光刻技術(shù)在微電子設(shè)備上的應(yīng)用及展望的論文

第頁(yè)共頁(yè)光刻技術(shù)在微電子設(shè)備上的應(yīng)用及展望的論文光刻技術(shù)在微電子設(shè)備上的應(yīng)用及展望的論文摘要：用光學(xué)復(fù)制的手段在半導(dǎo)體內(nèi)形成相應(yīng)的圖像，其主要是為電路的制作和微電子設(shè)備效勞的，這是光刻技術(shù)的原理。隨著我國(guó)科技的開展，我國(guó)光刻技術(shù)也進(jìn)入成熟開展階段，其廣泛應(yīng)用在集成電路的消費(fèi)中，光刻才能已經(jīng)比擬成熟。在將來(lái)，微電子設(shè)備上的光刻技術(shù)還會(huì)得到進(jìn)一步開展。該文就是對(duì)光刻技術(shù)在微電子設(shè)備上的應(yīng)用和展望進(jìn)展了詳細(xì)的分析^p?！娟P(guān)鍵詞】：^p：光刻技術(shù)微電子設(shè)備應(yīng)用和展望中圖分類號(hào)：TN305.7文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1672-3791〔2023〕06〔b〕-0114-02光的應(yīng)用才能和相關(guān)操作問(wèn)題是在微電子設(shè)備中應(yīng)用光刻技術(shù)的關(guān)鍵。我國(guó)光刻技術(shù)的開展有較長(zhǎng)的歷史。從技術(shù)落后的最初階段到如今逐漸成熟階段，在這個(gè)過(guò)程中我國(guó)光刻技術(shù)在微電子設(shè)備應(yīng)用中獲得了顯著的成績(jī)[1]。隨著科技技術(shù)的進(jìn)一步開展，需要進(jìn)一步完善和提升光刻技術(shù)，因此詳細(xì)分析^p光刻技術(shù)在微電子設(shè)備上的應(yīng)用和展望具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。1光刻技術(shù)在微電子設(shè)備上的詳細(xì)應(yīng)用1.1電子行業(yè)的應(yīng)用集成電路主要的外在特點(diǎn)就是零件的外觀和尺寸，對(duì)于電子行業(yè)的開展具有重要作用的就是在電子行業(yè)零件的生成和復(fù)制中應(yīng)用光刻技術(shù)。在技術(shù)中其領(lǐng)導(dǎo)作用的以及電子行業(yè)中人們更加關(guān)注的關(guān)鍵技術(shù)就是光刻技術(shù)，且當(dāng)前技術(shù)人員主要追求的目的就是使加工技術(shù)的透明材料更好、波長(zhǎng)更短以及加工程度更高。1.2集成電路的應(yīng)用在集成電路中光刻技術(shù)的主要應(yīng)用就是利用復(fù)制圖形從而使半導(dǎo)體的加工和設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)，所以在集成電路的消費(fèi)過(guò)程中光刻技術(shù)的作用是不可替代的。當(dāng)前集成電路中最重要的一項(xiàng)技術(shù)就是光刻技術(shù)，其可以將零件的消費(fèi)和圖形復(fù)制的準(zhǔn)確度在很大程度上進(jìn)展提升。另一方面，產(chǎn)品成品的產(chǎn)量和企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益的提升都是由光刻技術(shù)來(lái)說(shuō)實(shí)現(xiàn)的。在消費(fèi)集成電路的過(guò)程中，光刻過(guò)程不能有絲毫的過(guò)失，否那么就會(huì)浪費(fèi)材料，從而使本錢增加[2]。但是本錢可以利用光刻技術(shù)將其降低到最小的程度，從而使產(chǎn)品的質(zhì)量得到保障，其準(zhǔn)確度的進(jìn)步以及錯(cuò)誤率的降低就是通過(guò)不斷進(jìn)步技術(shù)程度實(shí)現(xiàn)的，從而使微電子設(shè)備行業(yè)得到進(jìn)一步開展。1.3應(yīng)用在芯片制造中在制造芯片過(guò)程中重要的一項(xiàng)技術(shù)就是光刻技術(shù)，硅片是這里所說(shuō)的芯片。當(dāng)前不斷進(jìn)步制造芯片的經(jīng)濟(jì)效益，使硅片消費(fèi)的規(guī)模也在不斷擴(kuò)大。同時(shí)不斷進(jìn)步光刻技術(shù)的程度，從而使人們預(yù)期的極限不斷的被打破，高分辨率、高效率和本錢低的統(tǒng)一性也得到了實(shí)現(xiàn)。為了使制造芯片的分辨率不斷進(jìn)步，技術(shù)人員不但對(duì)波長(zhǎng)更短的光刻技術(shù)進(jìn)展追求，而且要求技術(shù)具有效益型，如在PSM技術(shù)使用的過(guò)程中，要對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的本錢以及工序等各個(gè)方面進(jìn)展充分的考慮，總的來(lái)說(shuō)，當(dāng)前在制造芯片領(lǐng)域中已經(jīng)廣泛的應(yīng)用光刻技術(shù)。2光刻技術(shù)在微電子設(shè)備應(yīng)用上的展望2.1開展微電子設(shè)備對(duì)集成電路的要求進(jìn)步從產(chǎn)生微電子設(shè)備開場(chǎng)其對(duì)集成電路的要求就比擬高，微電子設(shè)備的質(zhì)量也是由集成電路制造的工藝直接決定的。在微電子設(shè)備將來(lái)的繼續(xù)開展過(guò)程中，要想使其質(zhì)量和工作才能進(jìn)一步提升，就要對(duì)集成電路的科研工作加大研究力度，從而使集成電路的技術(shù)含量得到升[3]。但是，當(dāng)前可以預(yù)知的就是，在將來(lái)微電子技術(shù)設(shè)備會(huì)用越來(lái)越高的要求管理著制造集成電路過(guò)程中的光刻技術(shù)，而對(duì)于那樣高的要求當(dāng)前的光刻技術(shù)是無(wú)法滿足的，所以在將來(lái)很長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)制約集成電路和微電子設(shè)備開展的重要因素就是光刻技術(shù)的開展，除非是在高標(biāo)準(zhǔn)的要求下光刻技術(shù)被新的集成電路制造技術(shù)所取代，但是從當(dāng)前科研的情況看來(lái)，仍然需要一段很長(zhǎng)的時(shí)間對(duì)這種技術(shù)進(jìn)展研究。2.2光刻技術(shù)開展面臨著瓶頸光刻技術(shù)的開展時(shí)間已經(jīng)有半個(gè)世紀(jì)了，其已經(jīng)具備根本成熟的技術(shù)，當(dāng)前的理論根據(jù)和技術(shù)才能已經(jīng)到達(dá)一個(gè)瓶頸的狀態(tài)。假如從光刻技術(shù)的開展歷程上來(lái)說(shuō)，由于不斷更新光刻技術(shù)的手段，從而使光刻技術(shù)尺寸的完成率也就越來(lái)越小，但是可以完成的尺寸不會(huì)隨著光刻技術(shù)的開展無(wú)限的小下去。50____將是光刻技術(shù)完成的尺寸瓶頸，也可以說(shuō)當(dāng)前光刻原理技術(shù)所可以完成的極限尺寸就是50____，光刻技術(shù)很難完成小于50____的光刻尺寸，這是根據(jù)相關(guān)的科研人員和業(yè)內(nèi)人士的觀點(diǎn)得知的?；蛘弋?dāng)光刻技術(shù)的光刻尺寸到達(dá)50____以后，其就不能適應(yīng)微電子設(shè)備的開展，從而使其被一種新興的技術(shù)所取代。但是當(dāng)前50____是人類的光刻技術(shù)難以到達(dá)的。在將來(lái)的幾年。70____是人類光刻技術(shù)到達(dá)的極限，要想使50____的光刻標(biāo)準(zhǔn)得以實(shí)現(xiàn)，光刻技術(shù)的開展還要經(jīng)歷一段很長(zhǎng)的歷程。根據(jù)科研人員的描繪可以知道，光刻技術(shù)要想到達(dá)70____就有一定的難度了，而且多種高科技的光刻手段都要包括在內(nèi)，因此將來(lái)人類光刻技術(shù)開展的大目的就是利用跨越式的光刻積水使其50____的瓶頸可以被超越。2.3應(yīng)用在極紫外曝光上的光刻技術(shù)在將來(lái)光刻技術(shù)開展過(guò)程中的重要方向就是應(yīng)用極紫外曝光光刻技術(shù)。人類于稀有金屬的一種新發(fā)現(xiàn)就是極紫外曝光光刻技術(shù)[4]。當(dāng)前并沒(méi)有成熟的技術(shù)去研究極紫外曝光光刻技術(shù)，但是逐漸表達(dá)出其在光刻技術(shù)中的超才能，因此相關(guān)的科研工作者對(duì)其非常重視。研究人員表示，在將來(lái)光刻技術(shù)對(duì)于50____瓶頸打破的關(guān)鍵以及使其具有很大的開展空間的就是極紫外曝光13____的應(yīng)用。當(dāng)前通過(guò)對(duì)其一系列的研究可以看出，在將來(lái)具有極大開展?jié)摿Φ木褪菢O紫外曝光光刻技術(shù)，其具有廣泛的應(yīng)用范圍，甚至使微電子設(shè)備電路板的.寬度可以縮小到0.05μm，假如這一技術(shù)可以成熟，那么其將是一項(xiàng)歷史性以及打破性的技術(shù)，對(duì)將來(lái)微電子設(shè)備的開展具有宏大的推動(dòng)作用。當(dāng)前光刻技術(shù)開展的狀態(tài)主要是在一種極限的情況下，因此未來(lái)微電子設(shè)備科研工作者的主要研究方向就是對(duì)極紫外曝光光刻技術(shù)的研究。2.4在X射線曝光技術(shù)上的開展光的波長(zhǎng)低于五納米就是X射線，X射線的分辨率和準(zhǔn)確度普遍高于其他的光線，其主要原因是X射線具有相對(duì)較短的波長(zhǎng)。從1972年開場(chǎng)科研人員就非常重視這項(xiàng)技術(shù)，因此對(duì)于這方面的研究科技人員也一直沒(méi)有放棄過(guò)。但是由于X射線的反射沒(méi)有適宜的材料，從而在光刻技術(shù)中無(wú)法正常發(fā)揮X射線相應(yīng)的作用，只有在印刷術(shù)中廣泛應(yīng)用，另一方面，X射線具有非常短的波長(zhǎng)，因此可以在一定程度上將其忽略，從而使這項(xiàng)技術(shù)復(fù)制出來(lái)的圖形與模板的相似度幾乎一應(yīng)，因此，在將來(lái)光刻技術(shù)開展的過(guò)程中，要找到合適X射線反射合適的材料，在光刻技術(shù)中充分利用其極高的分辨率，從而使光刻技術(shù)進(jìn)一步開展。3結(jié)語(yǔ)綜上所述，光刻技術(shù)和微電子設(shè)備開展的黃金時(shí)間就是21世紀(jì)，隨著相關(guān)科研工作者的不斷努力，在將來(lái)某個(gè)時(shí)間點(diǎn)一定會(huì)誕生具有更高科技含量的光刻技術(shù)，從而使當(dāng)前光刻技術(shù)的瓶頸得以打破，進(jìn)而使光刻技術(shù)進(jìn)入一個(gè)全新開展的階段。另外，在將來(lái)一段時(shí)間內(nèi)光刻技術(shù)和微電子設(shè)備之間的互相依賴關(guān)系會(huì)保持著，而微電子設(shè)備的開展仍然受到光刻技術(shù)的進(jìn)步的影響。【參考文獻(xiàn)】：^p[1]任杰.光刻技術(shù)在微電子設(shè)備上的應(yīng)用及展望[J].電子技術(shù)與軟件工程，2023〔4〕：126.[2]郭龍