精選模擬集成電路設(shè)計(jì)拉扎維差分放大器講義

（優(yōu)選）模擬集成電路設(shè)計(jì)拉扎維第章差分放大器課件現(xiàn)在是1頁\一共有65頁\編輯于星期二2小信號(hào)等效電路MOS管的小信號(hào)模型是基礎(chǔ)MOS管的低頻小信號(hào)等效電路西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是2頁\一共有65頁\編輯于星期二3小信號(hào)等效電路MOS管的高頻小信號(hào)等效電路

在分析高頻特性時(shí)才用到該模型 第6章“頻率特性”開始用到西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是3頁\一共有65頁\編輯于星期二4小信號(hào)等效電路實(shí)例－帶源極負(fù)反饋的放大級(jí)西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是4頁\一共有65頁\編輯于星期二5上一章放大器基礎(chǔ)知識(shí)電阻做負(fù)載的共源級(jí)增益有非線性，電阻精度差或面積大Av=gmRD西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是5頁\一共有65頁\編輯于星期二6

上一章二極管接法的MOS管做負(fù)載的共源級(jí)

線性度好，輸出擺幅小，增益不能太大（否 則擺幅小、帶寬?。〢v=?

(W/L)11(W/L)21+ηAv=?

μn(W/L)1μp(W/L)2西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是6頁\一共有65頁\編輯于星期二7上一章電流源做負(fù)載的共源級(jí)增益大Av=?gmro1||ro2西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是7頁\一共有65頁\編輯于星期二?W?8

上一章深線性區(qū)MOS管做負(fù)載的共源級(jí)

輸出擺幅大（可以為VDD） 得到精準(zhǔn)的Ron2比較困難；受工藝、溫度變 化影響比較大，產(chǎn)生穩(wěn)定、精確的Vb比較 難RON2=μnCox?? ?L?2

1(VDD?Vb?|VTHP|)

Av=?gmRON2西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是8頁\一共有65頁\編輯于星期二9

上一章

帶源極負(fù)反饋的共源級(jí)

Rs使Gm和增益變?yōu)間m的弱函數(shù)，提高線性 度 輸出電阻大ROUT=[1+(gm+gmb)ro]RS+ro

犧牲了增益

Av=?GmRD=?

gmRD1+gmRS

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是9頁\一共有65頁\編輯于星期二11=10

上一章共漏級(jí)－源跟隨器

Rin大，Rout小，輸出擺幅

小，增益有百分之幾非線性；

PMOS管能消除體效應(yīng)，提高

線性度，但輸出阻抗大，帶寬 降低；電壓緩沖器、電壓平移Av=

gmRS1+(gm+gmb)RS

1gmRS

≈+(1+η)1+ηAv=

gm1(rO1rO1)1+gm1(rO1rO1)Rout=

1gm+gmb西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是10頁\一共有65頁\編輯于星期二≈+11

上一章共柵級(jí)

Rin小，Rout大

Av=gm(1+η)RD

Rin=1/[gm(1+η)]Rin=

RD+rORD11+(gm+gmb)rO(gm+gmb)rOgm+gmbRout={[1+(gm+gmb)ro]RS+ro}||RD

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是11頁\一共有65頁\編輯于星期二12

上一章共源共柵級(jí)Rout大，高增益，屏蔽特性好Av=gm1RD不足：

輸出擺幅受一定 影響主要應(yīng)用：

電流源 共源共柵OPA

折疊共源共柵

OPA等

Rout=[1+(gm2+gmb2)rO2]rO1+rO2

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是12頁\一共有65頁\編輯于星期二13本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是13頁\一共有65頁\編輯于星期二14差分放大器簡(jiǎn)介AIC中非常重要的電路模塊對(duì)兩個(gè)信號(hào)的差值進(jìn)行放大相對(duì)于共模電平而言，差分信號(hào)的大小相等、極性相反優(yōu)點(diǎn)：抗干擾能力強(qiáng)，高線性度等西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是14頁\一共有65頁\編輯于星期二15抗干擾能力電源線上的干擾會(huì)影響共模電平，但不影響差分輸出西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是15頁\一共有65頁\編輯于星期二16抗干擾能力時(shí)鐘線上的干擾會(huì)影響共模電平，但不影響差分輸出西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是16頁\一共有65頁\編輯于星期二17差分放大器優(yōu)點(diǎn)抗干擾能力強(qiáng)，高線性度等和單端電路相比，差分電路規(guī)模加倍與獲得的性能提高相比，這個(gè)不算做缺點(diǎn)西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是17頁\一共有65頁\編輯于星期二18本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是18頁\一共有65頁\編輯于星期二ISS19簡(jiǎn)單差分電路gm=2IDμnCOXW L

Av=?gmRD

Vout,CM=VDD??RD

2

缺點(diǎn)：

直流偏置電流受輸 入共模電平影響 大，從而影響跨 導(dǎo)、增益、輸出共 模電平等

解決：

用源端耦合對(duì)（差 分對(duì)）西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是19頁\一共有65頁\編輯于星期二20本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是20頁\一共有65頁\編輯于星期二ISS21基本差分對(duì)電路Vout,CM=VDD??RD2直流偏置電流由ISS決定，從而保證跨導(dǎo)、增益、輸出共模電平等受輸入共模電平影響小西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是21頁\一共有65頁\編輯于星期二22本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是22頁\一共有65頁\編輯于星期二23大信號(hào)差分特性－定性分析輸出端的最大電平和最小電平分別是VDD和VDD-RDISS，與輸入共模電平無關(guān)Vin1=Vin2附近，增益最大，線性度好求(Vout1-Vout2)與(Vin1-Vin2)的函數(shù)關(guān)系式西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是23頁\一共有65頁\編輯于星期二1224

大信號(hào)差分特性－定量分析思路：Vout1-Vout2=-RD(ID1-ID2)；求出ID1-ID2=f(Vin1-Vin2)即可ΔID=μnCOX

2W LΔVin

4ISSμnCOXW L?ΔVin西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是24頁\一共有65頁\編輯于星期二12WL25大信號(hào)差分特性－定量分析

不合理ΔID=μnCOX

2W LΔVin

4ISSμnCOXW L?ΔVin當(dāng)ΔVin=0時(shí)，ΔVout=0當(dāng)ΔVin=

4ISSμnCOX時(shí)，ΔVout=0西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是25頁\一共有65頁\編輯于星期二12WL26大信號(hào)差分特性－定量分析當(dāng)ΔVin=

4ISSμnCOXW L時(shí)，ΔVout=0ΔID=μnCOX

2W LΔVin

4ISSμnCOXW L?ΔVin當(dāng)ΔVin≥

2ISSμnCOX時(shí),已有一個(gè)MOS管截止西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是26頁\一共有65頁\編輯于星期二27本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是27頁\一共有65頁\編輯于星期二28大信號(hào)共模特性VGS1+VOV3≤Vin,CM≤min[VDD?RD?ISS

2+VTH,VDD]西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是28頁\一共有65頁\編輯于星期二29本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是29頁\一共有65頁\編輯于星期二214ISSW4ISSW2230小信號(hào)差分特性－等價(jià)跨導(dǎo)公式從大信號(hào)結(jié)果入手計(jì)算小信號(hào)差分增益Gm=

?ΔID?ΔVinΔID=12μnCOXW LΔVin

4ISSμnCOXW L?ΔVinGm=μnCOX

2W L

?2ΔVinμnCOX

L

?ΔVin

μnCOX

L

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是30頁\一共有65頁\編輯于星期二14ISSWμCLL4ISSWW2231小信號(hào)差分特性－等價(jià)跨導(dǎo)曲線Gm=μnCOX

2WnOX

μnCOX

?2ΔVin

?ΔVinL

ΔVin1=Gm,max=

2ISS

μnCOXμnCOX

LW L

ISS西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是31頁\一共有65頁\編輯于星期二?=32小信號(hào)差分特性－差模增益Av=?ΔVout

?ΔVinΔVout=Vout1?Vout2=?RDΔIDAv=?ΔVout?ΔVout?ΔID

?ΔVin?ΔID?ΔVin=?RD?Gm全差分輸入時(shí)的增益Av=?RD?μnCOXW LISS西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是32頁\一共有65頁\編輯于星期二33

小信號(hào)差分特性－用疊加法求全差分時(shí)的 差模增益從小信號(hào)角度入手，計(jì)算小信號(hào)差分增益 問題1：

在電路完全對(duì)稱、直流 偏置電壓相同的情況 下，差分輸入端施加兩 個(gè)彼此獨(dú)立的信號(hào)Vin1

和Vin2，計(jì)算（Vout1- Vout2）/（Vin1-Vin2）

思路：

用疊加法計(jì)算。先分別計(jì)算Vin1和Vin2與Vout1-Vout2的函數(shù)關(guān)系西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是33頁\一共有65頁\編輯于星期二34小信號(hào)差分特性－用疊加法求全差分時(shí)的差模增益第一步：令Vin2＝0，計(jì)算Vin1與Vout1-Vout2的函數(shù)關(guān)系計(jì)算Vin1與Vout1的函數(shù)關(guān)系帶負(fù)反饋的共源放大級(jí)，負(fù)反饋電阻為1/gm2

VX=西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)?gmRD

2Vin1現(xiàn)在是34頁\一共有65頁\編輯于星期二35小信號(hào)差分特性－用疊加法求全差分時(shí)的 差模增益計(jì)算Vin1與Vout2的函數(shù)關(guān)系用共柵級(jí)的結(jié)論VY=gmRD

2Vin1

戴維寧定理西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是35頁\一共有65頁\編輯于星期二?gmRDgmRD36小信號(hào)差分特性－用疊加法求全差分時(shí)的 差模增益第一步：令Vin2＝0，計(jì)算Vin1與Vout1-Vout2的函數(shù)關(guān)系VX=Vin1VY=Vin1

22(VX?VY)Vin1引起的=?gmRDVin1第二步：令Vin1＝0，計(jì)算Vin2與Vout1-Vout2的函數(shù)關(guān)系

(VX?VY)Vin2引起的=gmRDVin2

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是36頁\一共有65頁\編輯于星期二=?gmRD37小信號(hào)差分特性－用疊加法求全差分時(shí)的差模增益(VX?VY)Vin1引起的=?gmRDVin1(VX?VY)Vin2引起的=gmRDVin2(VX?VY)Vin1和Vin2共同引起的=?gmRD(Vin1?Vin2)第三步：用疊加定理，求得Vin1-Vin2與Vout1-Vout2的函數(shù)關(guān)系(VX?VY)Vin1和Vin2共同引起的Vin1?Vin2西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是37頁\一共有65頁\編輯于星期二=?gmRD38

小信號(hào)差分特性－用疊加法求全差分時(shí)的 差模增益(VX?VY)Vin1引起的=?gmRDVin1(VX?VY)Vin2引起的=gmRDVin2

(VX?VY)Vin1和Vin2共同引起的

Vin1?Vin2

結(jié)論：

1、單邊輸入時(shí)差模增益為-gmRD

2、差分輸入時(shí)差模增益為-gmRD

3、單邊輸入時(shí)單端輸出增益為- gmRD/2VX=?gmRD

2Vin1VY=gmRD

2Vin1西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是38頁\一共有65頁\編輯于星期二39小信號(hào)差分特性－用半電路法求全差分時(shí)差模增益證明：如果電路完全對(duì)稱，Vin1從V0變化到V0＋ΔVin，Vin2從V0變化到V0-ΔVin，變化過程大小相等、方向相反且電路仍保持為線性，則VP的值保持不變（即為交流地）證明過程參看教材重要結(jié)論：在全差分輸入的情況下，P點(diǎn)為交流地西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是39頁\一共有65頁\編輯于星期二40

小信號(hào)差分特性－用半電路法求全差分時(shí) 差模增益“全差分輸入時(shí)P點(diǎn)為交流地”這一結(jié)論可簡(jiǎn)化差模增益的推導(dǎo)

半電路分析法VX=?gmRDVin1VY=gmRDVin1VX?VY

VX?VY=?2gmRDVin12Vin1

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)=?gmRD現(xiàn)在是40頁\一共有65頁\編輯于星期二++41

小信號(hào)差分特性—非全差分時(shí)差模增益的計(jì)算當(dāng)輸入不是“全差分”時(shí)，計(jì)算差模增益(Vout1-Vout2)/(Vin1-Vin2)？“非全差分”的含義：輸入信號(hào)Vin1和Vin2不是大小相等、方向相反VP不是交流地，計(jì)算很復(fù)雜簡(jiǎn)化的計(jì)算方法：將輸入信號(hào)劃分為共模分量（純共模輸入部分）和差模分量（全差分輸入部分），對(duì)這兩部分分別計(jì)算后再用疊加定理Vin1=Vin1?Vin2Vin1+Vin2

22Vin2=Vin2?Vin1Vin1+Vin2

22西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是41頁\一共有65頁\編輯于星期二++42小信號(hào)差分特性—非全差分時(shí)差模增益的計(jì)算Vin1=Vin1?Vin2Vin1+Vin2

22Vin2=Vin2?Vin1Vin1+Vin2

22差模分量 共模分量

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是42頁\一共有65頁\編輯于星期二43小信號(hào)差分特性—非全差分時(shí)差模增益的計(jì)算差模分量用半電路法計(jì)算VX?VY=?gm(RDrO)(Vin1?Vin2)西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是43頁\一共有65頁\編輯于星期二44小信號(hào)差分特性—非全差分時(shí)差模增益的計(jì)算共模分量

若電路完全對(duì)稱，則流過M1

和M2管的直流電流總為

ISS/2，不隨Vin,CM的變化而變 化，因此，VX和VY不變

重要結(jié)論：

理想差分對(duì)只放大輸入信號(hào)的 差模部分，不放大共模部分 實(shí)際的差分對(duì)并不“理想”，對(duì) 共模部分仍有放大作用——差

分對(duì)的共模響應(yīng)西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是44頁\一共有65頁\編輯于星期二45本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是45頁\一共有65頁\編輯于星期二46小信號(hào)共模特性—共模響應(yīng)非理想性包括：M1和M2之間有失配（W/L、VTH等），RD1和RD2之間有失配（阻值不完全相等等）；尾電流源ISS的內(nèi)阻RSS不是無窮大首先考慮尾電流源ISS的內(nèi)阻RSS不是無窮大時(shí)對(duì)共模響應(yīng)的影響西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是46頁\一共有65頁\編輯于星期二47小信號(hào)共模特性—RSS對(duì)共模響應(yīng)的影響

若電路完全對(duì)稱，則VP會(huì)隨

Vin,CM的變化而變化，導(dǎo)致尾電流 變化，Vout1和Vout2會(huì)隨之變化， 但Vout1和Vout2總相等，不引入差 分增益，通常不考慮

共模增益為：Av,CM=

VoutVin,CM

=?西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)

RD/21/(2gm)+RSS現(xiàn)在是47頁\一共有65頁\編輯于星期二??48小信號(hào)共模特性—RD失配對(duì)共模響應(yīng)的影響

由于M1和M2管完全對(duì)稱，因 此，支路電流隨Vin,CM的變化 相等（λ=0時(shí)）

RD的失配會(huì)引入差分增益， 在輸出端產(chǎn)生差模分量。這 個(gè)影響比RSS不是無窮大引起 的影響要嚴(yán)重得多ΔVX=?ΔVin,CMΔVY=?ΔVin,CM

RD/2 1/(2gm)+RSS(RD+ΔRD)/21/(2gm)+RSS共模到差模的轉(zhuǎn)換西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是48頁\一共有65頁\編輯于星期二49小信號(hào)共模特性—共模到差模轉(zhuǎn)換的危害共模分量的噪聲不能得到有效抑制，導(dǎo)致輸出信號(hào)噪聲增大當(dāng)信號(hào)頻率增大時(shí)，電容C1會(huì)影響直流偏置電流，不利影響更大西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是49頁\一共有65頁\編輯于星期二50小信號(hào)共模特性—輸入管失配對(duì)共模響應(yīng)的影響M1和M2管的尺寸和閾值電壓失配失配會(huì)導(dǎo)致流過M1管和M2管的電流不同，跨導(dǎo)也不同，從而引起共模到差模的轉(zhuǎn)換西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是50頁\一共有65頁\編輯于星期二51小信號(hào)共模特性—輸入管失配對(duì)共模響應(yīng)的影響

共模到差模轉(zhuǎn)換的增益：ACM?DM=?

gm1?gm2(gm1+gm2)RSS+1?RD西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是51頁\一共有65頁\編輯于星期二52

小信號(hào)特性—CMRRCMRR－共模抑制比

Common-ModeRejectionRatio

用來綜合反映差分放大器的性能

差分放大能力 共模抑制能力

用于差分放大器的性能比較CMRR=

ADMACM?DM西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是52頁\一共有65頁\編輯于星期二53本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是53頁\一共有65頁\編輯于星期二54MOS管做負(fù)載的差分對(duì)二極管接法的MOS管做負(fù)載電流源做負(fù)載西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是54頁\一共有65頁\編輯于星期二55MOS管做負(fù)載的差分對(duì)－二極管接法Av=?gmN(

1gmPrONrOP)≈?gmN

gmPgm=2IμCOX(W/L)=

2IVOVAv≈?μn(W/L)Nμp(W/L)P=?

VOVPVOVN電壓擺幅??；增益不能太大，否則輸出擺幅很小

西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是55頁\一共有65頁\編輯于星期二56MOS管做負(fù)載的差分對(duì)－電流源做負(fù)載Av=?gmN(rONrOP)電壓擺幅和增益都可以很大西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是56頁\一共有65頁\編輯于星期二57MOS管做負(fù)載的差分對(duì)－共源共柵Av≈?gm1[(gm3rO3rO1)(gm5rO5rO7)]增益更大；但適當(dāng)犧牲擺幅西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是57頁\一共有65頁\編輯于星期二58本講差分放大器簡(jiǎn)介簡(jiǎn)單差分放大器基本差分對(duì)放大器大信號(hào)差分特性大信號(hào)共模特性小信號(hào)差分特性小信號(hào)共模特性MOS管做負(fù)載的基本差分對(duì)放大器差分放大器的應(yīng)用－Gilbert單元西電微電子學(xué)院－董剛－模擬集成電路設(shè)計(jì)現(xiàn)在是58頁\一共有65頁\編輯于星期二59差分放大器的應(yīng)用——Gilbert單元一個(gè)通用的電路模塊廣泛用于模擬系統(tǒng)和通信系統(tǒng)中典型設(shè)計(jì)中，M1~M4尺寸相同，M5和M6尺寸相同M1和M2構(gòu)成差分對(duì)，M3和M4