試驗三氣體分子極化率的測量課件_第1頁
試驗三氣體分子極化率的測量課件_第2頁
試驗三氣體分子極化率的測量課件_第3頁
試驗三氣體分子極化率的測量課件_第4頁
試驗三氣體分子極化率的測量課件_第5頁
已閱讀5頁,還剩32頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

實驗三氣體分子極化率的測量組別:A3實驗?zāi)康?,原?、2,公式推導(dǎo):呂宜欣原理3,實驗儀器,步驟,作圖,數(shù)據(jù)處理:陳冠妤實驗?zāi)康牟t解介電質(zhì)折射率一般性質(zhì)熟悉雷射和光學(xué)儀器的操作利用麥克森干涉儀(Michelson

Interferometer)求氣體折射率原理光與介電值的作用雷射光的特性麥克森干涉儀(MichelsonInterferometer)原理1.光與介電值的作用永久偶極矩(permanentdipolemoment):

分子因負(fù)電荷中心和正電荷中心未重合

e.g.Liquidwater定向極化(OrientationPolarization):

→P(or)

具永久偶極矩之分子置於靜電場中時,因受外電場影響,原先任意排列之分子會旋轉(zhuǎn)某一角度,盡量使偶極矩和電場成直線→電場極化(polarize)此分子

WithoutfieldWithfield感應(yīng)偶極矩(induceddipolemoment):

分子不帶有擁有偶極矩,但置於電場時,電場使分子的正負(fù)電荷分離,造成暫時性的偶極矩

1.電子雲(yún)被吸引脫離中心核所在位置→P(el)2.分子鍵stretching、bending所造成各原子上有效電荷不同(如O-C-O)→P(d)

電子、原子之畸變極化(DistortionPolarization)

總極化度P和介電係數(shù)ε(dielectricconstant之關(guān)係→Clausius-Mossotti關(guān)係

M:分子量ρ:密度總極化度

振盪電場頻率→IR範(fàn)圍→分子沒有時間在電場轉(zhuǎn)換前旋轉(zhuǎn)→所測極化度無定向極化P(or)→只剩下畸變極化P(el)+P(d)振盪電場頻率→可見光範(fàn)圍→分子畸變影響消失P(d)只剩下電子雲(yún)的畸變影響P(el)→只剩下電子畸變極化度P(el)

只有電子畸變極化P(el)情況下→ε:介電係數(shù)

n:折射率(refractiveindex)

α:分子極化率

N0:亞佛加厥數(shù)

根據(jù)Clausius-Mossotti關(guān)係→

→代入

→得Lorentz方程式由泰勒展開式定義

假設(shè)氣體1折射率為n1密度為ρ1氣體2折射率為n2密度為ρ2

代入得→可由折射率求α值導(dǎo)證假設(shè)真空速率v0

氣體1中速率v1氣體2中速率v2時間差t容器長度d

速率定義波程差2.雷射光的特性相同的波長相同的前進方向相同的相位高斯光束(Gaussianbeam)光束橫截面強度

I0:光束中心強度

w:光束半徑→強度1/e2之處

χ:至光束中心的距離當(dāng)光傳播時,光束半徑及球面的曲率半徑會一直改變

W0:雷射光腰身(waist)半徑

λ:雷射光波長

Z:光束中心至腰部的距離Z3.Michelson'sInterferometer

麥克森干涉儀Michelson'sInterferometer

麥克森干涉儀Constructiveinterference建設(shè)性干涉:兩束光干擾時→疊加在屏幕上為亮區(qū)Destructiveinterference破壞性干涉:兩束光干擾時→相消在屏幕上為暗區(qū)原理雷射光經(jīng)過分光鏡分割成反射及穿透兩道光束;反射光經(jīng)由M2(固定鏡)反射,以原路徑折返,穿過分光鏡,到達屏幕。穿透光則由

M1(可動鏡)反射,同樣由原路徑折返,再經(jīng)由分光鏡反射,到達屏幕

兩道經(jīng)由M1、M2反射的光束,其光程分別為d1、d2,若光程差為波長的整數(shù)倍,平幕上會出現(xiàn)同心圓的干涉條紋光程差滿足下列公式:同心圓干涉條紋當(dāng)光程中的的折射率改變,→干涉條紋易發(fā)生改變利用光程差推得折射率在螢?zāi)簧系哪骋黄路寤虿ü忍幑潭ㄒ稽c改變氣體折射率→干涉條紋會移動,不斷通果此點當(dāng)通過m個干涉條紋→光程差為mλ經(jīng)由

光程差推得折射率實驗儀器

Instrument實驗儀器雷射光源:發(fā)射雷射光凸透鏡:聚焦分光鏡:Splitter,使光一半通過,一半反射固定鏡:

設(shè)其與Splitter間之距離為F調(diào)整扭:調(diào)整固定鏡面移動鏡:設(shè)其與Splitter間之距離為MGasCell:折射率不同,M改變,干涉條紋亦變螢?zāi)唬和队俺銮宄母缮鏃l紋儀器裝置圖實驗流程

SequenceOfProcesses

實驗步驟操作方式1.打開雷射光電源(溫機10分鐘)2.連接水銀壓力計和壓力錶,做壓力錶校正3.調(diào)整雷射光使通過可動性鏡面中心4.使反射光反射回分光鏡調(diào)整至屏幕

(此時屏幕有一主要光點,兩次要光點)5.調(diào)整分光器使兩光點重合,出現(xiàn)干涉條紋6.打開空氣幫浦抽至低壓,再讓其升至1atm觀察壓力與干涉條紋的變化7.記錄並處理數(shù)據(jù)、作圖實驗作圖及數(shù)據(jù)處理

水銀高度平均壓力計讀數(shù)NO.1NO.2NO.3NO.4

1

2

3

4

5

6

7

干涉條紋波紋差(個)平均壓力計讀數(shù)NO.1NO.2NO.3NO.4

1

2

3

4

5

6

7

波紋差水銀高度差(cm-Hg)壓力差(atm)n-n'ρ-ρ'極化率α壓力計讀數(shù)

1

2

3

4

5

6

7

實驗做圖數(shù)據(jù)處理流程

求(n-n’)mλ=2d(n-n’)n-n’=mλ/2dm=波紋差

λ=雷射光波長=6328?=6328x10-8

cmd=氣體容器長度數(shù)據(jù)處理流程求α公式解

作圖解以?n對?ρ作圖,斜率即為kαk=2πN0/M

→分子內(nèi)電子結(jié)構(gòu)和折射率間的關(guān)係P(el)和α成正比分子內(nèi)電場易受電場分離→α越大資料來源http://w

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論