

P溝道N溝道

柵短接

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878、某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如左圖a）所示，由此可知該管是_______溝道_______型的絕緣柵場效應(yīng)管，________V。9、某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如右圖b)所示，由此D可知該管是_______溝道_______型的絕緣柵場效應(yīng)管，______,______。P溝道增強型－2V

N溝道耗盡型6mA－6V

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710、某場效應(yīng)管的輸出特性如圖所示，由此可知該管是_______溝道_______型的絕緣柵場效應(yīng)管，________。11、某場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，當(dāng)時，，當(dāng)時，，則該管的低頻跨導(dǎo)為______。12、自偏壓電路只適用于______型的場效應(yīng)管放大電路。N溝道增強型2V

3

耗盡

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387二、選擇題1、場效應(yīng)管用（）控制漏極電流。

A.基極電壓B.柵源電壓C.基極電流D.柵極電流2、表征場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)是（）。

A.B.C.D.

3、N溝道增強型場效應(yīng)管處于放大狀態(tài)時要求（）。

A.B.C.D.

4、P溝道增強型場效應(yīng)管處于放大狀態(tài)時要求（）。

A.B.C.D.

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875、廣義地說，結(jié)型場效應(yīng)管應(yīng)該____。A.屬于耗盡型管B.屬于增強型管C.不屬于耗盡型管D.不屬于增強型管6、場效應(yīng)管自生偏置電路中的電阻Rg，的作用是____。A.提供偏置電壓B.提供偏置電流C.防止輸入信號短路D.泄放柵極可能出現(xiàn)的感應(yīng)電荷以防管子擊穿7．圖示是某場效應(yīng)管的特性曲線。據(jù)圖可知，該管是____。A.P溝道結(jié)型管B.N溝道結(jié)型管C.P溝道耗盡型MOS管D.N溝道增強型MOS管模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878.圖示是某場效應(yīng)管的特性曲線。據(jù)圖可知，該管是____。A.P溝耗盡型MOS管B.N溝道耗盡型MOS管C.P溝增強型MOS管D.N溝增強型MOS管模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387差模共模

0.021.99

直接零點漂移

對稱

AUD和AUC抑制共模信號模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387好強大

△UO/△UID有用△UOC/△UIC無用

單管電壓增益零無窮大

兩個兩個四雙端輸入雙端輸出單端輸入雙端輸出雙端輸入單端輸出單端輸入單端輸出模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387四、分析計算題雙端輸出差動放大電路如圖所示，已知

RC1=RC2=2KΩ,RE=5.1KΩ,兩管的UBE=0.7V，

β=50，Rbe=2KΩ，求：(1)靜態(tài)電流ICQ1、UCEQ；

(2)差模電壓放大倍數(shù)AuD、RiD、ROD。

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387電壓串聯(lián)并聯(lián)電流電壓增大電流減小并聯(lián)電壓電流串聯(lián)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387225模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387三、判斷題：1.若放大電路的放大倍數(shù)為負(fù)，則引入的反饋一定是負(fù)反饋。（×）2.若放大電路引入負(fù)反饋，則負(fù)載電阻變化時，輸出電壓基本不變。（×）3.在負(fù)反饋放大電路中放大器的放大倍數(shù)越大，閉環(huán)放大倍數(shù)就越穩(wěn)定。（×）4.在負(fù)反饋放大電路中，在反饋系數(shù)較大的情況下，只有盡可能地增大開環(huán)放大信號，才能有效地提高閉環(huán)放大倍數(shù)。（×）5.在深度負(fù)反饋的條件下，閉環(huán)放大倍數(shù)AF≈1/F，它與負(fù)反饋有關(guān)。而與放大器開環(huán)放大倍數(shù)A無關(guān)，故此可以省去放大通路，僅留下反饋網(wǎng)絡(luò)，來獲得穩(wěn)定的放大倍數(shù)。（×）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843876.在深度負(fù)反饋的條件下，由于閉環(huán)放大倍數(shù)

AF≈1/F，與管子參數(shù)幾乎無關(guān)，因此，可以任意選用晶體管來組成放大級，管子的參數(shù)也就沒什么意義了。（√）7.負(fù)反饋只能改善反饋環(huán)路內(nèi)的放大性能，對反饋環(huán)路外無效。（√）8.若放大電路負(fù)載固定，為使其電壓放大倍數(shù)穩(wěn)定，可以引入電壓負(fù)反饋，也可以引入電流負(fù)反饋。（×）9.電壓負(fù)反饋可以穩(wěn)定輸出電壓，流過負(fù)載的電流也就必然穩(wěn)定。因此電壓負(fù)反饋和電流負(fù)反饋都可以穩(wěn)定輸出電流，在這一點上電壓負(fù)反饋和電流負(fù)反饋沒有區(qū)別。（×）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710.負(fù)反饋能減小放大電路的噪聲，因此無論噪聲是輸入信號中混合的還是反饋環(huán)路內(nèi)部產(chǎn)生的，都能使輸出端的信噪比得到提高。（×）11.由于負(fù)反饋可展寬頻帶，所以只有負(fù)反饋足夠深，就可以用低頻管代替高頻管組成放大電路來放大高頻信號。（×）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387四、分析判斷題

電路如圖所示，判別下列反饋電路的交直流組態(tài)和極性。

交直流電壓并聯(lián)正反饋

交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋

1.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

直流電流串聯(lián)負(fù)反饋交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋

2.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交直流電流串聯(lián)正反饋交直流電壓并聯(lián)正反饋

3.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋交直流電流串聯(lián)正反饋4.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋

5.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋

6.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋交直流電壓串聯(lián)正反饋

7.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋

8.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋交流電壓并聯(lián)正反饋

9.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋交流電流串聯(lián)正反饋10.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387

交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋交流電壓并聯(lián)負(fù)反饋

11.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387第六章集成運算放大器基本應(yīng)用電路∞∞0線性非線性

虛斷虛短

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843874.下圖中圖＿＿為＿＿＿輸入方式比例運算電路

i1≈iF、uN≈0;圖＿＿為＿＿＿輸入方式比例運算電路i1≈iF、uN≠0。a反相

b同相

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.單值電壓比較器有＿＿＿＿個門限電壓，遲滯電壓比較器有＿＿＿＿個門限電壓。6.電壓傳輸特性如圖所示，參考電壓是________V，輸出電壓是________V；輸入信號加在________輸入端。7.遲滯電壓比較器回差電壓的大小與＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿有關(guān)。21

±10－2

反相

UTH1UTH2模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387BAAAB模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387BAACB模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387三、判斷題：1.運算電路中一般均引入負(fù)反饋。（√）2.在運算電路中，集成運放的反相輸入端均為虛地。（×）3.凡是集成運算放大器構(gòu)成的電路都可以利用“虛短”和“虛斷”的概念。（×）4.處于線性工作狀態(tài)的實際集成運放，在實現(xiàn)信號運算時，兩個輸入端對地的直流電阻需相等，才能防止輸入偏置電流帶來的運算誤差。（√）5.在反相求和電路中，集成運放的反相輸入為虛地點，流過反饋電阻的電流基本上等于各輸入電流之和。（√）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387四、計算題模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387反相比例

雙端輸入方式

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387減法電壓跟隨器反相加法模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438715.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438716.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387單值電壓比較

17.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387單值電壓比較

18.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387uP>uNuN>uP-UO(sat)+UO(sat)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387遲滯電壓比較

4V-4V6V-6V6V4V<4V>4V-6V-4V～>-4V<-4V<-4V4V-4V····6V-6V6V06V-6V19.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387遲滯電壓比較

·uP··20.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387單值電壓比較

21.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387甲乙甲乙

輸出輸出功率

大高小POPEPV

η

40W交越無靜態(tài)工作點

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387BABABC模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387CCC模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387三、判斷題1、在功率放大電路中，輸出功率越大，功放管的功耗越大。（）2、功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。（）3、由于功率放大電路中的晶體管也處于放大信號工作狀態(tài)，所以也可采用微變等效電路方法。（）×√×模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387四、分析計算題

OTL互補對稱功放如圖所示，試問：1）三極管V1、V2、V3、V4、V5為那種工作類型？2）靜態(tài)時，電容C兩端電壓應(yīng)是多少？調(diào)整哪個電阻能滿足這一要求？3）動態(tài)時，如輸出電壓uO出現(xiàn)圖示的波形，則為何種失真？應(yīng)調(diào)整哪個電阻？如何調(diào)整？

1)V1、V3構(gòu)成NPN型復(fù)合管；V2、V4構(gòu)成PNP型復(fù)合管；兩復(fù)合管構(gòu)成互補對稱電路，工作在甲乙類；V5工作在甲類。

2)1/2VCCRP13)交越失真

RP2，將其增大模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387基本放大電路反饋網(wǎng)絡(luò)選頻網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)幅RCLC石英晶體模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.圖所示電路要組成一個正弦波振蕩電路，填空回答下列問題(1)電路的聯(lián)接①—

；②—

；③—

；④—

。(2)若要提高振蕩頻率可________。（A、增大R；B、減小C；C、增大R1；D、減小R2）(3)若振蕩器輸出正弦波失真應(yīng)________。(A、增大R；B、增大R1；C、增大R2)7586BB模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387二、選擇題：1、正弦波振蕩器一般由（）組成。

A.基本放大電路和反饋網(wǎng)絡(luò)B.基本放大電路和選頻網(wǎng)絡(luò)，C.基本放大電路、反饋網(wǎng)絡(luò)和選頻網(wǎng)絡(luò)。

2、正弦波振蕩電路的輸出信號最初是由（）中而來。

A.基本放大電路B.干擾或噪音信號C.選頻網(wǎng)絡(luò)3、正弦波振蕩電路的振蕩頻率由()而定。

A.基本放大電路B.反饋網(wǎng)絡(luò)C.選頻網(wǎng)絡(luò)CBC模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843874、RC振蕩電路如圖所示，該電路的輸出電壓波形為（）。

A．正弦波B．矩形波C．三角波D．鋸齒波A模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875、RC正弦振蕩電路中，設(shè)理想運放，和阻值適當(dāng)，,則其振蕩頻率約為（）。

A.15.9HzB.159HzC.999HzD.99.9Hz6、在實驗室要求正弦波發(fā)生器的頻率是10Hz～10kHz,應(yīng)選用（）；電子設(shè)備中要求，應(yīng)選用（）；某儀器要求正弦波振蕩器的頻率在10MHz～20MHz，可選用()

A.RC振蕩器B.LC振蕩器C.石英晶體振蕩器

BACB模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387三、判斷題：1、從結(jié)構(gòu)上來看，正弦波振蕩器是一個沒有輸入信號的帶選頻網(wǎng)絡(luò)的正反饋放大器。（）2、只要有正反饋，電路就一定能產(chǎn)生正弦波振蕩。（）3、負(fù)反饋電路不可能產(chǎn)生振蕩。（）4、在正弦波振蕩電路中，只允許存在正反饋，不允許引入負(fù)反饋。（）5、自激振蕩器中如沒有選頻網(wǎng)絡(luò)，就不可能產(chǎn)生正弦波振蕩。（）√×××√模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387四、分析計算題

1.用瞬時極性法判斷圖所示各電路是否可能產(chǎn)生正弦波振蕩？說明理由。

√×√×模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387√×模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387√×模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843872.用瞬時極性法判斷圖所示各電路是否可能產(chǎn)生正弦波振蕩？√×√模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387×××模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387第九章直流穩(wěn)壓電源

變壓器整流電路濾波電路穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓管限流電阻采樣環(huán)節(jié)基準(zhǔn)環(huán)節(jié)比較放大環(huán)節(jié)調(diào)整環(huán)節(jié)0.0226dB模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387CB模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843873.有四個穩(wěn)壓電源:根據(jù)以下要求，應(yīng)該選取何種型式的穩(wěn)壓電源？1)UO=6V,IOMAX=10mARO＜15Ω，應(yīng)選用（）；2)UO=+12V,IOmax=1A，應(yīng)選用（）；3)UO=1.25V，IOmax=10mA,要求溫度系數(shù)達到20×10-6，應(yīng)選用（）；4)UO=+18V，IO=200mA,效率達到90%左右，應(yīng)選用（）；5)UO=3～24V,IOmax=50mA，應(yīng)選用（）；6)UI=1.5V(直流),UO=5V(直流),輸出電壓溫度系數(shù)≤｜0.1｜mV/℃，應(yīng)選用（）。A．三端可調(diào)集成穩(wěn)壓器B．單片三端穩(wěn)壓器C．硅穩(wěn)壓管並聯(lián)穩(wěn)壓電路D．直流/直流變換器E．微功耗基準(zhǔn)電壓二極管穩(wěn)壓電路F．開關(guān)穩(wěn)壓器C

B

E

F

A

D

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387IRIZIOIZ

=IR-IO模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843872.某儀器需要一組直流輸出電壓，請根據(jù)學(xué)過的知識畫出合適電路。具體要求是：輸入電壓220V50HZ、輸出電壓和電流分別是+12V/400mA、–5V/10mA。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843873.請將電路如圖所示的元件正確連接起來組成一個電壓可調(diào)的穩(wěn)壓電源。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387第十章晶閘管及其應(yīng)用1.晶閘管與普通二極管、三極管在控制作用上有什么區(qū)別？其導(dǎo)通與阻斷的條件是什么？2.晶閘管導(dǎo)通后，通過晶閘管的電流大小與電路中哪些參數(shù)有關(guān)？3.晶閘管可控整流電路中為什么需要同步觸發(fā)？如果不同步觸發(fā)對輸出電壓有什么影響？試分析第二十一章應(yīng)用一電路是怎樣達到同步觸發(fā)的？4.試分析圖所示判別晶閘管好壞的方法和原理。與輸出電壓和負(fù)載電阻的大小有關(guān)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843875.在電阻性負(fù)載單相橋式半控電路中，由交流50HZ電壓220伏直接輸入，RL=5Ω。問當(dāng)導(dǎo)通角為90°時，輸出電壓和輸出電流的平均值多少？模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843876.某一阻性負(fù)載，要求提供直流電壓80V，直流電流8A，采用單相半控橋式可控整流電路，直接用50HZ220伏的交流電源供電。試計算晶閘管的控制角、導(dǎo)通角、輸出電流平均值，畫出電路圖，并選用合適的晶閘管和二極管的型號和規(guī)格。7.試分析圖晶閘管觸發(fā)電路的特點，并說明IC、R1、R2、R3、

R4的作用。當(dāng)uI=0時RL上的電壓為多少？模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843878.試分析圖10-24延時（S斷開時燈半亮）熄燈開關(guān)電路的工作過程。

9.選擇填充:：圖中雙向晶閘管電路中的選擇開關(guān)S在1位置時，在輸入電壓作用下

(VD1／VD2)導(dǎo)通后觸發(fā)雙向晶閘管VT導(dǎo)通，負(fù)載電流從

(左／右)到

(左／右)。當(dāng)選擇開關(guān)S在2位置時，負(fù)載電流從

(左／右)到

(左／右)。VT起到

(單向／雙向)開關(guān)作用。VD1右右左左雙向模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題8438710.在第二十一章應(yīng)用五電路中請選擇合適的雙向晶閘管型號和快速熔斷器的電流定額。11.試找一個晶閘管的應(yīng)用電路，簡要說明工作原理。12.利用無源固態(tài)繼電器，設(shè)計一個光控開關(guān)的應(yīng)用裝置，并說明工作原理。13.請將下圖給出的各種元器件正確地連接起來，以組成一個大功率負(fù)載驅(qū)動電路。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題84387應(yīng)用篇練習(xí)題1．該電路是溫度測量電路，請回答下列問題：1）運放A組成什么功能電路？2）二極管VD在該電路中的作用，它有什么特點？3）電路中RP1、RP2分別調(diào)整哪兩個參數(shù)？4）簡述電路的功能。反相比例運放RP1調(diào)00C時電壓表0VRP2調(diào)1000C時電壓表指示10V

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843872．如圖所示，試回答下列問題。1）A1、A2各組成什么電路？2）A1、A2的電壓增益各是多少？試計算；3）輸出電壓的相位與輸入電流的方向如何？4）簡述該電路的工作原理。A1減法電路A2反相比例運放

-1-1000同相

小電流檢測電路

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題843873.應(yīng)用運放可構(gòu)成測量電壓、電流、電阻的三用表，其原理圖分別為圖中的a、b、c所示，設(shè)所用集成運放為理想，輸出端所接的電壓表的滿量程為5V。1)在a圖中，若要得到50V、10V、5V、1V、0.5V五種電壓量程，電阻R1～R5應(yīng)取何值？10M2M1M200K100K模擬電子技