普化課件總復(fù)習(xí)1氧化還原反應(yīng)的基本概念和數(shù)

氧化還原1、氧化還原反應(yīng)的基本概念——氧化和還原；氧化數(shù)氧化態(tài)和還原態(tài)；氧化劑和還原劑2、電池的概念原電池、電解電池、化學(xué)電池、一3、電池的電動(dòng)勢(shì)和電極電勢(shì)——電極電勢(shì)的產(chǎn)生根源4、氧化還原反應(yīng)平衡的自ibs（=nFE池標(biāo)準(zhǔn)電池電動(dòng)勢(shì)與氧化還原反應(yīng)平衡常式（E池2.30RT/nFlg反應(yīng)自發(fā)方向的n=n=

E0.36E0.18n E=0.12E0.2-0.4V時(shí)，K106，可認(rèn)為反應(yīng)進(jìn)行很5、Nernst方程式——濃度對(duì)電極電勢(shì)的影響表達(dá)式EE0.0591/nlg(ox)m/(red)q]6、氧化還原平衡的各種計(jì)反應(yīng)自發(fā)進(jìn)行方向的判斷電勢(shì)測(cè)定法求沉淀溶解平衡的溶度積電勢(shì)測(cè)定法求溶液pH值——玻璃電化學(xué)反應(yīng)速率與化學(xué)反應(yīng)微觀粒子特性及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律——波粒二象性，de關(guān)系式（=h/P）；海森堡 原理（Δx·ΔP≥；波動(dòng)方程（Schrodinger方程）；波函數(shù)與原子軌道率波、概率密度1)主量子數(shù)——規(guī)定電子出現(xiàn)最大幾率區(qū)域離核的遠(yuǎn)近和電子能量的高低，n1,2,…等正整數(shù)，常用符號(hào)Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｏ，Ｐ…等表示，凡n相同的電子稱為同層電子空間的角度分布情況，與電子云形狀密l可?。?1,2,3…(n-1)等共ｎ個(gè)值，相應(yīng)的電子稱為s,p,d,f…電子。通常將主量子數(shù)ｎ相同的電子歸為一層，同一層中l(wèi)磁量子數(shù)——它反映原子軌道在空間的不同取向。m0,1,2…l，共２l+1個(gè)值。這些取值意味著“亞層的電子有2l+1個(gè)取向，每一個(gè)取向相當(dāng)于一個(gè)“軌道”4自旋量子數(shù)——表示電子的兩種不同狀態(tài)，這兩種狀態(tài)有不同的“自旋”角動(dòng)量，其值可取+1/2或-1/2，常用正 原子軌道的空間a）s,p,d軌道的電子云徑向分布圖（原子軌道的形狀）。4多電子原子中 效應(yīng)和鉆穿效應(yīng)能和能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象有效核電 常數(shù)（Z*=Z－）元素周期表及元素基本性質(zhì)的周期變化s區(qū)、p區(qū)、d區(qū)、dsf區(qū)元素，鑭系元素和錒系元原子半徑（金屬半徑、共價(jià)半徑 半徑）、電化學(xué)鍵1、離子鍵2、共價(jià)鍵經(jīng)典Lewis學(xué)說(shuō)（八隅體規(guī)則價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR理論價(jià)鍵理論（電子配對(duì)理論3、價(jià)電子對(duì)互斥理論與分4、分子的極性與偶5、晶體的基金屬鍵自由電6、離子的極化離子鍵1、離子鍵的本質(zhì)——正負(fù)離子間的靜電引3、離子鍵的特點(diǎn)——沒(méi)有方向性和飽和性4、離子鍵的強(qiáng)——晶格能（點(diǎn)陣能），相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)正共價(jià)鍵1、經(jīng)典Lewis學(xué)說(shuō)（八隅體規(guī)則1基本——原子之間共享電子對(duì)，形成八電子穩(wěn)定構(gòu)。2適用——簡(jiǎn)單非金屬原子間形成的共價(jià)鍵，尤其是 Lewis結(jié)構(gòu)式的寫2、價(jià)鍵理論（電子配對(duì)理論1共價(jià)鍵的——原子相互接近時(shí)，原子間軌道（即波2共價(jià)鍵的特點(diǎn)方向性和飽和性3雜化軌道的電子具有波動(dòng)性，因此在同一原子中能鍵和π鍵——軌道后的形5某些分子或離子的真實(shí)結(jié)構(gòu)是兩種或兩種以上結(jié)構(gòu)式的體。有幾種合理的Lewis結(jié)構(gòu)，就可能有幾種體。反映電子的分子軌道理雜化軌鍵角分子幾何構(gòu)實(shí)例2個(gè)3個(gè)平面三角4個(gè)四面體型5個(gè)三角雙錐6個(gè)正八面體3、價(jià)層電子對(duì)互斥理論（VSEPR法1基本分子的共價(jià)鍵（單鍵、雙鍵或叁鍵）中的電子2用途——依據(jù)分子中成鍵電子對(duì)及孤電子對(duì)的數(shù)目，便可定3適用——判斷由1，2，3周期元素所組成的一些分子（離子）的幾何構(gòu)型比較簡(jiǎn)單和方便。但對(duì)少數(shù)含單電子的分（或離子）以及由第5，6主族元素形成的一些分子（或離）構(gòu)型的判斷，與實(shí)驗(yàn)結(jié)果常共價(jià)鍵理論：經(jīng)典Lewis學(xué)說(shuō)、Pauling價(jià)鍵理論分子軌道理論、價(jià)層電子對(duì)互VSEPR方法預(yù)測(cè)分子結(jié)構(gòu)極性分子和非極性分子、偶極矩和鍵分子的磁性2、離子型化合物由正負(fù)離子間的庫(kù)侖相互作用即離離子鍵理論：Kossel離子鍵離子鍵的強(qiáng)度：用晶格能表離子半徑及其求3、配位型化合物分子間化合物，其組成可劃分為內(nèi)界基本術(shù)語(yǔ)：強(qiáng)場(chǎng)配位體和弱場(chǎng)配位體；電子成對(duì)能；d-躍遷（）。雜化軌道類型與配離子結(jié)構(gòu)的4通過(guò)自由電子與正離子間的相互作用而5、分子間作用力與氫鍵— 力（取向力、導(dǎo)力和色散力）氫鍵形成的條件及特點(diǎn)（方向性和飽和性）1、晶體的共性特征——規(guī)則的幾何外形（晶面夾角恒定律）、固定的、各向異性面體；（abcγ）；7種晶系和14種Bravias空間點(diǎn)陣1金屬配位數(shù)較高，大部分為12配位的密堆積2離子——通常采取盡可能緊密的堆積形式。負(fù)離3分子晶體——通過(guò)分子間相互作 成晶體和沸點(diǎn)較低，硬4共價(jià)晶體晶格質(zhì)點(diǎn)是中性原子，原子與原子之低，低配位數(shù)、低密度構(gòu)型，高、硬度大。離子變形性、離子極化能力（離子勢(shì)配位鍵1、價(jià)鍵理1配位鍵的本質(zhì)屬于共價(jià)鍵。配位原子孤對(duì)電子軌道與中心離子（或原子）的空軌道，兩者共享該電子對(duì)而形2中心離子（或原子）空軌道的雜化類型與幾何結(jié)構(gòu)的系3外軌型配合物和內(nèi)軌前者配位體的孤對(duì)電子2、晶體場(chǎng)理 電子成對(duì)能與晶體 能的相對(duì)大小，決定金屬離子軌道電子的排布配合物的顏色——d-d躍遷元素的基本（1）周期表的結(jié)（2）s——氧化物和氫氧化物；Li和Be的（3）pCSi,NO,S元素的單質(zhì)及化物的的成鍵特點(diǎn)；含氧酸 名規(guī)則（4）d第一過(guò)渡系列的化學(xué)反應(yīng)特性；（5）f區(qū)元素——鑭系和錒系；稀土元縮效應(yīng)期末考試 年月日（周五）早上8：30～10：30 二教101；參考人員：臨床3、7、8、9班（116人）+口腔（58人基礎(chǔ)