數(shù)據(jù)存儲解決方案行業(yè)現(xiàn)狀

數(shù)據(jù)存儲解決方案行業(yè)現(xiàn)狀

存儲器行業(yè)中國規(guī)模我國存儲器市場主要集中在DARM和DFlash領(lǐng)域。在存儲器細(xì)分市場，光存儲和磁存儲逐漸往企業(yè)級市場方向發(fā)展，其中光存儲目前在企業(yè)級市場應(yīng)用快速發(fā)展，很大程度地拉動了整個存儲器市場的發(fā)展。據(jù)資料顯示，2020年我國存儲器行業(yè)市場規(guī)模為3223億元，同比增長11．9%。存儲器行業(yè)全球規(guī)模存儲器作為現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一，應(yīng)用極為廣泛，現(xiàn)代電子產(chǎn)品基本上都要用到存儲器，且需配置多種存儲器，隨著今年來全球電子信息技術(shù)及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，全球存儲器行業(yè)市場規(guī)模也隨之不斷擴張。據(jù)資料顯示，2021年全球存儲器行業(yè)市場規(guī)模為1353億美元，同比增長13．3%。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看，DRAM與DFlash是半導(dǎo)體存儲芯片的主流市場。據(jù)資料顯示，2021年全球存儲芯片市場中，DRAM占比達(dá)56%，DFlash占比約41%，此外NORFlash占據(jù)約2%的市場份額。數(shù)據(jù)存儲行業(yè)發(fā)展情況數(shù)字經(jīng)濟是信息化發(fā)展的高級階段，是繼農(nóng)業(yè)經(jīng)濟、工業(yè)經(jīng)濟之后更高級的經(jīng)濟社會形態(tài)。數(shù)據(jù)因具有可復(fù)制、可共享、無限增長和供給的稟賦，打破了傳統(tǒng)要素有限供給對增長的制約，為持續(xù)增長和永續(xù)發(fā)展提供了基礎(chǔ)與可能，已成為新的關(guān)鍵生產(chǎn)要素。據(jù)中國信通院的數(shù)據(jù)，2020年我國數(shù)字經(jīng)濟規(guī)模達(dá)到39．2萬億元，占GDP規(guī)模的比重由2005年的14．2%攀升至38．6%，2021年占比進一步提升，首次突破40%。十四五期間，我國數(shù)字經(jīng)濟有望維持年均約9％增速，預(yù)計2025年規(guī)模超過60萬億元。與數(shù)據(jù)經(jīng)濟發(fā)展相匹配的是爆炸式增長的數(shù)據(jù)量。據(jù)Statista的預(yù)測數(shù)據(jù)，到2035年，全球每年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計將達(dá)到2，142ZB，約為2020年的45倍。根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，中國整體數(shù)據(jù)量在2025年將達(dá)到48．6ZB，占全球數(shù)據(jù)圈規(guī)模的27．8%。支持?jǐn)?shù)字經(jīng)濟發(fā)展的三大基礎(chǔ)技術(shù)包括計算、網(wǎng)絡(luò)和存儲，分別對應(yīng)各類處理器（CPU、GPU等）、5G或下一代通信網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)存儲行業(yè)。計算技術(shù)方面，構(gòu)成算力基礎(chǔ)的核心芯片在近年來備受關(guān)注，我國已經(jīng)推出龍芯、飛騰、申威等多顆國產(chǎn)CPU產(chǎn)品；網(wǎng)絡(luò)方面，中國已在光纖、5G網(wǎng)絡(luò)等方面走在世界的前列。而數(shù)據(jù)存儲作為數(shù)字經(jīng)濟的基礎(chǔ)支柱，將在制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級、產(chǎn)業(yè)鏈安全等方面扮演更加重要的角色。（一）存儲行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈概況存儲行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈包括上游存儲控制器芯片、存儲介質(zhì)，中游的存儲模組，下游存儲系統(tǒng)及解決方案。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，2020年我國存儲產(chǎn)業(yè)中上游存儲控制芯片、存儲介質(zhì)的市場規(guī)模超過1，400億元，中游及下游的存儲模組、存儲系統(tǒng)及應(yīng)用服務(wù)的市場規(guī)模超過3，400億元，到2025年我國存儲產(chǎn)業(yè)直接投資總額將超過萬億元規(guī)模。在存儲行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中，華瀾微可以提供上游存儲控制器芯片及其固件、中游固態(tài)存儲模組、下游存儲系統(tǒng)集成及解決方案，目前正在攻關(guān)企業(yè)級存儲系統(tǒng)所必須的大數(shù)據(jù)硬盤陣列控制器芯片。（二）固態(tài)存儲逐步成為主流存儲技術(shù)數(shù)據(jù)產(chǎn)生量的爆發(fā)式增長驅(qū)動對存儲需求大幅增長，也促進了存儲方式的進一步創(chuàng)新和發(fā)展。按照底層物理存儲介質(zhì)來分，數(shù)據(jù)存儲主要有光存儲、磁存儲和電存儲（又稱固態(tài)存儲或半導(dǎo)體存儲）三種方式。三種存儲技術(shù)的讀取原理不同，性能上亦存在優(yōu)劣勢，適用于不同的應(yīng)用場景。光存儲在讀取速度及使用便利性方面存在限制，多用于低訪問率的冷數(shù)據(jù)存儲場景。磁、電介質(zhì)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)一直在線，提高數(shù)據(jù)響應(yīng)速度，是當(dāng)前主要的數(shù)據(jù)存儲方式?；赿Flash的固態(tài)存儲在數(shù)據(jù)存儲速度、抗震、能耗等方面性能突出，其優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：1）固態(tài)存儲完全半導(dǎo)體化，不存在磁盤尋道時間，延遲時間較短，數(shù)據(jù)存取速度快；2）固態(tài)存儲無機械運動結(jié)構(gòu)，防震抗摔，即使發(fā)生與硬物碰撞，數(shù)據(jù)丟失的可能性能夠降到最低，且不產(chǎn)生噪音，功耗低，復(fù)雜環(huán)境下的可靠性大大增強；3）固態(tài)存儲完全半導(dǎo)體化，結(jié)構(gòu)緊湊，可根據(jù)使用場景需求設(shè)計成各種不同接口、形狀的產(chǎn)品，適應(yīng)性大大增強?；诠虘B(tài)存儲突出的優(yōu)勢，加之上游DFlash的產(chǎn)能逐步穩(wěn)定，性價比日益得到體現(xiàn)，其已逐漸取代機械硬盤（HDD）成為下一代主流數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，2020年，全球范圍內(nèi)固態(tài)硬盤在出貨量上首次完成對傳統(tǒng)機械硬盤的超越，這一趨勢將繼續(xù)保持并不斷強化。存儲模組行業(yè)概況由于固態(tài)存儲突出的優(yōu)勢、上游存儲顆粒dFlash的性價比日益提高，固態(tài)存儲模組已逐漸取代機械硬盤（HDD）成為下一代主流數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。固態(tài)存儲模組是以半導(dǎo)體存儲器為基礎(chǔ)制造的各類存儲產(chǎn)品，其主要原材料DFlash的出貨量持續(xù)增長。2021年，全球DFlash出貨總?cè)萘窟_(dá)到612，573PB，較2020年環(huán)比增長36．06%。隨著全球DFlash原廠產(chǎn)能進一步擴充及3D閃存堆疊技術(shù)的持續(xù)提升帶來存儲密度的增加，預(yù)計2022年全球DFlash出貨總?cè)萘繉⑦_(dá)到750，352PB，環(huán)比2021年增長22．49%。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、5G等新興應(yīng)用場景不斷落地，電子設(shè)備需要存儲的數(shù)據(jù)量越來越龐大，固態(tài)存儲覆蓋的下游消費級、工業(yè)級和企業(yè)級各代表細(xì)分市場需求爆發(fā)式增長，從而帶動行業(yè)持續(xù)擴容。固態(tài)存儲模組的形態(tài)多種多樣，具體包括（1）固態(tài)硬盤（SSD），根據(jù)產(chǎn)品形態(tài)可以分為2．5寸SSD、U．2SSD、M．2SSD、mSATA、SATASlim等，主要用于臺式機、筆記本及服務(wù)器等計算設(shè)備；（2）嵌入式存儲模組，具體包括eMMC、UFS、SPID等，主要內(nèi)嵌于手機、智能終端等電子產(chǎn)品；（3）移動式存儲模組，具體包括CF卡、SD卡、microSD卡、U盤、移動硬盤等便攜式移動存儲器，方便數(shù)據(jù)在不同設(shè)備之間轉(zhuǎn)移。行業(yè)的主要存儲模組產(chǎn)品屬于固態(tài)硬盤及移動式存儲模組范疇。按照應(yīng)用領(lǐng)域劃分，存儲模組可分為消費類、工業(yè)類和企業(yè)類，不同應(yīng)用領(lǐng)域的存儲模組在可靠性、可用性、性能、定制化程度等方面存在區(qū)別。數(shù)據(jù)存儲類行業(yè)發(fā)展概況在數(shù)字社會，數(shù)據(jù)作為信息化系統(tǒng)中的核心部分和底層基座，具有基礎(chǔ)戰(zhàn)略資源和關(guān)鍵生產(chǎn)要素的雙重作用。在移動互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷迭代升級的背景下，全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。根據(jù)IDC預(yù)測，2025年全球數(shù)據(jù)圈將猛增至163ZB，增長量約為2016年全球數(shù)據(jù)圈的9倍。作為全球第一數(shù)據(jù)生產(chǎn)國，我國數(shù)據(jù)量也面臨急劇增長的態(tài)勢。我國數(shù)據(jù)量的增長依賴于數(shù)字經(jīng)濟的實現(xiàn)，作為十四五規(guī)劃重點戰(zhàn)略對象，數(shù)字經(jīng)濟的逐步落實將導(dǎo)致更為龐大及迅速的數(shù)據(jù)增長。信通院數(shù)據(jù)表明，2018年我國新增數(shù)據(jù)量為7．6ZB，預(yù)計2025年我國新增數(shù)據(jù)量將達(dá)到48．6ZB，年均復(fù)合增長率高達(dá)30%。數(shù)據(jù)量的急劇擴展，愈發(fā)凸顯了數(shù)據(jù)存儲及管理的重要性。數(shù)據(jù)儲存設(shè)備作為數(shù)據(jù)管理的必要設(shè)備，其市場空間巨大。數(shù)據(jù)存儲行業(yè)需求市場現(xiàn)狀幾十年來，傳統(tǒng)的存儲設(shè)備更新?lián)Q代，身形由當(dāng)年的巨大越變越小，容量卻從當(dāng)年的微小越變越大。同時，存儲速度大幅也得到提升，不可同日而語。從最原始的打孔設(shè)備到磁帶設(shè)備，再到軟盤、光盤、硬盤、磁盤陣列和固態(tài)硬盤，存儲成本已經(jīng)大大降低，傳輸速度和效能大大提高，大數(shù)據(jù)信息時代已經(jīng)來臨。如今，機械硬盤（磁盤）、固態(tài)硬盤存儲容量已達(dá)到TB的級別，主流的存儲器芯片DRAM、SDRAM、FLASH等存儲設(shè)備的壽命越來越長，體積越小、速度越快而功耗越小。就目前PC內(nèi)存市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM仍是不二之選。而在通信領(lǐng)域、消費領(lǐng)域、計算機領(lǐng)域，F(xiàn)LASH已經(jīng)崛起，成為目前最有潛力，發(fā)展最快的存儲器芯片產(chǎn)品。存儲器作為電子產(chǎn)品的數(shù)據(jù)存儲支撐，在整個產(chǎn)業(yè)占有核心地位。20世紀(jì)50年代，存儲器由于它體積龐大，還僅僅只能運用于大型計算機。而隨著整個存儲器行業(yè)面臨的趨勢呈現(xiàn)出交付的比特單位持續(xù)上升、存儲器價格持續(xù)下跌以及新的應(yīng)用不斷要求更高的存儲密度等特征，如今的存儲器順勢發(fā)展，早已今非昔比，體積小、性能高、容量大，使存儲器運用于各個領(lǐng)域，成為開啟大數(shù)據(jù)時代的基石。硬盤市場行業(yè)發(fā)展概況全球數(shù)據(jù)量的爆發(fā)性增長，導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加，硬盤作為計算機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器，是計算機最主要的存儲設(shè)備。根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，2016年全球固態(tài)硬盤出貨量為1．47億個，至2021年全球固態(tài)硬盤出貨量增長至3．73億個，全球固態(tài)硬盤出貨量保持高速增長，年均復(fù)合增長率高達(dá)20．41%。信息爆炸導(dǎo)致數(shù)據(jù)量成倍增長，硬盤容量雖已達(dá)太字節(jié)（TB）級別，但單塊磁盤的存儲容量與速度仍無法滿足實際需求，因此磁盤陣列應(yīng)運而生。磁盤陣列使用獨立磁盤冗余陣列技術(shù)（RAID）把數(shù)據(jù)儲存在多個硬盤中，輸入輸出操作以平衡的方式交疊進行，大幅提高了存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)吞吐量，改善了磁盤性能，增加了傳輸速率及容錯能力。存