模擬集成電路電流源基準(zhǔn)源

模擬集成電路電流源基準(zhǔn)源Dr.JianFang.UESTC第1頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC1.鏡像電流源基準(zhǔn)電流：無論Rc的值如何，IC2的電流值將保持不變。恒流源和有源負(fù)載一電流源電路因為：所以：第2頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第3頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC2.微電流源由于很小，所以IC2也很小第4頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第5頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC3.多路電流源第6頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC3.電流源的改進(jìn)帶緩沖恒流源第7頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第8頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC具有基極電流補(bǔ)償?shù)暮懔髟吹?頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCMOS恒流源第10頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCWilso恒流源第11頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC4.電流源作有源負(fù)載交流電阻大直流電阻小電壓范圍寬工藝容易實現(xiàn)第12頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC4.電流源作有源負(fù)載共射電路的電壓增益為：對于此電路Rc就是鏡像電流源的交流電阻，因此增益比用電阻Rc作負(fù)載時大大提高了。放大管鏡像電流源鏡像電流源鏡像電流源第13頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC恒流源電路

精密匹配電流鏡第14頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCPNP基本恒流源及其改進(jìn)電路第15頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC模擬集成電路.基準(zhǔn)源電路第16頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC基準(zhǔn)源電路穩(wěn)定的電壓輸出不隨溫度變化低的輸出電阻,不隨負(fù)載變化第17頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數(shù)

;(2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數(shù)：(3)等效熱電壓Vt＝26mV，溫度系數(shù)第18頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC正向二極管基準(zhǔn)電路齊納二極管基準(zhǔn)電路具有溫度補(bǔ)償?shù)凝R納基準(zhǔn)電路負(fù)反饋基準(zhǔn)源電路參考電壓源第19頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC正向二極管基準(zhǔn)電路溫度系數(shù)大內(nèi)阻較大芯片面積大Vref第20頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCR1R2TVref解決了大Vref的問題(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數(shù)

第21頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC齊納二極管基準(zhǔn)電路Vref(2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數(shù)：第22頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數(shù)

;(2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數(shù)：(3)等效熱電壓Vt＝26mV，溫度系數(shù)第23頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC具有溫度補(bǔ)償?shù)凝R納基準(zhǔn)電路Vref第24頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC負(fù)反饋基準(zhǔn)源電路第25頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路

雙極型三管能隙基準(zhǔn)源雙極型二管能隙基準(zhǔn)源

E／DNMOS基準(zhǔn)電壓源

CMOS基準(zhǔn)電壓源

第26頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC1.雙極型三管能隙基準(zhǔn)源第27頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC只要適當(dāng)設(shè)計R2／R3和J1／J2，即可使在該溫度下基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)接近零第28頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC輸出接近為5V的能隙基準(zhǔn)源第29頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC2.雙極型二管能隙基準(zhǔn)源

第30頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC可以通過控制有效發(fā)射結(jié)面積比AEl／AE2或AE3／AE4及電阻比R2／R1來獲得接近零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)源第31頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC3.E／DNMOS基準(zhǔn)電壓源

第32頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC耗盡型和增強(qiáng)型MOS的閾值耗盡型增強(qiáng)型第33頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第34頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第35頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第36頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第37頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC其溫度系數(shù)決定于三個因素M1，M2的開啟電壓之差的溫度系數(shù)，M1，M2漏極電流IDE＝IDD＝ID的溫度系數(shù)溝道電子遷移率的溫度系數(shù)。第38頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第39頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第40頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC4.CMOS基準(zhǔn)電壓源

第41頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianF